電磁波屏蔽材料的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電磁波屏蔽材料的制備方法,更詳細地涉及利用浸(dip)涂法的電磁波屏蔽材料的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)快速發(fā)展,且電子通信設(shè)備的使用急劇增加,有關(guān)電子通信設(shè)備的電磁波是否有害的爭論一直在持續(xù)。在用于電子通信設(shè)備的電子部件中,這是由高頻的電磁波引起的,由于該電磁波,產(chǎn)生因電磁波障礙、電磁波干擾的不必要的電磁信號或噪聲(noise),從而導(dǎo)致電磁信號的障礙,并使電子部件發(fā)生故障。并且,據(jù)報告,這種電磁波不僅對電子部件產(chǎn)生影響,還對人體產(chǎn)生影響,因此正在進行用于阻斷這種電磁波的各種研宄。用于屏蔽電磁波的研宄將使低阻抗磁場波通過電磁波屏蔽材料反射或吸收的方法作為基本原理進行開發(fā),上述低阻抗磁場波為在施加電壓的部件中產(chǎn)生的誘導(dǎo)電波。
[0003]現(xiàn)有的電磁波屏蔽材料通常向金屬纖維、塑料、碳納米管或石墨烯等之類的有機纖維添加鐵、鎳之類的金屬,來制備成導(dǎo)電纖維、導(dǎo)電網(wǎng)眼或?qū)щ娔さ榷皇褂谩5?,如上所述的電磁波屏蔽材料的制備方法由高溫的熱處理工序和?fù)雜的工序過程構(gòu)成,因而需要較長的制備時間,導(dǎo)致存在使制備費用上升,且難以適用于大量生產(chǎn)的問題。并且,由于上述高溫的熱處理工序,在基于受溫度影響的高分子的情況下,存在高分子的物性下降的缺點。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明要解決的問題在于,提供以無高溫工序的簡單的制備工序制備電磁波屏蔽材料的方法。
[0005]為了解決上述問題,本發(fā)明的一實施方式提供如下的電磁波屏蔽材料的制備方法,上述電磁波屏蔽材料的制備方法的特征在于,包括:準備纖維狀基質(zhì)的步驟;利用浸(Dip)涂法來在上述纖維狀基質(zhì)吸附金屬鹽前體的步驟;以及使堿性溶液與吸附有上述金屬鹽前體的纖維狀基質(zhì)相接觸,使上述金屬鹽前體氧化,來涂敷磁性體的步驟。
[0006]根據(jù)本發(fā)明,能夠通過無高溫工序的浸涂法簡化制備工序,從而減少制備費用。
[0007]并且,也能夠適用于受溫度影響的纖維狀基質(zhì),從而能夠擴大電磁波屏蔽材料的制備及利用范圍。
【附圖說明】
[0008]圖1為表示本發(fā)明一實施例的電磁波屏蔽材料的制備方法的流程圖。
[0009]圖2(a)為在涂敷磁性體之前的纖維素的掃描電子顯微鏡(SEM)圖像,圖2 (b)為本發(fā)明實施例1的涂敷有磁性體的纖維素的掃描電子顯微鏡圖像。
[0010]圖3為比較在本發(fā)明實施例2的導(dǎo)電高分子(聚吡咯)涂敷磁性體(Fe3O4)的基質(zhì)和未涂敷磁性體的導(dǎo)電高分子(聚吡咯)的電磁波屏蔽率的圖表。
【具體實施方式】
[0011]以下,參照附圖,對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。
[0012]在本發(fā)明中,能夠進行各種修改及變形,并用附圖例示其特定實施例來表示,以下將詳細說明。但是,本發(fā)明并不局限于所公開的特別的形態(tài),而是包括根據(jù)發(fā)明要求保護范圍定義的與本發(fā)明的思想一致的所有修改、等同技術(shù)方案及內(nèi)容。
[0013]圖1為表示本發(fā)明一實施例的電磁波屏蔽材料的制備方法的流程圖。
[0014]首先,準備纖維狀基質(zhì)(步驟S10)。
[0015]上述纖維狀基質(zhì)可包含選自纖維素、聚酯纖維、尼龍及導(dǎo)電高分子中的至少一種。
[0016]上述纖維素為植物細胞壁的主要組成成分,葡聚糖密切排列而具有非常穩(wěn)定且強韌的物性,并作為天然纖維具有環(huán)保性,且可成為能夠減少制備費用的材料。可使用結(jié)晶纖維素作為上述纖維素。
[0017]上述聚酯纖維作為使用最廣的合成纖維,溶解聚對苯二甲酸乙二醇酯(Poly (ethylene terephthalate))并進行紡絲而成,由于具有高強度和柔韌性,因而有利于通過涂敷磁性物質(zhì)來被利用為電磁波屏蔽材料。
[0018]上述尼龍指聚酰胺類合成纖維,其強度高,并不受細菌等的侵害,從而如上述聚酯纖維,可有利于用在電磁波屏蔽材料。為了去除在制備上述纖維狀基質(zhì)的過程中有可能被包含的副產(chǎn)物,可經(jīng)過包括清洗及干燥的另外的提純工序準備。
[0019]上述導(dǎo)電高分子可包含選自聚卩比略(polypyrrole)、聚乙炔(polyacetylene)、聚噻吩(polythophene)、聚異硫代萘(polyisothianapthalene)、聚乙稀二氧噻吩(polyethylene d1xyth1phene)、聚對苯撐乙稀(polypara phenylene vinylene)、聚(2,5_ 二燒氧基)對苯撐乙稀(poly (2, 5-dialkoxy) paraphenylene vinylene)、聚對苯撐(poIyparaphenyIene)及聚庚二塊(polyheptadiyne)中的至少一種。
[0020]利用浸涂法在上述纖維狀基質(zhì)吸附金屬鹽前體(步驟S20)。
[0021]在上述浸涂法中,首先使上述纖維狀基質(zhì)浸漬于金屬鹽前體溶液(步驟S21)。
[0022]上述金屬鹽前體溶液選自包含金屬成分的化合物或它們的混合物,上述金屬鹽前體溶液可以包含選自Fe、N1、Cu、Ag、Co、Sn、Pd、Au或它們的合金中的至少一種。可以使用水作為上述金屬鹽前體溶液的溶劑。若使上述纖維狀基質(zhì)浸漬于上述金屬鹽前體溶液,則上述金屬鹽前體可吸附于上述纖維狀基質(zhì)上。在常溫條件下,可使上述纖維狀基質(zhì)浸漬于上述金屬鹽前體溶液。在現(xiàn)有技術(shù)中,為了制備電磁波屏蔽材料而在相應(yīng)基板上形成金屬層時通過高溫工序執(zhí)行,而在本發(fā)明中,不經(jīng)過高溫工序,而是在常溫條件下進行,因而制備工序簡單,且能夠減少制備費用。并且,由于這種無高溫工序的制備方法,還能夠適用于現(xiàn)有技術(shù)中難以適用于高溫工序的纖維素之類的天然纖維,從而能夠更加減少制備費用,并能夠擴大電磁波屏蔽材料的利用范圍。
[0023]可通過改變上述金屬鹽前體溶液的濃度,來決定最終被涂敷的磁性體的厚度。在上述金屬鹽前體溶液中,金屬源的濃度例如可以為0.0lM至0.1M。
[0024]對浸漬的上述纖維狀基質(zhì)進行干燥(步驟S22)。
[0025]隨著作為上述金屬鹽前體溶液的溶劑的水被蒸發(fā),金屬鹽前體會殘留在上述纖維狀基質(zhì)中。可在常溫條件下,慢慢干燥浸漬的上述纖維狀基質(zhì)來進行干燥工序。由于纖維狀基質(zhì)可具有疏水