專利名稱：布線電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及布線電路板，詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及具有通過熔融金屬連接外部端子的端子部的布線電路板。
背景技術(shù)：
布線電路板通常設(shè)置連接外部端子用的端子部，將其作為導(dǎo)體圖案的一部分。
這種端子部例如將焊珠等熔融金屬用于連接外部端子，并且在端子部的表面設(shè)置焊珠，通過使焊珠熔融，連接外部端子。
然而，端子部的表面平坦時(shí)，焊珠滾動(dòng)，因而提出例如在電路板上形成的電極(端子部)的中央部設(shè)置空穴部，以穩(wěn)定裝載焊珠(例如參考日本國專利公開平11-266066號(hào)公報(bào))。
這樣在專利文獻(xiàn)1記載的電極形成環(huán)狀，該形成環(huán)狀的電極的中央部形成空穴部，從該空穴部的下端露出電路板，也就是說，由電路板封閉空穴部。
另一方面，將電極連接外部端子時(shí)，需要使該電路板與外部電路板配置成對(duì)置，將焊珠夾在電極與外部端子之間。然而，將電路板和外部電路板配置成對(duì)置時(shí)，電路板封閉空穴部，因而焊珠被電路板遮住，不能確認(rèn)是否準(zhǔn)確設(shè)置在電極的空穴部，存在欠妥。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種具有熔融金屬配置可靠且能高精度連接外部端子的端子部的布線電路板。
本發(fā)明的布線電路板，具有絕緣層和所述絕緣層上形成的導(dǎo)體圖案，所述導(dǎo)體圖案包含通過熔融金屬連接外部端子用的端子部；所述端子部形成填充所述熔融金屬的第1孔，使得該孔往所述端子部的厚度方向貫通；在與所述端子部對(duì)應(yīng)的所述絕緣層上形成連通所述第1孔的第2孔，使得該孔往所述絕緣層的厚度方向貫通。
本發(fā)明的布線電路板最好在絕緣層的與設(shè)置所述導(dǎo)體圖案的一個(gè)面相反的另一個(gè)面設(shè)置金屬支持層；所述金屬支持層上形成連通所述第2孔的第3孔，使得該孔往所述金屬支持層的厚度方向貫通。
根據(jù)本發(fā)明的布線電路板，在端子部形成填充熔融金屬的第1孔，在絕緣層形成與第1孔連通的第2孔。因此，端子部與外部端子的連接中，能一面從第1孔和第2孔確認(rèn)熔融金屬或外部端子的配置，一面將端子部與外部端子連接。結(jié)果，能在端子部可靠地配置熔融金屬，并且高精度連接外部端子。


圖1是示出一本發(fā)明布線電路板實(shí)施方式的帶電路支承底板的立體圖。
圖2是示出圖1所示帶電路支承底板的一制造方法實(shí)施方式的工序圖，其中(a)表示準(zhǔn)備支持襯底的工序，(b)表示在支持襯底上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層的工序，(c)表示在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示在基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序，(e)表示在支持襯底形成第3貫通孔的工序，(f)表示在基礎(chǔ)絕緣層形成第2貫通孔的工序，(g)表示在各磁頭方連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成鍍層的工序。
圖3是示出在圖2所示的支持襯底上形成基礎(chǔ)絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示譯光掩模為中介將被膜曝光的工序，(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層的工序。
圖4是在圖2所示的基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在從基礎(chǔ)絕緣層露出的支持襯底的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層的表面形成金屬薄膜的工序，(b)表示在金屬薄膜的表面按導(dǎo)體圖案的翻轉(zhuǎn)圖案形成保護(hù)鍍層的工序，(c)表示在從保護(hù)鍍層露出的金屬薄膜的表面形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示去除保護(hù)鍍層的工序，(e)表示去除從導(dǎo)體圖案露出的金屬薄膜的工序。
圖5是在圖2所示的基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在含有導(dǎo)體圖案的基礎(chǔ)絕緣層和支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示以光掩模為中介將被膜曝光的工序，(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層的工序。
圖6是說明將圖1所示的帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部與外部電路的外部端子連接的狀態(tài)用的關(guān)鍵部分截面圖。
圖7是說明將圖1所示的帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部與外部電路的外部端子連接的狀態(tài)用的關(guān)鍵部分截面圖(帶電路支承底板相對(duì)于圖6上下顛倒的狀態(tài))。
圖8是說明將圖1所示的帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部與外部電路的外部端子連接的狀態(tài)用的關(guān)鍵部分截面圖(使焊珠落下的狀態(tài))。
圖9是說明將圖1所示的帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部與外部電路的外部端子連接的狀態(tài)用的關(guān)鍵部分截面圖(帶電路支承底板相對(duì)于圖8上下顛倒的狀態(tài))。
圖10是示出圖1所示帶電路支承底板的另一制造方法實(shí)施方式的工序圖，其中(a)表示準(zhǔn)備支持襯底的工序，
(b)表示在支持襯底上按形成凹部規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層的工序，(c)表示在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示在基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序，(e)表示在支持襯底形成第3貫通孔的工序，(f)表示在基礎(chǔ)絕緣層形成第2貫通孔的工序，(g)表示在各磁頭方連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成鍍層的工序。
圖11是示出在圖10所示的支持襯底上形成基礎(chǔ)絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示通過光掩模將被膜曝光的工序，(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層的工序。
圖12是在圖10所示的基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在從基礎(chǔ)絕緣層露出的支持襯底的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層的表面形成金屬薄膜的工序，(b)表示在金屬薄膜的表面按導(dǎo)體圖案的翻轉(zhuǎn)圖案形成保護(hù)鍍層的工序，(c)表示在從保護(hù)鍍層露出的金屬薄膜的表面形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示去除保護(hù)鍍層的工序，(e)表示去除從導(dǎo)體圖案露出的金屬薄膜的工序。
圖13是在圖10所示的基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在含有導(dǎo)體圖案的基礎(chǔ)絕緣層和支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示以光掩模為中介將被膜曝光的工序，(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層的工序。
圖14是圖1所示帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部的關(guān)鍵部分截面圖。
圖15是示出圖1所示帶電路支承底板的另一制造方法實(shí)施方式的工序圖，其中(a)表示準(zhǔn)備支持襯底的工序，(b)表示在支持襯底上按形成第2貫通孔的規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層的工序，(c)表示在基礎(chǔ)絕緣層和支持襯底上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示在基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序，(e)表示在支持襯底形成第3貫通孔的工序，(f)表示在各磁頭方連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成鍍層的工序。
圖16是示出在圖15所示的支持襯底上形成基礎(chǔ)絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示以光掩模為中介將被膜曝光的工序，(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層的工序。
圖17是在圖15所示的基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在從基礎(chǔ)絕緣層露出的支持襯底的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層的表面形成金屬薄膜的工序，(b)表示在金屬薄膜的表面按導(dǎo)體圖案的翻轉(zhuǎn)圖案形成保護(hù)鍍層的工序，(c)表示在從保護(hù)鍍層露出的金屬薄膜的表面形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示去除保護(hù)鍍層的工序，(e)表示去除從導(dǎo)體圖案露出的金屬薄膜的工序。
圖18是在圖15所示的基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序的詳細(xì)工序圖，其中(a)表示在含有導(dǎo)體圖案的基礎(chǔ)絕緣層和支持襯底的整個(gè)面形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜的工序，(b)表示以光掩模為中介將被膜曝光的工序，
(c)表示對(duì)被膜進(jìn)行顯像的工序，(d)表示使被膜硬化并形成由聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層的工序。
圖19是圖1所示帶電路支承底板的外部側(cè)連接端子部的關(guān)鍵部分截面圖。
圖20是示出一本發(fā)明布線電路板實(shí)施方式的單面柔性布線電路板的截面圖。
圖21是示出比較例1的帶電路支承底板的制造方法的工序圖，其中(a)表示準(zhǔn)備支持襯底的工序，(b)表示在支持襯底上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層的工序，(c)表示在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示在基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序，(e)表示在各磁頭方連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成鍍層的工序。
圖22是示出比較例2的帶電路支承底板的制造方法的工序圖，其中(a)表示準(zhǔn)備支持襯底的工序，(b)表示在支持襯底上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層的工序，(c)表示在基礎(chǔ)絕緣層上形成導(dǎo)體圖案的工序，(d)表示在基礎(chǔ)絕緣層上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層的工序，(e)表示在各磁頭方連接端子部和各外部側(cè)連接端子部形成鍍層的工序。
具體實(shí)施例方式
圖1是示出一本發(fā)明布線電路板實(shí)施方式的帶電路支承底板的立體圖。
圖1中，該帶電路支承底板1安裝硬盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭(未示出)，又支持該磁頭，又使該磁頭與磁盤之間保持微小間隔，以抵抗磁頭與磁盤之間相對(duì)運(yùn)行時(shí)的空氣流，并且綜合為一體的形成連接磁頭和讀寫電路板用的導(dǎo)體圖案4。
該帶電路支承底板1在作為金屬支持層的支持襯底2上形成作為絕緣層的基礎(chǔ)絕緣層3，在該基礎(chǔ)絕緣層3上形成導(dǎo)體圖案4。
支持襯底2由縱向延伸的薄板組成，在其前端部形成安裝磁頭用的萬向接頭5，在其后端部形成后文闡述的各外部側(cè)連接端子部8，使沿支持襯底2的縱向配置用的端子配置部6往寬度方向(與支持襯底2的縱向垂直的方向)鼓出。
基礎(chǔ)絕緣層3包含支持襯底2的形成導(dǎo)體圖案4的部分，并且形成為規(guī)定的圖案。
導(dǎo)體圖案4綜合為一體地設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d以及磁頭方連接端子部7和作為端子部的外部側(cè)連接端子部8。多條布線4a、4b、4c、4d沿支持襯底的縱向延伸，并且并行配置成在其寬度方向相互隔開。
在支持襯底2的前端部配置磁頭方連接端子部7，將其設(shè)置成分別與各布線4a、4b、4c、4d對(duì)應(yīng)。從各布線4a、4b、4c、4d的前端部連續(xù)綜合為一體地形成各磁頭方連接端子部7，并配置成沿支持襯底2的寬度方向相互隔開。此磁頭方連接端子部7上安裝磁頭(未示出)。
外部側(cè)連接端子部8是支持襯底2的后端部，配置在端子配置部6，設(shè)置成分別與各布線4a、4b、4c、4d對(duì)應(yīng)。從各布線4a、4b、4c、4d的后端部連續(xù)綜合為一體地形成各外部側(cè)連接端子部8，并配置成沿支持襯底2的寬度方向相互隔開。此外部側(cè)連接端子部8通過作為熔融金屬的焊珠21(參考圖7)連接作為外部連接端子的讀寫電路板的連接端子(未示出)。
各外部側(cè)連接端子部8構(gòu)成大致正方形(俯視)，并且分別形成作為填充熔融的焊珠21的圓形(俯視)的第1孔的第1貫通孔9，使該孔往各外部側(cè)連接端子部8的厚度方向貫通(參考圖6)。
與各外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的基礎(chǔ)絕緣層3上分別形成作為連通各第1貫通孔9的第2孔的第2貫通孔19，使其為大于第1貫通孔9的圓形(俯視)，并且往基礎(chǔ)絕緣層3的厚度方向貫通。
與各第2貫通孔19對(duì)應(yīng)的支持襯底2上分別形成作為連通各第2貫通孔19的第3孔的第3貫通孔20，使其為大于第2貫通孔19的圓形(俯視)，并且往支持襯底2的厚度方向貫通。
圖1中未示出，但在基礎(chǔ)絕緣層3上將覆蓋絕緣層10(參考圖2(d))形成為規(guī)定的圖案，使其覆蓋多條導(dǎo)體圖案4。
接著，參照?qǐng)D2～圖5說明此帶電路支承底板1的制造方法。圖2～圖5以沿支持襯底2的縱向的截面示出支持襯底2的端子配置部6。
此方法，首先準(zhǔn)備支持襯底2，如圖2(a)所示。將金屬箔或金屬薄板用作支持襯底2，將例如不銹鋼、42合金、鋁、銅—鈹、磷青銅等用作該金屬。根據(jù)剛性、抗蝕性和加工性能的觀點(diǎn)，最好用不銹鋼箔。支持襯底2的厚度例如為10μm～100μm，最好是18μm～30μm；其寬度例如為50mm～500mm，最好是125mm～300mm。
接著，如圖2(b)所示，此方法在支持襯底2上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3。
作為形成基礎(chǔ)絕緣層3的絕緣材料，無專門限制，例如可用聚酰亞胺樹脂、聚酰胺—聚酰亞胺樹脂、丙烯樹脂、聚醚腈樹脂、聚醚砜樹脂、二甲酯樹脂、聚乙稀聚萘樹脂、聚氯乙稀樹脂等合成樹脂。根據(jù)耐熱性和耐化學(xué)性的觀點(diǎn)，最好采用聚酰亞胺樹脂。根據(jù)圖案微細(xì)加工方便性的觀點(diǎn)，最好采用感光性合成樹脂，采用感光性聚酰亞胺樹脂更好。
然后，例如采用感光性聚酰亞胺樹脂在支持襯底2上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，如圖3(a)所示，首先在整個(gè)支持襯底2涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液后，用例如60℃～150℃(最好用80℃～120℃)加熱，以形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜11。
接著，如圖3(b)所示，以光掩模12為中介將該被膜11曝光。光掩模12按規(guī)定的圖案設(shè)置遮光部分12a和光全透射部分12b。
然后，將光掩模12配置成與被膜11對(duì)置，使支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分與遮光部分12a對(duì)置，并且支持襯底2中形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分與光全透射部分12b對(duì)置。
以光掩模12為中介照射的光(射線)，其曝光波長例如為300nm～450nm，最好是350nm～420nm，其曝光累計(jì)光量例如為100mJ/cm2～2000mJ/cm2。
接著，如圖3(c)所示，將曝光后的被膜11根據(jù)需要加熱到規(guī)定溫度后，進(jìn)行顯像。受到照射的被膜11的曝光部分例如以等于或高于130℃、低于150℃進(jìn)行加熱，從而下一顯像中可熔化(陽型)，又例如以等于或高于150℃、低于200℃進(jìn)行加熱，從而下一顯像中不熔化(陰型)。
顯像中，例如使用堿性顯像液等公知的顯像液，并采用浸漬法或噴射法等公知的方法。此方法中，最好以陰型形成圖案。圖3中以陰型形成圖案。
利用該顯像，被膜11中與光掩模12的遮光部分12a對(duì)置的周緣部融解，形成露出支持襯底2的周緣部的規(guī)定圖案。
然后，如圖3(d)所示，通過將形成規(guī)定圖案的被膜11最后加熱到例如不低于250℃，使其硬化(亞胺化)。由此，使聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3形成為露出支持襯底2的周緣部的規(guī)定圖案。
不使用感光性合成樹脂時(shí)，例如在支持襯底2上按上述圖案涂覆合成樹脂，或者根據(jù)需要以粘結(jié)劑層為中介，粘結(jié)預(yù)先加工成上述圖案的干膜。
這樣形成的基礎(chǔ)絕緣層3的厚度例如為5μm～20μm，最好是7μm～15μm。
接著，如圖2(c)所示，此方法形成導(dǎo)體圖案4。作為形成導(dǎo)體圖案4用的導(dǎo)體材料，無專門限制，例如可用銅、鎳、金、焊錫或它們的合金等，根據(jù)價(jià)廉和加工性能的觀點(diǎn)，最好用銅。
導(dǎo)體圖案4的形成可用去除法或添加法等公知的圖案制作法。以精密間距微細(xì)狀形成導(dǎo)體圖案4時(shí)，最好用添加法。
如圖4(a)所示，添加法首先在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持襯底2的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層3的表面形成金屬薄膜14，作為種膜。作為形成金屬薄膜14用的金屬材料，例如可用鉻、鎳、銅及其合金等。金屬薄膜14的形成不受專門限制，例如可用噴鍍法等真空蒸鍍法。金屬薄膜14的厚度例如為100?！?000埃。也能例如利用依次噴鍍法形成鉻薄膜和銅薄膜等，以多層狀形成金屬薄膜14。
接著，如圖4(b)所示，添加法按導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案在金屬薄膜14的表面形成保護(hù)鍍層15。具體而言，在金屬薄膜14的表面形成保護(hù)鍍層15，使與多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的部分的金屬薄膜14露出。
例如使用干膜保護(hù)層等，利用公知的方法將保護(hù)鍍層15形成為上述導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案。
接著，如圖4(c)所示，添加法在從保護(hù)鍍層15露出的金屬薄膜14的表面形成導(dǎo)體圖案4。導(dǎo)體圖案4的形成不受專門限制，例如可用電解電鍍，最好用電解鍍銅。
然后，如圖4(d)所示，去除保護(hù)鍍層15。保護(hù)鍍層15的去除，例如采用化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)等公知蝕刻法，或進(jìn)行剝離。
然后，如圖4(e)所示，去除從導(dǎo)體圖案4露出的金屬薄膜14。例如進(jìn)行化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)，以去除金屬薄膜14。
這樣，將多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8綜合成一體地形成為多條圖案4，如圖1所示。圖1中省略圖4所示的金屬薄膜14。
導(dǎo)體圖案4的厚度例如為5μm～20μm，最好是7μm～15μm；各布線4a、4b、4c、4d的寬度例如為5μm～500μm，最好是10μm～200μm；各布線4a、4b、4c、4d的間隔例如為5μm～500μm，最好是10μm～200μm。
各外部側(cè)連接端子部8的寬度(沿支持襯底2的縱向的方向從覆蓋絕緣層10露出的部分的寬度)W1(參考圖6)例如為100μm～1100μm，最好是140μm～540μm；各外部側(cè)連接端子部8的間隔W2(參考圖6)例如為50μm～150μm，最好是200μm～800μm。
如上文所述，各外部側(cè)連接端子部8的外形為大致正方形(俯視)，其中央部分別形成圓形的第1貫通孔9。第1貫通孔9的直徑D1(參考圖6)例如為50μm～1000μm，最好是100μm～500μm。
然后，最好利用非電解鍍鎳在導(dǎo)體圖案4的表面形成鍍鎳層(未示出)，以保護(hù)導(dǎo)體圖案4。
接著，如圖2(d)所示，本方法在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10，使導(dǎo)體圖案4中各布線4a、4b、4c、4d受到覆蓋，而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8。
作為形成覆蓋絕緣層10用的絕緣材料，可用與基礎(chǔ)絕緣層3相同的絕緣材料，最好用感光性聚酰亞胺樹脂。
于是，例如用感光性聚酰亞胺樹脂在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10時(shí)，如圖5(a)所示，首先在包含導(dǎo)體圖案4的基礎(chǔ)絕緣層3和整個(gè)支持襯底2涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液后，用例如60℃～150℃(最好用80℃～120℃)加熱，以形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體被膜16。
接著，如圖5(b)所示，以光掩模17為中介將該被膜16曝光。光掩模17按規(guī)定的圖案設(shè)置遮光部分17a和光全透射部分17b。
然后，將光掩模17配置成與被膜16對(duì)置，使支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8所對(duì)應(yīng)的部分與遮光部分17a對(duì)置，并且包含各布線4a、4b、4e、4d的基礎(chǔ)絕緣層3中形成覆蓋絕緣層10的部分與光全透射部分17b對(duì)置。接著，與上述被膜11的曝光相同地進(jìn)行曝光。
接著，如圖5(c)所示，與上述被膜11進(jìn)行顯像相同，也對(duì)曝光后的被膜16進(jìn)行顯像。圖5中以陰型形成圖案。
利用該顯像，被膜16中與光掩模17的遮光部分17a對(duì)置的支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8所對(duì)應(yīng)的部分融解，形成露出支持襯底2的周緣部、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的規(guī)定圖案。
然后，如圖5(d)所示，通過將形成規(guī)定圖案的被膜16最后加熱到例如不低于250℃，使其硬化(亞胺化)。由此，使聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層10形成為覆蓋各布線4a、4b、4c、4d而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的規(guī)定圖案。
不使用感光性合成樹脂時(shí)，例如在基礎(chǔ)絕緣層32上按上述圖案涂覆合成樹脂，或者根據(jù)需要以粘結(jié)劑層為中介，粘結(jié)預(yù)先加工成上述圖案的干膜。
覆蓋絕緣層10的厚度例如為1μm～30μm，最好是2μm～20μm。
然后，如圖2(e)所示，與外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的支持襯底2上形成與各第1貫通孔9對(duì)應(yīng)(與第1貫通孔9同心)的第3貫通孔20，使該孔20往支持襯底2的厚度方向貫通。各第3貫通孔20的形成不受專門限制，例如可用化學(xué)蝕刻、鉆穿加工、激光加工等。最好用化學(xué)蝕刻。第3貫通孔20的直徑D3(參考圖6)為150μm～1200μm，最好是180μm～600μm。圖2(e)中，也可不形成與各第1貫通孔9對(duì)應(yīng)的第3貫通孔20，而形成開口部，使其包含各第1貫通孔9。
進(jìn)而，如圖2(f)所示，本方法在對(duì)應(yīng)于各外部側(cè)連接端子部8從各第3貫通孔20露出的基礎(chǔ)絕緣層3形成與各第1貫通孔9對(duì)應(yīng)(與第1貫通孔9同心)的第2貫通孔19，使該孔19往基礎(chǔ)絕緣層3的厚度方向貫通。各第2貫通孔19的形成不受專門限制，例如可用化學(xué)蝕刻、鉆穿加工、激光加工等。最好用化學(xué)蝕刻。第2貫通孔19的直徑D2(參考圖6)為100μm～1100μm，最好是140μm～540μm。
然后，如圖2(g)所示，本方法在各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子部8形成覆蓋并保護(hù)它們用的鍍層18。用于形成鍍層18的材料不受專門限制，例如可用鎳、金等。
例如可用電解電鍍或非電解電鍍形成鍍層18。也可通過依次鍍鎳和金，將鍍層18形成為多層。鍍層18的厚度例如在鎳鍍層的情況下為例如0.5μm～5μm，在金鍍層的情況下為0.05μm～3μm。
然后，利用化學(xué)蝕刻等公知的方法裁剪萬用接頭5，同時(shí)還進(jìn)行外形加工、洗凈和烘干，從而得到圖1所示的帶電路支承底板1。也可在形成鍍層18前進(jìn)行支持襯底2的外形加工。
這樣得到的帶電路支承底板1如圖6所示，各外部側(cè)連接端子部8上形成第1貫通孔9，基礎(chǔ)絕緣層3上與第1貫通孔9連通地形成大于第1貫通孔9的第2貫通孔19，而且在支持襯底2上與第2貫通孔19連通地形成大于第2貫通孔19的第3貫通孔20。
因此，通過焊珠21將各外部側(cè)連接端子8與外部電路22的各外部端子23連接時(shí)，即使將焊珠21放在外部端子23上，又在該焊珠上放置帶電路支承底板1，也能由第1貫通孔9通過第2貫通孔19和第3貫通孔20，從帶電路支承底板1的上方確認(rèn)該焊珠21。
結(jié)果，對(duì)于各外部側(cè)連接端子部8與各外部端子23的連接，能一面從第1貫通孔9、第2貫通孔19和第3貫通孔20確認(rèn)是否正確配置焊珠21，一面連接各外部側(cè)連接端子部8和各外部端子23。因此，能將焊珠21可靠地配置在各外部側(cè)連接端子部8，使其高精度地連接各外部端子23。
焊珠21的連接不受專門限制，例如利用輸送回?zé)彳浫酆图す鉄崛廴谑购钢?1熔融。
圖6所示的連接方法將焊珠21放在外部端子23上，將帶電路支承底板1配置成支持襯底2在下方，覆蓋絕緣層10為上方，從而將焊珠21夾在外部側(cè)連接端子部8與外部端子23之間，但也可例如圖7所示那樣，將焊珠21放在外部端子23上，將帶電路支承底板1配置成覆蓋絕緣層10在下方，支持襯底2為上方，從而將焊珠21夾在外部側(cè)連接端子部8與外部端子23之間。
此帶電路支承底板1由于各外部側(cè)連接端子部8中，第1貫通孔9、第2貫通孔19和第3貫通孔20往帶電路支承底板1的厚度方向貫通，如圖8所示，通過將外部側(cè)連接端子部8配置成與外部端子23對(duì)置，使支持襯底2在下方，覆蓋絕緣層10為上方，并且從該外部側(cè)連接端子部8上，使焊珠21熔融后落下，也能連接各外部側(cè)連接端子部8和各外部端子23。
這時(shí)，也能一面從第1貫通孔9、第2貫通孔19和第3貫通孔20確認(rèn)是否正確配置焊珠21，一面連接各外部側(cè)連接端子部8和各外部端子23。因此，能將焊珠21可靠地配置在各外部側(cè)連接端子部8，使其高精度地連接各外部端子23。
這時(shí)，如圖9所示，也可將外部側(cè)連接端子部8配置成與外部端子23對(duì)置，使覆蓋絕緣層10在下方，支持襯底2為上方，并且從該外部側(cè)連接端子部8上，使焊珠21熔融后落下。
上述制造方法代之以圖10～圖13所示的制造方法。這樣，將基礎(chǔ)絕緣層3中形成第2貫通孔19的部分的厚度做得小，則可謀求提高制造效率。圖10～圖13以沿支持襯底2的縱向的截面示出支持襯底2的端子配置部6。
即，如圖10(a)所示，此方法首先準(zhǔn)備支持襯底2后，如圖10(b)所示，在該支持襯底2上按與各外部側(cè)連接端子部8的形成第2貫通孔19的部分對(duì)應(yīng)地形成凹部13的規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3。作為支持襯底2和基礎(chǔ)絕緣層3，使用與上文所述相同的。
然后，例如采用感光性聚酰亞胺樹脂，在支持襯底2上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，首先如圖11(a)所示，與上文所述相同地從感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液形成被膜11后，如圖11(b)所示，以光掩模27為中介將該被膜11曝光。光掩模27按規(guī)定圖案設(shè)置遮光部分27a、光全透射部分27b和光半透射部分27c。光半透射部分27c以從相對(duì)于全透射100％為10％～90％的范圍(最好是30％～60％的范圍)適當(dāng)選擇的透射率，使光透射。
然后，將光掩模27配置成與被膜11對(duì)置，使支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分與遮光部分27a對(duì)置，支持襯底2中形成基礎(chǔ)絕緣層3與光全透射部分27b對(duì)置，而且形成各凹部13的部分與光半透射部分27c對(duì)置，以便與上文所述相同地進(jìn)行曝光。
接著，如圖11(c)所示，與上文所述相同，也對(duì)曝光后的被膜11進(jìn)行顯像。利用該顯像，被膜11中與光掩模27的遮光部分27a對(duì)置的周緣部融解，形成規(guī)定的圖案，使支持襯底2的周緣部露出，而且形成與光掩模27的光半透射部分27c對(duì)置的凹部13的部分局部融解，將該部分的厚度形成得小于與光全透射部分27b的部分的厚度。
然后，如圖11(d)所示，通過將形成規(guī)定圖案的被膜11最后加熱到例如不低于250℃，使其硬化(亞胺化)。由此，使聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3形成為規(guī)定圖案支持襯底2的周緣部露出，而且各外部側(cè)連接端子部8的形成第2貫通孔19的部分形成厚度小于其它部分的厚度的凹部13。具體而言，相對(duì)于基礎(chǔ)絕緣層3的其它部分的厚度，凹部13為10％～50％，并且形成大致圓形(俯視)。
接著，如圖2(c)所示，本方法與上文所述相同，也形成導(dǎo)體圖案4。例如，添加法首先如圖12(a)所示，與上文所述相同地在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持襯底2的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層3的表面形成金屬薄膜14，作為種膜后，如圖12(b)所示，在金屬薄膜14的表面按導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案形成保護(hù)鍍層15。接著，如圖12(c)所示，與上文所述相同地在從保護(hù)鍍層15露出的金屬薄膜14的表面形成導(dǎo)體圖案4后，如圖12(d)所示，去除保護(hù)鍍層15。接著，如圖12(e)所示，去除從導(dǎo)體圖案4露出的金屬薄膜14。
由此，如圖1所示，將多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8綜合成一體地形成為導(dǎo)體圖案4。圖1中省略圖12所示的金屬薄膜14。
各外部側(cè)連接端子部8中，在第1貫通孔9的開口部分形成環(huán)狀階梯部26，使其與基礎(chǔ)絕緣層3的凹部13對(duì)應(yīng)。
接著，如圖10(d)所示，本方法在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10，使導(dǎo)體圖案4中各布線4a、4b、4c、4d受到覆蓋，而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8。作為覆蓋絕緣層10，采用與上文所述相同的。
于是，例如用感光性聚酰亞胺樹脂在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10時(shí)，如圖13(a)所示，首先與上文所述相同地從感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液形成被膜16后，如圖13(b)所示，與上文所述相同地以光掩模17為中介將該被膜16曝光，又如圖13(c)所示，與上述被膜11的顯像相同地使曝光后的被膜16顯像。然后，如圖13(d)所示，使形成規(guī)定圖案的被膜16硬化(亞胺化)，與上文所述相同。由此，將聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層10形成為規(guī)定圖案使導(dǎo)體圖案4中各布線4a、4b、4c、4d受到覆蓋，而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8。
然后，如圖10(e)所示，與上文所述相同地在與各外部側(cè)連接端子部8對(duì)應(yīng)的支持襯底2形成第3貫通孔20后，如圖10(f)所示，與上文所述相同地通過在對(duì)應(yīng)于各外部側(cè)連接端子部8從各第3貫通孔20露出的基礎(chǔ)絕緣層3中去除各凹部11，形成第2貫通孔19。第2貫通孔19的形成中，由于各凹部13的厚度小于基礎(chǔ)絕緣層3的各凹部13以外的部分的厚度，能使去除時(shí)間(例如蝕刻時(shí)間等)相應(yīng)縮短。因此，能高效率制造帶電路支承底板1。
然后，如圖10(g)所示，與上文所述相同地在各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8形成覆蓋并保護(hù)它們的鍍層18后，利用化學(xué)蝕刻等公知方法對(duì)支持襯底2剪裁萬向接頭5，同時(shí)還進(jìn)行外形加工、洗凈和烘干，從而得到圖1所示的帶電路支承底板1。圖14示出各外部側(cè)連接端子部8的關(guān)鍵部截面圖。
上述方法代之以圖15～圖18所示的制造方法。這樣，在不銹鋼襯底2上形成導(dǎo)體圖案4，則不需要基礎(chǔ)絕緣層3的蝕刻，能縮短制造工序。圖15～圖18以沿支持襯底2的縱向的截面示出支持襯底2的端子配置部6。
即，如圖15(a)所示，此方法首先準(zhǔn)備支持襯底2后，如圖15(b)所示，在該支持襯底2上按形成第2貫通孔19的規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3。作為支持襯底2和基礎(chǔ)絕緣層3，使用與上文所述相同的。
例如采用感光性聚酰亞胺樹脂，在支持襯底2上按規(guī)定圖案形成基礎(chǔ)絕緣層3時(shí)，首先如圖16(a)所示，與上文所述相同地從感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液形成被膜11后，如圖16(b)所示，以光掩模28為中介將該被膜11曝光。光掩模28設(shè)置遮光部分28a和光全透射部分28b，配置成支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分(支持襯底2的周緣部和各外部側(cè)連接端子部8的形成第2貫通孔19的部分)與遮光部分28a對(duì)置，支持襯底2中形成基礎(chǔ)絕緣層3與光全透射部分28b對(duì)置。
接著，如圖16(c)所示，與上文所述相同，也對(duì)曝光后的被膜11進(jìn)行顯像。利用該顯像，被膜11中與光掩模28的遮光部分28a對(duì)置的周緣部和各外部側(cè)連接端子部8的形成貫通孔19的部分融解，形成使支持襯底2的周緣部和支持襯底2中的第2貫通孔露出的規(guī)定圖案。
然后，如圖16(d)所示，通過將形成規(guī)定圖案的被膜11最后加熱到例如不低于250℃，使其硬化(亞胺化)。由此，使聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3形成為使支持襯底2的周緣部和支持襯底2中的第2貫通孔19露出的規(guī)定圖案。
接著，如圖15(c)所示，本方法與上文所述相同，也形成導(dǎo)體圖案4。例如，添加法首先如圖17(a)所示，與上文所述相同地在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持襯底2的表面和整個(gè)基礎(chǔ)絕緣層3的表面形成金屬薄膜14，作為種膜后，如圖17(b)所示，在金屬薄膜14的表面按導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案形成保護(hù)鍍層15。接著，如圖17(c)所示，與上文所述相同地在從保護(hù)鍍層15露出的金屬薄膜14的表面形成導(dǎo)體圖案4后，如圖17(d)所示，去除保護(hù)鍍層15。接著，如圖17(e)所示，去除從導(dǎo)體圖案4露出的金屬薄膜14。
由此，如圖1所示，將多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8綜合成一體地形成為導(dǎo)體圖案4。圖1中省略圖17所示的金屬薄膜14。
各外部側(cè)連接端子部8中，在第1貫通孔9的開口部分形成環(huán)狀階梯部26，使其與不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分對(duì)應(yīng)。
接著，如圖15(d)所示，在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10，使其覆蓋導(dǎo)體圖案4中各布線4a、4b、4c、4d，而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8。作為覆蓋絕緣層10，采用與上述所述相同的。
例如用感光性聚酰亞胺樹脂在基礎(chǔ)絕緣層3上按規(guī)定圖案形成覆蓋絕緣層10時(shí)，首先如圖18(a)所示，從感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液與上文所述相同地形成被膜16后，如圖18(b)所示，與上文所述相同地以光掩模17為中介將該被膜16曝光，又如圖18(c)所示，與上述被膜11的顯像相同，也使曝光后的被膜16顯像。然后，如圖18(d)所示，與上文所述相同地使形成規(guī)定圖案的被膜16硬化(亞胺化)。由此，將聚酰亞胺樹脂組成的覆蓋絕緣層10形成為覆蓋各布線4a、4b、4c、4d而且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的規(guī)定圖案。
然后，如圖15(e)所示，與上文所述相同地在各外部側(cè)連接端子部8所對(duì)應(yīng)的支持襯底2上形成第3貫通孔20。
然后，如圖15(f)所示，與上文相同地在各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8形成覆蓋部保護(hù)其表面用的鍍層18后，利用化學(xué)蝕刻公知方法對(duì)支持襯底2剪裁萬能接頭，同時(shí)還進(jìn)行外形加工、洗凈和烘干，從而得到圖1所示的帶電路支承底板1。圖19示出各外部側(cè)連接端子部8關(guān)鍵部分截面圖。
上述說明中，將各外部側(cè)連接端子部8形成為大致正方形(俯視)，將各第1貫通孔9、各第2貫通孔19、各第3貫通孔20、形成為大致圓形(俯視)，但這些各外部側(cè)連接端子部8、各第1貫通孔9、各第2貫通孔19、各第3貫通孔20的形狀不受專門限制，可根據(jù)目的和用途適當(dāng)選擇。例如，也可將各第1貫通孔9、各第2貫通孔19、各第3貫通孔20形成為大致矩形(俯視)，這時(shí)將一條邊的長度例如設(shè)定成與上述各第1貫通孔9、各第2貫通孔19、各第3貫通孔20的直徑長度相同。
上述說明中，示出帶電路支承底板1的例子，說明本發(fā)明的布線電路板，但本發(fā)明的布線電路板包括單面柔性布線電路板、雙面柔性布線電路板，甚至多層柔性布線電路板等。
例如，圖20示出這種單面柔性布線電路板31的例子。
圖20中，該單面柔性布線電路板31形成基礎(chǔ)絕緣層32和在該基礎(chǔ)絕緣層32上與導(dǎo)體圖案綜合為一體地形成的多個(gè)端子部33，而且在基礎(chǔ)絕緣層32上形成覆蓋絕緣層34，使其覆蓋導(dǎo)體圖案，并且各端子部33露出。。
然后，此單面柔性布線電路板31在端子部33形成往其厚度方向貫通的第1貫通孔35，在基礎(chǔ)絕緣層32形成往其厚度方向貫通的第2貫通孔36，使其連通第1貫通孔35。在端子部33的表面形成鍍層37。
上述帶電路支承底板1的制造方法，在工業(yè)上可用連續(xù)滾動(dòng)(roll-to-roll)法等公知方法進(jìn)行制造。
實(shí)施例下面示出實(shí)施例，進(jìn)一步具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受任何實(shí)施例限定。
實(shí)施例1準(zhǔn)備寬300mm、厚25μm的不銹鋼(SUS304)箔組成的支持襯底2(參考圖2(a))。
接著，在整個(gè)支持襯底2的表面涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液后，以120℃加熱2分鐘，形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體組成的被膜11(參考圖3(a))。
然后，將光掩模12配置成與被膜11對(duì)置，使遮光部分12a與支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分對(duì)置，光全透射部分12b與支持襯底2中形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分對(duì)置，并且用紫外線(曝光累計(jì)光量為720mJ/cm2)將被膜11曝光(圖3(b))。
接著，在曝光后，將已曝光的被膜11加熱(160℃、3分鐘)后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像，從而使被膜11形成支持襯底2的周緣部露出的規(guī)定圖案(參考圖3(c))。然后，通過以420℃加熱被膜11，形成聚酰亞胺樹脂組成的厚10μm的基礎(chǔ)絕緣層3(參考圖3(d))。
然后，在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持襯底2的表面和基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)表面用噴鍍法依次形成鉻薄膜和銅薄膜，從而形成厚300埃～1000埃的金屬薄膜14(參考圖4(a))。然后，在金屬薄膜14的表面層疊干膜保護(hù)層，并以紫外線(曝光累計(jì)光量為235mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而形成導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案的保護(hù)鍍層15(參考圖4(b))。
接著，利用電解鍍銅在從保護(hù)鍍層15露出的金屬薄膜14的表面形成厚10μm的導(dǎo)體圖案4后(參考圖4(c))，剝掉保護(hù)鍍層15(參考圖4(d))。接著，利用化學(xué)蝕刻去除從導(dǎo)體圖案4露出的金屬薄膜14(參考圖4(e))。
由此，將多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子8綜合成一體地形成為導(dǎo)體圖案4。各外部側(cè)連接端子部8的寬度為450μm，各外部側(cè)連接端子部8的間隔為300μm。在各外部側(cè)連接端子部8形成第1貫通孔9。第1貫通孔9的直徑為150μm。
接著，利用鈀液激活導(dǎo)體圖案4的表面后，用非電解鍍鎳在該表面形成厚0.05μm的鎳鍍層。然后，在鎳鍍層和基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)表面涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體溶液后，以120℃加熱2分鐘，從而形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體組成的被膜16(參考圖5(a))。
然后，將光掩模17配置成與被膜16對(duì)置，使遮光部分17a與支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8所對(duì)應(yīng)的部分對(duì)置，光全透射部分12b與包含各布線4a、4b、4c、4d的基礎(chǔ)絕緣層3中形成覆蓋絕緣層10的部分對(duì)置，并且用紫外線(曝光累計(jì)光量為720mJ/cm2)將被膜16曝光(圖5(b))。
接著，在曝光后，將已曝光的被膜16加熱(160℃、3分鐘)后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像，從而使被膜16形成各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8露出的規(guī)定圖案(參考圖5(c))。然后，通過以420℃加熱被膜16，形成聚酰亞胺樹脂組成的厚4μm的覆蓋絕緣層10(參考圖5(d))。
接著，將干膜保護(hù)層疊層并以紫外線(曝光累計(jì)光量為105mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而除支持襯底2中形成各第3貫通孔20的部分外，帶電路支承底板1都用干膜保護(hù)層加以覆蓋后，對(duì)支持襯底2中形成各第3貫通孔20的部分作化學(xué)蝕刻，以形成各第3貫通孔20(參考圖2(e))。
進(jìn)而，對(duì)基礎(chǔ)絕緣層3中形成各第2貫通孔19的部分也同樣作化學(xué)蝕刻，以形成各第2貫通孔19(參考圖2(f))。
接著，利用化學(xué)蝕刻去除各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層，將干膜保護(hù)層疊層并以紫外線(曝光累計(jì)光量為105mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而用干膜保護(hù)層覆蓋帶電路支承底板1。接著，用氯化鐵溶液蝕刻支持襯底2，剪裁萬能接頭5，同時(shí)還進(jìn)行帶電路支承底板1的外形加工。
然后，利用非電解鍍鎳和非電解鍍金，在各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8形成鎳鍍層和金鍍層組成的厚3μm的鍍層18(參考圖2(g))。
實(shí)施例2準(zhǔn)備寬300mm、厚25μm的不銹鋼(SUS304)箔組成的支持襯底2(參考圖10(a))。
接著，在整個(gè)支持襯底2的表面涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體(感光性聚酰胺酸樹脂)溶液后，以120℃加熱2分鐘，形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體組成的被膜11(參考圖11(a))。
然后，將光掩模27配置成與被膜11對(duì)置，使遮光部分27a與支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分對(duì)置，光全透射部分12b與支持襯底2中形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分對(duì)置，光半透射部分27c與各外部側(cè)連接端子部8的形成第2貫通孔19的部分對(duì)置，并且使用紫外線(曝光累計(jì)光量為720mJ/cm2)將被膜11曝光(圖11(b))。
接著，在曝光后，將已曝光的被膜11加熱(160℃、3分鐘)后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像，從而使被膜11形成支持襯底2的周緣部露出而且形成第2貫通孔19的部分比其它部分薄的規(guī)定圖案(參考圖11(c))。然后，通過以420℃加熱被膜11，形成聚酰亞胺樹脂組成的厚10μm的基礎(chǔ)絕緣層3(參考圖11(d))。
然后，在從基礎(chǔ)絕緣層3露出的支持襯底2的表面和基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)表面用噴鍍法依次形成鉻薄膜和銅薄膜，從而形成厚300?！?000埃的金屬薄膜14(參考圖12(a))。然后，在金屬薄膜14的表面層疊干膜保護(hù)層，并以紫外線(曝光累計(jì)光量為235mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而形成導(dǎo)體圖案4的翻轉(zhuǎn)圖案的保護(hù)鍍層15(參考圖12(b))。
接著，利用電解鍍銅在從保護(hù)鍍層15露出的金屬薄膜14的表面形成厚10μm的導(dǎo)體圖案4后(參考圖12(c))，剝掉保護(hù)鍍層15(參考圖12(d))。接著，利用化學(xué)蝕刻去除從導(dǎo)體圖案4露出的金屬薄膜14(參考圖12(e))。
由此，將多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子8綜合成一體地形成為導(dǎo)體圖案4。各外部側(cè)連接端子部8的寬度為450μm，各外部側(cè)連接端子部8的間隔為300μm。在各外部側(cè)連接端子部8形成第1貫通孔9和階梯部26。第1貫通孔9的直徑為150μm。
接著，利用鈀液激活導(dǎo)體圖案4的表面后，用非電解鍍鎳在該表面形成厚0.05μm的鎳鍍層。然后，在鎳鍍層和基礎(chǔ)絕緣層3的整個(gè)表面涂覆感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體溶液后，以120℃加熱2分鐘，從而形成感光性聚酰亞胺樹脂導(dǎo)引體組成的被膜16(參考圖13(a))。
然后，將光掩模17配置成與被膜16對(duì)置，使遮光部分17a與支持襯底2中不形成基礎(chǔ)絕緣層3的部分、各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8所對(duì)應(yīng)的部分對(duì)置，光全透射部分12b與包含各布線4a、4b、4c、4d的基礎(chǔ)絕緣層3中形成覆蓋絕緣層10的部分對(duì)置，并且用紫外線(曝光累計(jì)光量為720mJ/cm2)將被膜16曝光(圖13(b))。
接著，在曝光后，將已曝光的被膜16加熱(160℃、3分鐘)后，用堿性顯像液進(jìn)行顯像，從而使被膜16形成各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8露出的規(guī)定圖案(參考圖13(c))。然后，通過以420℃加熱被膜16，形成聚酰亞胺樹脂組成的厚4μm的覆蓋絕緣層10(參考圖13(d))。
接著，將干膜保護(hù)層疊層并以紫外線(曝光累計(jì)光量為105mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而除支持襯底2中形成各第3貫通孔20的部分外，帶電路支承底板1都用干膜保護(hù)層加以覆蓋后，對(duì)支持襯底2中形成各第3貫通孔20的部分作化學(xué)蝕刻，以形成各第3貫通孔20(參考圖10(e))。
進(jìn)而，對(duì)基礎(chǔ)絕緣層3中形成各第2貫通孔19的部分也同樣作化學(xué)蝕刻，以形成各第2貫通孔19(參考圖10(f))。
接著，利用化學(xué)蝕刻去除各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層，將干膜保護(hù)層疊層并以紫外線(曝光累計(jì)光量為105mJ/cm2)進(jìn)行曝光后，用堿性顯像液使其顯像，從而用干膜保護(hù)層覆蓋帶電路支承底板1。接著，用氯化鐵溶液蝕刻支持襯底2，剪裁萬能接頭5，同時(shí)還進(jìn)行帶電路支承底板1的外形加工。
然后，利用非電解鍍鎳和非電解鍍金，在各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8形成鎳鍍層和金鍍層組成的厚3μm的鍍層18(參考圖10(g))。
比較例1準(zhǔn)備寬300mm、厚25μm的不銹鋼(SUS304)箔組成的支持襯底2(參考圖21(a))。
接著，利用與實(shí)施例1相同的方法形成聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3(圖21(b))。
然后，利用以實(shí)施例1相同的方法在基礎(chǔ)絕緣層3上形成綜合為一體地設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體圖案4(參考圖21(c))。與實(shí)施例1相同，也在各外部側(cè)端子部8形成第1貫通孔9。
然后，利用與實(shí)施例1相同的方法在導(dǎo)體圖案4的表面形成厚0.05μm的鎳鍍層后，在基礎(chǔ)絕緣層3上形成覆蓋各布線4a、4b、4c、4d并且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的由聚酰亞胺組成的覆蓋絕緣層10(參考圖21(d))。
接著，利用與實(shí)施例1相同的方法去除各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層后，剪裁萬能接頭5，同時(shí)還進(jìn)行帶電路支承底板1的外形加工。然后，形成鎳鍍層和金鍍層組成的鍍層18(參考圖21(e))。
比較例2準(zhǔn)備寬300mm、厚25μm的不銹鋼(SUS304)箔組成的支持襯底2(參考圖22(a))。
接著，利用與實(shí)施例1相同的方法形成聚酰亞胺樹脂組成的基礎(chǔ)絕緣層3(圖22(b))。
然后，利用以實(shí)施例1相同的方法在基礎(chǔ)絕緣層3上形成綜合為一體地設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子部8的導(dǎo)體圖案4(參考圖22(c))。各外部側(cè)端子部8以均勻的厚度加以形成，不形成第1貫通孔9。
然后，利用與實(shí)施例1相同的方法在導(dǎo)體圖案4的表面形成厚0.05μm的鎳鍍層后，在基礎(chǔ)絕緣層3上形成覆蓋各布線4a、4b、4c、4d并且露出各磁頭方連接端子部7和各外部側(cè)連接端子部8的由聚酰亞胺組成的覆蓋絕緣層10(參考圖22(d))。
接著，利用與實(shí)施例1相同的方法去除各磁頭方連接端子部7和外部側(cè)連接端子部8的表面的鎳鍍層后，剪裁萬能接頭5，同時(shí)還進(jìn)行帶電路支承底板1的外形加工。然后，形成鎳鍍層和金鍍層組成的鍍層18(參考圖22(e))。
評(píng)價(jià)通過焊珠21連接實(shí)施例1、2和比較例1、2得到的帶電路支承底板的各外部側(cè)連接端子部8和讀寫電路板的連接端子。實(shí)施例1、2的帶電路支承底板能可靠地連接讀寫電路板。然而，比較例1的帶電路支承底板發(fā)生導(dǎo)通不良，比較例2的帶電路支承底板存在焊珠21滾落等連接時(shí)操作效率差。
再者，以示出本發(fā)明的實(shí)施方式為例提供上述說明，但該說明只不過是示例，不是限定性解釋。后面陳述的權(quán)利要求書，其范圍包含相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的業(yè)務(wù)人員明白的本發(fā)明的變換例。
權(quán)利要求
1.一種布線電路板，具有絕緣層和所述絕緣層上形成的導(dǎo)體圖案，其特征在于，所述導(dǎo)體圖案包含通過熔融金屬連接外部端子用的端子部；所述端子部形成填充所述熔融金屬的第1孔，使得該孔往所述端子部的厚度方向貫通；在與所述端子部對(duì)應(yīng)的所述絕緣層上形成連通所述第1孔的第2孔，使得該孔往所述絕緣層的厚度方向貫通。
2.如權(quán)利要求1所述的布線電路板，其特征在于，在絕緣層的與設(shè)置所述導(dǎo)體圖案的一個(gè)面相反的另一個(gè)面上，設(shè)置金屬支持層；所述金屬支持層上形成連通所述第2孔的第3孔，使得該孔往所述金屬支持層的厚度方向貫通。
全文摘要
為了提供具有熔融金屬配置可靠且能高精度連接外部端子的端子部的布線電路板，在支持襯底(2)上形成基礎(chǔ)絕緣層(3)，在該基礎(chǔ)絕緣層(3)上形成設(shè)置導(dǎo)體圖案(4)，綜合為一體地設(shè)置多條布線4a、4b、4c、4d、各磁頭方連接端子部(7)和各外部側(cè)連接端子部(8)，而且各外部側(cè)連接端子部(8)形成第1貫通孔(9)。然后，形成覆蓋絕緣層(10)后，在支持襯底(2)形成第3貫通孔(20)，在基礎(chǔ)絕緣層(3)形成第2貫通孔(19)，使其分別連通第1貫通孔9。由此，將各外部側(cè)連接端子部(8)連接外部端子(23)時(shí)，能一面從各貫通孔確認(rèn)焊珠(21)的配置，一面進(jìn)行連接。
文檔編號(hào)H05K3/34GK1764344SQ20051011619
公開日2006年4月26日 申請(qǐng)日期2005年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月21日
發(fā)明者金川仁紀(jì), 大澤徹也, 大藪恭也 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社