專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光器件以及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)EL(Electroluminescent:電致發(fā)光)器件以及具備該有機(jī)
EL器件的顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前，使用有機(jī)EL元件的顯示屏已廣為人知。
用于實(shí)際上使有機(jī)EL元件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)方式有兩種無(wú)源矩陣(Passive Matrix )法和有源矩陣(Active Matrix )法。其中，有源矩陣方式為基于TFT
(薄膜晶體管)的驅(qū)動(dòng)方式。
圖l是表示以往的全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素(無(wú)源型)的排列的圖。 如該圖所示，有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素具有多個(gè)發(fā)光像素41,進(jìn)而具有由多 個(gè)發(fā)光像素41構(gòu)成的圖像顯示排列，所述發(fā)光像素41矩陣狀地配置紅R、 綠G、藍(lán)B的發(fā)光部。
圖2是表示全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素41的基板部51a的示意結(jié)構(gòu)(無(wú) 源型)的圖。如該圖所示，基板部51a在由透明坡璃等構(gòu)成的基板52上設(shè) 有由氧化銦錫(ITO)等構(gòu)成的第一電極53。多個(gè)第一電極53彼此平行且條 狀地排列。此外，在包含第一電極53的基板52上排列有電絕緣性的絕緣 膜54和隔提55。絕緣膜54和隔堤55以垂直于第一電極53方式每隔規(guī)定 間隔地形成。此外，將隔提(bank) 55設(shè)置成從基板52上突起。此外，隔 堤55形成在使第一電極53的 一部分露出的位置上。
此外，在第一電極53上沒(méi)有形成隔提的部分的上面，至少形成一層有 機(jī)EL層56。進(jìn)而，在有機(jī)EL層56上形成有第二電極57，該第二電極在 與第一電極53的延伸方向大致垂直的方向上延伸。
設(shè)置隔提55是為了，通過(guò)隔離相鄰的第二電極57,從而防止相鄰的第 二電極57之間的短路。因此優(yōu)選的是，隔提55的截面形狀如圖2所示為， 倒梯形等懸突(overhang )形狀。
此外， 一般地，構(gòu)成有機(jī)EL層56的有機(jī)材料抗?jié)裥圆?，而且?gòu)成隔
3提55的材料也使用抗?jié)裥圆畹牟牧稀Ｒ虼?，如圖3所示，在發(fā)光像素41 中，利用封裝部(例如玻璃管、保護(hù)膜等)將形成有隔提55和有機(jī)EL層 56的面封裝。圖3是表示以往的全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的剖面 圖，圖3A表示用玻璃管68封裝的發(fā)光像素41,圖3B表示用透濕性低的 保護(hù)膜69封裝的發(fā)光像素41。圖3A和圖3B都是沿第一電極53的長(zhǎng)度方 向的剖面圖。
對(duì)于上述那樣構(gòu)成的發(fā)光像素41而言，被驅(qū)動(dòng)的第一電極53與第二 電極57的交叉部分的有機(jī)EL層56發(fā)光。發(fā)出的光透過(guò)基板52向顯示面 方向照射(例如，參照專利文獻(xiàn)1和2)。
專利文獻(xiàn)l:(日本)特開平11-040370號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:(日本)特開2000-0896卯號(hào)公報(bào)
另外，在近年來(lái)的有機(jī)EL顯示屏以及有機(jī)EL顯示器的研究/開發(fā)中， 提高發(fā)光亮度成為重要的課題之一。在有機(jī)EL顯示屏以及有機(jī)EL顯示器 的技術(shù)領(lǐng)域，提出了各種提高亮度的方法。但現(xiàn)狀是，并沒(méi)有顯著地提高 亮度的決定性的解決方法而是通過(guò)不斷地改良一點(diǎn)一點(diǎn)地提高亮度。
一般地，增大發(fā)光面的發(fā)光面積是提高亮度的主要因素。這是因?yàn)椋?通過(guò)增大發(fā)光面的發(fā)光面積，使從兩個(gè)電極向發(fā)光面送入的空穴和電子高 效率地作用，從而改善發(fā)光效率。
但是，在上述的以往的發(fā)光像素中，兩個(gè)電極的重疊區(qū)域即像素區(qū)域 間的間隔較大，存在發(fā)光面積的損失。為了減少該發(fā)光面積的損失，若在 上述的以往的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)中減小像素區(qū)域間的間隔，則有可能產(chǎn)生像 素區(qū)域間的干擾。
作為解決上述的發(fā)光面積的損失和像素區(qū)域間的干擾這兩個(gè)相互矛盾 的問(wèn)題的方法，已知有以下方法，即，設(shè)置用于分割像素區(qū)域間的第二隔
但是，在隔提附近很難使發(fā)光層平坦，隔提造成發(fā)光層厚度的不均勻。 該發(fā)光層厚度的不均勻?qū)Πl(fā)光效率產(chǎn)生不利的影響。若為了解決該問(wèn)題而 擴(kuò)大像素區(qū)域間的間隔，則如上所述產(chǎn)生發(fā)光面積的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供有機(jī)EL器件以及顯示裝置，通過(guò)在隔提的周圍設(shè)置像素限制層(絕緣性無(wú)機(jī)膜)，減小像素區(qū)域間的間隔且實(shí)現(xiàn)發(fā)光層厚 度的均勻化，從而能夠提高發(fā)光效率。
本發(fā)明的有機(jī)EL器件釆用如下的結(jié)構(gòu)，包括兩個(gè)以上的第一隔堤， 其線狀地延展；多個(gè)第二隔堤，其將在相鄰的所述第一隔提之間形成的區(qū) 域分割而形成像素區(qū)域，并且高度低于所述第一隔提；空穴輸送層，其對(duì) 應(yīng)各個(gè)所述像素區(qū)域獨(dú)立地設(shè)置；以及絕緣性無(wú)機(jī)膜，其沿著隔開所述像 素區(qū)域的兩個(gè)所述第一隔堤的相向的側(cè)面，被設(shè)置在所述像素區(qū)域的邊緣。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供如下的有機(jī)EL器件以及顯示裝置，即，通過(guò)在
隔提的周圍設(shè)置像素限制層(絕緣性無(wú)機(jī)膜)，減小像素區(qū)域間的間隔而且 實(shí)現(xiàn)發(fā)光層厚度的均勻化，從而提高發(fā)光效率。


圖1是表示以往的全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素的排列的圖。
圖2是表示以往的全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素的基板部的示意結(jié)構(gòu)的圖。
圖3A、 3B是表示以往的全色有機(jī)顯示屏的發(fā)光像素的結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)的剖面圖。 圖5是表示實(shí)施方式1的有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖6是在空穴輸送層的下面具有絕緣性無(wú)機(jī)膜的有機(jī)EL器件的剖面圖。
圖7是用于說(shuō)明基于凹版印刷方法的隔堤形成方法的圖。 圖8是實(shí)施方式2的有機(jī)EL器件的剖面圖。 圖9A、 9B、 9C是表示有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)變化的圖。 圖10是表示實(shí)施方式3的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖11是表示實(shí)施方式4的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)的立體圖。 圖12是用于說(shuō)明隔提剖面形狀的變化的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明的本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)EL器件，其具有: (1)兩個(gè)以上的第一隔堤，其線狀地延伸；(2)多個(gè)第二隔堤，其將在相 鄰的第一隔提之間形成的區(qū)域分割而形成像素區(qū)域，并且高度低于第一隔提；(3)空穴輸送層，其對(duì)應(yīng)各個(gè)像素區(qū)域獨(dú)立地設(shè)置；以及(4)絕緣性 無(wú)機(jī)膜，其沿著隔開像素區(qū)域的兩個(gè)第一隔提的相向的側(cè)面，設(shè)置在像素 區(qū)域的邊緣。
而且，優(yōu)選的是，上述有機(jī)EL器件還具有絕緣性無(wú)機(jī)膜，其沿著隔開 像素區(qū)域的兩個(gè)第二隔提的相向的側(cè)面，設(shè)置在所述像素區(qū)域的邊緣。
通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜的作用，即使在縮短相向的隔提之間的距離時(shí)，也能 夠?qū)⑼ㄟ^(guò)涂敷法形成的空穴輸送層或中間層在整個(gè)像素區(qū)域厚度均勻地形 成。也就是說(shuō)，通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜的作用，能夠減小像素區(qū)域間的間隔并且 使發(fā)光層的厚度均勻。
在后迷的實(shí)施方式1中，對(duì)空穴輸送層的材料包含PSS-PEDOT (摻 雜了聚乙烯磺酸的聚亞乙基二氧噻吩，以下簡(jiǎn)稱為"PEDOT")或其衍生物 (共聚物等)的情況進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式l中，通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜的作用， 空穴輸送層的厚度在整個(gè)像素區(qū)域被均勻化。
在實(shí)施方式2中，對(duì)空穴輸送層的材料為鉤氧化物(WOx)、鉬氧化 物(MoOx)、釩氧化物(VOx)等氧化物、或者為這些氧化物的組合的情況 進(jìn)行說(shuō)明。在實(shí)施方式2中，通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜的作用，中間層的厚度在整 個(gè)像素區(qū)域被均勻化。
在實(shí)施方式3中，對(duì)在第二隔提上設(shè)有與相鄰的像素區(qū)域連通的溝槽 的情況進(jìn)行說(shuō)明。
在實(shí)施方式4中，對(duì)有機(jī)EL器件的驅(qū)動(dòng)方式特別是無(wú)源方式的情況進(jìn) 行說(shuō)明。
在實(shí)施方式5中，說(shuō)明隔提的剖面形狀的變化。
另外，在實(shí)施方式中，對(duì)相同構(gòu)成要素標(biāo)注相同附圖標(biāo)記，由于其說(shuō) 明重復(fù)，因此省略。 (實(shí)施方式1) [1.有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)]
圖4是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)的剖面圖。此 外，圖5是表示有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)的立體圖。另外，圖4是以圖5的 A-A面剖切有機(jī)EL器件后的剖面圖。此外，在圖4和圖5中，沒(méi)有圖示 空穴輸送層、中間層(IL)、有機(jī)發(fā)光層(高分子有機(jī)EL材料層)以及陰在圖4中，有機(jī)EL器件10包括基板IOO、陽(yáng)極(陽(yáng)極電極)210、 絕緣性無(wú)機(jī)膜220、第一隔提230以及第二隔堤240 (參照?qǐng)D5)。有機(jī)EL 器件IO為,驅(qū)動(dòng)方式是有源方式的有機(jī)EL器件。
基板100包括柵極電極120、柵極絕緣層130、源極電極140、漏極 電極150、有機(jī)半導(dǎo)體層160以及絕緣層170。它們中的柵極電極120、柵 極絕緣層130、源極電極140、漏極電極150以及有機(jī)半導(dǎo)體層160構(gòu)成有 機(jī)TFT(薄膜晶體管)。另外，也可以用硅TFT代替有機(jī)TFT。
此外，在基板100中設(shè)有接觸孔(Contact Hole ) 180。接觸孔180電連 接漏極電極150和設(shè)置在基板100上的陽(yáng)極210。接觸孔180與陽(yáng)極210的 連接點(diǎn)配置在絕緣性無(wú)機(jī)膜220的下面。
而且在基板100上配置絕緣性無(wú)機(jī)膜220。絕緣性無(wú)機(jī)膜220配置在第 一隔提230的下面以及第一隔提230的兩邊。配置在第一隔提230的兩邊 的絕緣性無(wú)機(jī)膜220的寬度優(yōu)選是5 ~ l(Vm。絕緣性無(wú)機(jī)膜220是電絕緣 性的無(wú)機(jī)膜。而且，絕緣性無(wú)機(jī)膜220優(yōu)選具有較高的濕潤(rùn)性，作為其材 料包含硅氧化物(Si02)、氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiON)等。無(wú)機(jī)絕 緣膜220的厚度優(yōu)選是10nm~ 200nm。
接著，詳細(xì)地說(shuō)明有機(jī)EL器件10的基板100上的基本結(jié)構(gòu)。
如圖5所示，在有機(jī)EL器件10的基板IOO上線狀地配置有多個(gè)第一 隔提230。這里，多個(gè)第一隔提230彼此平行地延伸。
而且，在基板100上配置其高度低于第一隔提230的多個(gè)第二隔堤240。 第二隔堤240以將相鄰的第一隔提230之間所形成的區(qū)域分割成多個(gè)區(qū)域 的方式進(jìn)行配置。這里，多個(gè)第二隔提240配置在與第一隔提230的延伸 方向垂直的方向上。這樣，在基板100上形成多個(gè)由兩個(gè)第一隔提230和 兩個(gè)第二隔提240圍成的區(qū)域(以下，有時(shí)稱為"像素區(qū)域")300。該像素 區(qū)域300相當(dāng)于像素(pixel )。
在第一隔提230的與基板IOO相向的面(也就是，第一隔提230的底 面)之下配置絕緣性無(wú)機(jī)膜220。進(jìn)而，絕緣性無(wú)機(jī)膜220配置在第一隔提 230的周圍，具體而言，沿著隔開像素區(qū)域300的兩個(gè)第一隔提230的相向 的各個(gè)側(cè)面而配置在像素區(qū)域300的兩端。另外，絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上 表面(這里為平坦的面)，其一端與第一隔堤230的惻面相接并從該側(cè)面向 像素區(qū)域300的內(nèi)部延伸。而且，該絕緣性無(wú)機(jī)膜220的高度低于第二隔提240的高度。這里，絕緣性無(wú)機(jī)膜220配置在第一隔提230的底面周圍， 特別是，配置在第一隔堤230的底面的周圍并且在第一隔堤230的下層。 另外，如上所述，絕緣性無(wú)機(jī)膜220優(yōu)選一直配置到距離第一隔提230的 側(cè)面5-10)am的位置。
而且，絕緣性無(wú)機(jī)膜220也配置在第二隔提240的底面之下。并且， 絕緣性無(wú)機(jī)膜220配置在第二隔提240的周圍，具體而言，沿著隔開像素 區(qū)域300的兩個(gè)第二隔提240的相向的各個(gè)側(cè)面而配置在像素區(qū)域300的 另外兩端。而且，絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面(這里為平坦的面)，其一端 與第二隔提240的側(cè)面相接，并從該側(cè)面向像素區(qū)域300的內(nèi)部延伸。另 外，該絕緣性無(wú)機(jī)膜220的高度低于第二隔提240的高度。這里，絕緣性 無(wú)機(jī)膜220配置在第二隔提240的底面周圍，特別是，配置在第二隔提240 的底面的周圍并且在第二隔提240的下層。
在各個(gè)像素區(qū)域300的底面配置陽(yáng)極210。由于有機(jī)EL器件10是驅(qū)動(dòng) 方式為有源方式的有機(jī)EL器件，所以對(duì)應(yīng)各個(gè)像素設(shè)置陽(yáng)極210。 [2.有機(jī)EL器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)]
在像素區(qū)域300，從基板100側(cè)起，按順序?qū)盈B空穴輸送層、中間層、 高分子有機(jī)EL材料層。 (1 )空穴輸送層
在陽(yáng)極210上配置空穴輸送層。空穴輸送層是由空穴輸送材料構(gòu)成的 層。在本實(shí)施方式中，在空穴輸送材料中包含PEDOT或其衍生物(共聚物 等)?？昭ㄝ斔蛯拥暮穸韧ǔ？蔀?0nm以上100nm以下，可約為30nm。
圖6是在空穴輸送層之下具有絕緣性無(wú)機(jī)膜的有機(jī)EL器件的剖面圖。 如圖6所示，在空穴輸送層250的材料為PEDOT (或者其衍生物)時(shí)，空 穴輸送層250以覆蓋在絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上面的方式設(shè)置在像素區(qū)域 300。也就是說(shuō)，此時(shí)，在隔提附近，空穴輸送層250的底面與絕緣性無(wú)機(jī) 膜220的上表面相接。這樣，通過(guò)設(shè)置在隔提底面周圍的絕緣性無(wú)機(jī)膜220， 能夠?qū)⒖昭ㄝ斔蛯?50的材料溶解后的溶液均勾地涂敷在整個(gè)像素區(qū)域300 上，可獲得膜厚度均勻的空穴輸送層250。
(2)中間層
在空穴輸送層250上配置中間層260 (參照?qǐng)D6)。中間層260具有阻 擋向空穴輸送層250輸送電子的作用，并具有向高分子有機(jī)EL材料層高率地運(yùn)送空穴的作用，例如為由聚苯胺類材料構(gòu)成的層。中間層260的厚
度通常為10nm以上lOOnm以下，可約為40nm。 (3 )有機(jī)EL層
高分子有機(jī)EL材料層270配置在中間層260上(參照?qǐng)D6)。進(jìn)而，在 高分子有機(jī)EL材料層270上配置陰極電極(未圖示)。 [3.有機(jī)EL器件的制造方法]
接著，說(shuō)明具有上述結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL器件10的制造方法。另外，與以 往的制造方法相比，基板100的制造方法并沒(méi)有特別地變化，所以省略其 說(shuō)明。
一例優(yōu)選的制造方法包括以下步驟(1)在基板面上形成陽(yáng)極210; (2)在形成有陽(yáng)極210的基板面上形成絕緣性無(wú)機(jī)膜220; (3)在絕緣性 無(wú)機(jī)膜220上形成用于規(guī)定像素區(qū)域300的第一隔提230和第二隔提240; (4)在像素區(qū)域300內(nèi)，形成空穴注入層250; (5)在像素區(qū)域300內(nèi)， 形成中間層260; (6)在像素區(qū)域300內(nèi)，形成高分子有機(jī)EL材料層270; 以及(7)在高分子有機(jī)EL材料層270上形成陰極。
在步驟(l)中，在基板上進(jìn)行導(dǎo)電薄膜后對(duì)它進(jìn)行光刻加工或蝕刻加 工，由此在基板100上形成陽(yáng)極210。在形成像素區(qū)域300的預(yù)定位置上， 對(duì)應(yīng)各個(gè)像素區(qū)域300獨(dú)立地形成陽(yáng)極210。
在步驟(2)中，在基板100上，通過(guò)濺射形成絕緣性無(wú)機(jī)膜220。也 可以通過(guò)經(jīng)由掩膜進(jìn)行濺射而在形成預(yù)定位置上直接形成絕緣性無(wú)機(jī)膜 220，或者也可以在通過(guò)濺射形成膜之后，通過(guò)蝕刻僅留下形成預(yù)定位置上 的膜，由此形成絕緣性無(wú)機(jī)膜220。
在步驟(3)中，在絕緣性無(wú)機(jī)膜220上形成用于規(guī)定像素區(qū)域300的 第一隔提230和第二隔提240。在后面詳細(xì)地說(shuō)明隔提的形成方法。
在步驟(4)中，在所形成的像素區(qū)域300內(nèi)，涂敷PEDOT等溶解后 的溶液。例如，通過(guò)噴注、凸版印刷、凹版印刷或者分配法(dispenser)進(jìn) 行涂敷。
在步驟(5)中，在像素區(qū)域300內(nèi)、在空穴輸送層250的上層，涂敷 中間層260的材料溶解在有機(jī)溶劑中的溶液。例如，通過(guò)噴注、凸版印刷、 凹版印刷或者分配法進(jìn)行涂敷。
在步驟(6)中，在像素區(qū)域300內(nèi)、在中間層260的上層，涂敷高分
9子有機(jī)EL材料層270的材料溶解在有機(jī)溶劑中的溶液。例如，通過(guò)噴注進(jìn) 行涂敷。
在步驟(7)中，在高分子有機(jī)EL材料層270上形成陰極。 這里，能夠用以下所示方法來(lái)形成步驟(3)中的第一隔提230和第二 隔提240。
首先，第一種形成方法為，通過(guò)凹版印刷方法形成第一隔提230和第 二隔提240 (參照?qǐng)D7)。圖7是用于說(shuō)明基于凹版印刷方法的隔提形成方 法的圖。在圖7中示出了，形成隔提的凹版印刷裝置400的結(jié)構(gòu)。
首先，分別使印刷滾簡(jiǎn)410、壓印滾筒420以及供給滾筒430旋轉(zhuǎn)，所 述供給滾簡(jiǎn)430配置在貯存有墨水(隔提的構(gòu)成材料)的儲(chǔ)罐(無(wú)附圖標(biāo) 記)內(nèi)。
供給滾簡(jiǎn)430的下部浸在墨水內(nèi)，通過(guò)旋轉(zhuǎn)將粘附在下部表面的墨水 提供給印刷滾簡(jiǎn)410。
印刷滾簡(jiǎn)410的滾簡(jiǎn)面410A上設(shè)有凹部。用供給滾簡(jiǎn)430提供的墨水 填充該凹部。填充到凹部的墨水厚度存在偏差，所以通過(guò)刮刀440使墨水 的厚度保持一定。
填充到凹部的墨水轉(zhuǎn)印到通過(guò)壓印滾簡(jiǎn)420壓靠在印刷滾簡(jiǎn)410上的 基板IOO。這樣，形成根據(jù)印刷滾簡(jiǎn)面410A的凹部的圖案而被圖案化的隔提。
接著，例如使基板100旋轉(zhuǎn)90度，將印刷滾簡(jiǎn)410的滾簡(jiǎn)面410A更 換為第二隔提240用的滾簡(jiǎn)面后，與形成第一隔提230的情況同樣地，形 成第二隔堤240。這樣，在基板100上形成由第一隔提230和第二隔提240 圍成的像素區(qū)域300。另外，在進(jìn)行該步驟(4)之前，也可以對(duì)圖案化后 的第一隔堤230進(jìn)行預(yù)焙(pre-bake)，使構(gòu)成第一隔提230的樹脂材料固 化。
此外，第二種形成方法可以是，基于以下所示的光刻法的形成方法。 首先，在包含有形成第二隔提240的預(yù)定位置的線上涂敷用于構(gòu)成第
二隔提240的材料后，依序進(jìn)行預(yù)焙、經(jīng)由光掩膜的曝光、顯像、后焙，
從而形成第二隔提240。
接著，與第二隔提240的形成方法相同，在包含有形成第一隔提230
的預(yù)定位置的線上涂敷用于構(gòu)成第一隔提230的材料后，依序進(jìn)行預(yù)焙、經(jīng)由光掩膜的曝光、顯像、后焙，從而形成第一隔提230。
此外，第三種形成方法也可以是，在形成第一隔堤230和第二隔堤240 的預(yù)定位置上涂敷隔提材料后，依序進(jìn)行預(yù)焙、曝光、顯像、后焙，從而 同時(shí)形成第一隔提230和第二隔提240。此時(shí)，曝光時(shí)所使用的光掩膜能夠 使用光透射率根據(jù)位置而不同的半色調(diào)膜。這樣，能夠調(diào)整照射到第一隔 提230的形成預(yù)定位置和第二隔提240的形成預(yù)定位置上的光量而同時(shí)形 成高度不同的第一隔提230和第二隔堤240。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，在有機(jī)EL器件10中，絕緣性無(wú)機(jī)膜220 沿著面對(duì)像素區(qū)域300的第一隔提230的側(cè)面，配置在像素區(qū)域300的邊 緣。換言之，將絕緣性無(wú)機(jī)膜220設(shè)置為從第一隔提230伸出到像素區(qū)域 300內(nèi)。
這樣，能夠提高空穴輸送層250的層厚的均勻性。
也就是說(shuō)，通常在隔堤附近使涂敷形成的層平坦很困難。但是，通過(guò) 在第一隔提230的周圍設(shè)置其濕潤(rùn)性高于有機(jī)材料的絕緣性無(wú)機(jī)膜220，能 夠平坦地形成與絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面相接的層(在本實(shí)施方式中為 空穴輸送層250 ),能夠提高該層的層厚均勻性。結(jié)果是，能夠提高第一隔 提230附近的層厚均勻性(空穴輸送層250、中間層260以及高分子有機(jī) EL材料層270的層厚均勻性)。
這里，未保持厚度均勻性的部分會(huì)對(duì)發(fā)光效率造成不利的影響已廣為 人知。因此，通過(guò)提高在像素區(qū)域300上形成的層的層厚均勻性，能夠提 高像素區(qū)域300的亮度。
此外，在有機(jī)EL器件10中，接觸孔180與陽(yáng)極210的連接點(diǎn)配置在 絕緣性無(wú)機(jī)膜220的下側(cè)。
這樣，能夠防止從接觸孔180注入的空穴直接侵入高分子有機(jī)EL材料 層270。由此，能夠防止如接觸孔那樣在未預(yù)定要發(fā)光之處發(fā)光。
這里，與上述的以往技術(shù)相比，本實(shí)施方式的有機(jī)EL器件10除了第 一隔提230之外，還具有第二隔提240。該第二隔提240具有將相鄰的像素 區(qū)域隔離的功能，從而防止出現(xiàn)以下的情況，即，在第一像素區(qū)域的有機(jī)
發(fā)光層產(chǎn)生的激勵(lì)以及由該激勵(lì)所產(chǎn)生的光能泄漏到與第一像素區(qū)域相鄰 的第二像素區(qū)域。另外，通過(guò)使隔提的顔色形成為與像素區(qū)域發(fā)出的光的
對(duì)比度高的顏色(例如，黑色)，從而能夠進(jìn)一步提高光能的泄漏防止效果。因此，如以往那樣沒(méi)有設(shè)置隔開相鄰的像素區(qū)域的輔助隔提(相當(dāng)于 本實(shí)施方式的第二隔堤)時(shí)，需要增大陽(yáng)極間的距離(即，像素區(qū)域間的
距離)，而在有機(jī)EL器件10中，能夠縮短陽(yáng)極210間的距離(即，像素區(qū) 域300間的距離)。其結(jié)果，陽(yáng)極210間的空間變小，從而能夠減小像素間 距，同時(shí)能夠在整個(gè)有機(jī)EL器件10中增大分配給像素區(qū)域300的面積。
但是，若隨著像素區(qū)域300間的距離的減小而使第二隔提240間的距 離變小，通過(guò)涂敷法而形成于像素區(qū)域300的層的層厚變得不均勻。這成 為有機(jī)EL器件10的發(fā)光效率降低的主要原因。也就是說(shuō)，第二隔提240 自身也可以成為阻礙像素區(qū)域3 00間的距離變小的主要原因。
與此相對(duì)，在本實(shí)施方式中，如上所述，沿第二隔提240的側(cè)面在像 素區(qū)域300的邊緣配置絕緣性無(wú)機(jī)膜220。換言之，將絕緣性無(wú)機(jī)膜220設(shè) 置為從第二隔提240伸出到像素區(qū)域300內(nèi)。
于是，即使第二隔堤240間的距離變小，基于涂敷法而在像素區(qū)域300 上形成的層也能夠形成為厚度均勻的層。
也就是說(shuō)，通過(guò)在有機(jī)EL器件10中，沿第二隔堤240的側(cè)面在像素 區(qū)域300的邊緣配置絕緣性無(wú)機(jī)膜220，能夠減小陽(yáng)極210間(即，像素區(qū) 域300間的距離)，而且使與絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面相接的層的層厚均 勻。
此外，第二隔提240容易對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素區(qū)域300獨(dú)立地設(shè)置空穴輸 送層250、中間層260以及高分子有機(jī)EL材料層270。
此外，第二隔堤240自身還有，提高中間層260以及高分子有機(jī)EL材 料層270的層厚度均勻性的特性。也就是說(shuō)，上述的如以往那樣沒(méi)有設(shè)置 隔開相鄰像素區(qū)域的輔助隔提(相當(dāng)于本實(shí)施方式的第二隔提)的情況下， 若在像素區(qū)域內(nèi)存在例如灰塵等雜質(zhì)，則存在以下問(wèn)題，即，用于形成中 間層和高分子有機(jī)EL層的有機(jī)溶劑溶液被該雜質(zhì)吸引，從而造成中間層和 高分子有機(jī)EL層的層厚度不均勻。對(duì)此，如本實(shí)施方式那樣通過(guò)設(shè)置第二 隔提240,能夠防止涂敷在第 一像素區(qū)域的有機(jī)溶劑溶液流動(dòng)到與第 一像素 區(qū)域相鄰且存在雜質(zhì)的第二像素區(qū)域。
此外，如上所述，使第二隔堤240的高度低于第一隔堤230的高度。 優(yōu)選的是，第二隔提240的高度是第一隔提230的高度的1/10 ~ 9/10。據(jù)此， 分別從陽(yáng)極210和陰極注入的空穴和電子高效率地作用于高分子有機(jī)EL材料層270，所以能夠獲得高亮度并能夠發(fā)揮上述的隔離相鄰像素區(qū)域300的 功能。進(jìn)而，通過(guò)形成上述那樣的隔堤高度，容易地形成有機(jī)發(fā)光層，從 制造工序的觀點(diǎn)來(lái)看也具有優(yōu)越性。
對(duì)此，若例如使第二隔提240的高度低于第一隔提230的高度的1/10, 則有機(jī)發(fā)光層的構(gòu)成材料(有機(jī)EL材料)容易附著于第二隔提240的側(cè)面。 由此，有機(jī)發(fā)光層的層厚分布變得不均勻的可能性變高，難以提高亮度。 另一方面，若使第二隔堤240的高度大于第一隔提230的高度的9/10,則 有機(jī)發(fā)光層的構(gòu)成材料容易越過(guò)第一隔堤230而溢到其他線上，引起隔提 之間串?dāng)_的可能性變高。
更優(yōu)選的是，第二隔堤240的高度是第一隔提230的高度的1/5 ~ 1/3。 特別是，由于在使用高分子有機(jī)材料作為有機(jī)發(fā)光層的構(gòu)成材料時(shí)，所涂 敷的墨水濃度為1%左右而且粘性較低，所以容易越過(guò)第一隔提230而溢到 其他線上。因此，優(yōu)選的是，相對(duì)于第二隔提240,第一隔提230足夠高。
另夕卜，"1/10 ~ 9/10"意味著"1/10以上且9/10以下"。也就是說(shuō)，意味 著，在將第一隔提240的高度設(shè)為dl，第二隔提230的高度設(shè)為d2時(shí)， dl/10^d2^9xd1/10成立。
另外，并不特別限定構(gòu)成隔堤的材料，能夠使用例如聚丙烯酸酯或聚 酰亞胺等有機(jī)材料。但是，從制造工序的觀點(diǎn)來(lái)看，由于具有在烘焙時(shí)不 產(chǎn)生氣體的優(yōu)點(diǎn)，所以優(yōu)選聚酰亞胺。
此外，構(gòu)成第一隔提230和第二隔提240的有機(jī)材料也可以不同。也 就是說(shuō)，第一隔提230發(fā)揮以下作用，防止夾著第一隔提230而相鄰的像 素區(qū)域300之間的干擾。因此，優(yōu)選的是，第一隔提230由濕潤(rùn)性低的材 料構(gòu)成，以使墨水不越過(guò)第一隔提230而溢到相鄰像素區(qū)域300。因此，也 可以是，第一隔提230由濕潤(rùn)性低的材料構(gòu)成，而第二隔堤240由濕潤(rùn)性 比第一隔堤230高的材料構(gòu)成。第一隔提230表面的水接觸角優(yōu)選是40度 以上，而且第二隔提240表面的水接觸角度優(yōu)選是20度以下。也就是說(shuō)， 優(yōu)選的是，第一隔提230表面的水接觸角與第二隔提240表面的水接觸角 之差在20度以上。
此外，隔提的剖面形狀在圖4至圖7中為梯形，但并不限于此，也可 以是長(zhǎng)方形。此外，隔提剖面的各邊也可以是曲線而不是直線。
(實(shí)施方式2)在實(shí)施方式2中，對(duì)空穴輸送層的材料為鎢氧化物(WOx)、鉬氧化
物(MoOx)、釩氧化物(VOx)等氧化物、或者為這些氧化物的組合的情況
進(jìn)行了說(shuō)明。
實(shí)施方式2的有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)與圖4和圖5所示的實(shí)施方式1 的基本結(jié)構(gòu)相同。也就是說(shuō)，絕緣性無(wú)機(jī)膜配置在第一隔堤的周圍，具體 而言，沿著隔開像素區(qū)域的兩個(gè)第一隔提的相向的各個(gè)側(cè)面配置在像素區(qū) 域的邊緣。此外，絕緣性無(wú)機(jī)膜配置在第二隔提的周圍，具體而言，沿著 隔開像素區(qū)域的兩個(gè)第二隔堤的相向的各個(gè)側(cè)面配置在像素區(qū)域的邊緣。 [2.有機(jī)EL器件的詳細(xì)結(jié)構(gòu)]
與圖6中的情況相同，在像素區(qū)域300，從基板100側(cè)起，按順序?qū)盈B 空穴輸送層、中間層、高分子有機(jī)EL材料層(參照?qǐng)D8)。圖8是在其中間 層之下具有絕緣性無(wú)機(jī)膜的有機(jī)EL器件的剖面圖。 (1 )空穴輸送層
在空穴輸送層250的材料為鎢氧化物(W0X)、鉬氧化物(MoOx)、釩 氧化物(VOx)等氧化物、或者為這些氧化物的組合的情況下，空穴輸送層 250不覆蓋絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面(或者，整個(gè)上表面中的至少位于隔 堤附近的部分)。也就是說(shuō)，在形成中間層之前的階段，絕緣性無(wú)機(jī)膜220 的上表面(或者，整個(gè)上表面中的至少位于隔堤附近的部分)沒(méi)有由空穴 輸送層250覆蓋而為露出的狀態(tài)。 (2)中間層
中間層260配置在空穴輸送層250上(參照?qǐng)D8)。這里，由于在形成 中間層260的階段絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面是露出的，所以在隔提附近， 中間層260的底面與絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面相接。這樣，通過(guò)設(shè)置在 隔提周圍的絕緣性無(wú)機(jī)膜220,能夠?qū)⑷芙庥兄虚g層260的材料的溶液均勻 地涂敷在整個(gè)像素區(qū)域300，可獲得膜厚均勻的中間層260。 (3 )有機(jī)EL層
高分子有機(jī)EL材料層270配置在中間層260上(參照?qǐng)D8)。進(jìn)而，在 高分子有機(jī)EL材料層270上配置陰極電極(未圖示)。 [3.有機(jī)EL器件的制造方法] 一例優(yōu)選的制造方法包括以下步驟(1)在基板面上形成陽(yáng)極210; (2)在陽(yáng)極210之上形成空穴注入層250; (3)在基板面上形成絕緣性無(wú)機(jī)膜 220; (4)在絕緣性無(wú)機(jī)膜220上形成用于規(guī)定像素區(qū)域300的第一隔提230 和第二隔提240; (5)在像素區(qū)域300內(nèi)形成中間層260; (6)在像素區(qū)域 300內(nèi)形成高分子有機(jī)EL材料層270;以及(7 )在高分子有機(jī)EL材料層 270上形成陰極。
陽(yáng)極210、絕緣性無(wú)機(jī)膜220、中間層260、高分子有機(jī)EL材料層270 以及陰極的形成方法可以使用與實(shí)施方式1中示出的形成方法相同的方法。
在步驟(2)中，在陽(yáng)極210上形成空穴注入層250。這里，例如通過(guò) 加熱蒸鍍法或?yàn)R射法來(lái)形成空穴注入層250。
另外，對(duì)有機(jī)EL器件10的結(jié)構(gòu)考慮各種變化，具有制造方法根據(jù)其 結(jié)構(gòu)而發(fā)生變化的情況。圖9是表示有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)變化的圖。
在絕緣性無(wú)機(jī)膜220配置在空穴輸送層上時(shí)(圖9A)以及配置在基板 上時(shí)(圖9B),能夠利用上述的制造方法，但是，例如將絕緣性無(wú)機(jī)膜220 配置在基板上且空穴輸送層之下時(shí)(圖9C )，將順序變成步驟(3 )、步驟(2 ) 的制造工序。
無(wú)論是哪一種結(jié)構(gòu)，不變的是，絕緣性無(wú)機(jī)膜220設(shè)置在隔提的周圍 且其上表面與中間層260的底面相接。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，在第一隔提230 (或第二隔堤240)的周圍設(shè) 置絕緣性無(wú)機(jī)膜220且其上表面與中間層相接。另外，有時(shí)有機(jī)EL器件的 結(jié)構(gòu)為沒(méi)有中間層的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，使絕緣性無(wú)機(jī)膜220與高分子有機(jī)EL材 料層270的底面相接即可。
這樣，能夠提高與絕緣性無(wú)機(jī)膜220的上表面相接的中間層260或高 分子有機(jī)EL材料層270的層厚均勻性。
另外，隔堤的剖面形狀在圖9中為梯形，但并不限于此，也可以是長(zhǎng) 方形。此外，隔提剖面的各邊也可以是曲線而不是直線。
(實(shí)施方式3)
在實(shí)施方式3中，在第二隔提上設(shè)置將相鄰的像素區(qū)域連通的溝槽。 伴隨此設(shè)置，在第二隔提的底面周圍(特別是在第二隔提上所形成的溝槽 的周圍)不設(shè)置絕緣性無(wú)機(jī)膜。
也就是說(shuō)，圖IO是表示實(shí)施方式3的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)的立體圖， 如該圖所示，有機(jī)EL器件10A具有第二隔提240A。在該第二隔堤240A上形成有將相鄰的像素區(qū)域300連通的溝槽245。另外，在圖10中，表示 了在實(shí)施方式1和實(shí)施方式2的有機(jī)EL器件的基本結(jié)構(gòu)中在第二隔提上設(shè) 有溝槽的結(jié)構(gòu)。
該溝槽245的寬度根據(jù)設(shè)置在像素區(qū)域300的層的材料，其適宜值不同。
如實(shí)施方式l，在空穴輸送層的材料中包含聚(3、 4-亞乙基二氧噻吩) (稱為"PEDOT")或其衍生物(共聚物等)時(shí)，如為以下寬度則是溝槽245 的適合寬度，該寬度是使涂敷形成空穴輸送層250時(shí)所使用的溶液不能通 過(guò)溝槽245而在相鄰像素區(qū)域300間流動(dòng)，而使涂敷形成中間層260和高 分子有機(jī)EL材料層270時(shí)所使用的溶液能夠通過(guò)溝槽245而在相鄰像素區(qū) 域300間流動(dòng)。
通常，以水溶液的形式涂敷PEDOT等。另一方面，將中間層260和高 分子有機(jī)EL材料層270的構(gòu)成材料溶解于有機(jī)溶劑，以有機(jī)溶劑溶液的形 式進(jìn)行涂敷。而且，水溶液的粘性高于有機(jī)溶劑溶液。因此，能夠兼顧PEDOT 等溶解后的水溶液的粘度和中間層260和高分子有機(jī)EL材料層270的構(gòu)成 材料溶解后的有機(jī)溶劑溶液的粘度來(lái)決定上述的溝槽245的適宜的寬度。
如上所述，通過(guò)設(shè)置第二隔堤240A,容易對(duì)應(yīng)各個(gè)像素區(qū)域300獨(dú)立 地設(shè)置涂敷形成的空穴輸送層250。
此外，通過(guò)在第二隔堤240A上形成溝槽245，能夠減少各個(gè)像素區(qū)域 300的亮度偏差而提高畫質(zhì)。
也就是說(shuō)，將有機(jī)溶劑溶液涂敷在像素區(qū)域300而形成中間層260和 高分子有機(jī)EL材料層270。此時(shí)，對(duì)各個(gè)像素區(qū)域300涂敷的有機(jī)溶劑溶 液的涂敷量有可能多少存在偏差。該涂敷量的偏差與各個(gè)像素區(qū)域300的 亮度偏差相關(guān)連，成為降低畫質(zhì)的主要原因。針對(duì)該問(wèn)題，在本實(shí)施方式 的有機(jī)EL器件10A中，在第二隔提240A上形成用于連通相鄰的兩個(gè)像素 區(qū)域300的溝槽245，從而能夠在像素區(qū)域300間平均有機(jī)溶劑溶液量。因 此，即使在像素區(qū)域300間有機(jī)溶劑溶液的滴入量不同的情況，也能夠最 終減少在各個(gè)像素區(qū)域300中留下的有機(jī)溶劑溶液量的偏差。其結(jié)果，能 夠在像素區(qū)域300間使中間層260和高分子有機(jī)EL材料層270的層厚均勻。
另一方面，如上所述在有雜質(zhì)(灰塵等)時(shí)，存在有機(jī)溶劑溶液被該 雜質(zhì)吸引的問(wèn)題。但是，通過(guò)使溝槽245為合適的寬度，能夠容許有機(jī)溶劑溶液在相鄰的像素區(qū)域300之間流動(dòng)，并且抑制有機(jī)溶劑溶液向存在雜 質(zhì)(灰塵等)的像素區(qū)域300過(guò)度流動(dòng)。
另外，如實(shí)施方式2，在空穴輸送層的材料為鎢氧化物(WOx)、鉬氧 化物(MoOj、釩氧化物(VOx)等氧化物、或者為這些氧化物的組合的情 況下，空穴輸送層250由于不是涂敷形成的，故而作為第二隔提240A的功 能并未預(yù)定有以下功能，即對(duì)應(yīng)各個(gè)像素區(qū)域300隔離空穴輸送層250。此 時(shí)，作為第二隔提240A的功能預(yù)定有以下功能容許有機(jī)溶劑溶液在相鄰 的像素區(qū)域300之間流動(dòng)；抑制有機(jī)溶劑溶液向存在雜質(zhì)(灰塵等)的像 素區(qū)域300過(guò)度流動(dòng)。
(實(shí)施方式4)
實(shí)施方式4涉及其驅(qū)動(dòng)方式為無(wú)源方式的有機(jī)EL器件。圖ll是表示
實(shí)施方式4的有機(jī)EL器件的結(jié)構(gòu)的立體圖。
在圖11中，適用無(wú)源方式的有機(jī)EL器件10B具有帶狀的陽(yáng)極210B。 在基板100上，在兩個(gè)第二隔提240之間，且與第二隔提240平行地
配置陽(yáng)極210B。
在陽(yáng)極210上配置絕緣性無(wú)機(jī)膜220。在絕緣性無(wú)機(jī)膜220上配置第一 隔提230。
絕緣性無(wú)機(jī)膜220設(shè)置在陽(yáng)極210和第一隔提230之間，發(fā)揮作為粘 合陽(yáng)極210和第一隔提230的粘合層的功能。
這樣，通過(guò)在陽(yáng)極210和第一隔提230之間設(shè)置粘合層，能夠提高由 第一隔提230和第二隔提240構(gòu)成的"井"字形結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。
(實(shí)施方式5)
實(shí)施方式5涉及隔提的剖面形狀的變化形式。圖12是用于說(shuō)明隔提剖 面形狀的變化形式的圖。
在實(shí)施方式1至實(shí)施方式4中，說(shuō)明了隔提的剖面形狀為梯形(或長(zhǎng) 方形)。而在本實(shí)施方式中，隔提的底部的寬度寬于上端部。
也就是說(shuō)，在圖12中，第二隔堤240B分為基板220側(cè)的底部244和 上端部242。而且，底部244的寬度寬于上端部242的寬度，并且朝向底端 而逐漸變寬。換言之，底部244的兩個(gè)表面(即，面向像素區(qū)域300的面) 朝向底端彼此遠(yuǎn)離。
這樣，由于能夠減小錐角d，從而能夠提高有機(jī)發(fā)光層的層厚均勻性。此外，通過(guò)使第二隔提240B的剖面形狀為上述形狀，能夠擴(kuò)大第二隔 提240B與下層以及第一隔提的接觸面積(結(jié)合面積)。由此，能夠提高由 第一隔提和第二隔提240B構(gòu)成的"井"字形結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度。其結(jié)果，能夠?qū)⒏?提寬度設(shè)計(jì)得較小，從而能夠減小像素間距，同時(shí)能夠在整個(gè)有機(jī)EL器件 10中增大分配給像素區(qū)域300的面積。也就是說(shuō)，在有機(jī)EL器件10中，
能夠?qū)崿F(xiàn)高精細(xì)化，同時(shí)增大發(fā)光面積。
另外，在上述說(shuō)明中僅涉及了第二隔提240B，但通過(guò)使第一隔提的剖 面形狀也為與上述形狀相同，能夠得到相同的效果。
2007年5月28日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2007-139861號(hào)以及2007年5 月29曰申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2007-141518號(hào)所包含的說(shuō)明書、附圖以及 說(shuō)明書摘要的公開內(nèi)容全部被引用于本申請(qǐng)。
工業(yè)實(shí)用性
本發(fā)明的有機(jī)EL器件以及顯示裝置具有通過(guò)抑制像素區(qū)域間的干擾 以及高效率地配置像素區(qū)域而提高發(fā)光面積從而提高亮度的效果，并不限 于利用于例如有機(jī)EL電視，而且特別適合用于文字處理器、個(gè)人計(jì)算機(jī)等 攜帶式信息處理裝置、手表式電子設(shè)備等各種電子設(shè)備中的顯示部。
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權(quán)利要求
1、一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括兩個(gè)以上的第一隔堤，其線狀地延伸；多個(gè)第二隔堤，其將在相鄰的所述第一隔堤間形成的區(qū)域分割而形成像素區(qū)域，并且高度低于所述第一隔堤；空穴輸送層，其對(duì)應(yīng)各個(gè)所述像素區(qū)域獨(dú)立地設(shè)置；以及絕緣性無(wú)機(jī)膜，其沿著隔開所述像素區(qū)域的兩個(gè)所述第一隔堤的相向的側(cè)面，被設(shè)置在所述像素區(qū)域的邊緣。
2、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述絕緣性無(wú)機(jī)膜 還沿著隔開所述像素區(qū)域的兩個(gè)所述第二隔提的相向的側(cè)面被設(shè)置在所述 像素區(qū)域的邊緣。
3、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴輸送層的 材料包含聚亞乙基二氧噻吩(PEDOT),所述絕緣性無(wú)機(jī)膜的上表面與所述 空穴輸送層的底面相接。
4、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述空穴輸送層的 材料包含鎢氧化物(WOx)、 鉬氧化物(MoOx)、釩氧化物(VOx)、或者 這些氧化物的組合，所述絕緣性無(wú)機(jī)膜的上表面與中間層的底面相接。
5、 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二隔提具有 連通相鄰的所述像素區(qū)域的溝槽。
6、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二隔提的高 度為所述第一隔提的高度的1/10至9/10。
7、 如權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中，所述第二隔提的底 部的寬度寬于其上端部的寬度，并且朝向底端而逐漸變寬。
8、 一種顯示裝置，具有權(quán)利要求l所述的有機(jī)電致發(fā)光器件。
全文摘要
一種有機(jī)電致發(fā)光器件及顯示裝置，該有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)減小像素區(qū)域間的間隔并且實(shí)現(xiàn)發(fā)光層厚度的均勻化，從而提高發(fā)光效率。在有機(jī)EL器件(10)中設(shè)置兩個(gè)以上的第一隔堤(230)，其線狀地延伸；多個(gè)第二隔堤(240)，其將在相鄰的第一隔堤(230)間形成的區(qū)域分割而形成像素區(qū)域(300)且其高度低于第一隔堤(230)；空穴輸送層(250)，其對(duì)應(yīng)各個(gè)像素區(qū)域(300)獨(dú)立地設(shè)置；以及絕緣性無(wú)機(jī)膜(220)，其沿著隔開像素區(qū)域(300)的兩個(gè)第一隔堤(230)的相向的側(cè)面設(shè)置在像素區(qū)域(300)的邊緣。于是，即使像素區(qū)域間的間隔變小，也能夠通過(guò)絕緣性無(wú)機(jī)膜(220)平坦地形成與絕緣性無(wú)機(jī)膜的上表面相接的層，并能夠使該層的層厚度均勻。
文檔編號(hào)H05B33/22GK101543134SQ200880000270
公開日2009年9月23日 申請(qǐng)日期2008年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日
發(fā)明者吉田英博, 山室景成 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社