專(zhuān)利名稱(chēng)：：加厚層積基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及加厚層積基板的制造方法。
背景技術(shù)：
：眾所周知有被稱(chēng)為加厚法的層積基板的制造方法。在被稱(chēng)為半添加法的方法中，例如圖3所示，首先，在內(nèi)層樹(shù)脂1上形成內(nèi)層配線(xiàn)2a以后，在該內(nèi)層配線(xiàn)2a上粘貼絕緣樹(shù)脂lla(圖3(A)),通過(guò)照射激光在絕緣樹(shù)脂lla上形成導(dǎo)孔3，對(duì)該導(dǎo)孔3及絕緣樹(shù)脂lla表面進(jìn)行除渣處理(圖3(B)),進(jìn)行附著催化劑21(圖3(C))及進(jìn)行無(wú)電解鍍銅(圖3(D))，在無(wú)電解鍍銅覆膜22上，形成電鍍保護(hù)層4(圖3(E)),對(duì)保護(hù)層非覆蓋圖案進(jìn)行電鍍銅處理，形成內(nèi)層配線(xiàn)(電鍍銅覆膜)2b形成(圖3(F))。接著，在除去保護(hù)層4(圖3(G))后把無(wú)電解鍍銅覆膜22與催化劑21—起除去(圖3(H)),進(jìn)而反復(fù)進(jìn)行粘貼絕緣樹(shù)脂lib的工序(圖3(J))，形成上層配線(xiàn)。另外，在被稱(chēng)為減法的方法，例如圖4所示，首先，在內(nèi)層樹(shù)脂1上形成內(nèi)層配線(xiàn)2a后，在該內(nèi)層配線(xiàn)2a上粘貼已貼有銅箔的絕緣樹(shù)脂(RCC樹(shù)脂)lla(圖4(A))，通過(guò)照射激光在絕緣樹(shù)脂lla上形成導(dǎo)孔3，對(duì)該導(dǎo)孔3及絕緣樹(shù)脂lla表面進(jìn)行除渣處理(圖4(B))，進(jìn)行附著催化劑21(圖4(C))及進(jìn)行無(wú)電解鍍銅(圖4(D))，在無(wú)電解鍍銅覆膜"上，由電鍍銅處理形成電鍍銅覆膜2b(圖4(E))。接著，在電鍍銅覆膜2b上，形成蝕刻保護(hù)層4(圖4(F)),把保護(hù)層非覆蓋部分的電鍍銅覆膜2b與無(wú)電解鍍銅覆膜22及催化劑21—起除去(圖4(G))而形成內(nèi)層配線(xiàn)(電鍍銅覆膜)2b,除去保護(hù)層4(圖4(H))，進(jìn)而反復(fù)進(jìn)行粘貼已貼有銅箔的絕緣樹(shù)脂(RCC樹(shù)脂)llb的工序(圖4(J))，形成上層配線(xiàn)。但是，在所述現(xiàn)有的電鍍銅中，由于在電鍍銅覆膜2b的表面沒(méi)有凹凸，所以進(jìn)行以下處理以提高與絕緣樹(shù)脂的密合性為目的，通過(guò)電解蝕刻或特開(kāi)2000-282265號(hào)公報(bào)所述的蝕刻處理，在電鍍銅覆膜2b的表面制作凹凸20(圖3(1)或圖4(1))，其后，形成絕緣樹(shù)脂llb。但是，為了通過(guò)該蝕刻處理在表面制作凹凸，必須使用特殊的高價(jià)的蝕刻裝置。另外，因?yàn)橛捎糜陔婂冦~的用于硫酸銅電鍍?cè)∫旱奶砑觿└淖冸婂冦~覆膜的特性，所以由此若改變蝕刻液則在覆膜表面不能充分形成凹凸，選定蝕刻液變得很煩雜。另外，列舉特開(kāi)2000-282265號(hào)公報(bào)、特表2006-526890號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2000-68644號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2002-134918號(hào)公報(bào)、特2000-44799號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2001-214549號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平3-204992號(hào)公報(bào)、特公平7-19959號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平5-335744號(hào)公報(bào)及特開(kāi)2001-210932號(hào)公報(bào)作為現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于所述情況，其目的是提供以簡(jiǎn)便的工序高效制造特別保證配線(xiàn)層和絕緣層的良好的密合性的加厚層積基板的方法。本發(fā)明人為解決上述問(wèn)題，在制造加厚層積基板時(shí)，對(duì)不用進(jìn)行在形成配線(xiàn)層(內(nèi)層配線(xiàn))后必須的蝕刻處理工序、在配線(xiàn)層以密合性良好地層積有機(jī)高分子絕緣層(絕緣樹(shù)脂)的方法反復(fù)進(jìn)行銳意研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過(guò)把過(guò)去因覆膜特性惡化而不能利用的具有表面凹凸的覆膜與現(xiàn)有的導(dǎo)孔填充等電鍍組合，在形成層的電鍍銅工序中，可以通過(guò)在電鍍銅覆膜表面形成凹凸，可以省略特殊的蝕刻處理工序。而且，還發(fā)現(xiàn)通過(guò)電鍍銅，例如，在電鍍銅的最后工序，若通過(guò)原樣使用前工序的電鍍銅變更使表面成為粗面的電鍍的條件的方法、改變表面成為粗面的電鍍銅浴液及條件電鍍銅的方法等的方法形成凹凸，則因?yàn)榭梢园驯砻娴陌纪拐{(diào)整成各式各樣的形狀和粗度(表面粗度Ra)而形成，所以在保持占配線(xiàn)層的大部分的本層的電鍍特性的同時(shí)保證配線(xiàn)層和有機(jī)高分子絕緣層的良好的密合性，可以用簡(jiǎn)便的工序高效制造加厚層積基板，完成本發(fā)明。即，本發(fā)明提供以下的加厚層積基板的制造方法。加厚層積基板的制造方法，該方法包括在有機(jī)高分子絕緣層上由電鍍銅形成配線(xiàn)層、在該配線(xiàn)層上進(jìn)而層積有機(jī)高分子絕緣層的工序，其特征在于，在所述電鍍銅的最后工序，通過(guò)電鍍銅在所述配線(xiàn)層表面形成粗面，在形成于該粗面的配線(xiàn)層表面上直接層積有機(jī)高分子絕緣層。特別地，所述電鍍銅的最后工序中的形成所述粗面的電鍍銅優(yōu)選適用逆電解脈沖的電鍍銅。另外，所述電鍍銅的最后工序形成所述粗面的電鍍銅，優(yōu)選用下述的電鍍銅浴液進(jìn)行的電鍍銅，所述電鍍銅溶液是含有含硫的化合物和含氮的化合物作為有機(jī)添加劑的、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液，或者含有含硫及氮的化合物作為有機(jī)添加劑的、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液。進(jìn)而，所述粗面的表面粗度Ra優(yōu)選是O.01~lnm。根據(jù)本發(fā)明，為了提高有機(jī)高分子絕緣層和配線(xiàn)層的密合性，可以省略所必須的特殊的蝕刻工序，不必使用高價(jià)的蝕刻裝置，是經(jīng)濟(jì)的。另外，特別因?yàn)榧词乖瓨邮褂糜糜趯?dǎo)孔填充電鍍的含有各種添加粗度，所以也不必對(duì)應(yīng)由添加劑引起的覆膜特性而選擇特殊的蝕刻液，另外，也容易與層積的有機(jī)高分子絕緣層的材質(zhì)及物性匹配地形成表面的凹凸。圖1是表示含有本發(fā)明的電鍍銅工序的加厚層積基板的制造方法(半添加法)的工序的一例說(shuō)明圖。圖2是表示含有本發(fā)明的電鍍銅工序的加厚層積基板的制造方法(減法)的工序的一例說(shuō)明圖。圖3是現(xiàn)有的加厚層積基板的制造方法(半添加法)的工序的說(shuō)明圖。圖4是現(xiàn)有的加厚層積基板的制造方法(減法)的工序的說(shuō)明圖。圖5是在(A)實(shí)驗(yàn)例1、(B)實(shí)驗(yàn)例2、(C)實(shí)驗(yàn)例3、(D)實(shí)驗(yàn)例4、(E)實(shí)驗(yàn)例7及(F)實(shí)驗(yàn)例8形成的電鍍銅覆膜的表面的掃描型電子顯微鏡圖像。圖6是表示在實(shí)驗(yàn)例13、14及比較實(shí)驗(yàn)例1~3中測(cè)定覆膜物性的試驗(yàn)片的形狀及尺寸的圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明是包括在有機(jī)高分子絕緣層(一般是環(huán)氧樹(shù)脂等的絕緣樹(shù)脂層)上由電鍍銅形成配線(xiàn)層、在該配線(xiàn)層上進(jìn)而層積有機(jī)高分子絕緣層的工序的加厚層積基板的制造方法。在本發(fā)明，在形成該配線(xiàn)層(或者用于形成配線(xiàn)層的電鍍銅覆膜)的電鍍銅的最后工序，由電鍍銅把在配線(xiàn)層表面形成粗面，在形成于該粗面的配線(xiàn)層表面上直接(即，不用借助其他層)層積有機(jī)高分子絕緣層。在本發(fā)明的電鍍銅中，通過(guò)在加厚層積基板的制造中適用的通常的電鍍銅形成大部分配線(xiàn)層，在該電鍍銅工序的最后階段(最后工序)，適用用于形成把表面形成為粗面的配線(xiàn)層的電鍍銅。作為這樣的方法具體的是，首先，通過(guò)由使用直流電流的銅鍍形成配線(xiàn)層，在最后階段(最后工序)通過(guò)形成逆電解脈沖電流，可以把在配線(xiàn)層的表面形成粗面(有把該方法稱(chēng)為逆電解脈沖方式)。作為用于該情況下的電鍍銅浴液(第1電鍍銅浴液)適用在加厚層積基板的制造適用的公知的電鍍銅浴液(例如，導(dǎo)孔填充用或者鑲嵌(damascene)用等的硫酸銅電鍍?cè)∫?，例如，使用含有硫酸銅以銅離子(Cu"為10~65g/L，20250g/L硫酸，20~100mg/L氯化物離子(cr)，進(jìn)而，可以使用用于導(dǎo)孔填充用或者鑲嵌用硫酸銅電鍍?cè)∫旱暮杏袡C(jī)添加劑的浴液。作為該有機(jī)添加劑，例如，只要是含硫的化合物，優(yōu)選含有0.01~100mg/L，特別優(yōu)選0.l-50mg/L的以下(1)~(3)中所示的1種或者<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(式中，Ri是氫原子，或者是用一(S)ra-(CH丄-(0)p-S03M表示的基，R2是各自獨(dú)立的碳數(shù)1~5的烷基，M是氫原子或者堿金屬，m是0或者1，n是l8的整數(shù)，p是O或者l。)另外，只要是聚醚化合物，可以列舉含有4個(gè)以上-0-的含有聚烷撐二醇化合物，具體的聚乙二醇、聚丙二醇及它們的共聚物，聚乙二醇脂肪酸酯，聚乙二醇烷基醚等。這些聚醚化合物優(yōu)選含10~5000mg/L，特別優(yōu)選100~1000mg/L。進(jìn)而，只要是含氮的化合物，可以舉出聚乙烯亞胺及其衍生物，聚乙烯基咪唑及其衍生物，聚乙烯基烷基咪唑及其衍生物，乙烯基吡咯烷酮與乙烯基烷基咪唑及其衍生物的的共聚物，詹納斯綠B等的染料，含有0.001~500mg/L，特別是0.01~100mg/L為理想。另外，硫酸銅電鍍?cè)∫旱膒H通常使用2以下的。本發(fā)明作為陽(yáng)極使用可溶性陽(yáng)極或者不溶性陽(yáng)極，把被電鍍物作為陰極在被電鍍物上進(jìn)行電鍍銅。在逆電解脈沖方式，首先，進(jìn)行用直流電流的電鍍銅。在該情況下，陰極電流密度通常設(shè)為0.5~7A/dm2，特別定為15A/dm2是適合的。另夕卜，在適用于電鍍銅工序的最后階段的逆電解脈沖中，正(電鍍側(cè))的電流(陰極電流密度)Ai及負(fù)(剝離側(cè))的電流(陰極電流密度)Bi，把Bi定為0.5~7A/dm2,特別是在15A/dm2的范圍，Ai/Bi=l/2~1/5的范圍是理想的，對(duì)于正(電鍍側(cè))的脈沖時(shí)間At及負(fù)(剝離側(cè))的脈沖時(shí)間Bt，把Bt定在1.0~10ms的范圍，At/Bt=5~5O是理想的。適用逆電解脈沖的電鍍時(shí)間在1~10分鐘左右是理想的，另外，全電鍍銅時(shí)間的1/3~1/100，特別是1/4~1/75，尤其是1/5~1/50為理想的。適用逆電解脈沖的電鍍時(shí)間在所述范圍之下，有可能得不到充分的密合性，超過(guò)所述范圍的，電鍍銅覆膜的物性，特別是抗拉力，伸展率有可能惡化。另外，首先，用直流電流，在加厚層積基板的制造適用的公知的電鍍銅浴液(例如，導(dǎo)孔填充用或者鑲嵌用等的硫酸銅電鍍?cè)∫?適用的電鍍銅(具體的是，可以與在所述逆電解脈沖方式例示的第1電鍍銅浴液及用直流電流用的電鍍條件同樣)形成配線(xiàn)層，在最后階段(最后工序)，通過(guò)使用例如用直流電流，含有含硫的化合物和含氮的化合物作為有機(jī)添加劑、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液，或者含有含硫及氮的化合物作為有機(jī)添加劑、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液(第二電鍍銅浴液)電鍍銅，把配線(xiàn)層的表面形成粗面(把該方法稱(chēng)為兩種電鍍?cè)∫悍绞?。在該情況下，作為用于把配線(xiàn)層的表面形成粗面的電鍍銅浴液(第二電鍍銅浴液)，例如，含有作為銅離子(012+)為1065g/L的硫酸銅，20250g/L的硫酸，20100mg/L氯化物離子(Cr)，進(jìn)而，使用含有作為用于通孔電鍍用、導(dǎo)孔填充用或者鑲嵌用硫酸銅電鍍?cè)∫旱挠袡C(jī)添加劑，使用含有含硫的化合物和含氮的化合物、不含聚醚化合物的，或者含有含硫及氮的化合物、不含聚醚化合物的添加劑。此時(shí)的含疏的化合物、含氮的化合物及聚醚化合物可以列舉各個(gè)與所述逆電解脈沖方式中所例示的第1電鍍銅浴液同樣的化合物，含硫化合物及含氮化合物的電鍍?cè)∫褐械臐舛纫彩窍嗤?。另外，作為含硫及氮的化合物，可以列舉噻唑及其衍生物、噻唑啉及其衍生物、苯并噻唑啉及其衍生物、繞丹酸及其衍生物、硫代尿素及其衍生物、苯并噻唑及其衍生物、少！/I^:x藍(lán)、鈦黃等的染料，含量為0.001~500mg/L，特別是0.01~100mg/L是理想的。在用該第二電鍍銅浴液的電鍍銅中，陰極電流密度例如通常為0.5~7A/dm2，特別是1~5A/dm2的直流電流是合適的，但在所述逆電解脈沖方式中也適用如例所示的逆電解脈沖。適用于第二電鍍銅浴液的電鍍銅的電鍍時(shí)間在1~10分鐘左右是理想的，另外，全電鍍銅時(shí)間的1/3~1/100，特別是1/4~1/75，尤其是1/5~1/50為理想。另外，在逆電解脈沖方式及兩種電鍍?cè)∫悍绞降娜魏我环N方式，硫酸銅電鍍?cè)∫旱膒H值通常用2以下的。另外，電鍍溫度通常在20~3(TC是合適的。另外，形成粗面的電鍍銅(用逆電解脈沖的電鍍，用第二電鍍銅浴液的電鍍)也可以從其前段的電鍍銅(使用由第1電鍍銅的直流電流的電鍍)連續(xù)實(shí)施，另外，也可以通過(guò)公知的洗滌、表面氧化膜除去處理等實(shí)施。另外，電鍍銅覆膜(配線(xiàn)層)的厚度通常為5~40jtm，其中，例如，1/50以上，特別是l/20以上，且l/2以下，特別是l/3以下，用形成粗面的電鍍銅形成是理想的，但特別是用形成粗面的電鍍銅形成的厚度是O.lpm以上，理想的是O.2nm以上，更理想的是0.以上，且不足5pm，理想的是4pm以下，更理想的是3^n以下。用形成粗面的電鍍銅形成的厚度在所述范圍之下的，可能得不到充分的密合性；超過(guò)所述范圍的，電鍍銅覆膜的物性、特別是抗拉力，伸展率有可能變壞。接著，參照適用于用本發(fā)明的電鍍銅的配線(xiàn)層的形成方法的加厚層積基板的制造方法的一例。圖1表示用半添加法的加厚層積基板的制造方法的一例。在該方法，首先，在前工序，在內(nèi)層樹(shù)脂1上形成內(nèi)層配線(xiàn)2a后，對(duì)在該內(nèi)層配線(xiàn)2a上粘貼絕緣樹(shù)脂lla(圖l(A))的基板，通過(guò)照射激光在絕緣樹(shù)脂lla形成導(dǎo)孔3，對(duì)該導(dǎo)孔3及絕緣樹(shù)脂lla的表面施行除渣處理(圖l(B))，進(jìn)行附著催化劑21(圖l(C))及無(wú)電解鍍銅(圖l(D))，在無(wú)電解鍍銅覆膜22上，實(shí)施電鍍保護(hù)層4(圖l(E))，對(duì)保護(hù)層非覆蓋圖案進(jìn)行電鍍銅處理而形成內(nèi)層配線(xiàn)(電鍍銅覆膜)2b(圖l(F))。此時(shí)，適用上述的本發(fā)明的逆電解脈沖方式、兩種電鍍?cè)∫悍绞降鹊碾婂冦~，配線(xiàn)層(電鍍銅覆膜)的表面形成粗面23(圖l(G))。接著，在除去保護(hù)層4(圖l(H))后與催化劑21—起除去無(wú)電解鍍銅覆膜22(圖l(I))，進(jìn)而反復(fù)進(jìn)行粘貼絕緣樹(shù)脂llb的工序(圖l(J))，形成上層配線(xiàn)。在該方法，對(duì)導(dǎo)孔和表面圖案基底(由圖案化的保護(hù)層露出的無(wú)電解鍍銅覆膜)同時(shí)進(jìn)行電鍍銅。另外，圖2表示用減法制造加厚層積基板的方法的一例。在該方法，首先，在前工序，在內(nèi)層樹(shù)脂1上形成內(nèi)層配線(xiàn)2a后，對(duì)在該內(nèi)層配線(xiàn)2a上粘貼已貼有銅箔的絕緣樹(shù)脂(RCC樹(shù)脂)lla(圖2(A))的基板，通過(guò)照射激光在絕緣樹(shù)脂lla上形成導(dǎo)孔3，對(duì)該導(dǎo)孔3及絕緣樹(shù)脂lla表面施行除渣處理(圖2(B))，進(jìn)行附著催化劑21(圖2(C))及無(wú)電解鍍銅(圖2(D))，在無(wú)電解鍍銅覆膜22上，用電鍍銅處理形成電鍍銅覆膜2b(圖2(E))。此時(shí)，適用上述的本發(fā)明的逆電解脈沖方式、兩種電鍍?cè)∫悍绞降鹊碾婂冦~，配線(xiàn)層(電鍍銅覆膜)的表面形成為粗面23(圖2(F))。接著，在電鍍銅覆膜2b上施行蝕刻保護(hù)層4(圖2(G))，把保護(hù)層非覆蓋部分的電鍍銅覆膜2b與無(wú)電解鍍銅覆膜22、催化劑21及絕緣樹(shù)脂lla表面上的銅箔一起除去(圖2(H))形成內(nèi)層配線(xiàn)(電鍍銅覆膜)2b，除去保護(hù)層4(圖2(1))，進(jìn)而反復(fù)進(jìn)行粘貼已貼有銅箔的絕緣樹(shù)脂(RCC樹(shù)脂)llb的工序(圖2(J))，形成上層配線(xiàn)。在該方法，與導(dǎo)孔一起在整個(gè)基板表面電鍍銅后，使基板表面的電鍍銅圖案化。另外，對(duì)于電鍍銅以外的處理可以采用公知的手法，例如，釆用以下的方法。(1)形成導(dǎo)孔處理可采用公知的開(kāi)孔方法。例如，可通過(guò)照射激光開(kāi)孔。另外，也可采用特開(kāi)2000-68644號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2002-134918號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2000-44799號(hào)公報(bào)等所述的方法。(2)除渣處理可采用公知的除渣處理。例如，施行膨潤(rùn)處理，用過(guò)錳酸液進(jìn)行除渣處理后，進(jìn)行中和處理。也可采用特開(kāi)2001-274549號(hào)公報(bào)、特開(kāi)平3-204992號(hào)公報(bào)和特公平7-19959號(hào)公報(bào)等所述的方法。(3)預(yù)處理可采用公知的預(yù)處理?？梢赃m宜組合以下處理方法進(jìn)行處理，例如，使用把非離子性界面活性劑作為主成分的溶液的清潔處理、使用把陽(yáng)離子性界面活性劑作為主成分的溶液的促進(jìn)附著催化劑的調(diào)節(jié)處清潔溶液和調(diào)節(jié)溶液作成一種液體的清潔調(diào)^處理等。'(4)附著催化劑處理可采用公知的附著催化劑處理。例如，可以采用附著錫-鈀膠體的催化劑處理，用光敏處理-活性劑法的附著催化劑處理，堿催化劑-促進(jìn)劑法的附著催化劑處理等采用的。(5)無(wú)電解鍍銅處理采用公知的無(wú)電解鍍銅處理。例如使用堿性浴液、中性浴液等，使用的還原劑也沒(méi)有特別限定。(6)保護(hù)層形成可采用公知的保護(hù)層形成方法。例如，在由公知的樹(shù)脂制作的干膜上，以在掩蓋的覆膜上依照表面圖案的方式形成保護(hù)層圖案。作為保護(hù)層可采用正型、負(fù)型中的任一種，所用的樹(shù)脂沒(méi)有特別限定。(7)保護(hù)層剝離處理可釆用公知的保護(hù)層剝離處理。例如，可使用堿性的溶液溶解干膜(保護(hù)層)除去。作為堿性溶液可列舉氫氧化鈉溶液、氫氧化鉀溶液(8)無(wú)電解鍍銅除去處理采用公知的無(wú)電解鍍銅除去處理。例如，在半添加法中，露出沒(méi)有層積電鍍銅的無(wú)電解鍍銅覆膜，但該無(wú)電解鍍銅覆膜可以用酸性溶液除去。作為酸性溶液，可列舉氯化鐵(II)水溶液、過(guò)氫硫酸水溶液等。(9)電鍍銅除去處理采用公知的電鍍銅除去處理。例如，在減法中，露出沒(méi)有層積保護(hù)層的電鍍銅覆膜的，但該電鍍銅覆膜例如用硫酸-過(guò)氧化氫水溶液、氯化銅水溶液等的公知的酸性溶液與電鍍銅同時(shí)除去無(wú)電解鍍銅。另外，也可釆用公知的直接電鍍法。作為直接電鍍法，用Sn-Pd膠體、Pd催化劑、碳催化劑和導(dǎo)電性樹(shù)脂等進(jìn)行處理，直接施行電鍍銅。直接電鍍方法特別對(duì)減法是有效的，但在這種情況下，可以省略所述(5)工序或(3)、(4)工序等。另夕卜，也可以替代所述(3)、U)工序，采用如特開(kāi)平5-335744號(hào)公報(bào)所述的噴妙-法。進(jìn)而，在電鍍銅工序之前，預(yù)先在含有1種或者兩種以上導(dǎo)孔填充用的有機(jī)添加劑的溶液中進(jìn)行浸漬處理后施行電鍍銅。在本發(fā)明的方法，通過(guò)上述的電鍍銅，電鍍銅覆膜(配線(xiàn)層)的表面的表面粗度(Ra)是0.Oljim以上，優(yōu)選是0.02jim以上，較優(yōu)選是0.025jim以上，更優(yōu)選是0.03pm以上，特別優(yōu)選是0.05pm以上，且ljam以下，優(yōu)選是0.5jim以下，較優(yōu)選是0.lpm以下，更優(yōu)選是不足0.l|^n，特優(yōu)選是0.09pm以下。在所述范圍之下，則與層積樹(shù)脂的密合性變壞，此外還有可能在由減法的無(wú)電解鍍銅除去處理不能充分殘留表面凹凸。超過(guò)所述范圍，則表面凹凸部分變脆，與層積樹(shù)脂的密合性有可能變壞。在形成該粗面的配線(xiàn)層表面上，根據(jù)需要，通過(guò)施行公知的洗滌處理等，加厚層積基板的制造適用的公知的方法(例如，樹(shù)脂的涂布及固化，樹(shù)脂片的層積等)直接層積有機(jī)高分子絕緣層，通過(guò)不適用現(xiàn)有的蝕刻工序的、僅由電鍍銅工序，就可以在加厚層積基板中在配線(xiàn)層和絕緣樹(shù)脂間得到牢固的密合性。另外，在圖1、2中，例示配線(xiàn)層形成兩層，但不限于此，可以根據(jù)用途在單面或者兩面形成1層或者3層以上。以下，列舉實(shí)驗(yàn)例、比較實(shí)驗(yàn)例及實(shí)施例具體地說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明不限定于以下的實(shí)驗(yàn)例及實(shí)施例?！矊?shí)驗(yàn)例1~6〕對(duì)被電鍍物使用FR-4基材，用以下表1~3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]依次實(shí)施以下條件l-l(一次電鍍)及條件2-1(二次電鍍)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>※2:上村工業(yè)(抹)制電鍍銅浴液[I]組成石克酸銅5水鹽2Q0g/L硫酸50g/L氯化物離子50mg/L直接耦合EVF-2A※2(作為含有含S的化合物的添加劑)2.5ml/L直接耦合EVF-B※2(作為含有聚醚化合物的添加劑)10ml/L直接耦合EVF-T※2(作為含有含N的化合物的添加劑)2ml/L※2上村工業(yè)(抹)制工序(C-6)的電鍍銅條件<條件l-l(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I〗陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間60分鐘電鍍溫度25X:<條件2-1(二次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]電鍍條件如表4所示。評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的表面粗度(Ra)及密合性。結(jié)果在表4中表示。進(jìn)而，在各個(gè)圖5(A)~(D)中表示用掃描型電子顯微鏡觀(guān)察由實(shí)驗(yàn)例1~4得到的電鍍銅覆膜的表面的結(jié)果。評(píng)價(jià)方法表面粗度(Ra):用激光顯微鏡((抹)《-工;/》制VK-8550)緊合性強(qiáng)度的測(cè)定作為粘接帶，使用以JISZ1522為基準(zhǔn)的18mm寬的，以JISC6481—固的"5.7剝離強(qiáng)度"為基準(zhǔn)實(shí)施。銅的剝離試驗(yàn)作為粘接帶使用以JISZ1522為基準(zhǔn)的18mm寬的。在試件(電鍍銅覆膜)的表面，把粘接帶的新面，用長(zhǎng)度60mm通過(guò)手指以不留氣泡地壓緊，10秒后在電鍍面直角的方向立刻剝離。通過(guò)目視觀(guān)察有無(wú)在粘接帶側(cè)附著的電鍍覆膜。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>依次實(shí)施以下條件1-l(一次電鍍)及條件2-2(二次電鍍)。電鍍銅浴液[II]-組成A硫酸銅5水鹽200g/L硫酸50g/L氯化物離子50mg/L-(S-(CH2)3-S03Na)2(作為含有S的化合物):5mg/L聚乙烯亞胺#600(作為含有N的化合物)lmg/L電鍍銅浴液[II]-組成B硫酸銅5水鹽lOOg/L硫酸150g/L氯化物離子50mg/L3-(苯并噢唑-2-巰基)-丙基磺酸鈉鹽(作為含有S及N的化合物)50mg/L工序(C-6)的電鍍銅條件<條件1-l(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間6Q分鐘電鍍溫度25'C<條件2-2(二次電鍍)>電鍍銅浴液如表5所示陰極電流密度3.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間5分鐘電鍍溫度25'C與實(shí)驗(yàn)例1同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的表面粗度OU)及密合性。結(jié)果在表5中表示。進(jìn)而，在各個(gè)圖5(E)、(F)中表示用掃描型電子顯微鏡觀(guān)察實(shí)驗(yàn)例7、8得到的電鍍銅覆膜的表面的結(jié)果。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>對(duì)被電鍍物使用FR-4基材，用所述表1~3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]依次實(shí)施以下條件1-l(一次電鍍)及條件2-3(二次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件l-l(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間60分鐘電鍍溫度25匸<條件2-3(二次電鍍)>電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I〗電鍍條件如表6所示與實(shí)驗(yàn)例1同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的表面粗度(Ra)及密合性。結(jié)果在表6中表示。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>[實(shí)驗(yàn)例11、12]對(duì)被電鍍物使用FR-4基材，用所述表1~3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]依次實(shí)施以下條件l-l(一次電鍍)及以下條件2-4(二次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件l-l(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I〗陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間6Q分鐘電鍍溫度25"C<條件2-4(二次電鍍)>電鍍銅浴液如表7所示陰極電流密度3.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間1G分鐘電鍍溫度25匸與實(shí)驗(yàn)例1同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的表面粗度(Ra)及密合性。結(jié)果在表7表示。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>[比較實(shí)驗(yàn)例1]對(duì)被電鍍物使用FR-4基材，用所述表1~3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]只實(shí)施以下條件l-l(一次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件1-l(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間6G分鐘電鍍溫度25"C與實(shí)驗(yàn)例1同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的表面粗度(Ra)及密合性。結(jié)果在表8中表示。表8比較實(shí)驗(yàn)例1<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>從對(duì)比所述實(shí)驗(yàn)例1~12和比較實(shí)驗(yàn)例1，可知通過(guò)本發(fā)明給予使表面形成粗面的電鍍銅覆膜高的密合性。另外，因?yàn)樵阢~的剝離試驗(yàn)任一個(gè)都不附著銅，所以可知由二次電鍍形成的表面的凹凸部分沒(méi)有變脆。進(jìn)而，可知通過(guò)改變二次電鍍的條件，可以形成各種的表面粗度(Ra)的粗面。作為被電鍍物使用SUS板，由所述表3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]依次實(shí)施以下條件l-2(—次電鍍)及條件2-5(二次電鍍))。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件1-2(—次電鍍)>電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間110分鐘電鍍溫度25'C<條件2-5(二次電鍍)>電鍍銅浴液；電鍍銅浴液[I]電鍍條件如表9所示。評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的膜厚、拉伸強(qiáng)度(抗拉力)及伸展率，結(jié)果在表9中表示。評(píng)價(jià)方法從SUS板以注意不損壞電鍍覆膜的方式進(jìn)行剝離，沖壓成圖6所示的形狀和尺寸，制作試驗(yàn)片。用熒光X射線(xiàn)膜厚儀測(cè)定試驗(yàn)片中央部的膜厚，試驗(yàn)片電鍍膜厚定為(d[mm])。-夾頭間距離定為40mm，拉伸速度定為4mm/min，測(cè)定拉伸應(yīng)力。拉伸強(qiáng)度(T[gf/咖1)由測(cè)定的最大拉伸應(yīng)力(F[gf])、試驗(yàn)片電鍍膜厚(d[mm])用下式求出。(T[gf/腿2])=F[gf]/(10[mm]xd[mm])伸展率(E[。/。])由從開(kāi)始拉伸試驗(yàn)片到覆膜斷裂的拉出的尺寸(AL[mm])用下式求出。下式中的20[mm]為試驗(yàn)片中央部的等寬部分拉伸前的長(zhǎng)度(原尺寸)。伸展率(E[%])=△L[mm]/20[mm].在測(cè)定中使用島津制作所制自動(dòng)繪圖儀AGS-100D。表9<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>作為被電鍍物使用SUS板，由所述表3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]依次實(shí)施以下條件l-3(—次電鍍)及條件2-6(二次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件1-3(—次電鍍)>電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm、直流)電鍍時(shí)間58分鐘電鍍溫度25匸<條件2-6(二次電鍍)>電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]電鍍條件如表10所示與實(shí)驗(yàn)例13同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的膜厚、拉伸強(qiáng)度(抗拉力)及伸展率。結(jié)果在表10表示。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>[比較實(shí)驗(yàn)例2]作為被電鍍物使用SUS板，用所述表3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]只實(shí)施以下條件2-7(二次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件2-7(二次電鍍)>電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]電鍍條件如表ll所示與實(shí)驗(yàn)例13同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的膜厚、拉伸強(qiáng)度(抗拉力)及伸展率。結(jié)果在表ll表示。表11<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>[比較實(shí)驗(yàn)例3]作為被電鍍物使用SUS板，由所述表3所示的處理工序形成電鍍銅覆膜。電鍍銅[工序(C-6)]只實(shí)施以下條件1-4(一次電鍍)。工序(C-6)的電鍍銅條件<條件1-4(一次電鍍)〉電鍍銅浴液電鍍銅浴液[I]陰極電流密度1.0A/dm2(直流)電鍍時(shí)間115分鐘電鍍溫度25'C與實(shí)驗(yàn)例13同樣評(píng)價(jià)得到的電鍍銅覆膜的膜厚、拉伸強(qiáng)度(抗拉力)及伸展率。結(jié)果在表12表示。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>從對(duì)比所述實(shí)驗(yàn)例13、14和比較實(shí)驗(yàn)例2、3，可以看出全部用逆電解脈沖進(jìn)行電鍍的比較實(shí)驗(yàn)例2的電鍍覆膜的伸展率低，電鍍覆膜的延展性低。在覆膜的延展性低時(shí)，在基板制造工序的熱處理中，在覆膜產(chǎn)生裂紋。通常認(rèn)為，在該評(píng)價(jià)中，伸展率不在15%以上、特別是不在20%以上的覆膜上容易發(fā)生所述裂紋。與此相對(duì)，認(rèn)為特別是實(shí)驗(yàn)例13的電鍍覆膜的伸展率的電鍍覆膜的延展性幾乎不降低，與全部用直流電鍍的比較實(shí)驗(yàn)例3有相同的值。用半添加法制作層積基板。在張貼銅FR-4基板上(厚度0.4mm)，涂布70|um的厚度的味之素(林)制加厚用絕緣樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)，在1501C固化20分鐘。其后，用激光起振裝置形成(J)100Pm的導(dǎo)孔。接著，由所述表l、2所示的處理工序(A-l-9及B-l16)，形成0.7jjm的厚度的無(wú)電解電鍍覆膜，在150X:進(jìn)行30分鐘的退火處理。施行電鍍保護(hù)層(水溶性型的負(fù)型感光性干膜光保護(hù)層)后，施行電鍍銅(用電鍍銅同時(shí)實(shí)施導(dǎo)孔填充電鍍和表面圖案電鍍)。電鍍銅與實(shí)驗(yàn)例2相同。形成電路，用氫氧化鈉水溶液除去保護(hù)層后，把不要的無(wú)電解鍍銅覆膜用蝕刻(硫酸-過(guò)氧化氫蝕刻液處理)除去而形成電路，再涂布70jim厚度的上述味之素(抹)制加厚用絕緣樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)，在150。C固化20分鐘的工序以后反復(fù)兩次，制作層積6層電路的層積基板。在得到的層積基板的電路(電鍍銅覆膜)和絕緣樹(shù)脂之間具有耐實(shí)用的充分的密合性。用減法制作層積基板。在松下電工制張貼銅FR-4基板上(厚度0.2咖)，層積附帶松下電工制樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)的銅箔(FR-4)。其后，用激光起振裝置形成(f)lOO^im的導(dǎo)孔。接著，由所述表l、2所示的處理工序(A-19及B-116)，形成0.7,的厚度的無(wú)電解電鍍覆膜，繼續(xù)進(jìn)行電鍍銅(由銅鍍同時(shí)實(shí)施導(dǎo)孔填充電鍍和表面電鍍)。電鍍銅與實(shí)驗(yàn)例3相同。接著，施行蝕刻保護(hù)層(水溶性型的負(fù)型感光性干膜光保護(hù)層)后，把不要的電鍍銅覆膜及無(wú)電解鍍銅覆膜用蝕刻(氯化銅(II)蝕刻液處理)除去形成電路，用氫氧化鈉水溶液除去保護(hù)層，再層積附帶松下電工制樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)的銅箔(FR-4)的工序以后反復(fù)兩次，制作層積6層電路的層積基板。在得到的層積基板的電路(電鍍銅覆膜)和絕緣樹(shù)脂之間具有耐實(shí)用的充分的密合性?！矊?shí)施例3〕用半添加法制作層積基板。在張貼銅FR-4基板上(厚度0.4mm)，涂布70拜的厚度的味之素(林)制加厚用絕緣樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)，在150'C固化20分鐘。其后，用激光起振裝置形成(J)lOOpm的導(dǎo)孔。接著，由所述表l、2所示的處理工序(A-19及B-116)，形成0.7pm的厚度的無(wú)電解電鍍覆膜，在1501C進(jìn)行30分鐘退火處理。施行電鍍保護(hù)層(水溶性型的負(fù)型感光性干膜光保護(hù)層)后，進(jìn)行電鍍銅(用電鍍銅同時(shí)施行導(dǎo)孔填充電鍍和表面圖案電鍍)。電鍍銅與實(shí)驗(yàn)例7相同。形成電路，用氫氧化鈉水溶液除去保護(hù)層后，把不要的無(wú)電解鍍銅覆膜用蝕刻(硫酸-過(guò)氧化氫蝕刻液處理)除去而形成電路，再涂布70pm的厚度的所述味之素(林)制加厚用絕緣樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)，在150。C固化20分鐘的工序以后反復(fù)兩次，制作層積6層電路的層積基板。在得到的層積基板的電路(電鍍銅覆膜)和絕緣樹(shù)脂之間具有耐實(shí)用的充分的密合性。用減法制作層積基板。在松下電工制張貼銅FR-4基板上(厚度0.2mm)，層積附帶松下電工制樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)的銅箔(FR-4)。其后，用激光起振裝置形成(J)lOOjun的導(dǎo)孔。接著，由所述表l、2所示的處理工序(A-19及B-1~16)，形成0.7pm的厚度的無(wú)電解電鍍覆膜，繼續(xù)進(jìn)行電鍍銅(由電鍍銅同時(shí)實(shí)施導(dǎo)孔填充電鍍和表面電鍍)。電鍍銅與實(shí)驗(yàn)例8相同。接著，施加蝕刻保護(hù)層(水溶性型的負(fù)型感光性干膜光保護(hù)層)后，通過(guò)蝕刻(氯化銅(II)蝕刻液處理)把不要的電鍍銅覆膜及無(wú)電解鍍銅覆膜除去而形成電路，用氫氧化鈉水溶液除去保護(hù)層，再反復(fù)兩次層積附帶松下電工制樹(shù)脂(絕緣樹(shù)脂)的銅箔(FR-4)的工序以后，制作層積6層電路的層積基板。在得到的層積基板的電路(電鍍銅覆膜)和絕緣樹(shù)脂之間具有耐實(shí)用的充分的密合性。權(quán)利要求1.加厚層積基板的制造方法，該方法包括在有機(jī)高分子絕緣層上由電鍍銅形成配線(xiàn)層、在該配線(xiàn)層上進(jìn)而層積有機(jī)高分子絕緣層的工序，其特征在于，在所述電鍍銅的最后工序，通過(guò)電鍍銅把所述配線(xiàn)層表面形成粗面，在形成于該粗面的配線(xiàn)層表面上直接層積有機(jī)高分子絕緣層。2.如權(quán)利要求1所述的加厚層積基板的制造方法，其特征在于，所述電鍍銅的最后工序中的形成所述粗面的電鍍銅是適用逆電解脈沖的電鍍銅。3.如權(quán)利要求1所述的加厚層積基板的制造方法，其特征在于，所述電鍍銅的最后工序中的形成所述粗面的電鍍銅是用下述的電鍍銅浴液進(jìn)行的電鍍銅，所述電鍍銅溶液是含有含硫的化合物和含氮的化合物作為有機(jī)添加劑的、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液，或者含有含硫及氮的化合物作為有機(jī)添加劑的、不含聚醚化合物的電鍍銅浴液。4.如權(quán)利要求1所述的加厚層積基板的制造方法，其特征在于，所述粗面的表面粗度Ra為0.01~l[mu]。全文摘要本發(fā)明提供加厚層積基板的制造方法，該方法包括在有機(jī)高分子絕緣層上由電鍍銅形成配線(xiàn)層、在該配線(xiàn)層上進(jìn)而層積有機(jī)高分子絕緣層的工序，在電鍍銅的最后工序，由電鍍銅使所述配線(xiàn)層表面形成粗面，在形成于該粗面的配線(xiàn)層表面上直接層積有機(jī)高分子絕緣層。根據(jù)本發(fā)明，可以省去用于提高有機(jī)高分子絕緣層和配線(xiàn)層的密合性的必要的特殊的蝕刻工序，不必使用高價(jià)的蝕刻裝置，因此是經(jīng)濟(jì)的。另外，特別是因?yàn)榧词乖瓨邮褂糜糜趯?dǎo)孔填充電鍍的含有各種添加劑的各種硫酸銅電鍍?cè)∫阂部梢园驯砻娴陌纪剐纬蔀楦魇礁鳂拥男螤詈痛侄龋砸膊槐貙?duì)應(yīng)由添加劑引起的覆膜特性而選擇特殊的蝕刻液。另外，也容易與層積的有機(jī)高分子絕緣層的材質(zhì)及物性吻合地形成表面的凹凸。文檔編號(hào)H05K3/38GK101394711SQ20081016094公開(kāi)日2009年3月25日申請(qǐng)日期2008年9月19日優(yōu)先權(quán)日2007年9月19日發(fā)明者堀田輝幸,大村直之,川瀨智弘,磯野敏久,立花真司申請(qǐng)人:上村工業(yè)株式會(huì)社