專利名稱：陣列基板、具有其的顯示裝置、及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及陣列基板、具有該陣列基板的顯示裝置、及其方法。更特別地，本發(fā)明涉及能夠防止由靜電引起的問題的陣列基板、具有該陣列基板的顯示裝置、以及保護(hù)顯示裝置的顯示區(qū)域免于靜電影響的方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(“LCD”)設(shè)備包括LCD面板和驅(qū)動(dòng)LCD面板的驅(qū)動(dòng)裝置。LCD面板包括陣列基板、面對(duì)陣列基板的相對(duì)基板、以及置于陣列基板和相對(duì)基板之間的液晶層。
陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、以及分別連接到柵極線之一和數(shù)據(jù)線之一的薄膜晶體管(“TFT”)。由于陣列基板包括具有高集成度的金屬圖案，諸如非晶硅柵極(“ASG”)或玻璃上芯片(“COG”)，所以靜電引起了很多問題。
當(dāng)制造陣列基板和LCD面板時(shí)，其上產(chǎn)生的靜電荷應(yīng)用到形成在陣列基板上的金屬圖案。靜電荷引起諸如短路、布線圖案斷開、TFT損壞等問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供能夠防止靜電引起的問題的陣列基板。
本發(fā)明還提供具有上述陣列基板的顯示裝置。
本發(fā)明還提供保護(hù)顯示裝置的顯示區(qū)域免于靜電影響的方法。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，陣列基板包括底部基板、虛設(shè)電路部件、延伸線、金屬圖案、以及交迭部分。底部基板包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。多個(gè)像素部分形成在顯示區(qū)域中。虛設(shè)電路部件形成在外圍區(qū)域中。虛設(shè)電路部件保護(hù)所述像素部分免于靜電影響。延伸線從所述虛設(shè)電路部件延伸并由外圍區(qū)域中的第一金屬層形成。金屬圖案由外圍區(qū)域中的第二金屬層形成。金屬圖案?jìng)魉凸搽妷骸＝坏糠职ū舜私坏难由炀€和金屬圖案。
在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中，陣列基板包括底部基板、虛設(shè)電路部件、虛設(shè)像素部分、延伸線、公共電壓線、以及交迭部分。底部基板包括顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。多個(gè)像素部分形成在顯示區(qū)域中。虛設(shè)電路部件形成在外圍區(qū)域中。虛設(shè)電路部件保護(hù)所述像素部分免于靜電影響。虛設(shè)像素部分在顯示區(qū)域中與所述虛設(shè)電路部件相鄰地形成。虛設(shè)像素部分處于電浮置狀態(tài)。延伸線從所述虛設(shè)電路部件延伸并由外圍區(qū)域中的第一金屬層形成。延伸線關(guān)于虛設(shè)像素部分電開路。公共電壓線形成在外圍區(qū)域中。公共電壓線傳送存儲(chǔ)公共電壓至像素部分。交迭部分包括彼此交迭的延伸線和公共電壓線。
在本發(fā)明的再一示例性實(shí)施例中，一種顯示裝置包括第一基板、第二基板、以及液晶層。第二基板面對(duì)第一基板。第二基板包括顯示區(qū)域、形成在顯示區(qū)域中的多個(gè)像素部分、形成在圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中從而保護(hù)所述像素部分免于靜電影響的虛設(shè)電路部件、從所述虛設(shè)電路部件延伸并由第一金屬層形成的延伸線、由第二金屬層形成并傳送公共電壓的金屬圖案、及交迭部分，在交迭部分中所述延伸線和所述金屬圖案彼此交迭。液晶層置于所述第一和第二基板之間。
在本發(fā)明的又一示例性實(shí)施例中，一種保護(hù)顯示裝置的顯示區(qū)域免于靜電影響的方法可包括在圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中形成虛設(shè)電路部件；由第一金屬層形成從所述虛設(shè)電路部件起的延伸線；使該延伸線與由第二金屬層形成的金屬圖案在所述外圍區(qū)域中在交迭部分中交迭，該金屬圖案?jìng)魉凸搽妷?；以及在所述交迭部分中阻擋流進(jìn)所述虛設(shè)電路部件的靜電荷。
如上所述，公共電壓線交迭虛設(shè)電路部件的延伸線，該延伸線關(guān)于顯示區(qū)域電開路，因此顯示區(qū)域可被保護(hù)免于受到流進(jìn)所述虛設(shè)電路部件的靜電的影響。


結(jié)合附圖參照下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，附圖中圖1是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的示例性陣列基板；圖2是放大平面圖，示出圖1的示例性陣列基板的一部分；
圖3是放大平面圖，示出圖1中的示例性第一交迭部分；圖4是沿圖3的線I-I′取得的剖視圖；以及圖5是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的示例性顯示裝置。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更完整地說明本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明能夠以很多不同方式實(shí)施，而不應(yīng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開更徹底和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范圍。為清晰起見，圖中層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸被放大。
應(yīng)理解，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)由稀ⅰ斑B接到”或“耦接到”到另一元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接或耦接到另一元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)由?、“直接連接到”或“直接耦接到”到另一元件或?qū)訒r(shí)，沒有居間元件或?qū)哟嬖?。相似的附圖標(biāo)記始終表示相似的元件。這里使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)的一個(gè)或更多的任一和全部組合。
將理解，盡管術(shù)語第一、第二等可以在這里用來表示各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)局限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)別開。因此，下面論述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分而不會(huì)偏離本發(fā)明的教導(dǎo)。
空間相關(guān)術(shù)語，例如“下面”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等，可以為了描述的方便而在這里用來描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與另一元件(或多個(gè)元件)或特征(或多個(gè)特征)的關(guān)系。將理解，空間相關(guān)術(shù)語意在包括除了圖中所示的取向之外器件在使用或操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被翻轉(zhuǎn)，那么描述為在其他元件或特征“之下”或“下面”的元件將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌爸稀?。因此，示例性術(shù)語“之下”可包括之上和之下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他取向)，并且這里使用的空間相關(guān)描述語也相應(yīng)地理解。
這里使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例而無意限制本發(fā)明。這里使用時(shí)，單數(shù)形式“一”和“該”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外地清楚描述。還將理解，當(dāng)在本說明書中使用時(shí)術(shù)語“由...組成”和/或“包括”指定所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或更多其他特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其群組的存在或增加。
這里參照剖視圖描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，剖視圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，由于例如制造技術(shù)和/或容差導(dǎo)致的圖示形狀的變化是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不應(yīng)被理解為局限于這里示出的區(qū)域的特定形狀，而是將包括例如制造所導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壘哂袌A化或彎曲的特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入到非注入?yún)^(qū)域的二元改變。類似地，通過注入形成的埋設(shè)區(qū)可導(dǎo)致該埋設(shè)區(qū)和注入進(jìn)行時(shí)所經(jīng)過的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，圖中顯示的區(qū)實(shí)質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意圖示出器件的區(qū)域的實(shí)際形狀且不意圖限定本發(fā)明的范圍。
除非另外定義，這里使用的所有術(shù)語(包括科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員一般理解的意思相同的意思。還將理解，術(shù)語，例如一般使用的字典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)被理解為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)上下文中的意思一致的意思，且將不會(huì)在理想化或過于正式的意義上來理解，除非這里清楚地這樣定義。
下面將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。
圖1是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的示例性陣列基板，圖2是放大平面圖，示出圖1的示例性陣列基板的一部分。
參照?qǐng)D1和2，陣列基板200形成在母板(motherboard)100上。陣列基板200包括顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的第一外圍區(qū)域PA1、第二外圍區(qū)域PA2、第三外圍區(qū)域PA3和第四外圍區(qū)域PA4。第二外圍區(qū)域PA2可與第一外圍區(qū)域PA2相對(duì)，第四外圍區(qū)域PA4可與第三外圍區(qū)域PA3相對(duì)。
多條柵極線GL、多條也稱為數(shù)據(jù)線的源極線DL、以及由源極線DL和柵極線GL定義的多個(gè)像素部分P形成在顯示區(qū)域DA中。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管TFT、以及像素電極PE形成在像素部分P的每個(gè)中。存儲(chǔ)電容器(未示出)也形成在像素部分P中。
虛設(shè)像素部分(dummy pixel portion)220形成在顯示區(qū)域DA的與第二外圍區(qū)域PA2相鄰的端部分從而保護(hù)像素部分P免于靜電影響。換言之，形成在像素部分P的端部分中且不顯示圖像的虛設(shè)像素部分220保護(hù)像素部分P免于靜電荷流入。
包括多個(gè)焊盤231的焊盤部分(pad portion)230形成在第一外圍區(qū)域PA1中。輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)來驅(qū)動(dòng)像素部分P的驅(qū)動(dòng)芯片安裝在焊盤部分230中。
虛設(shè)電路部件(dummy circuit section)240、靜電二極管部分245、第一短路點(diǎn)(short point)250、以及第二短路點(diǎn)260形成在第二外圍區(qū)域PA2中。
虛設(shè)電路部件240是浮置狀態(tài)的柵極電路部件，補(bǔ)償?shù)诙鈬鷧^(qū)域PA2和其上分別形成有柵極電路部件280和290的第三和第四外圍區(qū)域PA3和PA4之間的高度差并防止靜電。靜電二極管部分245包括連接到源極線DL的端部分的多個(gè)二極管并防止靜電通過源極線DL流入到顯示區(qū)域DA中。
第一和第二短路點(diǎn)250和260與面對(duì)陣列基板200的相對(duì)基板(未示出)的公共電極層電短路，從而施加公共電壓Vcom到相對(duì)基板的公共電極層。
第一公共電壓線251、第一交迭部分272、以及第一柵極電路部件280形成在第三外圍區(qū)域PA3中。第一交迭部分272可與第二外圍區(qū)域PA2相鄰。第一公共電壓線251電連接到第一短路點(diǎn)250和像素部分P的存儲(chǔ)公共電極(未示出)，從而施加公共電壓Vcom到第一短路點(diǎn)250和像素部分P的存儲(chǔ)公共電極。在第一交迭部分272中，虛設(shè)電路部件240的第一延伸線241a與第一公共電壓線251交迭，如圖所示，或者第一延伸線241a與第一短路點(diǎn)250交迭。
例如，第一交迭部分272包括多個(gè)靜電電容器，其每個(gè)包括由第一金屬層形成的第一延伸線241a、由第二金屬層形成的第一短路點(diǎn)250、以及置于第一和第二金屬層之間的溝道層。供選地，如圖所示，第一交迭部分272可包括多個(gè)靜電電容器，其每個(gè)包括由第一金屬層形成的第一延伸線241a、由第二金屬層形成的第一公共電壓線251、以及置于第一和第二金屬層之間的溝道層。
第一延伸線241a關(guān)于形成在顯示區(qū)域DA中的虛設(shè)像素部分220電開路。換言之，第一延伸線241a與虛設(shè)像素部分220電斷開。結(jié)果，流進(jìn)虛設(shè)電路部件240的靜電荷在傳送進(jìn)顯示區(qū)域DA之前在第一交迭部分272中被消耗，從而像素部分P可被保護(hù)。
第一柵極電路部件280接連輸出柵極信號(hào)到第一組柵極線GL。例如，第一組包括奇數(shù)柵極線GL。
第二公共電壓線261、第二交迭部分274、以及第二柵極電路部件290形成在第四外圍區(qū)域PA4中。第二交迭部分274可與第二外圍區(qū)域PA2相鄰地形成。第二公共電壓線261電連接到第二短路點(diǎn)260和像素部分P的存儲(chǔ)公共電極(未示出)，從而傳送公共電壓Vcom到第二短路點(diǎn)260和像素部分P的存儲(chǔ)公共電極。在第二交迭部分274中，虛設(shè)電路部件240的第二延伸線241b與第二短路點(diǎn)260或第二公共電壓線261交迭。
例如，第二交迭部分274包括多個(gè)靜電電容器，其每個(gè)包括由第一金屬層形成的第二延伸線241b、由第二金屬層形成的第二短路點(diǎn)260、以及置于第一和第二金屬層之間的溝道層。供選地，如圖所示，第二交迭部分274可包括多個(gè)靜電電容器，其每個(gè)包括由第一金屬層形成的第二延伸線241b、由第二金屬層形成的第二公共電壓線261、以及置于第一和第二金屬層之間的溝道層。
第二延伸線241b關(guān)于形成在顯示區(qū)域DA中的虛設(shè)像素部分220電且物理地開路。結(jié)果，流進(jìn)虛設(shè)部分240的靜電荷在傳送進(jìn)顯示區(qū)域DA之前在第二交迭部分274中被消耗，從而像素部分P可被保護(hù)。
第二柵極電路部件290接連輸出柵極信號(hào)到第二組柵極線GL。例如，第二組包括柵極線GL的偶數(shù)柵極線。
圖3是放大平面圖，示出圖1中的示例性第一交迭部分，圖4是沿圖3的線I-I′取得的剖視圖。
參照?qǐng)D2-4，第一交迭部分272包括至少一交迭區(qū)域OA1和OA2。多個(gè)靜電電容器Cse形成在交迭區(qū)域OA1和OA2的每個(gè)中。
例如，在第一交迭區(qū)域OA1，由第一金屬層形成且從虛設(shè)電路部件240延伸的第一延伸線241a跨越由第二金屬層形成且電連接到第一短路點(diǎn)250的第一公共電壓線251且與之交迭。多個(gè)靜電電容器Cse形成在第一交迭區(qū)域OA1中。
靜電電容器Cse的每個(gè)由通過構(gòu)圖第一延伸線241a形成的電極圖案242、形成在電極圖案242上的溝道圖案212、以及形成在溝道圖案212上的第一公共電壓線251形成。例如，第一延伸線241a可從虛設(shè)電路部件240延伸且可在將被第一公共電壓線251交迭的區(qū)域中再分成更細(xì)的線部分。更細(xì)的線部分可包括形成電極圖案242的擴(kuò)展部，且溝道圖案212可交迭該擴(kuò)展部。
其每個(gè)包括第一延伸線241a和第一公共電壓線251的多個(gè)靜電電容器Cse形成在交迭區(qū)域OA1和OA2的每個(gè)中。例如，第一金屬層是柵極金屬層，第二金屬層是源極金屬層。即，第一延伸線241a可與柵極線GL形成在顯示裝置的相同層中，第一公共電壓線251可與數(shù)據(jù)線DL形成在顯示裝置的相同層中參照?qǐng)D4，陣列基板包括具有顯示區(qū)域DA和第三外圍區(qū)域PA3的底部基板(base substrate)201。
柵極線GL和薄膜晶體管TFT的柵極電極211，其包括柵極金屬層，形成在底部基板201上。存儲(chǔ)電容器的存儲(chǔ)公共電極也可由底部基板201上的柵極金屬層形成。
第一延伸線241a也由底部基板201上第三外圍區(qū)域PA3中的柵極金屬層形成。多個(gè)電極圖案242通過構(gòu)圖與第一交迭部分272對(duì)應(yīng)的第一延伸線241a形成。柵極絕緣層202形成在電極圖案242、柵極電極211、以及底部基板201的暴露部分上。第一延伸線241a關(guān)于形成在顯示區(qū)域DA中的虛設(shè)像素部分220電且物理地開路。
在其上形成柵極金屬層的底部基板201上形成柵極絕緣層202之后，溝道層形成在柵極絕緣層202上。例如，溝道層包括有源層212a和歐姆接觸層212b，有源層212a包括非晶硅(“a-Si”)，歐姆接觸層212b包括具有高密度摻雜劑的n+a-Si。
通過構(gòu)圖溝道層，第一溝道圖案212′形成在顯示區(qū)域DA中薄膜晶體管TFT的柵極電極211上，第二溝道圖案212″形成在外圍區(qū)域PA3中電極圖案242上。第一溝道圖案212′和第二溝道圖案212″的每個(gè)可包括有源層212a和歐姆接觸層212b。
源極線DL、薄膜晶體管TFT的源極電極213、以及漏極電極214，其包括第二金屬層，形成在其上形成第一溝道圖案212′和第二溝道圖案212″的底部基板201上。電連接到第一短路點(diǎn)250的第一公共電壓線251也由第二金屬層形成并形成在第三外圍區(qū)域PA3中。
多個(gè)靜電電容器Cse通過形成在延伸線241a上的電極圖案242、第二溝道圖案212″和第一公共電壓線251形成在第三外圍區(qū)域PA3中。
然后，保護(hù)絕緣層203形成在底部基板201上，更具體地，保護(hù)絕緣層203形成在第一公共電壓線251、源極電極213、漏極電極214、位于柵極電極211上源極電極213和漏極電極214之間的第一溝道圖案212′的有源層212a的暴露部分上，以及在柵極絕緣層202的暴露部分上。接觸孔216穿過與每個(gè)像素部分對(duì)應(yīng)的顯示區(qū)域DA的保護(hù)絕緣層203形成從而暴露每個(gè)像素部分的漏極電極214。像素電極217通過接觸孔216電連接到漏極電極214。
第一延伸線241a關(guān)于形成在顯示區(qū)域DA中的虛設(shè)像素部分220電且物理地開路。結(jié)果，流進(jìn)虛設(shè)電路部件240的靜電荷在傳送進(jìn)顯示區(qū)域DA之前在交迭區(qū)域OA1和OA2中被消耗，從而像素部分P可被保護(hù)。
圖5是平面圖，示出根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的示例性顯示裝置。
參照?qǐng)D1和5，顯示裝置包括顯示面板和驅(qū)動(dòng)顯示面板的驅(qū)動(dòng)裝置。
顯示面板包括陣列基板200、面對(duì)陣列基板200的相對(duì)基板300、以及置于陣列基板200和相對(duì)基板300之間的液晶層(未示出)。相對(duì)基板300也可稱為公共電極基板或?yàn)V色器基板。顯示面板包括其中形成多個(gè)像素部分P的顯示區(qū)域DA以及圍繞顯示區(qū)域DA的第一、第二、第三和第四外圍區(qū)域PA1、PA2、PA3和PA4。每個(gè)像素部分P包括開關(guān)元件TFT、電連接到開關(guān)元件TFT的液晶電容器CLC、以及電連接到液晶電容器CLC的存儲(chǔ)電容器CST。
驅(qū)動(dòng)芯片410安裝在第一外圍區(qū)域PA1中。虛設(shè)電路部件240、靜電二極管部分245、第一短路點(diǎn)250、以及第二短路點(diǎn)260形成在第二外圍區(qū)域PA2中。第一公共電壓線251、第一交迭部分272、以及第一柵極電路部件280形成在第三外圍區(qū)域PA3中。第二公共電壓線261、第二交迭部分274、以及第二柵極電路部件290形成在第四外圍區(qū)域PA4中。
在第一和第二交迭部分272和274中，虛設(shè)電路部件240的第一延伸線241a和第二延伸線241b分別與第一短路點(diǎn)250和第二短路點(diǎn)260交迭，或者供選地，第一延伸線241a和第二延伸線241b分別與第一公共電壓線251和第二公共電壓線261交迭。多個(gè)靜電電容器Cse分別如前所述地形成在第一和第二交迭部分272和274中。
結(jié)果，流進(jìn)虛設(shè)電路部件240的靜電荷在傳送進(jìn)顯示區(qū)域DA中之前在第一和第二交迭部分272和274中被消耗，從而顯示區(qū)域DA中的像素部分P可被保護(hù)。
第一延伸線241a和第二延伸線241b關(guān)于形成在顯示區(qū)域DA中的虛設(shè)像素部分220電開路。結(jié)果，靜電荷在第一和第二交迭部分272和274中被消耗，從而防止殘留的靜電荷流進(jìn)顯示區(qū)域DA中。
驅(qū)動(dòng)裝置包括安裝在陣列基板200的第一外圍區(qū)域PA1中的驅(qū)動(dòng)芯片410、以及將驅(qū)動(dòng)芯片410連接到外部裝置的柔性印刷電路板450。驅(qū)動(dòng)裝置包括接收驅(qū)動(dòng)芯片410輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的第一和第二柵極電路部件280和290。
盡管上述優(yōu)選實(shí)施例公開了具有分別對(duì)稱地形成在第三和第四外圍區(qū)域中的柵極電路部件、線、以及交迭部分的陣列基板，但是陣列基板可包括只形成在第三外圍區(qū)域中的柵極電路、線、以及交迭部分。
保護(hù)顯示裝置的顯示區(qū)域免于靜電影響的方法因此可包括在圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中形成虛設(shè)電路部件；由第一金屬層形成從虛設(shè)電路部件起的延伸線；使該延伸線與由第二金屬層形成的金屬圖案在外圍區(qū)域中在交迭部分中交迭，該金屬圖案?jìng)魉凸搽妷海以诮坏糠种凶钃趿鬟M(jìn)虛設(shè)電路部件的電流。該方法還可包括在交迭部分中形成靜電電容器，每個(gè)靜電電容器包括由延伸線形成的電極圖案、形成在該電極圖案上的溝道圖案、及形成在該溝道圖案上的金屬圖案，該方法還可包括在顯示區(qū)域中形成虛設(shè)像素部分，其中該延伸線關(guān)于該虛設(shè)像素部分電開路。
根據(jù)本發(fā)明，陣列基板包括與顯示區(qū)域相鄰從而保護(hù)顯示區(qū)域免于靜電影響的虛設(shè)電路部件、及從虛設(shè)電路部件延伸的延伸線與短路點(diǎn)或電連接到短路點(diǎn)的公共電壓線交迭的交迭部分。因此，流進(jìn)虛設(shè)電路部件的靜電荷在該交迭部分中被消耗(dissipate)。
延伸線形成為與顯示區(qū)域電且物理地開路。因此，流進(jìn)虛設(shè)電路部件的靜電荷在傳送到顯示區(qū)域中之前在交迭部分中被阻擋，從而像素部分可被保護(hù)。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于這些示例性實(shí)施例，在本發(fā)明的權(quán)利要求所定義的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種改變和變型。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括底部基板，包括具有多個(gè)像素部分的顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；虛設(shè)電路部件，形成在所述外圍區(qū)域中，所述虛設(shè)電路部件保護(hù)所述像素部分免于靜電影響；延伸線，從所述虛設(shè)電路部件延伸并在所述外圍區(qū)域中由第一金屬層形成；金屬圖案，在所述外圍區(qū)域中由第二金屬層形成，所述金屬圖案?jìng)魉凸搽妷?；以及交迭部分，其中所述延伸線和所述金屬圖案彼此交迭。
2.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述金屬圖案是傳送所述公共電壓至所述像素部分的公共電壓線。
3.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述金屬圖案是傳送所述公共電壓至面對(duì)所述陣列基板的相對(duì)基板的短路點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1的陣列基板，還包括形成在所述顯示區(qū)域中的虛設(shè)像素部分，所述虛設(shè)像素部分處于電浮置狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述延伸線關(guān)于所述虛設(shè)像素部分電開路。
6.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述交迭部分包括多個(gè)電容器。
7.如權(quán)利要求6的陣列基板，其中所述電容器通過所述延伸線、形成在所述延伸線上的溝道圖案、以及形成在所述溝道圖案上的所述金屬圖案形成。
8.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中流進(jìn)所述虛設(shè)電路部件的靜電荷在傳送到所述顯示區(qū)域中之前在所述交迭部分中被阻擋。
9.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述顯示區(qū)域包括由所述第一金屬層形成的多條柵極線和由所述第二金屬層形成的多條源極線。
10.一種陣列基板，包括底部基板，包括具有多個(gè)像素部分的顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域；虛設(shè)電路部件，形成在所述外圍區(qū)域中，所述虛設(shè)電路部件保護(hù)所述像素部分免于靜電影響；虛設(shè)像素部分，與所述虛設(shè)電路部件相鄰地形成且形成在所述顯示區(qū)域中，所述虛設(shè)像素部分處于電浮置狀態(tài)；延伸線，從所述虛設(shè)電路部件延伸且在所述外圍區(qū)域中由第一金屬層形成，所述延伸線處于電浮置狀態(tài)；公共電壓線，形成在所述外圍區(qū)域中，所述公共電壓線傳送存儲(chǔ)公共電壓到所述像素部分；以及交迭部分，其中所述延伸線和所述公共電壓線彼此交迭。
11.如權(quán)利要求10的陣列基板，其中所述交迭部分包括通過所述延伸線、形成在所述延伸線上的溝道圖案、以及形成在所述溝道圖案上的所述公共電壓線形成的至少一個(gè)電容器。
12.一種顯示裝置，包括第一基板；面對(duì)所述第一基板的第二基板，所述第二基板包括顯示區(qū)域，具有形成在其上的多個(gè)像素部分；虛設(shè)電路部件，形成在圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中，所述虛設(shè)電路部件保護(hù)所述像素部分免于靜電影響；延伸線，從所述虛設(shè)電路部件延伸并由第一金屬層形成；金屬圖案，由第二金屬層形成，所述金屬圖案?jìng)魉凸搽妷?；以及交迭部分，其中所述延伸線和所述金屬圖案彼此交迭；以及置于所述第一和第二基板之間的液晶層。
13.如權(quán)利要求12的顯示裝置，其中所述金屬圖案是傳送所述公共電壓到所述像素部分的公共電壓線。
14.如權(quán)利要求12的顯示裝置，其中所述金屬圖案是傳送所述公共電壓到形成在所述第一基板上的公共電極層的短路點(diǎn)。
15.如權(quán)利要求12的顯示裝置，其中所述第二基板還包括形成在所述顯示區(qū)域中與所述虛設(shè)電路部件相鄰的虛設(shè)像素部分，所述虛設(shè)像素部分處于電浮置狀態(tài)。
16.如權(quán)利要求15的顯示裝置，其中所述延伸線關(guān)于所述虛設(shè)像素部分電開路。
17.如權(quán)利要求12的顯示裝置，其中多個(gè)電容器形成在所述交迭部分中。
18.一種保護(hù)顯示裝置的顯示區(qū)域免于靜電影響的方法，該方法包括在圍繞所述顯示區(qū)域的外圍區(qū)域中形成虛設(shè)電路部件；由第一金屬層形成從所述虛設(shè)電路部件起的延伸線；使該延伸線與由第二金屬層形成的金屬圖案在所述外圍區(qū)域中在交迭部分中交迭，該金屬圖案?jìng)魉凸搽妷?；以及在所述交迭部分中阻擋流進(jìn)所述虛設(shè)電路部件的靜電荷。
19.如權(quán)利要求18的方法，還包括在所述交迭部分中形成靜電電容器，每個(gè)靜電電容器包括由所述延伸線形成的電極圖案、形成在該電極圖案上的溝道圖案、以及形成在該溝道圖案上的所述金屬圖案。
20.如權(quán)利要求18的方法，還包括在所述顯示區(qū)域中形成虛設(shè)像素部分，其中該延伸線關(guān)于該虛設(shè)像素部分電開路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板，包括底部基板、虛設(shè)電路部件、虛設(shè)像素部分、延伸線、公共電壓線、以及交迭部分。像素部分形成在顯示區(qū)域中。虛設(shè)電路部件形成在外圍區(qū)域中從而保護(hù)所述像素部分免于靜電影響。虛設(shè)像素部分與虛設(shè)電路部件相鄰。虛設(shè)電路部件處于電浮置狀態(tài)。延伸線從所述虛設(shè)電路部件延伸并關(guān)于虛設(shè)像素部分電開路。公共電壓線與虛設(shè)電路部件的延伸線交迭，延伸線關(guān)于顯示區(qū)域電開路，因而顯示區(qū)域可被保護(hù)免于流進(jìn)虛設(shè)電路部件的靜電的影響。
文檔編號(hào)H05F3/02GK101025489SQ200710005930
公開日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2007年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月17日
發(fā)明者林智淑, 申愛 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社