專利名稱：識別標(biāo)志以及電路基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在制造用于各種電子設(shè)備的電路基板時所使用的識別標(biāo) 志，且本發(fā)明涉及使用了上述識別標(biāo)志的電路基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，隨著電子設(shè)備趨向于小型化、高密度化，搭載電子零件的電 路基板也從現(xiàn)有的單面基板發(fā)展到采用雙面、多層基板，并已開發(fā)出能夠 在基板上集成更多的電路以及零件的高密度基板。
特別是隨著多層基板的高密度化，電路圖案變得細(xì)微，人們需要更多 層的電路圖案和更薄的基板。
在此種電路基板中，必須新開發(fā)利用導(dǎo)電膏并經(jīng)由內(nèi)部導(dǎo)通孔來將多 層的電路圖案之間加以連接的連接方法、以及可靠性高的結(jié)構(gòu)。
以下，以專利文獻1所揭示的制造方法為示例，對現(xiàn)有的利用導(dǎo)電膏
實現(xiàn)內(nèi)部導(dǎo)通孔連接的4層基板的制造方法加以說明。
首先，對作為多層基板的核心基板的雙面基板的制造方法、與導(dǎo)電膏 的填充方法加以說明，其中上述多層基板是利用導(dǎo)電膏來通過內(nèi)部導(dǎo)通孔 來連接的。
圖10A 圖IOH是表示現(xiàn)有的雙面基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖10A所示的基板材料是由半固化片21以及脫模薄膜22a、 22b構(gòu)成的己 經(jīng)層壓過的半固化片。
可使用由復(fù)合材料形成的基材來作為半固化片21，此復(fù)合材料例如是 使熱固性環(huán)氧樹脂含浸于無紡布的全芳香族聚酰胺纖維或玻璃纖維布而成 的。在半固化片21的正反面上貼附有具有脫模層部的塑料薄膜，例如由聚 對苯二甲酸乙二醇酯等形成的脫模薄膜22a、 22b。
作為將脫模薄膜22a、 22b粘接到半固化片21上的方法，已提出了使 用層壓裝置，通過使半固化片21的樹脂成分熔融而連續(xù)地將脫模薄膜22a、 22b粘接于上述半固化片21的方法。其次，如圖10B所示，利用激光加工法等來形成通孔23。此時，通過 激光加工法來形成用于層間連接的產(chǎn)品用通孔23，同時形成制造時所使用 的識別標(biāo)志用通孔27a、 27b。
接著，如圖10C所示，將導(dǎo)電膏24填充到產(chǎn)品用通孔23以及識別標(biāo) 志用通孔27a、 27b中。
導(dǎo)電膏24是為了賦予導(dǎo)電性而在環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂中混和著銅等 的金屬粒子而成的。對于填充方法而言，可采用利用了刮板26的印刷法等 眾所周知的技術(shù)。
其次，如圖10D所示，將脫模薄膜22a、 22b剝離。脫模薄膜22a、 22b 僅僅是通過使半固化片21表面上的樹脂部分稍微熔融來進行粘接，因此可 以容易地被剝離。
圖11是脫模薄膜剝離后的通孔的剖面圖，如圖11所示，在將脫模薄 膜22a、 22b剝離之后導(dǎo)電膏24成為如下突出形狀，即突出的部分相當(dāng)于 脫模薄膜22a、 22b的厚度。
接著，如圖IOE所示，將銅等的金屬箔25a、 25b配置在半固化片21 的正反面。然后，通過熱壓來對半固化片21與所述金屬箔25a、 25b進行 加熱加壓，由此如圖10F所示，使它們成型并固化，從而使半固化片21與 金屬箔25a、 25b貼附，并且使導(dǎo)電膏24壓緊。由此，通過設(shè)置在預(yù)定位 置的通孔23中所填充的導(dǎo)電膏24，對正反面的金屬箔25a、 25b進行電連 接。
其次，使用X射線透過金屬箔25a、 25b，對形成在半固化片21上的 識別標(biāo)志用通孔27a、 27b進行檢測，如圖10G所示，使用鉆孔器等在識別 標(biāo)志用通孔27a、 27b的中心處形成曝光用通孔29a、 2%。
接著，對曝光用通孔29a、 29b與曝光薄膜進行定位(未圖示)，并利 用感光顯像法等來形成預(yù)定的抗蝕圖案。然后，使用二氯化銅等的化學(xué)藥 液來選擇性地進行蝕刻，如圖10H所示，可獲得包括電路圖案32a、 32b與 層壓下一層時的層壓用識別圖案33a、 33b的雙面基板30。
接著，對4層基板的制造方法加以說明。
首先如圖12A所示，準(zhǔn)備以上述方式制得的形成著內(nèi)層導(dǎo)體電路(形 成在作為內(nèi)層電路基板上的電路圖案)32a、 32b與層壓下一層時的識別圖
6案33a、 33b的雙面基板30、以及使用圖10A 圖10D的制造方法而制得的 兩張半固化片21a、 21b。在兩張半固化片21a、 21b中具備產(chǎn)品用通孔23 與識別標(biāo)志用通孔27a、 27b，使用印刷法將導(dǎo)電膏24填充到上述通孔中。 產(chǎn)品用通孔23形成在與雙面基板30上的電路圖案32a、 32b的預(yù)定位置相 向的部分。識別標(biāo)志用通孔27a、 27b形成在與雙面基板30上的層壓識別 用圖案33a、 33b的位置相向的部分。
接著如圖12B所示，首先，利用相機來對半固化片21b的識別標(biāo)志用 通孔27a、 27b進行檢測，并進行圖像處理，以求出所填充的導(dǎo)電膏24的 孔徑的重心。根據(jù)此結(jié)果，在X、 Y、 e方向上移動半固化片21b，將半固 化片21b定位到預(yù)定位置，并配置到金屬箔25b上。然后，利用相機，對 形成在與半固化片21b相向的部分的雙面基板30上的層壓識別用圖案33a、 33b進行檢測，并進行圖像處理以求出重心。根據(jù)此結(jié)果，在X、 Y、 e方 向上移動雙面基板30，使此雙面基板30對準(zhǔn)半固化片21b的識別標(biāo)志用通 孔27a、 27b，并將此雙面基板30配置到半固化片21b上。
接著，如圖12C所示，利用相機，對與形成在雙面基板30上的識別圖 案33a、 33b相向的部分上所形成的半固化片21a的識別標(biāo)志用通孔27a、 27b進行檢測，并進行圖像處理，以求出所填充的導(dǎo)電膏24的孔徑的重心。 然后，在X、 Y、 e方向上移動半固化片21a，使此半固化片21a對準(zhǔn)雙面基 板30的識別用圖案33a、 33b，并將此半固化片21a配置到雙面基板30上。
再者，利用電荷耦合器件(Charge Coupled Device, CCD)等的相機， 對上述的識別標(biāo)志用通孔27a、27b以及層壓識別用圖案33a、33b進行檢測， 采用此種檢測方法的理由可列舉裝置成本較低，裝置的結(jié)構(gòu)簡單且較為 流行，而且生產(chǎn)率高等。
接著，如圖12D所示，將金屬箔25a、 25b分別配置到半固化片21a、 21b的表面上，通過熱壓來對金屬箔25a、 25b與半固化片21a、 21b進行加 熱加壓，由此使它們成型并固化，從而使半固化片21a、 21b與金屬箔25a、 25b貼附。由此，將導(dǎo)電膏24壓緊，正反面的金屬箔25a、 25b通過設(shè)置在 預(yù)定位置的通孔23中所填充的導(dǎo)電膏24，與內(nèi)層的雙面基板30的電路圖 案32a、 32b電連接。
其次，利用X射線透過金屬箔25a、 25b，對形成在半固化片21a、 21b中的識別標(biāo)志用通孔27a、 27b進行檢測，如圖12E所示，使用鉆孔器等在 識別標(biāo)志用通孔27a、 27b的重心處形成曝光用通孔29a、 29b。
接著，如圖12F所示，對曝光用通孔29a、 29b與曝光薄膜進行定位(未 圖示)，利用感光顯像法等來形成預(yù)定的抗蝕圖案。然后，使用二氯化銅等 的化學(xué)藥液來進行選擇性蝕刻，形成外層的電路圖案32a、 32b，由此獲得 4層基板40。
但是，在如上述的電路基板的制造方法中，當(dāng)使用激光加工在半固化 片上形成識別標(biāo)志時，會產(chǎn)生識別錯誤或重心偏移，對于要求定位精度的 電路基板是不利的，其中上述半固化片在正反面上貼附著脫模薄膜。
使用表示通孔加工后的半固化片21的剖面與平面的對應(yīng)關(guān)系的圖13 對上述情況進行說明。具體而言，構(gòu)成半固化片的樹脂成分、芳族聚酸胺 纖維或玻璃纖維織物，與作為脫模薄膜的基材的聚對苯二甲酸乙二醇酯等 塑料類物質(zhì)的加工能量不同。因此，例如當(dāng)照射激光偏斜時，如圖13所示， 有時會在入射側(cè)(半固化片的21表面)的脫模薄膜22a相對于激光的射出 側(cè)(半固化片21的背面)已變形的狀態(tài)下，對通孔23進行加工。g卩，入 射側(cè)的通孔23a的孔徑變得大于射出側(cè)的通孔23的孔徑。
如果將導(dǎo)電膏24填充到己以所述方式變形了的通孔23中，那么如圖 14所示，入射側(cè)的導(dǎo)電膏24孔徑的重心37a會偏離射出側(cè)的導(dǎo)電24的重 心37b。
然后，當(dāng)利用相機，并使用透射光以及反射光來對半固化片21上的識 別用標(biāo)志進行檢測時，選擇入射側(cè)的孔徑。另一方面，當(dāng)在熱壓之后，利 用X射線透過金屬箔25a、 25b來對識別標(biāo)志用通孔23進行檢測時，選擇 導(dǎo)電膏24濃度高的射出側(cè)的孔徑。因此，在兩個步驟之間產(chǎn)生了識別標(biāo)志 用通孔23的偏移。
圖15是表示現(xiàn)有例中的其他識別標(biāo)志的示例的俯視圖。最近，如圖15 所示，己提出了由多個通孔構(gòu)成的識別標(biāo)志27，即使識別標(biāo)志27的一部分 已缺失，識別標(biāo)志27的重心變成異常標(biāo)志38，也可以利用其他識別標(biāo)志 27來獲得重心。但是，當(dāng)在上述半固化片21上對識別標(biāo)志27進行加工時， 如果激光偏斜，那么同一方向上的入射側(cè)與射出側(cè)的導(dǎo)電膏24的孔徑會不 同，與形成單一通孔的情況相同地會產(chǎn)生重心偏移。因此，為了消除此種制造方法中的識別標(biāo)志的重心偏移，人們需要如 下的識別標(biāo)志、與使用此識別標(biāo)志的電路基板的制造方法，上述識別標(biāo)志 不會受到因激光偏斜而產(chǎn)生的入射側(cè)、射出側(cè)的導(dǎo)電膏孔徑的差異的影響。
專利文獻1:日本專利特開平6-268345號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的識別標(biāo)志設(shè)置在半固化片上的至少兩處以上，且由填充有導(dǎo) 電性填充材料的通孔、與未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘 留有導(dǎo)電性填充材料的通孔所構(gòu)成。
由此，具有在制造時不會因激光的偏斜而使識別標(biāo)志的重心偏移，可 獲得層壓精度高的多層基板的效果。
而且，本發(fā)明的電路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上貼 附脫模薄膜的步驟；在上述半固化片上形成多個用于層間連接的通孔以及 識別標(biāo)志用通孔的步驟；將導(dǎo)電性填充材料填充到用于層間連接的通孔以 及多個識別標(biāo)志用通孔中的一部分通孔的步驟；以及將脫模薄膜從半固化 片剝離的步驟。
由此，可以容易地獲得層壓精度高的識別標(biāo)志，其結(jié)果，從而能夠提 供一種內(nèi)層基板與半固化片的一致性優(yōu)異、利用導(dǎo)電性填充材料那樣的層 間連接方法實現(xiàn)的電連接穩(wěn)定、且高質(zhì)量、高密度的電路基板。


圖1A是表示本發(fā)明的一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的 剖面圖。
圖1B是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1C是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1D是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1E是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1F是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1G是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖1H是表示同一實施方式中的電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。 圖2是表示同一實施方式中的識別標(biāo)志的位置的平面圖。 圖3A是表示同一實施方式中的識別用通孔的加工方法的平面圖。
9圖3B是表示同一實施方式中的識別用通孔的加工方法的剖面圖。
圖4是表示同一實施方式中的識別標(biāo)志的平面圖。
圖5是表示同一實施方式中的通孔加工后的剖面以及平面的對應(yīng)關(guān)系的圖。
圖6A是在同一實施方式中的通孔中填充導(dǎo)電膏后的剖面圖。 圖6B是同一實施方式中的未在通孔中填充導(dǎo)電膏的通孔的剖面圖。 圖7是同一實施方式中的使用了導(dǎo)電膏的其他通孔的剖面圖。 圖8A是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖 面圖。
圖8B是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖 面圖。
圖8C是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖 面圖。
圖8D是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖 面圖。
圖8E是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖8F是表示同一實施方式中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖9A是表示同一實施方式中的填充多層電路基板的制造方法中所使
用的導(dǎo)電膏之前的識別標(biāo)志的重心的剖面圖。
圖9B是表示同一實施方式中的填充多層電路基板的制造方法中所使
用的導(dǎo)電膏之后的識別標(biāo)志的重心的剖面圖。
圖10A是表示現(xiàn)有例中的雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10B是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10C是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10D是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10E是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10F是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖10G是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。圖IOH是表示同一雙面電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖11是將現(xiàn)有例中的脫模薄膜剝離之后的通孔的剖面圖。
圖12A是表示現(xiàn)有例中的多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖12B是表示同一多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖12C是表示同一多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖12D是表示同一多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖12E是表示同一多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖12F是表示同一多層電路基板的制造方法的步驟的剖面圖。
圖13是表示現(xiàn)有例中的通孔加工后的剖面以及平面的對應(yīng)關(guān)系的圖。
圖14是表示現(xiàn)有例中的識別標(biāo)志的剖面圖。
圖15是表示現(xiàn)有例中的另一個識別標(biāo)志的平面圖。
附圖標(biāo)記說明
1、 la、 lb半固化片
2a、 2b脫模薄膜
3、 3a通孔
4導(dǎo)電膏
5a、 5b金屬箔
6刮板
7、 7a、 7b層壓識別標(biāo)志用通孔
8a、 8bx射線識別標(biāo)志用通孔
9a、 9b曝光用通孔
10雙面基板
11掩模
12a、 12b電路圖案
13a、 13b層壓識別用圖案
14a、 14bX射線識別用圖案
15導(dǎo)電膏填充區(qū)域
16激光
17、 17a、 17b重心
18變質(zhì)層
ii20 4層基板
具體實施例方式
本發(fā)明的識別標(biāo)志設(shè)置在半固化片上的至少兩處以上，且由填充有導(dǎo) 電性填充材料的通孔、與未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘 留有導(dǎo)電性填充材料的通孔所構(gòu)成。由此，具有在制造時不會因激光的偏 斜而使識別標(biāo)志的重心偏移，可以獲得層壓精度高的多層基板的效果。
此外，未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填 充材料的通孔，設(shè)置在填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔的外側(cè)，例如設(shè)置在 半固化片的端緣側(cè)。由此，當(dāng)將導(dǎo)電性填充材料填充到用于層間連接的通 孔中時，容易遮住未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔。而且，可以在不影響到 用于層間連接的通孔的質(zhì)量的情況下，形成在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填 充材料的通孔。并且，容易通過相機，使用透射光以及反射光來對未填充 導(dǎo)電性填充材料的通孔、或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填充材料的通孔進 行檢測。因此，在制造時不會因激光的偏斜而使識別標(biāo)志的重心偏移，可 獲得層壓精度高的多層基板。
而且，在通孔的加工壁上形成有變質(zhì)層。由此通孔的輪廓變得清晰， 可以容易地被檢測出。
而且，未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填 充材料的通孔的孔徑，大于填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔的孔徑。由此， 可以防止因加工粉末或灰塵堵塞通孔等而引起通孔的重心偏移。
而且，未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔、在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填 充材料的通孔、及填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔中的至少一種通孔，是由 多個通孔所構(gòu)成的。由此，即使通孔的加工位置精度降低，也可以根據(jù)多 個通孔的重心位置來得到，從而可以提高層壓精度。
而且，在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填充材料的通孔是通過激光加工而 形成的，變質(zhì)層是半固化片中的樹脂成分經(jīng)碳化而形成的。由此，可以高 效地形成變質(zhì)層。
而且，未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填 充材料的通孔，是通過多次照射激光而形成的。由此，可以在不使生產(chǎn)率 降低的情況下，高效地形成上述通孔。此外，本發(fā)明的電路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上貼 附脫模薄膜的步驟；在上述半固化片上形成用于層間連接的通孔以及多個 識別標(biāo)志用通孔的步驟；將導(dǎo)電性填充材料填充到用于層間連接的通孔以 及多個識別標(biāo)志用通孔中的一部分通孔的步驟；以及將脫模薄膜從半固化 片剝離的步驟。
由此，可以容易地獲得層壓精度高的識別標(biāo)志，其結(jié)構(gòu)，從而能夠提 供一種內(nèi)層基板與半固化片的一致性優(yōu)異、利用導(dǎo)電性填充材料的層間連 接方法實現(xiàn)的電連接穩(wěn)定、且高質(zhì)量、高密度的電路基板。
而且，本發(fā)明的電路基板的制造方法包括在半固化片的正反面上貼 附脫模薄膜的步驟；在上述半固化片上形成用于層間連接的通孔以及多個 識別標(biāo)志用通孔的步驟；將導(dǎo)電性填充材料填充到用于層間連接的通孔以 及多個識別標(biāo)志用通孔中的步驟；以及將脫模薄膜從半固化片剝離的步驟； 將導(dǎo)電性填充材料填充到多個識別標(biāo)志用通孔中的步驟包括下述步驟導(dǎo) 電性填充材料從一部分通孔中掉落，導(dǎo)電性填充材料僅殘存在通孔壁面上。
由此，可以容易地獲得層壓精度高的識別標(biāo)志，而且因為在填充導(dǎo)電 性填充材料時，無須遮住一部分通孔，所以可以提高生產(chǎn)率，進而可以提 高半固化片等基板材料的有效面積的比率。
此外，導(dǎo)電性填充材料掉落的那一部分通孔的孔徑，大于其他通孔的 孔徑。由此，所填充的導(dǎo)電性填充材料會從通孔中掉落，導(dǎo)電性填充材料 僅殘留在通孔壁面上，從而能夠使通孔的輪廓變得清晰。
而且，本發(fā)明的電路基板的制造方法包括準(zhǔn)備具有用于層間連接的
通孔及識別標(biāo)志的半固化片的步驟，此用于層間連接的通孔是通過上述的 將脫模薄膜從半固化片剝離的步驟而制得且填充有所述導(dǎo)電性填充材料， 且此識別標(biāo)志由填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及未填充導(dǎo)電性填充材
料的通孔或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填充材料的通孔所構(gòu)成；準(zhǔn)備具有 電路圖案以及層壓識別用圖案的內(nèi)層基板與金屬箔的步驟；對半固化片上 的識別標(biāo)志中的填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及未填充導(dǎo)電性填充材 料的通孔或在通孔壁面上殘留有導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及內(nèi)層基板的 層壓識別用圖案進行檢測并進行定位，將所述半固化片配置到內(nèi)層基板上 的步驟；將金屬箔大致定位并配置到半固化片上之后，通過熱壓來進行加熱加壓的步驟；以及對識別標(biāo)志中的填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔進行檢 測，形成曝光用通孔的步驟。由此，具有可獲得層壓精度高的多層電路基 板的效果。
而且，利用相機進行檢測并進行圖像處理，以此來對上述半固化片的 識別標(biāo)志與內(nèi)層基板上的層壓識別用圖案進行檢測與定位。
由此，即使在已偏斜的狀態(tài)下對半固化片上的識別標(biāo)志進行加工，因 透射光的圖像是通孔的孔徑最小的部分，所以不會受到激光偏斜的影響。 其結(jié)果，可以容易地利用透射光來準(zhǔn)確地對半固化片上的識別標(biāo)志用通孔 以及內(nèi)層基板的層壓識別用圖案進行正確的檢測。此外，圖像處理以及定 位操作快，生產(chǎn)率高。
而且，對識別標(biāo)志中的填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔進行檢測，形成 曝光用通孔的步驟，是以如下方式進行的，即利用X射線來對通孔進行檢 測，并在通孔的重心進行鉆孔加工。
由此，可對重心進行檢測而不會受到填充在入射側(cè)的導(dǎo)電性填充材料 的影響，從而能夠形成位置精度高的曝光用通孔，其中在上述入射側(cè)，半 固化片上的識別標(biāo)志在已偏斜的形狀下受到加工。
如上所述，具體而言在本發(fā)明中，設(shè)置如下的兩個識別標(biāo)志， 一個識 別標(biāo)志是在將內(nèi)層的基板定位并層壓到內(nèi)層電路基板以及半固化片上時所 使用的識別標(biāo)志，另一個識別標(biāo)志是在熱壓之后透過金屬箔而受到X射線 的檢測的識別標(biāo)志，利用未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔、或在內(nèi)壁上形成 有導(dǎo)電性填充材料的通孔來形成設(shè)置在半固化片上的層壓時的識別標(biāo)志， 且利用填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔來形成受到X射線的檢測的識別標(biāo)志。
因此，根據(jù)本發(fā)明，能夠改善內(nèi)層電路基板與將要定位并層壓到內(nèi)層 電路基板的正反面上的半固化片的定位精度，并能夠容易地實施高精細(xì)的 電路基板的制造方法。
以下， 一面參照附圖， 一面對本發(fā)明的實施方式中的識別標(biāo)志以及電 路基板的制造方法加以詳細(xì)說明。 (實施方式)
在本實施方式中，使用導(dǎo)電膏作為導(dǎo)電性填充材料。首先，對作為多
14層基板中的內(nèi)層基板的雙面電路基板的制造方法加以說明，其中上述多層 基板是利用導(dǎo)電膏來進行內(nèi)部導(dǎo)通孔連接的。
圖1A 圖1H是表示本發(fā)明的一實施方式中的電路基板的制造方法的
步驟的剖面圖。圖1A 圖1H也是本發(fā)明的電路基板的制造方法的工序剖 面圖。
百先卯圖1A所不，便用層比裝置，將貺悮溥腺2a、 2b貼附到半固化 片1的正反面上。
半固化片1使用由復(fù)合材料形成的基材，此復(fù)合材料例如是使熱固性 環(huán)氧樹脂含浸于無紡布的全芳香族聚酰胺纖維或玻璃纖維布而成的。使用 層壓裝置來在半固化片1的正反面上粘接形成有脫模層部的塑料薄膜，例 如由聚對苯二甲酸乙二醇酯等形成的脫模薄膜2a、 2b。
其次，如圖1B所示，利用激光加工法等來形成作為內(nèi)部導(dǎo)通孔的通孔 3。此時，在形成產(chǎn)品用(即用于層間連接)通孔3的同時，利用激光加工 法形成未填充下述導(dǎo)電膏4的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b，以及用于熱壓 后的位置識別的填充有導(dǎo)電膏4的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b。
圖2是表示本實施方式中的識別標(biāo)志的位置的平面圖。在本實施方式 中，如圖2所示，在下述導(dǎo)電膏4的填充區(qū)域15內(nèi)，形成有孔徑約為150 pm 的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b，在導(dǎo)電膏4的填充區(qū)域15的外側(cè)，即 在從中心觀察時作為外側(cè)的半固化片1的端緣側(cè)，形成有孔徑約為300 , 的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b。
圖3A以及圖3B是表示本實施方式中的識別用通孔的加工方法的平面 圖以及剖面圖。在本實施方式中，為了防止生成加工粉末或灰塵，在進行 激光加工時多次照射激光16，并使激光16的孔徑以圖3A的方式重疊，以 此方式對層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b進行加工，使孔徑約為300 pm。如圖 3B所示，在層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b的加工壁上形成有變質(zhì)層18，此 變質(zhì)層18是利用激光16的熱量來使半固化片1中的樹脂成分碳化而成的。 此處，通過多次照射上述激光16來使層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b的孔徑 為300 pm，但此孔徑也可以與產(chǎn)品用通孔3或X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b的孔徑相同。
圖4是表示本實施方式中的識別標(biāo)志的平面圖。在本實施方式中，層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b以及X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b分別設(shè)為1 個通孔，但如圖4所示，也可由多個通孔7、 8來形成識別標(biāo)志，可任意地 設(shè)定通孔7、 8的個數(shù)。
而且，當(dāng)制作4層時的半固化片1時，層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b以 及X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b是必需的。但是，在雙面基板的情況下， 因為使金屬箔5a、 5b大致定位并配置在半固化片1的正反面，所以也可以 僅形成X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b。
圖5是表示本實施方式中的通孔加工后的剖面以及平面的對應(yīng)關(guān)系的 圖。在激光加工時激光產(chǎn)生偏斜的情況下，如圖5所示，偏斜部分的激光 的能量較小，因此，通孔3a形成在作為激光入射側(cè)的半固化片1的上側(cè)脫 模薄膜2a處。但是，半固化片1并未被上述通孔3a貫穿而是成為一部分受 到加工的狀態(tài)。因此，上側(cè)脫模薄膜2a的通孔3a的孔徑大于半固化片1 的孔徑，并且形成偏斜的狀態(tài)。另一方面，作為激光射出側(cè)的半固化片1 的下側(cè)脫模薄膜2b側(cè)，僅供能量大的部分的激光通過而形成通孔3，因此， 此通孔3在未偏斜的狀態(tài)下受到加工。
接著，如圖1C所示，使用眾所周知的印刷法，將導(dǎo)電膏4填充到產(chǎn)品 用通孔3以及X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b，此通孔8a、 8b是構(gòu)成識別標(biāo) 志用通孔的一部分。在利用掩模11覆蓋層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b的狀 態(tài)下，利用刮板6填充導(dǎo)電膏4，由此，能夠阻止導(dǎo)電膏4侵入到層壓識別 標(biāo)志用通孔7a、 7b中。因此，能夠不將導(dǎo)電膏4填充到層壓識別標(biāo)志用通 孔7a、 7b中，而是將導(dǎo)電膏4填充到未被板框覆蓋的X射線識別標(biāo)志8a、 8b中。
填充到通孔3中的導(dǎo)電膏4，與貼附在半固化片1的正反面上的銅等的 金屬箔5a、 5b電連接。導(dǎo)電膏4是為了賦予導(dǎo)電性而在環(huán)氧樹脂等熱固性 樹脂中混和銅等的金屬粒子而成的。
其次，如圖1D所示，將脫模薄膜2a、 2b剝離。在將脫模薄膜2a、 2b 剝離之后，導(dǎo)電膏4成為如下的突出形狀，即突出的部分相當(dāng)于脫模薄膜 2a、 2b的厚度。
圖6A是在本實施方式中的通孔中填充導(dǎo)電膏后的剖面圖，圖6B是同 一未填充導(dǎo)電膏的通孔的剖面圖。上側(cè)脫模薄膜2a的加工面是在進行激光加工時，孔徑大幅地偏斜的狀態(tài)下加工的。因此，在進行激光加工后填充
入導(dǎo)電膏4的產(chǎn)品用通孔3及X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b成為如圖6A 的狀態(tài)。即，由于激光發(fā)生偏斜的部分的能量，作為激光入射側(cè)的半固化 片1表面上所出現(xiàn)的導(dǎo)電膏4的孔徑變大。另一方面，半固化片1的下側(cè) 脫模薄膜2b側(cè)的導(dǎo)電膏4的孔徑變小，此下側(cè)脫模薄膜2b側(cè)作為激光偏 斜的影響較小的射出側(cè)。因此形成如下狀態(tài)，即表面的導(dǎo)電膏4的重心17a 與背面的導(dǎo)電膏4的重心17b偏離。
另一方面，未填充導(dǎo)電膏4的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b如圖6B所 示，在作為激光入射側(cè)的半固化片1的上側(cè)會觀察到輕微熔融的痕跡，但 在利用透射光進行觀察時，未穿通的半固化片1的熔融痕跡部分的影響不 會顯現(xiàn)出來，上述通孔7a、 7b均為具有中心17的通孔的形狀(圓形)。
圖7是本實施方式中的使用導(dǎo)電膏的另一個通孔的剖面圖。在本實施 方式中，直接使用由激光加工而形成的通孔來作為層壓識別標(biāo)志7a、 7b。 但是，如圖7所示，當(dāng)填充導(dǎo)電膏4時，導(dǎo)電膏4會殘留在層壓識別標(biāo)志 用通孔7a、 7b周邊與通孔壁面上，由此，通孔的輪廓變得清晰。而且，當(dāng) 利用激光加工來形成變質(zhì)層18時，通孔的輪廓也會變得清晰。
為了使導(dǎo)電膏4僅殘留在圖7所示的部位，在填充區(qū)域內(nèi)，設(shè)置具有 容易使導(dǎo)電膏4掉落的孔徑的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b。由此，即使與 其他的產(chǎn)品用通孔3或X射線識別標(biāo)志用通孔8a、8b同時地填充導(dǎo)電膏4， 層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b中的導(dǎo)電膏4也會掉落，從而可獲得圖7所示 的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b。如果通孔孔徑超過半固化片1厚度的1.5 倍，那么容易使導(dǎo)電膏4掉落，孔徑越大就越容易使上述導(dǎo)電膏4掉落。 因此，可根據(jù)將要使用的導(dǎo)電膏4及填充方法等來設(shè)定通孔孔徑。再者， 在將導(dǎo)電膏填充到層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b中之后，放置規(guī)定時間，由 此，能夠使導(dǎo)電膏僅殘存在通孔壁面上。
其次，如圖1E所示，使用半固化片1的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b， 將銅等的金屬箔5a、 5b配置到正反面上。當(dāng)制作作為內(nèi)層基板的雙面基板 時，對金屬箔5a、 5b加以大致定位即可，因此，定位精度要求不高，可使 用填充有導(dǎo)電膏4的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b。
接著，如圖1F所示，之后，通過熱壓機加熱加壓，成型并固化，以使半固化片l與金屬箔5a、 5b粘接，并且使導(dǎo)電膏4壓緊。由此，正反面的 金屬箔5a、 5b與設(shè)置在預(yù)定位置的產(chǎn)品用通孔3中所填充的導(dǎo)電膏4電連接。
其次，利用X射線檢測器，透過金屬箔5a、 5b來對形成在半固化片l 上的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b進行檢測。然后，如圖1G所示，使用 鉆孔器等，在X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b的重心處形成曝光用通孔9a、 9b。在X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b的重心處，因受到半固化片l的受激 光偏斜的影響而在偏斜狀態(tài)下加工的入射側(cè)的導(dǎo)電膏4的孔徑較大，但導(dǎo) 電膏4的厚度會相應(yīng)減少，減少的厚度等于脫模薄膜2a的厚度，且濃度降 低。因此，選擇在激光射出側(cè)的導(dǎo)電膏4的孔徑的重心，上述激光射出側(cè) 的導(dǎo)電膏4的濃度高且導(dǎo)電膏4的孔徑小。
接著，如圖1H所示，對曝光用通孔9a、 9b與曝光薄膜進行定位(未 圖示)，并利用感光顯像法等來形成預(yù)定的抗蝕圖案。然后，使用二氯化銅 等的化學(xué)藥液來進行選擇性蝕刻，形成電路圖案12a、 12b、 4層用的層壓 識別用圖案13a、 13b、以及X射線識別用圖案14a、 14b，由此，可獲得用 作內(nèi)層基板的雙面基板10。此處，僅在雙面基板的表面上形成層壓識別用 圖案13a、 13b與X射線識別用圖案14a、 14b，但也可根據(jù)檢測方法而將上 述圖案設(shè)置在背面?zhèn)取?br> 再者，在本發(fā)明中，未填充導(dǎo)電性填充材料的通孔、在通孔壁面上殘 留有導(dǎo)電性填充材料的通孔、及填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔中的至少一 種通孔，可由多個通孔所構(gòu)成。
其次，對本發(fā)明的4層基板的制造方法加以說明。圖8A 圖8F是本 發(fā)明的4層基板的制造工序剖面圖。
首先如圖8A所示，準(zhǔn)備以上述方式制得的包括內(nèi)層導(dǎo)體電路12a、 12b 與層壓下一層時的識別圖案13a、 13b的雙面基板10、以及使用圖1A 圖 1D的制造方法而制得的兩張半固化片la、 lb。在兩張半固化片la、 lb上， 在雙面基板10的電路圖案12a、 12b的預(yù)定位置上形成填充有導(dǎo)電膏4的 產(chǎn)品用通孔3。而且，在與X射線識別用圖案14a、 14b的位置相向的部分 上形成填充有導(dǎo)電膏4的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b。并且，在與層壓 識別用圖案13a、 13b的位置相向的部分上形成未填充導(dǎo)電膏4的層壓識別
18標(biāo)志用通孔7a、 7b。
接著如圖8B所示，利用相機并以透射光來對半固化片lb的未填充導(dǎo) 電膏4的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b進行檢測，進行圖像處理以求出重心，
在x、 y、 e方向上移動半固化片lb，將此半固化片lb定位到預(yù)定位置，
接著將此半固化片lb配置到金屬箔5b上。然后，利用相機，從上方對形 成在與半固化片lb相向的部分的雙面基板10上表面的層壓識別用圖案 13a、 13b進行檢測，并進行圖像處理以求出重心，在X、 Y、 e方向上移動 雙面基板10，使此雙面基板10對準(zhǔn)半固化片lb的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b，并將此雙面基板IO配置到半固化片lb上。
在未填充導(dǎo)電膏4的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b的加工壁上形成有變 質(zhì)層，通孔的輪廓變得更加清晰，可穩(wěn)定地對層壓識別標(biāo)志用通孔進行檢 測，在所制作的1000張樣品中，未出現(xiàn)誤識別。
在本實施方式中，利用相機，從上方對雙面基板10上表面的層壓識別 用圖案13a、 13b進行檢測，但也可利用相機，從下方對雙面基板10下表 面的層壓識別用圖案13a、 13b進行檢測。
并且，如圖8C所示，求出半固化片la的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b 的重心，此層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b形成在與雙面基板10上所形成的 層壓識別用圖案13a、 13b相向的部分上，且未填充導(dǎo)電膏4。然后，在X、 Y、 e方向上移動半固化片la，使此半固化片la對準(zhǔn)雙面基板10的層壓識 別用圖案13a、 13b，將此半固化片la配置到雙面基板10上。
其次，如圖8D所示，將金屬箔5a配置到半固化片la上，通過熱壓機 進行加熱加壓，成型固化以使半固化片la與金屬箔5a、 5b貼附，并且使導(dǎo) 電膏4壓緊。由此，正反面的金屬箔5a、 5b通過設(shè)置在預(yù)定位置的通孔3 中所填充的導(dǎo)電膏4，與雙面基板10的電路圖案12a、 12b電連接。
接著，使用X射線透過金屬箔5a、 5b，對形成在半固化片la、 lb上的 X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b進行檢測，如圖8E所示，使用鉆孔器等， 在X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b的重心處形成曝光用通孔9a、 9b。
接著，如圖8F所示，對曝光用通孔9a、 9b與曝光薄膜進行定位(未 圖示)，并利用感光顯像法等來形成預(yù)定的抗蝕圖案，使用二氯化銅等的化 學(xué)藥液來進行選擇性蝕刻而形成電路圖案12a、 12b，由此可獲得4層基板20。
圖9A以及圖9B是表示本實施方式中的多層電路基板的制造方法中所 使用的導(dǎo)電膏填充前、以及導(dǎo)電膏填充后的識別標(biāo)志的重心的剖面。如圖 9A所示，利用未填充導(dǎo)電膏4的通孔7a、 7b來形成層壓識別標(biāo)志，由此， 即使在激光偏斜的狀態(tài)下對層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b進行加工，透射光 的圖像是通孔中孔徑最小的部分，因此不會受到激光偏斜的影響。因此， 入射側(cè)與射出側(cè)的重心不會偏移，此重心偏移現(xiàn)象在現(xiàn)有的填充導(dǎo)電膏4 來形成識別標(biāo)志時成為問題。
而且，熱壓后所使用的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、 8b形成在層壓識別 標(biāo)志附近，由此，可以防止對于層壓識別標(biāo)志的位置精度的降低。并且， 如圖9A、圖9B所示，求出的層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b的重心17a、與 受到X射線檢測的X射線識別標(biāo)志用通孔8a、8b的重心17b在通孔的同一 位置，因此，，也能夠改善在進行層壓時和利用X射線來進行檢測時的重心 偏移。
而且，因為并未在層壓識別標(biāo)志用通孔7a、 7b中填充導(dǎo)電膏4，所以 當(dāng)通孔孔徑變小時，灰塵或半固化片的樹脂粉等容易留在通孔中。因此， 當(dāng)使用相機利用透射光來進行檢測時，孔徑變小，且重心位置發(fā)生偏移， 從而存在定位精度降低的情況。因此，優(yōu)選將層壓識別標(biāo)志用通孔3a、 3b 的孔徑設(shè)為容易使灰塵或半固化片的樹脂粉掉落的孔徑。
因此，在本實施方式中，半固化片的厚度設(shè)為100 pm，而通孔孔徑設(shè) 為約300 pm。但是，可根據(jù)半固化片的特性或激光加工法來設(shè)定通孔孔徑。 而且，在激光加工時，多次對層壓識別標(biāo)志用通孔照射激光，將激光直徑 加以重疊對一個通孔進行加工，半固化片中的樹脂成分因激光加工的熱量 而碳化等的變色層得以形成，因此，容易檢測出層壓識別標(biāo)志的輪廓。
而且，在本實施方式中，已對4層基板的制造方法進行了說明，但進 一步將己完成的基板20作為內(nèi)層基板，將本發(fā)明所制得的半固化片la、 lb 與金屬箔5a、 5b加以定位并配置到上述內(nèi)層基板的正反面上，重復(fù)熱壓以 及形成電路的過程，由此可獲得任意的多層基板。
而且，本實施方式的結(jié)構(gòu)為，在電路基板10的正反面上配置半固化片 la、 lb與金屬箔5a、 5b，但在半固化片la、 lb的正反面上配置電路基板10，也可以獲得本發(fā)明的效果。
此外，對使用導(dǎo)電膏作為層間連接方法的結(jié)構(gòu)進行了說明，但作為導(dǎo) 電膏，除了可使用在包含固化劑的熱固性樹脂中混和銅粉等的導(dǎo)電性粒子 而成的物質(zhì)之外，還可使用多種組成，例如對導(dǎo)電性粒子及熱壓時可以排 出到基板材料中的適當(dāng)粘度的高分子材料、或者溶劑等進行混和而成的物 質(zhì)等。
工業(yè)利用可能性
如上所述，內(nèi)層基板與半固化片的一致性優(yōu)異，能夠穩(wěn)定且高質(zhì)量地 利用導(dǎo)電膏那樣的層間連接材來實現(xiàn)電連接，因此，本發(fā)明對于電路基板 的制造方法等是有用的。
權(quán)利要求
1、一種識別標(biāo)志，其特征在于其設(shè)置在半固化片上的至少兩處，且由填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及與未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔或在通孔壁面上殘留有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔所構(gòu)成。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別標(biāo)志，其特征在于從中心觀察，在所述填充有導(dǎo)電性填充材料的通孔的外側(cè)，設(shè)置有所 述未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔、或所述在通孔壁面上殘留有所述導(dǎo) 電性填充材料的通孔。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別標(biāo)志，其特征在于 在所述通孔的加工壁上形成有變質(zhì)層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別標(biāo)志，其特征在于所述未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上殘留有所 述導(dǎo)電性填充材料的通孔的孔徑，大于所述填充有所述導(dǎo)電性填充材料的 通孔的孔徑。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的識別標(biāo)志，其特征在于所述未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔、所述在通孔壁面上殘留有所 述導(dǎo)電性填充材料的通孔、及所述填充有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔中的 至少一種所述通孔，是由多個通孔所構(gòu)成的。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的識別標(biāo)志，其特征在于所述在通孔壁面上殘留有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔是通過激光加工 而形成的，所述變質(zhì)層是半固化片中的樹脂成分經(jīng)碳化而成的。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的識別標(biāo)志，其特征在于所述未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上殘留有所 述導(dǎo)電性填充材料的通孔，是通過多次照射激光而形成。
8、 一種電路基板的制造方法，其特征在于包括在半固化片的正反面上貼附脫模薄膜的步驟；在正反面上貼附有所述 脫模薄膜的所述半固化片上形成用于層間連接的通孔以及多個識別標(biāo)志用 通孔的步驟；將導(dǎo)電性填充材料填充到所述用于層間連接的通孔以及所述 多個識別標(biāo)志用通孔中的一部分通孔的步驟；以及將所述脫模薄膜從所述半固化片剝離的步驟。
9、 一種電路基板的制造方法，其特征在于包括-在半固化片的正反面上貼附脫模薄膜的步驟；在正反面上貼附有所述 脫模薄膜的所述半固化片上形成用于層間連接的通孔以及多個識別標(biāo)志用 通孔的步驟；將導(dǎo)電性填充材料填充到所述用于層間連接的通孔以及所述 多個識別標(biāo)志用通孔的步驟；以及將所述脫模薄膜從所述半固化片剝離的 步驟；將所述導(dǎo)電性填充材料填充到所述多個識別標(biāo)志用通孔中的步驟包 括下述步驟:所述導(dǎo)電性填充材料從一部分所述通孔中掉落，所述導(dǎo)電性 填充材料僅殘存在通孔壁面上。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路基板的制造方法，其特征在于 所述導(dǎo)電性填充材料掉落的那一部分所述通孔的孔徑，大于其他所述通孔的孔徑。
11、 一種電路基板的制造方法，其特征在于包括 準(zhǔn)備具有下述的用于層間連接的通孔及識別標(biāo)志的半固化片的步驟，所述用于層間連接的通孔通過權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的將所述脫模 薄膜從所述半固化片剝離的步驟而制得且填充有所述導(dǎo)電性填充材料，所 述識別標(biāo)志由填充有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及未填充所述導(dǎo)電性 填充材料的通孔或在通孔壁面上殘留有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔所構(gòu) 成；準(zhǔn)備具有電路圖案以及層壓識別用圖案的內(nèi)層基板與金屬箔的步驟； 對所述半固化片上的識別標(biāo)志中的所述填充有所述導(dǎo)電性填充材料的通 孔、以及所述未填充所述導(dǎo)電性填充材料的通孔或所述在通孔壁面上殘留 有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔、以及所述內(nèi)層基板的層壓識別用圖案進行 檢測并進行定位，將所述半固化片配置到所述內(nèi)層基板上的步驟；將所述 金屬箔大致定位并配置到所述半固化片上之后，通過熱壓半固化片進行加 熱加壓的步驟；以及對所述識別標(biāo)志中的所述填充有所述導(dǎo)電性填充材料 的通孔進行檢測，形成曝光用通孔的步驟。
12、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的電路基板的制造方法，其特征在于 利用相機進行檢測并進行圖像處理，以此來對所述半固化片上的識別標(biāo)志與所述內(nèi)層基板的層壓識別用圖案進行檢測以及定位。
13、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的電路基板的制造方法，其特征在于對所述識別標(biāo)志中的所述填充有所述導(dǎo)電性填充材料的通孔進行檢 測，形成所述曝光用通孔的步驟是以如下方式進行的，即利用X射線來對 所述通孔進行檢測，并在所述通孔的重心進行鉆孔加工。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電路基板的制造方法，在正反面貼附有脫模薄膜(2a、2b)的半固化片(1)上，形成產(chǎn)品用通孔(3)、層壓識別標(biāo)志用通孔(7a、7b)、以及X射線識別標(biāo)志用通孔(8a、8b)，遮住層壓識別標(biāo)志用通孔(7a、7b)，并將導(dǎo)電膏(4)填充到產(chǎn)品用通孔(3)以及X射線識別標(biāo)志用通孔(8a、8b)中之后，將脫模薄膜(2a、2b)剝離，從而制造電路基板，因為并未在層壓識別標(biāo)志用通孔(7a、7b)中填充導(dǎo)電膏(4)，所以可容易地獲得層壓精度高的識別標(biāo)志，從而可獲得層壓精度高、密度高且質(zhì)量優(yōu)異的電路形成基板。
文檔編號H05K1/02GK101543144SQ20088000033
公開日2009年9月23日 申請日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者岡本孝雄, 平石幸弘, 竹中敏昭, 馬田督也 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社