專利名稱：基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種基板的兩個 表面具有不同結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，為了因應(yīng)電子產(chǎn)品的輕薄短小的尺寸趨勢，電路板逐步地朝著例如是超 細(xì)線路(Ultrafineline)的設(shè)計發(fā)展。目前已有上下表面均具有超細(xì)線路的走線層的電路板被提出。然而，這樣的電 路板必須進(jìn)行兩次超細(xì)線路的工藝，所需的成本極為高昂。因此，如何降低具有超細(xì)線 路的走線層的電路板，乃業(yè)界所致力的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要提供一種基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，其具有厚度薄，且制造成本低的 優(yōu)點。根據(jù)本發(fā)明，提出一種基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下的步驟。提供一基板， 基板具有圖案化后的一第一金屬層、圖案化后的一第二金屬層與一通孔。然后，形成一 第一介電層與一第二介電層于基板的一第一表面與相對應(yīng)的一第二表面。接著，圖案化 第一介電層與第二介電層。然后，形成一第一走線層于圖案化后的第一介電層的一表 面，第一走線層埋入于圖案化后的第一介電層中，且與第一介電層共平面。接著，形成 一第二走線層于第二介電層的一表面上。根據(jù)本發(fā)明，再提出一種基板結(jié)構(gòu)，包括一基板、一第一介電層、一第二介電 層、一第一走線層及一第二介電層。基板具有圖案化后的第一金屬層、圖案化后的一第 二金屬層與一通孔。通孔電性連接第一金屬層與第二金屬層。第一介電層配置于基板的 一第一表面。第二介電層配置于基板的一第二表面。第一表面與第二表面相對。第一 走線層埋入于第一介電層中，且與第一介電層為共平面。第二走線層配置于第二介電層 的一表面上。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作 詳細(xì)說明如下


圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的基板結(jié)構(gòu)的示意圖。圖2繪示圖1中的基板結(jié)構(gòu)的第一種制造方法的流程圖。圖3A 3F繪示根據(jù)圖2中的基板結(jié)構(gòu)的第一種制造方法的流程示意圖。圖4繪示圖1中的基板結(jié)構(gòu)的制造方法的第三種流程圖。圖5A 5G繪示根據(jù)圖4中的基板結(jié)構(gòu)的第三種制造方法的流程示意圖。主要組件符號說明
100 基板結(jié)構(gòu)110:基板111 第一金屬層112:第二金屬層113:通孑LIlOsl 第一表面 110s2 第二表面121 第一介電層121h、122h 盲孔121s、122s 表面122:第二介電層131 第一走線層131a、131a，第三金屬層132 第二走線層132a、132a，第四金屬層141 第一種子層142 第二種子層150:光阻層dl、d2、dll、dl2、d21、d22 厚度S201 S211、S201， S211，流程步驟
具體實施例方式請參照圖1，其繪示根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的基板結(jié)構(gòu)的示意圖。基板結(jié)構(gòu) 100包括一基板110、一第一介電層121、一第二介電層122、一第一走線層131及一第二 走線層132。基板110具有圖案化后的第一金屬層111、圖案化后的一第二金屬層112與一通 孔113。通孔113電性連接第一金屬層111與第二金屬層112。第一介電層121配置于 基板110的一第一表面llOsl，且第二介電層122配置于基板110的一第二表面110s2。 第一表面IlOsl與第二表面110s2相對。第一走線層131埋入于第一介電層121中，且與 第一介電層121為共平面。第二走線層132配置于第二介電層122的一表面上122s。茲將本實施例的基板結(jié)構(gòu)100進(jìn)一步說明如下。于本實施例中，第一走線層131 具有細(xì)線路，用以電性連接芯片。此處第一走線層131電性連接于芯片的方式例如是利 用錫球或凸塊(Cupillar)的覆晶(Flip chip)方式。細(xì)線路的走線間距例如是介于6至30 微米之間，且細(xì)線路的走線的厚度例如是介于5至15微米之間。此外，第二走線層132 配置于第二介電層122的表面的厚度例如為12至20微米之間。由于第一走線層131埋 入于第一介電層121中，因此，第一介電層121的厚度dl需維持一定的大小，以讓第一 走線層131與第一表面IlOsl處的走線層相隔一定的間距來避免短路。而第二走線層132 因為不是埋入于第二介電層122中，故第二介電層122的厚度d2可設(shè)計成小于第一介電 層121的厚度dl，以減少基板結(jié)構(gòu)100的整體厚度。此處的第一介電層121的厚度dl可設(shè)計成大于第二介電層122的厚度d2約10 20微米。另外，假設(shè)本實施例的第一走線層131及第二走線層132以電鍍的方式形成，則 基板結(jié)構(gòu)100可更形成有第一種子層141及第二種子層142來作為電鍍時的導(dǎo)電層。第 一種子層141配置于第一介電層121及第一走線層131之間，且第二種子層142配置于第 二介電層122及第二走線層132之間。此處的第一種子層141及第二種子層142的材料 可例如是化學(xué)銅(E’ less Cu)。再者，基板結(jié)構(gòu)100可更包括數(shù)個錫球，配置于第二走 線層132上，以提供對外電性連接的功能。如此一來，在具有相同的功能的前提下，相較于上表面及下表面均具有埋入于 介電層中的超細(xì)線路的走線層的基板結(jié)構(gòu)來說，本實施例的基板結(jié)構(gòu)100經(jīng)由配置不同 結(jié)構(gòu)的走線層于基板110的第一表面IlOsl及第二表面110S2，可使得基板110的整體厚
度較薄。于本實施例中，基板結(jié)構(gòu)100可例如利用下述的三種制造方法制成，以下將分 別詳細(xì)地說明。請同時參照圖2及圖3A 3F，圖2繪示圖1中的基板結(jié)構(gòu)的第一種制造方法的 流程圖，且圖3A 3F繪示根據(jù)圖2中的基板結(jié)構(gòu)的第一種制造方法的流程示意圖。基 板結(jié)構(gòu)100的此第一種制造方法包括以下的步驟。于步驟S201中，提供基板110，基板110具有圖案化后的第一金屬層111、圖案 化后的第二金屬層112與通孔113，如圖3A所示。于本實施例中，通孔113電性連接第 一金屬層111與第二金屬層112。雖然本實施例以基板110具有第一金屬層111、第二金 屬層112及通孔113為例做說明，然基板110亦可為具有二層以上的金屬層的基板(未繪 示)°接著，于步驟S203中，形成第一介電層121與第二介電層122于基板110的第 一表面IlOsl與相對應(yīng)的第二表面110s2，如圖3B所示。步驟S203例如是以真空壓合 (vacuum lamination)的方式來形成第一介電層121及第二介電層122。接著，于步驟S205中，圖案化第一介電層121與第二介電層122，如圖3C所 示。圖案化第一介電層121例如是利用準(zhǔn)分子激光(ExcimerLaser)來達(dá)成，以形成對應(yīng) 至第一走線層131的細(xì)線路(Ultrafineline)的圖樣，且利用紫外光-雅鉻激光(UV_YAG Laser)來形成對應(yīng)至第一介電層121的盲孔(VIA) 121h的圖樣。另外，圖案化第二介電 層122例如是利用紫外光_雅鉻激光來形成對應(yīng)至第二介電層122的盲孔122h的圖樣。然后，于步驟S207中，形成第三金屬層131a于圖案 化后的第一介電層121的表 面121s，且形成第四金屬層132a于圖案化后的第二介電層122的表面122s上，如圖3D 所示。于本實施例中，所形成位于第二介電層122的表面122s上的第四金屬層132a的 厚度dl2較佳地大于所形成的位于第一介電層121的表面121s上的第三金屬層131a的厚 度 dll。接著，于步驟S209中，減少第三金屬層131a的厚度，且減少第四金屬層132a 的厚度，使得剩余的第三金屬層131a埋入于圖案化后的第一介電層121中來形成第一走 線層131，如圖3E所示。于此實施例中，只有第三金屬層131a高于第一介電層121的 厚度要完全地被減少，以僅留下位于埋入于第一介電層121中的第三金屬層131a。于圖 3E中，所減少的第三金屬層131a及所減少的第四金屬層132a的部分以虛線表示。第三金屬層131a的厚度與第四金屬層132a的厚度例如以相同的工藝被減少。步驟S209例如 是以蝕刻或研磨的方式減少第三金屬層131a的厚度，且例如是以蝕刻或研磨的方式來減 少第四金屬層132a的厚度。于本實施例中，第三金屬層131a的厚度與第四金屬層132a 的厚度所減少的量例如實質(zhì)上相同。然后，于步驟S211中，圖案化第四金屬層132a，以形成第二走線層132于第二 介電層122的表面122s上，如圖3F所示。為了提供于對外的電性連接的功能，本實施例的制造方法可更包括形成數(shù)個錫 球于第二走線層132上。假設(shè)本實施例的制造方法以電鍍的方式來形成第三金屬層131a及第四金屬層 132a以分別作為第一走線層131及第二走線層132的一部分。為了提供電鍍時的導(dǎo)電層， 于步驟S207之前，基板結(jié)構(gòu)100的制造方法更包括分別形成第一種子層141及第二種子 層142(如圖1所示)于圖3C的圖案化后的第一介電層121的表面121s上及圖案化后的 第二介電層122的表面122s上。另外，較佳地，在步驟S211之后，基板結(jié)構(gòu)100的制 造方法更包括移除第二介電層122的表面122s上經(jīng)由第二走線層132露出的第二種子層 142，以避免短路。移除的方式可經(jīng)由蝕刻或下級預(yù)處理(downstream pretreatment)的方 式去除。此外，為了有效地去除殘留在第一介電層121的表面121s及第二介電層122的 表面122s的膠渣(smear)，本實施的基板結(jié)構(gòu)100的制造方法可在形成第一種子層141及 第二種子層142的步驟之前更包括清潔(desmear)圖案化后的第一介電層121的表面121s 及清潔圖案化后的第二介電層122的表面122s的步驟。清潔的步驟可例如是以蝕刻的方 式進(jìn)行。此清潔的步驟可以去除貫孔底部的膠渣，并且使介電層的表面粗糙化以利后續(xù) 的工藝。基板結(jié)構(gòu)100的此種制造方法僅需在圖案化第一介電層121時使用準(zhǔn)分子激光。 由于使用準(zhǔn)分子激光的工藝是非常昂貴的，因此，相較于需利用兩次準(zhǔn)分子激光來分別 圖案化兩個介電層的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，基板結(jié)構(gòu)100的此種制造方法可有效地減少 制造成本。此外，由于僅有第三金屬層131a高于第一介電層121的厚度要完全地被減 少，且第二介電層122的厚度可比第一介電層121的厚度薄，這些因素使得本實施例所需 的制造成本可更可進(jìn)一步地降低。以下接著說明基板結(jié)構(gòu)100的第二種制造方法。與第一種制造方法不同的是， 基板結(jié)構(gòu)100的第二種制造方法改變了第三金屬層及第四金屬層的厚度來達(dá)成。更詳細(xì) 地說，與第一種制造方法相較，于基板結(jié)構(gòu)100的另一種制造方法中，雖然所形成的第 四金屬層的厚度不小于形成的第三金屬層的厚度，然而，第二種制造方法中形成的第三 金屬層與第四金屬層的厚度差小于圖2中的基板結(jié)構(gòu)100的第一種制造方法中所形成的第 三金屬層131a及第四金屬層132a的厚度差，且減少的第三金屬層的厚度大于減少的第四 金屬層的厚度。舉例來說，第二種制造方法中以蝕刻及研磨的方式來減少第三金屬層的厚度， 且僅以蝕刻的方式來減少第四金屬層的厚度的步驟。如此一來，基于上述的第三金屬層 及第四金屬層的厚度設(shè)計，以及其它類似于圖3A 圖3F中的流程，同樣可制成圖1中的 基板結(jié)構(gòu)100。第二種制造方法亦可達(dá)成類似第一種制造方法的優(yōu)點。
除了上述的兩種制造方法的外，基板結(jié)構(gòu)100亦可圖4及圖5A 5G的流程步驟制成。請同時參照圖4及圖5A 5G，圖4繪示圖1中的基板結(jié)構(gòu)的第三種制造方法 的流程圖，且圖5A 5G繪示根據(jù)圖4中的基板結(jié)構(gòu)的第三種制造方法的流程示意圖。 基板結(jié)構(gòu)100的第三種制造方法包括以下的步驟。與圖2中的流程步驟相較，圖4中的步驟S201’至步驟S205’分別與圖2中的 步驟S201至步驟S205相同。步驟S201，是提供基板110 (如圖5A所示)，步驟203， 形成第一介電層121及第二介電層122(如圖5B所示)，且步驟S205’接著圖案化第一 介電層121與第二介電層122 (如圖5C所示)。然后，于步驟S206a’中，形成光阻層150于圖案化后的第二介電層122的表面 122s 上。接著，于步驟S206b’中，圖案化光阻層150，如圖5D所示。然后，于步驟S207’中，形成第三金屬層131a，于圖案化后的第一介電層121 的表面121s，且形成第四金屬層132a’于未被圖案化后的光阻層150覆蓋的圖案化后的 第二介電層122的表面122s上，如圖5E所示。于本實施例中，形成的第四金屬層132a’ 的厚度d22可實質(zhì)上等于形成的第三金屬層131a’的厚度d21。接著，于步驟S209’中，減少第三金屬層131a’的厚度，使得剩余的第三金屬 層131a’埋入于圖案化后的第一介電層121中來形成第一走線層131，如圖5F所示。減 少的第三金屬層131a’的部分以虛線表示。步驟S207’例如是以蝕刻及研磨的方式來 減少第三金屬層131a，的厚度。然后，于步驟S211’中，移除圖案化后的光阻層150，以形成第二走線層132， 如圖5G所示。為了提供對外的電性連接的功能，本實施例的制造方法可更包括形成數(shù)個錫球 于第二走線層132上。其它例如是清潔第一介電層121及第二介電層122的步驟、及形成第一種子層 141及第二種子層142的步驟當(dāng)可根據(jù)工藝需求執(zhí)行，此處不再重復(fù)說明。第三種制造方 法亦可達(dá)成類似第一種制造方法的優(yōu)點。本發(fā)明上述實施例所揭露的基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，其第一走線層以埋入于第 一介電層的方式配置，且第二走線層以配置于第二介電層上的方式配置。如此一來，相 較于上下表面均具有埋入于介電層中的超細(xì)線路的走線層的基板結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的多個實 施例的基板結(jié)構(gòu)的整體厚度較薄，且制造成本較低。此外，一般而言基板下表面的走線 層通常用以作為接地層或直流偏壓層，通常不太需要超細(xì)線路即可達(dá)成所要的功能。因 此，本發(fā)明的實施例的一般的走線層(例如第二走線層132)已足夠作為接地層或直流偏 壓層。因此，本發(fā)明的多個實施例可以在達(dá)成業(yè)界的實際產(chǎn)品要求的前提之下，同時具 有成本低廉的優(yōu)點，相當(dāng)具有市場競爭力。綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。 本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種 的更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，該基板具有圖案化后的一第一金屬層、圖案化后的一第二金屬層與一 通孔(Throughhole)；形成一第一介電層與一第二介電層于該基板的一第一表面與相對應(yīng)的一第二表面； 圖案化該第一介電層與該第二介電層；形成一第一走線層于圖案化后的該第一介電層的一表面，該第一走線層埋入于該圖 案化后的第一介電層中，且與該第一介電層共平面；以及 形成一第二走線層于該第二介電層的一表面上。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中形成該第一走線層的步驟包括 形成一第三金屬層于圖案化后的該第一介電層的該表面；以及減少該第三金屬層的厚度，使得剩余的該第三金屬層埋入于該圖案化后的第一介電 層中來形成該第一走線層。
3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，形成該第二走線層的該步驟包括 形成一第四金屬層于圖案化后的該第二介電層的該表面上；減少該第四金屬層的厚度；以及 圖案化該第四金屬層，以形成該第二走線層。
4.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中形成的該第四金屬層的厚度大于或等于形成的 該第三金屬層的厚度。
5.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中減少的該第三金屬層的厚度實質(zhì)上等于減少的 該第四金屬層的厚度。
6.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中減少的該第三金屬層的厚度大于減少的該第四 金屬層的厚度。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中減少該第三金屬層的該步驟以蝕刻及研磨的方 式進(jìn)行，且減少該第四金屬層的該步驟以蝕刻的方式進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求3所述的制造方法，其中于形成該第三金屬層的該步驟之前，該制造方 法更包括形成一第一種子層于圖案化后的該第一介電層的該表面上； 其中，于形成該第四金屬層的該步驟之前，該制造方法更包括 形成一第二種子層于圖案化后的該第二介電層的該表面上； 其中，于圖案化該第四金屬層的該步驟之后，該制造方法更包括 移除該第二介電層的該表面上的該第二種子層。
9.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，形成該第二走線層的該步驟包括 形成一光阻層于圖案化后的該第二介電層的該表面上；圖案化該光阻層；形成一第四金屬層于未被圖案化后的該光阻層覆蓋的圖案化后的該第二介電層的該 表面上；以及移除圖案化后的該光阻層，以形成該第二走線層。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中形成的該第三金屬層的厚度實質(zhì)上等于形成 的該第四金屬層的厚度。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中減少該第三金屬層的該步驟以蝕刻及研磨的 方式進(jìn)行。
12.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中于形成該第三金屬層的該步驟之前，該制造 方法更包括形成一第一種子層于圖案化后的該第一介電層的該表面上；其中，于形成該光阻層的該步驟之前，該制造方法更包括形成一第二種子層于圖案化后的該第二介電層的該表面上；其中，于移除圖案化后的該光阻層的該步驟之后，該制造方法更包括移除該第二介電層的該表面上的該第二種子層。
13.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中其中圖案化該第一介電層與該第二介電層的 步驟利用紫外光-雅鉻激光(UV-YAGLaser)來達(dá)成，以分別形成對應(yīng)至該第一介電層與 該第二介電層的盲孔(Via)的圖樣。
14.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中圖案化該第一介電層的該步驟利用準(zhǔn)分子激 光(ExcimerLaser)來達(dá)成，以形成對應(yīng)至該第一走線層的細(xì)線路(Ultrafineline)的圖樣。
15.—種基板結(jié)構(gòu)，包括一基板，具有圖案化后的一第一金屬層、圖案化后的一第二金屬層與一通孔，該通 孔電性連接該第一金屬層與該第二金屬層；一第一介電層，配置于該基板的一第一表面；一第二介電層，配置于該基板的一第二表面，該第一表面與該第二表面相對； 一第一走線層，埋入于該第一介電層中，且與該第一介電層為共平面；以及 一第二走線層，配置于該第二介電層的一表面上。
16.如權(quán)利要求15所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該第二走線層配置于該第二介電層的表面 的厚度為12至20微米之間。
17.如權(quán)利要求15所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該第一介電層的厚度大于該第二介電層的 厚度10 20微米。
18.如權(quán)利要求15所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該第一走線層具有細(xì)線路，該細(xì)線路的走 線間距介于6至30微米之間。
19.如權(quán)利要求15所述的基板結(jié)構(gòu)，其中，該第一走線層具有細(xì)線路，該細(xì)線路的走 線的厚度介于5至15微米之間。
全文摘要
一種基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下的步驟。提供一基板，基板具有圖案化后的一第一金屬層、圖案化后的一第二金屬層與一通孔。然后，形成一第一介電層與一第二介電層于基板的一第一表面與相對應(yīng)的一第二表面。接著，圖案化第一介電層與第二介電層。然后，形成一第一走線層于圖案化后的第一介電層的一表面，第一走線層埋入于圖案化后的第一介電層中，且與第一介電層共平面。接著，形成一第二走線層于第二介電層的一表面上。
文檔編號H05K3/46GK102026499SQ200910174788
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月14日
發(fā)明者李志成 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司