專利名稱：：檢測外延單晶正常成長的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種檢測外延單晶正常成長的方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)有的外延單晶成長的工藝中，通過測方塊電阻來辨別是否已經(jīng)長了單晶，但是在現(xiàn)有測方塊電阻工藝中用到了四探針法，該方法需要將探針扎到產(chǎn)品的表面，容易造成缺陷的產(chǎn)生。另外，也有通過測定硅片厚度的方式進行檢測，但由于厚度本身就很小，不易檢測，并且檢測不準確，工藝較為復(fù)雜。這樣就需要找到一種既能快速監(jiān)控單晶成長又不會損害產(chǎn)品的簡單快捷的方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種檢測外延單晶正常成長的方法，它可以在不損害到產(chǎn)品的情況下，實現(xiàn)簡單快速地檢測外延單晶的成長情況。為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種檢測外延單晶正常成長的方法，其特征在于，它包括如下步驟第一步，設(shè)定待檢測硅片的反射率范圍；第二步，檢測外延單晶成長后的硅片的反射率；第三步，將檢測得到的反射率和設(shè)定的反射率進行比較，如果檢測得到的反射率在設(shè)定的反射率范圍內(nèi)，則表示外延單晶已經(jīng)正常成長，否則表示沒有正常成長。因為本發(fā)明采用利用測定硅片的反射率并進行比較反射率的方法進行辨別硅片的外延單晶是否成長，不需要直接接觸到硅片，所以可以避免損害到硅片，另外由于測定反射率比較快捷，沒有過多的計算，所以可以快速完成檢測。下面結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖1是本發(fā)明檢測流程示意圖。具體實施例方式由于硅片是由直拉單晶后進行激光切割和化學(xué)機械研磨形成的，表面會較外延生長的表面粗糙，在外延淀積過程中，氣體反應(yīng)產(chǎn)生的原子撞擊到硅片表面并移動直至在適當位置與硅片表面的原子鍵合，只要在合適的工藝條件即一定的淀積速率和一定的溫度分布下，外延層和襯底有相同的結(jié)晶方式，如果再能夠使表面更為光滑，那么外延單晶的反射率就會比硅片的光片稍高，這樣就可以利用測定反射率的不同來發(fā)現(xiàn)是否已經(jīng)正常外延單晶了，如果測下來反射率比正常的光片的反射率還低，則產(chǎn)品異常外延單晶。我們采用的是雙光束測厚儀，它采用分光鏡將一束可見光分成相同相位的兩束光，一束光入射到硅片表面，通過硅片表面的反射，被光電管接收，而另一束的光不經(jīng)過硅片表面的反射直接被光電管接收，兩束被接收的光的光強之比即為硅片表面的反射率。在實際數(shù)據(jù)采集中，利用雙光束測厚儀，370納米波長的光譜進行測量，外延單晶和純硅片反射率比較，如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>從表1我們發(fā)現(xiàn)異常外延單晶片的反射率比純硅片要低，而正常外延單晶片的放射率比純光片要高，而且比較穩(wěn)定，所以可以利用來作為監(jiān)控外延單晶的方法。如圖1所示，它是本發(fā)明檢測流程示意圖。它包括如下步驟步驟IOI，當要檢測的產(chǎn)品到來時，首先根據(jù)經(jīng)驗值設(shè)定待檢測硅片的反射率范圍。比如可以如表l所示，將設(shè)定反射率范圍設(shè)定為57%-58%;步驟102，檢測外延單晶成長后的硅片的'反射率；步驟103，將檢測得到的反射率和設(shè)定的反射率進行比較，如果檢測得到的反射率在設(shè)定的反射率范圍內(nèi)，則表示外延單晶己經(jīng)正常成長，否則，表示沒有正常成長。步驟104，如果沒有在設(shè)定的檢測范圍，會發(fā)出報警，通知工程師進行處理。步驟105，如果正好在設(shè)定的檢測范圍內(nèi)，則正常流入到下一個工藝中。通過上述檢測，不但可以及時發(fā)現(xiàn)不合格的產(chǎn)品，而且不傷及產(chǎn)品，實現(xiàn)了及時快速的檢測要求，進而提高了生產(chǎn)的效率。權(quán)利要求1、一種檢測外延單晶正常成長的方法，其特征在于，它包括如下步驟第一步，設(shè)定待檢測硅片的反射率范圍；第二步，檢測外延單晶成長后的硅片的反射率；第三步，將檢測得到的反射率和設(shè)定的反射率進行比較，如果檢測得到的反射率在設(shè)定的反射率范圍內(nèi)，則表示外延單晶已經(jīng)正常成長，否則表示沒有正常成長。2、如權(quán)利要求1所述的檢測外延單晶正常成長的方法，其特征在于，所述檢測硅片反射率的方法是采用分光鏡將一束可見光分成相同相位的兩束光，一束光入射到硅片表面，通過硅片表面的反射，被光電管接收，而另一束的光不經(jīng)過硅片表面的反射直接被光電管接收，兩束被接收的光的光強之比即為硅片表面的反射率。3、如權(quán)利要求2所述的檢測外延單晶正常成長的方法，其特征在于，所釆用的光束波長小于400納米。4、如權(quán)利要求1所述的檢測外延單晶正常成長的方法，其特征在于，它還包括第四步，如果檢測到的反射率不在設(shè)定的反射率范圍內(nèi)，發(fā)出報警信息。全文摘要本發(fā)明公開了一種檢測外延單晶正常成長的方法，它可以在不損害到產(chǎn)品的情況下，實現(xiàn)簡單快速地檢測外延單晶的成長情況。它包括如下步驟第一步，設(shè)定待檢測硅片的反射率范圍；第二步，檢測外延單晶成長后的硅片的反射率；第三步，將檢測得到的反射率和設(shè)定的反射率進行比較，如果檢測得到的反射率在設(shè)定的反射率范圍內(nèi)，則表示外延單晶已經(jīng)正常成長，否則表示沒有正常成長。文檔編號C30B25/00GK101191250SQ20061011854公開日2008年6月4日申請日期2006年11月21日優(yōu)先權(quán)日2006年11月21日發(fā)明者徐偉中,欣楊,王劍敏,王海軍,煊謝申請人:上海華虹Nec電子有限公司