專利名稱：一種電磁波屏蔽材料的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及應(yīng)用在各種電子機(jī)器和通信裝置上顯示設(shè)備的電磁波屏蔽材料的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著信息化社會(huì)的急速發(fā)展，關(guān)于信息關(guān)聯(lián)機(jī)器的技術(shù)急速發(fā)展并逐漸得到普及。各種電子機(jī)器、通信裝置，例如，用于陰極射線管(CRT)、液晶、EL、PDP、FED等顯示裝置用于電視用、個(gè)人電腦用、車站和機(jī)場(chǎng)等的導(dǎo)向顯示用，提供其他各種信息用。從這些電子機(jī)器、彈球盤、自動(dòng)賭博機(jī)等電子控制游戲機(jī)，攜帶電子等通信裝置發(fā)射出的電磁波或者是電磁波對(duì)這些機(jī)器的影響令人擔(dān)憂。例如人們考慮到了這種電磁波使周圍的機(jī)器誤動(dòng)作的問題、對(duì)人體的不良影響以及顯示裝置的透光性問題等，對(duì)于電磁波屏蔽材料的要求越來越高。適應(yīng)這樣的要求開發(fā)出了各種導(dǎo)電性材料。
目前導(dǎo)電性材料的制備方法主要有三種，都是在屏幕表面覆蓋或形成一層可屏蔽電磁輻射的高透明網(wǎng)格。一種方法利用固化膠(例如為10μm左右)將厚度超過9μm的壓延銅膜或電解銅膜粘貼在透光率較高(90％以上)的光學(xué)級(jí)透明聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜上，之后做銅膜網(wǎng)狀金屬刻蝕，以在PET薄膜表面形成金屬網(wǎng)狀層。這種方法雖然可行，但是由于工業(yè)化生產(chǎn)的壓延銅箔及電解銅箔非常昂貴，其厚度一般要達(dá)到9-12μm或更厚，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出電磁波屏蔽所需的金屬層厚度，增加了刻蝕成細(xì)線經(jīng)的難度，浪費(fèi)了資源并增加了成本。此外，將金屬箔與PET膜之間粘合在一起所用的固化膠在生產(chǎn)過程及以后使用中都會(huì)因熱量升高而釋放出污染環(huán)境的有機(jī)揮發(fā)物，從而對(duì)人體健康產(chǎn)生有害影響。
另一種電磁波屏蔽網(wǎng)格采用一種聚合物材料編織成的網(wǎng)紗，該網(wǎng)紗上采用“化學(xué)鍍”方法鍍上金屬化的外殼，并用固化膠將其貼在光學(xué)透明級(jí)的PET膜上以構(gòu)成電磁波屏蔽膜。但是“化學(xué)鍍”被公認(rèn)為會(huì)對(duì)環(huán)境造成重大危害，而且需要大量的水力資源和電力。另外，這種方法生產(chǎn)的網(wǎng)紗需使用含有有機(jī)揮發(fā)物的固化膠粘貼著在高透光性的光學(xué)級(jí)PET膜上，也會(huì)因?yàn)轱@示屏使用時(shí)阻件及機(jī)體發(fā)熱而造成粘貼使用的固化膠釋放出的有害環(huán)境及人體的有機(jī)揮發(fā)物。最后，聚合物編織的網(wǎng)紗受材料線徑的限制，并且編織的紗線形狀呈粒狀體，因此就算金屬化，仍制約并影響了金屬網(wǎng)格的電磁輻射屏蔽效果及透光性。
第三種方法，在高透光性聚合物薄膜上(透光率＞88％)其中一面形成金屬層后，聚合物薄膜的另一面在千級(jí)無(wú)塵室里涂布?jí)好裟z并粘附離型膜(抗劃傷保護(hù)膜)，然后刻蝕金屬層成金屬網(wǎng)格，揭去離型膜，將粘有壓敏膠的金屬化聚合物薄膜貼在玻璃上制成顯示板。此種工藝必須使用高透光性聚合物薄膜，而且對(duì)聚合物薄膜強(qiáng)度以及離型膜厚度要求很高，此工藝涂布?jí)好裟z和粘附保護(hù)膜需在千級(jí)無(wú)塵室進(jìn)行，且這種壓敏膠和保護(hù)膜不易得，這樣無(wú)疑之中增加了生產(chǎn)成本，降低了生產(chǎn)效率和成品率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的旨在克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單，效率高，能夠顯著增強(qiáng)屏蔽材料透光率，且具有減少電磁波屏蔽的金屬耗用量的電磁波屏蔽材料的制備方法。
本發(fā)明的目的可通過如下技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)該方法按如下步驟進(jìn)行a.將聚合物薄膜至少一個(gè)表面進(jìn)行等離子體處理，使表面達(dá)因值小于30；b.將處理后的表面通過常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法形成金屬層；c.將該金屬層粘貼在高透光性玻璃的至少一個(gè)表面上，然后將聚合物薄膜揭除；d.再將玻璃上的金屬層進(jìn)行刻蝕，形成高透光性的金屬網(wǎng)格。
本發(fā)明的目的還可通過如下技術(shù)措施來實(shí)現(xiàn)所述的常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法是指濺射法、離子鍍法、離子束助推器法或真空蒸鍍法與濕式涂布法相結(jié)合，其中濕式涂布法包括電鍍法和化學(xué)鍍法；所述的常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法是磁控濺射法和電鍍法相結(jié)合；所述的高透光性玻璃是指透光率大于90％和厚度為0.6mm～10mm的有機(jī)玻璃、化學(xué)強(qiáng)化玻璃或其他種類的玻璃；所述的粘貼是采用高透光性的膠粘劑或膠膜，厚度為5～30μm；所述的聚合物薄膜是指聚酯、聚丙烯、聚乙稀、聚丁烯、烯烴共聚物、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯腈或聚奈二酸乙二酯，且厚度為25～125μm的單層或多層薄膜；所述的金屬層是鋁、鉻、鎂、銅、鎳、鐵、鈷、鋅、錫、銀、金、鈦、鉍，硅、砷、不銹鋼，或含上述金屬的化合物或它們的組合物，厚度為0.005μm～60μm，其中優(yōu)選的厚度為0.5μm～8μm，最佳的厚度為0.5μm～2μm。
所述的化合物是氮化物、氧化物、氟化物或碳化物；所述的金屬層是銅、鎳金屬層；所述的沉積金屬層可以由直接粘貼在高透光性玻璃上的載體金屬箔代替。
本發(fā)明的具體生產(chǎn)步驟是(1)前處理首先將普通聚合物薄膜至少一個(gè)表面采用等離子體進(jìn)行前處理，使薄膜表面達(dá)因值達(dá)到小于30；(2)普通聚合物薄膜的金屬化此金屬化通過在處理的薄膜表面真空鍍薄層金屬層和濕鍍法鍍厚層金屬層來完成，此過程既可以在薄膜的單面進(jìn)行，也可以在薄膜的雙面進(jìn)行；(3)將鍍覆的金屬層粘貼在高透光性玻璃上將上述金屬層利用膠粘劑粘附在高透光性玻璃的至少一個(gè)表面上；(4)揭去普通聚合物薄膜，留下玻璃和平整光亮的金屬層；(5)刻蝕工藝將玻璃上的金屬層直接進(jìn)行刻蝕，將金屬層刻蝕成透光率大于88％的各種規(guī)格的電磁屏蔽材料。
如上所述，本發(fā)明提供了一種制備高透光性電磁波屏蔽材料的工藝方法，將金屬化聚合物薄膜的金屬層和玻璃利用膠粘劑直接粘貼在一起，將聚合物薄膜揭去，然后將玻璃上的金屬層刻蝕成各種規(guī)格的高透光性金屬網(wǎng)格。
本發(fā)明所述的刻蝕是指可以刻蝕成高透光性金屬網(wǎng)格的各種濕法和干法刻蝕工藝。
從上面的介紹，可以很明顯的發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及積極效果(1)本發(fā)明不用考慮聚合物薄膜的高透光性能，可以選擇任何熱塑性塑料薄膜。
(2)本發(fā)明中聚合物薄膜未覆金屬層面，不用涂布?jí)好裟z和粘貼保護(hù)膜，這樣大大節(jié)省了生產(chǎn)工序，提高了生產(chǎn)效率。
(3)本發(fā)明聚合物薄膜金屬化采用真空鍍和濕鍍工藝相結(jié)合，所鍍金屬層厚度為0.005μm～60μm，其中優(yōu)選的厚度為0.5μm～8μm，最佳的厚度為0.5μm～2μm。這樣具有減少電磁波屏蔽的金屬耗用量和避免在金屬層與薄膜基材間使用固化膠的優(yōu)點(diǎn)，減少了蝕刻成網(wǎng)狀圖案結(jié)構(gòu)所需要的時(shí)間，因此有利于抑制金屬蝕刻因酸洗時(shí)間過長(zhǎng)而產(chǎn)生的梯形現(xiàn)象。


圖1是本發(fā)明的制備過程示意圖；圖2是本發(fā)明制得產(chǎn)品的屏蔽性能測(cè)試結(jié)果示意圖。
具體實(shí)施例方式下面參照?qǐng)D1對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明首先將25～250μm厚的聚合物薄膜1至少一個(gè)表面進(jìn)行等離子體前處理2，使聚合物薄膜表面達(dá)因值小于30。
在經(jīng)過等離子體處理的聚合物薄膜表面磁控濺射均勻一致的薄層金屬3可以是金、銀、白金、鋅、銅、鈷、鎳或不銹鋼等，此金屬層厚度一般為0.005μm～0.5μm，比較適合的是0.05μm～0.2μm。
然后在薄層金屬上進(jìn)行厚金屬沉積，沉積金屬4可以是Cu、Ni、Cr、Zn、Cd、Sn、Pb、Au、Ag、Co、Tb、Bi，沉積層可以采用化學(xué)鍍方法或電鍍方法，優(yōu)選的為電鍍方法。
將聚合物薄膜的金屬層3、4利用膠粘劑5粘貼在透光率大于90％和厚度為0.6mm～10mm的高透光性玻璃6的至少一個(gè)表面，然后將聚合物薄膜1揭去，高透光性玻璃6上留下平整光亮的金屬層，然后將高透光性玻璃6上的金屬層刻蝕成透光率大于88％，屏蔽效能在10MHZ～1.0GHZ范圍內(nèi)為40～60dB的金屬網(wǎng)格7。
上述提到的濺射方法，射頻磁控濺射方法是非?？扇〉?，真空度為100Pa或者更少，比較可取的大約為10-3～1Pa，連續(xù)卷繞式鍍速為0.4～8.0m/min。
上述提到的沉積厚金屬層方法，主要有連續(xù)電鍍法和化學(xué)鍍法電鍍法在電鍍過程中，在鍍液中膜做陰極，此鍍液中包含金屬離子，陽(yáng)極與陰極相對(duì)放置，在它們之間通過直流電后形成金屬層；化學(xué)鍍方法主要在鍍液中通過置換或者氧化還原法形成金屬涂層。
金屬電鍍的條件如下連續(xù)卷繞式堿性焦磷酸鹽鍍銅液組成焦磷酸銅40-100g/L；焦磷酸鉀260-420g/L；檸檬酸銨10-40g/L；氨水2-3ml/L；pH值8.2-8.8；溫度20-50℃；電流密度0.5-10A/dm2；陰極移動(dòng)速度1-20m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓6V或者更少。
連續(xù)卷繞式酸性電鍍鎳鍍液組成硫酸鎳150-300g/L；氯化鎳30-60g/L；硼酸30-60g/L；pH值3-5；溫度20-50℃；電流密度0.5-15A/dm2；陰極移動(dòng)速度1-30m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓7V或者更少。
為了更清楚地理解本發(fā)明，將以實(shí)例解釋如下，但范圍并不僅限于此。
實(shí)施例1在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為75微米的聚酯膜(PET)表面用等離子體進(jìn)行表面前處理，表面達(dá)因值為20，然后在處理后的表面進(jìn)行真空磁控濺射鍍銅，真空度為2.5×10-2Pa，聚酯膜移動(dòng)速度1.5m/min，此時(shí)材料的表面電阻為100～150Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬銅層5μm，這樣就生產(chǎn)出PET膜覆銅板。
堿性焦磷酸鹽電鍍銅條件如下鍍液含有焦磷酸銅50g/L；焦磷酸鉀300g/L；檸檬酸銨20g/L；氨水3ml/L；pH值8.3；溫度45℃；電流密度1.0A/dm2；陰極移動(dòng)速度5.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V，此時(shí)材料的表面電阻為0.006Ω/sq。
將上述金屬銅層用高透光性丙烯酸類壓敏膠粘貼在0.6mm厚透光率為93％的有機(jī)玻璃上，然后將聚酯膜揭去。
將覆在玻璃上的金屬銅層進(jìn)行刻蝕工藝形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為35μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.08Ω/sq，屏蔽效能為60dB，透光率為88％。
實(shí)施例2在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為50微米的聚酰亞胺膜(PI)表面用等離子體進(jìn)行前處理，表面達(dá)因值為20，然后進(jìn)行真空磁控濺射鍍鎳，真空度為2.1×10-2Pa，聚酰亞胺膜移動(dòng)速度1.2m/min，此時(shí)材料的表面電阻為70～100Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鎳層10μm，這樣就生產(chǎn)出金屬化PI膜。
酸性電鍍鎳條件硫酸鎳200g/L；氯化鎳40g/L；硼酸30g/L；pH值4.0；溫度40℃；電流密度5A/dm2；陰極移動(dòng)速度8.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V。此時(shí)材料的表面電阻0.010Ω/sq。
將上述金屬鎳層用膠粘劑粘貼在5mm厚的透光率91％的有機(jī)玻璃上，然后將聚酰亞胺薄膜揭去。
將覆在玻璃上金屬鎳層刻蝕形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為32μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.12Ω/sq，屏蔽效能為57dB，透光率為89％。
實(shí)施例3在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為125微米的聚乙稀膜表面用等離子體進(jìn)行前處理，表面達(dá)因值為22，然后進(jìn)行真空磁控濺射鍍銅鎳，真空度為2.2×10-2Pa，聚乙稀膜移動(dòng)速度2.0m/min，此時(shí)材料的表面電阻為150～200Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上先電鍍銅層1.5μm，然后再電鍍金屬鎳0.1μm(保護(hù)銅層)，這樣就生產(chǎn)出聚乙稀膜鍍銅加鎳。
堿性焦磷酸鹽電鍍銅條件如下鍍液含有焦磷酸銅50g/L；焦磷酸鉀300g/L；檸檬酸銨20g/L；氨水3ml/L；pH值8.3；溫度45℃；電流密度1.0A/dm2；陰極移動(dòng)速度10.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓3V，接著進(jìn)行酸性電鍍鎳條件硫酸鎳200g/L；氯化鎳40g/L；硼酸30g/L；PH值4.0；溫度40℃；電流密度5A/dm2；陰極移動(dòng)速度20.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓5V。此時(shí)材料的表面電阻0.020Ω/sq。
將上述金屬銅鎳層用膠膜粘貼在10mm厚透光率92％的玻璃上，然后將聚乙稀膜揭去。
將覆在玻璃上金屬銅鎳層進(jìn)行刻蝕形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為30μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.30Ω/sq，屏蔽效能為45dB，透光率為90％。
實(shí)施例4在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為75微米的聚丙稀膜表面用等離子體進(jìn)行表面前處理，表面達(dá)因值為20，然后在處理后的表面進(jìn)行真空磁控濺射鍍銅，真空度為2.5×10-2Pa，聚丙稀膜移動(dòng)速度1.5m/min，此時(shí)材料的表面電阻為100～150Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鐵層1.2μm，這樣就生產(chǎn)出聚丙稀膜覆鐵板。
酸性氯化物電鍍鐵條件如下鍍液含有FeCl2·4H2O400g/L；抗壞血酸3.2g/L；甘氨酸2g/L；鹽酸調(diào)pH值1.3；溫度35℃；電流密度3.0A/dm2；陰極移動(dòng)速度8.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V，此時(shí)材料的表面電阻為0.05Ω/sq。
將上述金屬鐵層用高透光性丙烯酸類壓敏膠粘貼在0.6mm厚透光率為93％的有機(jī)玻璃上，然后將聚丙稀膜揭去。
將覆在玻璃上的金屬鐵層進(jìn)行刻蝕工藝形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為32μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.48Ω/sq，屏蔽效能為40dB，透光率為90％。
實(shí)施例5在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為50微米的聚奈二酸乙二酯膜表面用等離子體進(jìn)行前處理，表面達(dá)因值為20，然后進(jìn)行真空磁控濺射鍍鎳，真空度為2.1×10-2Pa，聚奈二酸乙二酯膜移動(dòng)速度1.2m/min，此時(shí)材料的表面電阻為70～100Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鎳層4μm，這樣就生產(chǎn)出金屬化聚奈二酸乙二酯膜。
酸性電鍍鎳條件硫酸鎳200g/L；氯化鎳40g/L；硼酸30g/L；pH值4.0；溫度40℃；電流密度5A/dm2；陰極移動(dòng)速度8.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V。此時(shí)材料的表面電阻0.020Ω/sq。
將上述金屬鎳層用膠粘劑粘貼在5mm厚的透光率91％的有機(jī)玻璃上，然后將聚奈二酸乙二酯膜揭去。
將覆在玻璃上金屬鎳層刻蝕形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為32μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.30Ω/sq，屏蔽效能為45dB，透光率為89％。
實(shí)施例6在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為125微米的聚醚酰亞胺膜表面用等離子體進(jìn)行前處理，表面達(dá)因值為22，然后進(jìn)行真空磁控濺射鍍銅鎳，真空度為2.2×10-2Pa，聚醚酰亞胺膜移動(dòng)速度2.0m/min，此時(shí)材料的表面電阻為150～200Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上先電鍍厚金屬鐵層3μm，然后再電鍍金屬鎳0.1μm(保護(hù)鐵層)，這樣就生產(chǎn)出聚醚酰亞胺膜鍍鐵加鎳。
酸性氯化物電鍍鐵條件如下鍍液含有FeCl2·4H2O400g/L；抗壞血酸3.2g/L；甘氨酸2g/L；鹽酸調(diào)pH值1.3；溫度35℃；電流密度3.0A/dm2；陰極移動(dòng)速度5.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V，此時(shí)材料的表面電阻為0.020Ω/sq。
將上述金屬鐵層用高透光性丙烯酸類壓敏膠粘貼在0.6mm厚透光率為93％的有機(jī)玻璃上，然后將聚醚酰亞胺膜揭去。
將覆在玻璃上的金屬鐵層進(jìn)行刻蝕工藝形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為33μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.30Ω/sq，屏蔽效能為45dB，透光率為90％。
實(shí)施例7在長(zhǎng)200米、寬1030mm、厚度為50微米的聚丙烯腈膜表面用等離子體進(jìn)行前處理，表面達(dá)因值為20，然后進(jìn)行真空磁控濺射鍍鎳，真空度為2.1×10-2Pa，聚丙烯腈膜移動(dòng)速度1.2m/min，此時(shí)材料的表面電阻為70～100Ω/sq。
在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鋅層8μm，這樣就生產(chǎn)出金屬化聚丙烯腈膜。
氯化銨鍍鋅條件氯化鋅35g/L；氯化銨240g/L；六次甲基四胺15g/L；pH值6.5；溫度35℃；電流密度3A/dm2；陰極移動(dòng)速度3.0m/h，采用空氣攪拌，正常的過濾，電壓4V。此時(shí)材料的表面電阻0.012Ω/sq。
將上述金屬鋅層用膠粘劑粘貼在5mm厚的透光率91％的有機(jī)玻璃上，然后將聚丙烯腈膜揭去。
將覆在玻璃上金屬鋅層刻蝕形成金屬網(wǎng)格，此時(shí)金屬網(wǎng)格線徑為32μm，金屬線之間間距為300μm，金屬網(wǎng)格方阻0.13Ω/sq，屏蔽效能為57dB，透光率為89％。
實(shí)施例8在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鎳層8μm，這樣就生產(chǎn)出金屬化PI膜。其他同實(shí)施例2。
實(shí)施例9在真空磁控濺射鍍層上先電鍍銅層1.5μm，然后再電鍍金屬鎳0.1μm(保護(hù)銅層)，這樣就生產(chǎn)出聚乙稀膜鍍銅加鎳。其他同實(shí)施例3。
實(shí)施例10在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鐵層2μm，這樣就生產(chǎn)出聚丙稀膜覆鐵板。其他同實(shí)施例4。
實(shí)施例11在真空磁控濺射鍍層上電鍍厚金屬鎳層1.2μm，這樣就生產(chǎn)出金屬化聚奈二酸乙二酯膜。其他同實(shí)施例5。
實(shí)施例12在真空磁控濺射鍍層上先電鍍厚金屬鐵層0.5μm，然后再電鍍金屬鎳0.1μm(保護(hù)鐵層)，這樣就生產(chǎn)出聚醚酰亞胺膜鍍鐵加鎳。其他同實(shí)施例6。
雖然業(yè)已多個(gè)優(yōu)選的實(shí)驗(yàn)方案描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員將會(huì)很容易的知道，在不偏離本發(fā)明精神的前提下可以做出各種修改、替換和改變。因此本發(fā)明范圍不受以上描述范圍的限制，還包括它們的等效內(nèi)容在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于該方法按如下步驟進(jìn)行a.將聚合物薄膜至少一個(gè)表面進(jìn)行等離子體處理，使表面達(dá)因值小于30；b.將處理后的表面通過常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法形成金屬層；c.將該金屬層粘貼在高透光性玻璃的至少一個(gè)表面上，然后將聚合物薄膜揭除；d.再將玻璃上的金屬層進(jìn)行刻蝕，形成高透光性的金屬網(wǎng)格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法是指濺射法、離子鍍法、離子束助推器法或真空蒸鍍法與濕式涂布法相結(jié)合，其中濕式涂布法包括電鍍法和化學(xué)鍍法。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法是磁控濺射法和電鍍法相結(jié)合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的高透光性玻璃是指透光率大于90％和厚度為0.6mm～10mm的有機(jī)玻璃、化學(xué)強(qiáng)化玻璃或其他種類的玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的粘貼是采用高透光性的膠粘劑或膠膜，厚度為5～30μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的聚合物薄膜是指聚酯、聚丙烯、聚乙稀、聚丁烯、烯烴共聚物、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯腈或聚奈二酸乙二酯，且厚度為25～125μm的單層或多層薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的金屬層是鋁、鉻、鎂、銅、鎳、鐵、鈷、鋅、錫、銀、金、鈦、鉍，硅、砷、不銹鋼金屬層，或含上述金屬的化合物或它們的組合物，厚度為0.005μm～60μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的化合物是氮化物、氧化物、氟化物或碳化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的金屬層是銅、鎳金屬層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電磁波屏蔽材料的制備方法，其特征在于所述的沉積金屬層由直接粘貼在高透光性玻璃上的載體金屬箔代替。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電磁波屏蔽材料的制備方法，該方法按如下步驟進(jìn)行a.將聚合物薄膜至少一個(gè)表面進(jìn)行等離子體處理，使表面達(dá)因值小于30；b.將處理后的表面通過常規(guī)可產(chǎn)生金屬化薄膜的方法形成金屬層；c.將該金屬層粘貼在高透光性玻璃的至少一個(gè)表面上，然后將聚合物薄膜揭除；d.再將玻璃上的金屬層進(jìn)行刻蝕，形成高透光性的金屬網(wǎng)格。
文檔編號(hào)G12B17/02GK101068460SQ200710015898
公開日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月14日
發(fā)明者夏祥華, 耿秋菊, 曾海軍, 林磊, 夏登峰, 劉世明, 夏登收, 張軍 申請(qǐng)人:山東天諾光電材料有限公司