專利名稱：銅核層多層封裝基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種銅核層多層封裝基板的制作方法，尤指一種以銅核基板為基礎(chǔ)開始制作 的單面、多層封裝基板的制作方法。
背景技術(shù)：
在一般多層封裝基板的制作上，其制作方式通常系由一核心基板開始，經(jīng)過鉆孔、電鍍 金屬、塞孔及雙面線路制作等方式，完成一雙面結(jié)構(gòu)的內(nèi)層核心板，之后再經(jīng)由一線路增層 制程完成一多層封裝基板。如圖2 2所示，其系為一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先， 準(zhǔn)備一核心基板6 0，其中，該核心基板6 0由一具預(yù)定厚度的芯層6 0 l及形成于此芯層
6 0 l表面的線路層6 0 2所構(gòu)成，且該芯層6 0 1中形成有數(shù)個電鍍導(dǎo)通孔6 0 3，可藉 以連接該芯層6 0 1表面的線路層6 0 2 。
接著如圖2 3 圖2 6所示，對該核心基板6 O實施線路增層制程。首先，于該核心基 板6 0表面形成一第一介電層6 1，且該第一介電層6 l表面形成有數(shù)個第一開口6 2，以 露出該線路層6 0 2;之后，以無電電鍍或電鍍等方式于該第一介電層6 l外露的表面形成 一晶種層6 3 ，并于該晶種層6 3上形成一圖案化阻層6 4 ，且其圖案化阻層6 4中具有數(shù) 個第二開口6 5，以露出部分形成圖案化線路的晶種層6 3;接著，利用電鍍的方式于該第 二開口6 5中形成一第一圖案化線路層6 6及數(shù)個導(dǎo)電盲孔6 7，并使其第一圖案化線路層
6 6得以透過該數(shù)個導(dǎo)電盲孔6 7與該核心基板6 0的線路層6 0 2做電性導(dǎo)通，然后再移 除該圖案化阻層6 4與蝕刻，待完成后形成一第一線路增層結(jié)構(gòu)6a。同樣地，該法系可于 該第一線路增層結(jié)構(gòu)6 a的最外層表面再運用相同的方式形成一第二介電層6 8及一第二圖 案化線路層6 9的第二線路增層結(jié)構(gòu)6b，以逐步增層方式形成一多層封裝基板。然而，此 種制作方法有布線密度低、層數(shù)多及流程復(fù)雜等缺點。
另外，亦有利用厚銅金屬板當(dāng)核心材料的方法，可于經(jīng)過蝕刻及塞孔等方式完成一內(nèi)層 核心板后，再經(jīng)由一線路增層制程以完成一多層封裝基板。如圖2 7 圖2 9所示，其系為 另一有核層封裝基板的剖面示意圖。首先，準(zhǔn)備一核心基板7 0，該核心基板7 O由一具預(yù) 定厚度的金屬層利用蝕刻與樹脂塞孔7 0 1以及鉆孔與電鍍通孔7 0 2等方式形成的單層銅 核心基板7 0;之后，利用上述線路增層方式，于該核心基板7 0表面形成一第一介電層7
l及一第一圖案化線路層7 2，藉此構(gòu)成一具第一線路增層結(jié)構(gòu)7a。該法亦與上述方法相同，系可再利用一次線路增層方式于該第一線路增層結(jié)構(gòu)7 a的最外層表面形成一第二介電 層7 3及一第二圖案化線路層7 4，藉此構(gòu)成一具第二線路增層結(jié)構(gòu)7b，以逐步增層方式 形成一多層封裝基板。然而，此種制作方法不僅其銅核心基板制作不易，且亦與上述方法相 同，具有布線密度低及流程復(fù)雜等缺點。故， 一般已用者無法符合使用者于實際使用時的所需。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可依實際需求形成具銅 核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳 統(tǒng)增層線路板制作流程，進(jìn)而達(dá)到提高封裝體接合基板時的可靠度(Board Level Reliability)的銅核層多層封裝基板的制作方法。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為 一種銅核層多層封裝基板的制作方 法，至少包含下列步驟
(A) 提供一銅核基板；
(B) 分別于該銅核基板的第一面上形成一第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形 成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數(shù)個第一開口；
(C) 于數(shù)個第一開口下方形成數(shù)個第一凹槽；
(D) 移除該第一阻層及該第二阻層；
(E) 于數(shù)個第一凹槽內(nèi)形成一第一電性阻絕層；
(F) 于該銅核基板的第一面與該第一電性阻絕層上形成一第一介電層及一第一金屬層
(G) 于該第一金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個第二開口，并顯露部分的銅核基板第
一面；
(H) 于數(shù)個第二開口中及該第一金屬層上形成一第二金屬層；
(I) 分別于該第二金屬層上形成一第三阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完
全覆蓋狀的第四阻層，于其中，該第三阻層上形成數(shù)個第三開口；
(J)移除該第三開口下方的第二金屬層及第一金屬 ，并形成一第一線路層；
(K)移除該第三阻層及該第四阻層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的
單層增層線路基板，并可選擇直接進(jìn)行步驟(L)或步驟(M);
(L)于該單層增層線路基板上進(jìn)行一置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作，于其中，在該第一線
路層表面形成一第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個第四開口，以顯露該第一線路層作為電性連接墊的部分，接著于該銅核基板的第二面上形成一第五阻層，并且在該第五阻 層上形成數(shù)個第五開口，之后再分別于數(shù)個第四開口中形成一第一阻障層，以及于第五開口 中形成一第二阻障層，最后移除該第五阻層；以及
(M)于該單層增層線路基板上進(jìn)行一線路增層結(jié)構(gòu)制作，于其中，在該第一線路層表 面形成一第二介電層，并且在該第二介電層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一線路層 ，接著于該第二介電層與數(shù)個第六開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形 成一第六阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第七阻層，并于該第六阻 層上形成數(shù)個第七開口，以顯露部分的第一晶種層，之后于該第七開口中已顯露的第一晶種 層上形成一第三金屬層，最后移除該第六阻層、該第七阻層及該第一晶種層，以在該第二介 電層上形成一第二線路層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基 板。并可繼續(xù)本步驟(M)增加線路增層結(jié)構(gòu)，形成具更多層的封裝基板，亦或直接至該步 驟(L)進(jìn)行置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所具有的有益效果為本發(fā)明以銅核基板為基礎(chǔ)開始制作單面 、多層封裝基板，其結(jié)構(gòu)包括一具高剛性支撐的厚銅板，且此厚銅板的一面系具增層線路， 另一面則具球側(cè)圖案阻障層，且各增層線路及置晶側(cè)與球側(cè)連接的方式為以數(shù)個電鍍盲孔、 埋孔所導(dǎo)通。同時本發(fā)明具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時，并 以厚銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。這樣就可依實際需求形成具銅核基板支撐 的銅核層多層封裝基板，并可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路 板制作流程，進(jìn)而達(dá)到提高封裝體接合基板時的可靠度(Board Level Reliability)。附


圖l，系本發(fā)明的制作流程示意圖。
圖2，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(一)剖面示意圖
圖3，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(二)剖面示意圖。
圖4 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(三)剖面示意圖。
圖5，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(四)剖面示意圖。
圖6，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(五)剖面示意圖。
圖7 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(六)剖面示意圖。
圖8，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(七)剖面示意圖。
圖9 ，系本發(fā)明-一實施例的多層封裝基板(八)剖面示意圖。
圖l 0，系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(九)剖面示意圖。
7圖1 2
圖1 3
圖1 4
圖1 5
圖1 6
圖1 7
圖1 8
圖1 9
圖2 0
圖2 1
圖2 2
圖2 3
圖2 4
圖2 5
圖2 6
圖2 7
圖2 8
圖2 9
系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十)剖面示意圖。 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十一)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十二)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十三)剖面示意圖. 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十四)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十五)剖面示意圖. 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十六)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十七)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十八)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十九)剖面示意圖( 系本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(二十)剖面示意圖( 系已用有核層封裝基板的剖面示意圖。 系已用實施線路增層(一)剖面示意圖。 系已用實施線路增層(二)剖面示意圖。 系已用實施線路增層(三)剖面示意圖。 系已用實施線路增層(四)剖面示意圖。 系另一已用有核層封裝基板的剖面示意圖。 系另一已用的第一線路增層結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 路增層結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
系另一已用的第 標(biāo)號說明
(本發(fā)明部分) 步驟(A) (M) 11 單層增層線路基板3 銅核基板3 0 第一、二阻層3 1 、 3 2 第一開口 3 3 第一電性阻絕層3 4 第一介電層3 5 第一金屬層3 6 第二開口 3 7
2 3第二金屬層3 8 第三、四阻層3 9 、 4 0 雙層增層線路基板4 第三開口41 第一線路層4 2 第二介電層4 3 第四開口4 4 第一晶種層4 5 第五、六阻層4 6、 4 7 第五開口 4 8 第三金屬層4 9 第二線路層5 0 第一防焊層51 第六開口 5 2 第七阻層5 3 第七開口 5 4
第一、二阻障層5 5 、 5 6
(已用部分) 第一、二線路增層結(jié)構(gòu)6a、 6b 核心基板6 0 芯層6 0 1 線路層6 0 2 電鍍導(dǎo)通孔6 0 3 第一介電層61 第一開口 6 2 該晶種層6 3 圖案化阻層6 4 第二開口 6 5 第一圖案化線路層6 6 導(dǎo)電盲孔6 7
9第二介電層6 8 第二圖案化線路層6 9 二線路增層結(jié)構(gòu)7a、 7b 核心基板7 0 樹脂塞孔7 0 1 電鍍通孔7 0 2 第一介電層71 第一圖案化線路層7 2 第二介電層7 3 第二圖案化線路層7 4
具體實施例方式
請參閱圖l所示，系為本發(fā)明的制作流程示意圖。如圖所示本發(fā)明系一種銅核層多層 封裝基板的制作方法，其至少包括下列步驟
(A) 提供銅核基板l 1:提供一銅核基板；
(B) 形成第一、二阻層及第一開口l 2:分別于該銅核基板的第一面上形成一第一阻
層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，并以曝光及顯影方式在該 第一阻層上形成數(shù)個第一開口 ；
(C) 形成第一凹槽l3:以蝕刻方式于數(shù)個第一開口下方形成數(shù)個第一凹槽；
(D) 移除第一、二阻層l 4:以剝離方式移除該第一阻層及該第二阻層；
(E) 形成第一電性阻絕層1 5 :以直接壓合或印刷方式于數(shù)個第一凹槽內(nèi)形成一第一 電性阻絕層；
(F) 形成第一介電層及第一金屬層l 6:于該銅核基板的第一面與該第一電性阻絕層 上直接壓合一第一介電層及一第一金屬層，亦或先采取貼合該第一介電層后，再形成該第一 金屬層，其中，該第一介電層可與該第一電性阻絕層同時進(jìn)行壓合或印刷方式形成；
(G) 形成第二開口l7:以鐳射鉆孔的方式于該第一金屬層與該第一介電層上形成數(shù) 個第二開口，并顯露部分的銅核基板第一面，其中，數(shù)個第二開口可先做開銅窗( Conformal Mask)后，再經(jīng)由鐳射鉆孔的方式形成，亦或以直接鐳射鉆孔(LASER Direct) 的方式形成；
(H) 形成第二金屬層l8:以無電電鍍或電鍍的方式于數(shù)個第二開口中及該第一金屬 層上形成一第二金屬層；(I )形成第三、四阻層及第三開口 1 9 :分別于該第二金屬層上形成一第三阻層，以 及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第四阻層，并以曝光及顯影方式在該第三阻 層上形成數(shù)個第三開口；
(J)形成第一線路層2 0:以蝕刻方式移除該第三開口下方的第二金屬層及第一金屬 層，并形成一第一線路層；
(K)完成具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板21:以剝離方式移除
該第三阻層及該第四阻層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基 板，并可選擇直接進(jìn)行步驟(L)或步驟(M);
(L)進(jìn)行置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作2 2 :于該單層增層線路基板上進(jìn)行一置晶側(cè)與球 側(cè)線路層的制作，于其中，在該第一線路層表面涂覆一層具絕緣保護(hù)用的第一防焊層，并以 曝光及顯影方式在該第一防焊層上形成數(shù)個第四開口 ，以顯露該第一線路層作為電性連接墊 的部分，接著于該銅核基板的第二面上形成一第五阻層，并且在該第五阻層上形成數(shù)個第五 開口，之后再分別于數(shù)個第四開口中形成一第一阻障層，以及于第五開口中形成一第二阻障 層，最后以剝離方式移除該第五阻層。至此，完成一完整圖案化的置晶側(cè)線路層與已圖案化 但仍完全電性短路的球側(cè)線路層，其中，該第一、二阻障層可為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電 鍍銀或電鍍錫中擇其一；以及
(M)進(jìn)行線路增層結(jié)構(gòu)制作2 3:于該單層增層線路基板上進(jìn)行一線路增層結(jié)構(gòu)的制 作，于其中，在該第一線路層與該第一介電層表面形成一第二介電層，并以鐳射鉆孔方式在 該第二介電層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一線路層，接著以無電電鍍或電鍍的方 式于該第二介電層與數(shù)個第六開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形成一 第六阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第七阻層，并利用曝光及顯影 方式于該第六阻層上形成數(shù)個第七開口，以顯露部分的第一晶種層，之后再以無電電鍍或電 鍍的方式于該第七開口中已顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后以剝離方式移除該 第六阻層與該第七阻層，并以蝕刻的方式移除該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第 二線路層。至此，又再增加一層線路增層結(jié)構(gòu)，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙 層增層線路基板。并可繼續(xù)本步驟(M)增加線路增層結(jié)構(gòu)，形成具更多層的封裝基板，亦 或直接至該步驟(L)進(jìn)行置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作，其中，數(shù)個第六開口可先做開銅窗后 ，再經(jīng)由鐳射鉆孔方式形成，亦或以直接鐳射鉆孔方式形成。
于其中，上述該第一 七阻層系以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光 性光阻；該第一電性阻絕層及該第一、二介電層可為防焊綠漆、環(huán)氧樹脂絕緣膜(Ajinomoto Build-up Film, ABF)、苯環(huán)丁烯(Benzocyclo-buthene， BCB)、雙馬來亞酰 胺-三氮雜苯樹脂(Bismaleimide Triazine， BT)、環(huán)氧樹脂板(FR4、 FR5)、聚酰亞胺( Polyimide， PI)、聚四氟乙烯(Poly (tetra-floroethylene) ， PTFE)或環(huán)氧樹脂及玻璃纖 維所組成的一者。
請參閱圖2 圖2 l所示，分別為本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(一)剖面剖面示意 圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(二)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板( 三)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(四)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多 層封裝基板(五)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(六)剖面示意圖、本發(fā)明 一實施例的多層封裝基板(七)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(八)剖面示 意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(九)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板 (十)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十一)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例 的多層封裝基板(十二)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十三)剖面示意圖 、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十四)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板( 十五)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十六)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例 的多層封裝基板(十七)剖面示意圖、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十八)剖面示意圖 、本發(fā)明一實施例的多層封裝基板(十九)剖面示意圖、及本發(fā)明一實施例的多層封裝基板 (二十)剖面示意圖。如圖所示本發(fā)明于一較佳實施例中，先提供一銅核基板3 0，并分 別于該銅核基板3 0的第一、二面上各自貼合一高感旋光性高分子材料的第一、二阻層3 1 、3 2，并以曝光及顯影的方式在該第一阻層3 l上形成數(shù)個第一開口3 3，以顯露其下的 銅核基板3 0第一面，而其第二面上的第二阻層3 2則為完全覆蓋狀。之后，再以蝕刻的方 式制作半蝕的凹槽311，其中，該銅核基板3 O為一不合介電層材料的厚銅板；該第一、二 阻層3 1 、 3 2為干膜光阻層。
接著，移除該第一、二阻層，以形成具有接腳第一面的銅核基板3 0。之后印刷一第一 電性阻絕層3 4于該凹槽311中，并在該銅核基板3 0的第一面上壓合一第一介電層3 5及 一第一金屬層3 6，再以鐳射鉆孔的方式于該第一金屬層3 6與該第一介電層3 5上形成數(shù) 個第二開口3 7，之后以無電電鍍或電鍍的方式于數(shù)個第二開口3 7及該第一金屬層3 6表 面形成一第二金屬層3 8，其中，該第一、二金屬層3 6、 3 8皆為銅，且該第二金屬層3 8作為與該銅核基板3 O第一面的電性連接用。
接著，分別于該第二金屬層3 8上貼合一高感旋光性高分子材料的第三阻層3 9 ，以及 于該銅核基板3 0的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第四阻層4 0。并以曝光及顯影的方式于該第三阻層3 9上形成數(shù)個第三開口4 1，以顯露其下的第二金屬層3 8。之后 以蝕刻方式移除該第三開口4 l下的第一、二金屬層，以形成一第一線路層4 2，最后移除 該第三、四阻層。至此，完成一具有圖案化線路并與該銅核基板3 O的接腳第一面連接的單 層增層線路基板3 。
接著，在本發(fā)明較佳實施例中，系先行進(jìn)行線路增層結(jié)構(gòu)的制作。首先于該第一線路層
4 2與第一介電層3 5上貼壓合一為環(huán)氧樹脂絕緣膜材料的第二介電層4 3，之后，以鐳射 鉆孔的方式于該第二介電層4 3上形成數(shù)個第四開口4 4，以顯露其下的第一線路層4 2， 并在該第二介電層4 3及該第四開口4 4表面以無電電鍍或電鍍的方式形成一第一晶種層4 5。之后分別于該第一晶種層4 5上貼合一高感旋光性高分子材料的第五阻層4 6，以及于 該銅核基板3 0的第二面上貼合一高感旋光性高分子材料的第六阻層4 7，接著利用曝光及 顯影方式于該第五阻層4 6上形成數(shù)個第五開口 4 8 ，然后再于數(shù)個第五開口 4 8中無電電 鍍或電鍍一第三金屬層4 9，最后移除該第五、六阻層，并再以蝕刻方式移除該第一晶種層 ，以形成一第二線路層5 0。至此，又再增加一層的線路增層結(jié)構(gòu)，完成一具有銅核基板支 撐并具電性連接的雙層增層線路基板4，于其中，該第一晶種層與該第三金屬層皆為金屬銅
之后，進(jìn)行置晶側(cè)與球側(cè)線路層的制作。首先于該第二線路層5 O表面涂覆一層絕緣保 護(hù)用的第一防焊層5 1，然后以曝光及顯影的方式于該第一防焊層5 l上形成數(shù)個第六開口
5 2，以顯露線路增層結(jié)構(gòu)作為電性連接墊。接著，于該銅核基板3 O的第二面上貼合一高 感旋光性高分子材料的第七阻層5 3，并以曝光及顯影方式于該第七阻層5 3上形成數(shù)個第 七開口 5 4 ，再分別于數(shù)個第六開口 5 2上形成一第一阻障層5 5 ，以及于數(shù)個第七開口 5 4上形成一第二阻障層5 6，最后，移除該第七阻層。至此，完成一具銅核層支撐的多層封 裝基板5，其中，該第一、二阻障層5 5、 5 6皆為鎳金層。
由上述可知，本發(fā)明系以銅核基板為基礎(chǔ)，開始制作的單面、多層封裝基板，其結(jié)構(gòu)包 括一具高剛性支撐的厚銅板，且此厚銅板的一面具增層線路，另一面則具球側(cè)圖案阻障層。 于其中，各增層線路及置晶側(cè)與球側(cè)連接的方式系以數(shù)個電鍍盲孔、埋孔所導(dǎo)通。因此，本 發(fā)明封裝基板的特色系在于具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時， 并以厚銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。雖然各線路在封裝制程完成前于電性上 完全短路，但封裝制程完成后則可利用球側(cè)圖案阻障層，以蝕刻的方式移除部分的厚銅板， 進(jìn)而可使電性獨立并形成具保護(hù)作用的柱狀接腳。藉此，使用本發(fā)明具高密度的增層線路封 裝基板方法所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，進(jìn)而達(dá)到提高封裝體接合基板時的可靠度(Board Level Reliability)的目的。
綜上所述，本發(fā)明系一種銅核層多層封裝基板的制作方法，可有效改善已用的種種缺點，具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時，并以厚銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。藉此，使用本發(fā)明所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，以達(dá)到提高封裝體接合基板時的可靠度(Board LevelReliability)的目的，進(jìn)而使本發(fā)明的產(chǎn)生能更進(jìn)步、更實用、更符合使用者的所須，確已符合發(fā)明專利申請的要件，爰依法提出專利申請。
惟以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實施范圍；故，凡依本發(fā)明權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步驟(A)提供一銅核基板；(B)分別于該銅核基板的第一面上形成一第一阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第二阻層，于其中，該第一阻層上形成數(shù)個第一開口；(C)于數(shù)個第一開口下方形成數(shù)個第一凹槽；(D)移除該第一阻層及該第二阻層；(E)于數(shù)個第一凹槽內(nèi)形成一第一電性阻絕層；(F)于該銅核基板的第一面與該第一電性阻絕層上形成一第一介電層及一第一金屬層；(G)于該第一金屬層與該第一介電層上形成數(shù)個第二開口，并顯露部分的銅核基板第一面；(H)于數(shù)個第二開口中及該第一金屬層上形成一第二金屬層；(I)分別于該第二金屬層上形成一第三阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第四阻層，于其中，該第三阻層上形成數(shù)個第三開口；(J)移除該第三開口下方的第二金屬層及第一金屬層，并形成一第一線路層；(K)移除該第三阻層及該第四阻層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的單層增層線路基板，并可選擇直接進(jìn)行步驟(L)或步驟(M)；(L)于該單層增層線路基板上進(jìn)行一置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作，于其中，在該第一線路層表面形成一第一防焊層，并且在該第一防焊層上形成數(shù)個第四開口，以顯露該第一線路層作為電性連接墊的部分，接著于該銅核基板的第二面上形成一第五阻層，并且在該第五阻層上形成數(shù)個第五開口，之后再分別于數(shù)個第四開口中形成一第一阻障層，以及于第五開口中形成一第二阻障層，最后移除該第五阻層；以及(M)于該單層增層線路基板上進(jìn)行一線路增層結(jié)構(gòu)制作，于其中，在該第一線路層表面形成一第二介電層，并且在該第二介電層上形成數(shù)個第六開口，以顯露部分的第一線路層，接著于該第二介電層與數(shù)個第六開口表面形成一第一晶種層，再分別于該第一晶種層上形成一第六阻層，以及于該銅核基板的第二面上形成一完全覆蓋狀的第七阻層，并于該第六阻層上形成數(shù)個第七開口，以顯露部分的第一晶種層，之后于該第七開口中已顯露的第一晶種層上形成一第三金屬層，最后移除該第六阻層、該第七阻層及該第一晶種層，以在該第二介電層上形成一第二線路層。至此，完成一具有銅核基板支撐并具電性連接的雙層增層線路基板。并可繼續(xù)本步驟(M)增加線路增層結(jié)構(gòu)，形成具更多層的封裝基板，亦或直接至該步驟(L)進(jìn)行置晶側(cè)與球側(cè)線路層制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該銅核基板為一不含介電層材料的銅板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一 七阻層是以貼合、印刷或旋轉(zhuǎn)涂布所為的干膜或濕膜的高感旋光性光阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，數(shù)個第一、三、五及七開口以曝光及顯影的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(C)形成數(shù)個第一凹槽、該步驟(J)移除該第一、二金屬層及該步驟(M )移除該第一晶種層的方法為蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一 七阻層的移除方法為剝離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一電性阻絕層以直接壓合或印刷的方式形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一電性阻絕層及該第一、二介電層為防焊綠漆、環(huán)氧樹脂絕緣膜、苯環(huán)丁烯、雙 馬來亞酰胺-三氮雜苯樹脂、環(huán)氧樹脂板、聚酰亞胺、聚四氟乙烯或環(huán)氧樹脂及玻璃纖維其 中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(E)第一電性阻絕層與步驟(F)第一介電層同時進(jìn)行壓合或印刷的方式形 成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該步驟(F)以直接壓合該第一介電層及該第一金屬層于其上，或采取貼合該第一介電層后，再形成該第一金屬層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，數(shù)個第二、六開口是先做開銅窗后，再經(jīng)由鐳射鉆孔的方式形成，亦或以直接鐳射鉆 孔的方式形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第二、三金屬層及該第一晶種層的形成方式為無電電鍍或電鍍。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅核層多層封裝基板的制作方法，其特征 在于，該第一、二阻障層為電鍍鎳金、無電鍍鎳金、電鍍銀或電鍍錫中之一。
全文摘要
一種銅核層多層封裝基板的制作方法，系以銅核基板為基礎(chǔ)開始制作的單面、多層封裝基板。其結(jié)構(gòu)包括一具高剛性支撐的厚銅板，且此厚銅板的一面具增層線路，另一面則具球側(cè)圖案阻障層。其各增層線路及置晶側(cè)與球側(cè)連接的方式系以數(shù)個電鍍盲孔、埋孔所導(dǎo)通。因此，本發(fā)明封裝基板的特色在于具有高密度增層線路以提供電子組件相連時所需的繞線，同時并以厚銅板提供足夠的剛性使封裝制程可更為簡易。藉此，使用本發(fā)明所制造的多層封裝基板，可依實際需求形成具銅核基板支撐的銅核層多層封裝基板，并可有效達(dá)到改善超薄核層基板板彎翹問題、及簡化傳統(tǒng)增層線路板制作流程，進(jìn)而達(dá)到提高封裝體接合基板時的可靠度的目的。
文檔編號H05K3/46GK101677067SQ20081030455
公開日2010年3月24日 申請日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者林文強, 王家忠, 陳振重 申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司