專利名稱：一種主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子顯示器件技術，特別是涉及一種電子顯示器件中主動式有機頂發(fā)光器件的陰極結(jié)構(gòu)技術。
背景技術：
主動式有機頂發(fā)光器件是一種正在發(fā)展中的技術，它是由薄膜晶體管驅(qū)動的有機發(fā)光器件，通常的底發(fā)光器件是從薄膜晶體管的基板這面發(fā)光的，由于薄膜晶體管一般是由不透明的材料制成，有一部分光被薄膜晶體管擋住，降低了器件的開口率。頂發(fā)光器件可以避免這個問題，所謂頂發(fā)光就是從薄膜晶體管基板的上面發(fā)光，這樣發(fā)出的光可以不通過薄膜晶體管，不會被它擋住，可以提高開口率，增加顯示屏亮度和效率。目前的主動式有機頂發(fā)光器件都采用一個透明的陰極作為頂發(fā)射的電極，參見圖1所示，這一層透明陰極2是作為主動式有機發(fā)光顯示器件所有像素1的公共電極，它是覆蓋在所有像素1上的一整片電極，由于薄膜晶體管基板的四周都排布著行電極3和列電極4，為了引出公共電極，目前是通過四個角的部位引出，它的形狀如圖1所示。由于基板四周排布著行列電極，留給公共電極的引出區(qū)域很小，而一般都采用一層很薄的金屬作為主要的導電材料，另外再在其上覆蓋一層氧化銦錫材料，這一層陰極為了保證它的透光率，金屬層的厚度通常很薄，只有幾到幾十納米，所以該電極的電阻較高，而且容易被破壞，由于引出區(qū)域很小，整個透明陰極的電流都通過該區(qū)域引出，故該區(qū)域的電流很集中，很容易被燒毀和破壞，造成整個器件失效。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術中存在的缺陷，本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種引腳電阻小，可靠性高的、能改善顯示發(fā)光的均勻性的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置。
為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供的一種主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，所述發(fā)光器件包括薄膜晶體管基板、在所述薄膜晶體管基板上的連接所有像素的透明公共陰極、行電極和列電極，其特征在于，在所述透明公共陰極與所述薄膜晶體管基板之間設有良導體的陰極的加強層，所述加強層為“口”字形，“口”字形四角設有引出電極，“口”字形中間是所有像素，所述透明公共陰極的四邊分別連接“口”字形加強層的四條邊；本發(fā)明就是在原來的透明陰極之下或之上附加一層導電的加強層。
所述陰極的加強層，可以是在陰極鍍膜之前先用光刻法形成加強層，也可以是在常規(guī)陰極鍍膜后換蔭罩掩膜再次蒸鍍更厚的導體(金屬)來形成的加強層。
所述“口”字形加強層的四角中至少有一角設有引出電極。
所述在常規(guī)陰極鍍膜后換蔭罩掩膜再次蒸鍍更厚的導體(金屬)來形成的“口”字形加強層的“口”字的四邊之中至少有一邊是中間斷開的形狀。
所述良導體的陰極加強層是金屬材料。
利用本發(fā)明提供的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，由于增加了加強層，可以大大降低公共透明陰極引出區(qū)域的電阻，使公共陰極不易被集中的電流燒毀；由于加強層可以做得很厚，可以到幾百個納米，它的導電性比單純的透明陰極提高幾十倍以上，也加強了該區(qū)域電極的機械強度；因為它分布在像素區(qū)域四周，電流不但可以通過透明陰極而且可以通過四周的加強層給像素供電，可以降低陰極的電阻，減少陰極上的電壓降，從而改善顯示發(fā)光的均勻性，特別在大尺寸顯示器件。另外加強層機械強度比單純的透明陰極好的多，不易被外力破壞，提高了公共陰極的可靠性。


圖1是現(xiàn)有技術中器件的示意圖；圖2是本發(fā)明實施例的陰極加強層的形狀圖。
圖3是本發(fā)明實施例中光刻法加工后的器件示意圖；圖4是本發(fā)明實施例的透明陰極的形狀圖；圖5是本發(fā)明實施例的最終器件示意圖；圖6是本發(fā)明另一實施例的陰極加強層的形狀圖；圖7是本發(fā)明另一實施例的最終器件示意圖。
具體實施例方式
以下結(jié)合

對本發(fā)明的實施例作進一步詳細描述，但本實施例并不用于限制本發(fā)明，凡是采用本發(fā)明的相似結(jié)構(gòu)及其相似變化，均應列入本發(fā)明的保護范圍。
本發(fā)明實施例提供的一種主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，如圖5所示，所述發(fā)光器件包括薄膜晶體管基板、在所述薄膜晶體管基板上的連接所有像素1的透明公共陰極2、行電極和列電極，其特征在于，在所述透明公共陰極2與所述薄膜晶體管基板之間設有良導體的陰極的加強層5，所述加強層為“口”字形，“口”字形四角設有引出電極，“口”字形中間是所有像素1，所述透明公共陰極2的四邊分別連接“口”字形加強層5的四條邊；所述設有“口”字形加強層的主動式有機頂發(fā)光器件的制造過程是1)在薄膜晶體管的基板上沉積一層銀或鎳，厚度在120納米左右；2)通過光刻的方法加工成如圖2所示的“口”字形四角設有引出電極的形狀的陰極的加強層5，即加強層是分布在透明陰極(像素)區(qū)域的周圍，這種結(jié)構(gòu)可以使加強層不影響像素區(qū)域的透光率，即使加強層的厚度很厚，透光率很低，也不會降低器件的亮度和效率。所述薄膜晶體管基板加工后如圖3所示，即在像素區(qū)域1周圍形成“口”字形的陰極的加強層5；3)在完成的帶有加強層薄膜晶體管基板上蒸鍍有機層，在有機層上蒸鍍一層1納米的氟化鋰，在氟化鋰上再蒸鍍一層5到50納米的鋁膜，最后再在鋁膜上濺射一層50到100納米的氧化銦錫(ITO)，形成最終的連接所有像素1的透明陰極2，其形狀如圖4所示，成膜過程采用鍍膜范圍大于有機層范圍的蔭罩掩膜形成，使得所述透明公共陰極2的四邊分別連接“口”字形加強層5的四條邊；最終器件如圖5所示。
本發(fā)明的另一實施方式是在蒸鍍完有機層的薄膜晶體管基板上蒸鍍一層1納米的氟化鋰，在氟化鋰上再蒸鍍一層50納米的鋁膜，成膜過程采用蔭罩掩膜形成透明陰極2，其形狀如圖4所示，然后換用另一個蔭罩掩膜，再蒸鍍150納米的鋁，其形狀如圖6所示，形成“口”字形四角設有引出電極的、而且“口”字的每邊中間斷開的加強層6；最后再濺射一層50到100納米的氧化銦錫，形成最終的連接所有像素的透明陰極2，所述透明公共陰極2的四邊分別連接加強層6的四條邊；最終的器件如圖7所示。
在本發(fā)明的實施例中，“口”字形加強層四角的引出電極，也可以不是加強層的延伸，是另外蒸鍍的連接加強層四角的金屬膜，即所述引出電極可以設在其它層，由其它層引出。
權利要求
1.一種主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，所述發(fā)光器件包括薄膜晶體管基板、在所述薄膜晶體管基板上的連接所有像素的透明公共陰極、行電極和列電極，其特征在于，在所述透明公共陰極與所述薄膜晶體管基板之間設有良導體的陰極的加強層，所述加強層為“口”字形，“口”字形四角設有引出電極，“口”字形中間是所有像素，所述透明公共陰極的四邊分別連接“口”字形加強層的四條邊。
2.根據(jù)權利要求1所述的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，其特征是，所述“口”字形加強層的四角中至少有一角設有引出電極。
3.根據(jù)權利要求1所述的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，其特征是，所述陰極的加強層是在常規(guī)陰極鍍膜后換蔭罩掩膜再次蒸鍍更厚的導體來形成的加強層。
4.根據(jù)權利要求3所述的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，其特征是，所述“口”字形加強層的“口”字的四邊之中至少有一邊是中間斷開的形狀。
5.根據(jù)權利要求1所述的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，其特征是，所述陰極的加強層是在陰極鍍膜之前先用光刻法形成加強層。
6.根據(jù)權利要求1至5中任何一項所述的主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，其特征是，所述良導體的陰極加強層是金屬材料。
全文摘要
本發(fā)明公開一種主動式有機頂發(fā)光器件的陰極裝置，涉及電子顯示器件技術領域；所述發(fā)光器件包括薄膜晶體管基板、在所述薄膜晶體管基板上的連接所有像素的透明公共陰極、行電極和列電極，其特征在于，在所述透明公共陰極與所述薄膜晶體管基板之間設有良導體的陰極的加強層，所述加強層為“口”字形，“口”字形四角設有引出電極，“口”字形中間是所有像素，所述透明公共陰極的四邊分別連接“口”字形加強層的四條邊。由于增加了加強層，可以降低公共透明陰極的引出電阻，加強該區(qū)域電極的機械強度，提高公共陰極的可靠性，減少陰極上的電壓降，從而改善顯示發(fā)光的均勻性。
文檔編號H05B33/26GK1988168SQ200510111948
公開日2007年6月27日 申請日期2005年12月23日 優(yōu)先權日2005年12月23日
發(fā)明者陳科, 肖田, 黃浩 申請人:上海廣電電子股份有限公司