專利名稱：一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法。
技術(shù)背景隨著人們對(duì)視覺要求的逐日提高，顯示技術(shù)快速發(fā)展，已日趨百花齊放的局面，從陰極射線管顯示(CRT)、液晶顯示(LCD)、等離子顯示(PDP)到有機(jī) 電致發(fā)光顯示(OLED)以及場(chǎng)致發(fā)光顯示(FED)，不一而足?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展 曰新月異，顯示技術(shù)領(lǐng)域也在發(fā)生一場(chǎng)革命，各種新型的平板顯示技術(shù)(FPD) 應(yīng)運(yùn)而生。陰極射線管顯示(CRT)存在體積大、功耗高和輻射性的缺點(diǎn)，逐漸 失去顯示領(lǐng)域的霸主地位；而平板顯示技術(shù)被譽(yù)為一種朝陽技術(shù)，是二十一世 紀(jì)顯示技術(shù)發(fā)展的主流，因而受到了人們的廣泛重視，它不僅要具有完美的顯 示品質(zhì)，而且需在體積、節(jié)能等方面有更多的改進(jìn)。LCD、 PDP和0LED是平板 顯示的三大主流，OLED顯示器件，包括PLED (高分子有機(jī)電致發(fā)光顯示)與 其它顯示器件相比具有更大的優(yōu)勢(shì)，具體表現(xiàn)為工作電壓低、制作成本低、能 耗小、更薄、亮度和清晰度更高等優(yōu)點(diǎn)。柔板顯示是0LED/PLED顯示器件的發(fā) 展方向之一，但由于目前封裝技術(shù)所存在的問題，影響了 0LED平板顯示器件 的壽命。OLED器件的壽命一方面決定于所選用的有機(jī)材料，另一方面還取決于器件 的封裝方、法；因?yàn)橛袡C(jī)材料很不穩(wěn)定，如果OLED器件封裝不好，有機(jī)材料就 會(huì)與真空腔內(nèi)的水蒸汽、氧氣等氣體發(fā)生反應(yīng)，很容易就會(huì)失效，導(dǎo)致整個(gè)OLED器件壽命降低。因而，為使OLED在長(zhǎng)期工作過程中的退化和失效得到抑制，穩(wěn) 定工作達(dá)到足夠的壽命，對(duì)封裝材料的阻隔性有很高要求。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明為了解決0LED/PLED顯示器件壽命低的問題，提供了一種可顯著提 高器件壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明是采取如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面 自下而上依次設(shè)置IT0導(dǎo)電層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，所 述的陰極層設(shè)置用于與直流電壓負(fù)極相連接的引出導(dǎo)體膜片，然后在陰極層表 面采用真空蒸鍍、粒子濺射或M^濺射工藝形成一層薄膜封裝層，該薄膜封裝 層同時(shí)將空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層側(cè)邊密封。上述方案中，所述的薄膜封裝層用在空氣中比較穩(wěn)定的材料硒、碲、銻等 通過真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射工藝形成；真空蒸鍍時(shí)的真空度為1X10—3Pa 以下，真空蒸鍍厚度為80nm以上。所述的陰極層由金屬鋁或者鈣/鋁、鎂/銀低 功函數(shù)材料制成。本發(fā)明在0LED/PLED陰極的外面通過高真空條件下的真空蒸鍍、粒子濺射、 磁控濺射等成膜方法制備一層致密、不易氧化的薄膜封裝層，實(shí)現(xiàn)對(duì)顯示器件 的封裝，減少水、氧等對(duì)于器件內(nèi)部的侵蝕，形成對(duì)陰極、有機(jī)材料的有效保 護(hù)，使OLED在長(zhǎng)期工作過程中的退化和失效得到抑制，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作達(dá)到足夠 的壽命。


圖1是一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器采用本發(fā)明方法薄膜封裝后的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)Jfe^式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。如圖l所示， 一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，先在玻璃基板6上表 面自下而上依次設(shè)置IT0 (氧化銦與氧化錫復(fù)合膜材)導(dǎo)電層5、空穴傳輸層4、 發(fā)光層(熒光材料)3、電子傳輸層2和由金屬鋁或者鈣/鋁、鎂/銀等低功函數(shù) 材料制成陰極層1，再在陰極層1上設(shè)置用于與直流電壓負(fù)極相連接的引出導(dǎo)體 膜片，然后在陰極層1表面采用真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射工藝形成一層 薄膜封裝層7，該薄膜封裝層7同時(shí)將空穴傳輸層4、發(fā)光層3、電子傳輸層2 和陰極層1側(cè)邊密封。薄膜封裝層7可用在空氣中比較穩(wěn)定的材料，如硒、碲、 銻等，通過真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射工藝形成。這些薄膜材料具有對(duì)水 氣、氧氣等良好的阻隔性。本發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例為采用常規(guī)制備工藝分別在玻璃基板6上表面自下 而上依次設(shè)置IT0導(dǎo)電層5、空穴傳輸層4、發(fā)光層3、電子傳輸層2和由金屬鋁材料制成陰極層1,然后在真空室內(nèi)金屬陰極1上原位直接用硒材料通過真空 蒸鍍工藝蒸鍍形成薄膜封裝層7，真空蒸鍍時(shí)的真空度為1X10—3Pa以下；真空 蒸鍍后薄膜封裝層7的厚度為80nm。封裝完畢后，ITO導(dǎo)電層5和陰極層1分別與直流電壓的正負(fù)電極相連。本發(fā)明從提高OLED封裝的阻隔性，延長(zhǎng)OLED器件壽命出發(fā)，通過在完成各功能層設(shè)置以后，在真空室內(nèi)金屬陰極上原位直接蒸鍍薄膜封裝層，不但簡(jiǎn) 化了生產(chǎn)工藝，更有效的延長(zhǎng)了OLED器件的壽命。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次設(shè)置ITO導(dǎo)電層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，所述的陰極層設(shè)置用于與直流電壓負(fù)極相連接的引出導(dǎo)體膜片，然后在陰極層表面采用真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射工藝形成一層薄膜封裝層，該薄膜封裝層同時(shí)將空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層側(cè)邊密封。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，所 述的薄膜封裝層用硒、碲、銻之一的材料通過真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射 工藝形成。
3. 如權(quán)利要求2所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，所 述薄膜封裝層用硒通過真空蒸鍍工藝形成，真空蒸鍍時(shí)的真空度為lX10，a以 下。
4. 如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，所 述的薄膜封裝層的真空蒸鍍厚度至少為80nm。
5. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法，其特征在于，所述的陰極層由金屬鋁或者鈣/鋁、m/銀低功函數(shù)材料制成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種可顯著提高器件壽命的有機(jī)電致發(fā)光顯示器的封裝方法其特征在于，先在玻璃基板上表面自下而上依次設(shè)置ITO導(dǎo)電層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，所述的陰極層設(shè)置用于與直流電壓負(fù)極相連接的引出導(dǎo)體膜片，然后在陰極層表面采用真空蒸鍍、粒子濺射或磁控濺射工藝形成一層薄膜封裝層，該薄膜封裝層同時(shí)將空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層側(cè)邊密封。
文檔編號(hào)H05B33/10GK101217837SQ20071030773
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2007年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月26日
發(fā)明者張志剛, 張方輝, 欣 李, 強(qiáng) 牟, 矯士博 申請(qǐng)人:陜西科技大學(xué);彩虹集團(tuán)公司