專利名稱：疊層基板制造方法和用其的組件用半導(dǎo)體元件及制造設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在要求小型化的攜帶用電子設(shè)備等中使用的疊層基板的制造方法和在該方法中使用的組件用半導(dǎo)體元件以及疊層基板的制造設(shè)備。
背景技術(shù)：
用附圖對(duì)現(xiàn)有的疊層基板的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。從圖34到圖39示出了現(xiàn)有的疊層基板的制造工序。圖34是示出了現(xiàn)有的疊層基板的制造工序的流程圖。在圖34中，現(xiàn)有的疊層基板的制造方法，具備向基板1上印刷糊狀焊劑2的糊狀焊劑印刷3，和裝配電子部件4的電子部件裝設(shè)5。此外，還具備回流焊6，和裝設(shè)半導(dǎo)體元件7的裝設(shè)8。此外，還具備注入中間材料9的注入10、干燥11、疊層預(yù)浸材料12的預(yù)浸材料疊層13。此外，還具備在預(yù)浸材料疊層13后加熱、加壓粘接14的各個(gè)制造工序。
圖35是示出了在圖34所示的疊層基板的制造工序的流程圖中，在電子部件裝設(shè)5中的裝設(shè)狀態(tài)的剖面圖。如圖35所示，向在基板1的一個(gè)主面1a上形成的連接圖形21上邊絲網(wǎng)印刷糊狀焊劑2。然后，把電子部件4裝設(shè)到糊狀焊劑2的上邊，在圖34所示的回流焊6中進(jìn)行加熱，把電子部件4裝設(shè)到基板1上。
圖36是示出了在圖34所示的裝設(shè)8中的半導(dǎo)體元件7的裝設(shè)狀態(tài)的剖面圖。把半導(dǎo)體元件7裝設(shè)到基板1的一個(gè)主面1a上。在半導(dǎo)體元件7上形成有突點(diǎn)34，在基板1的上邊形成有連接圖形21a。在半導(dǎo)體元件7與基板1之間存在間隙31。此外，中間存在著糊狀焊劑2地把電子部件4裝設(shè)到基板1的一個(gè)主面1a上。
圖37是示出了圖34的注入10中的中間材料的注入狀態(tài)的剖面圖。注入10為了把被半導(dǎo)體元件7與焊劑突點(diǎn)34圍起來(lái)的間隙31埋起來(lái)，例如用加注器(dispensex)32向半導(dǎo)體元件7與基板1之間注入中間材料33。另外，有時(shí)候也要向電子部件4與基板1之間注入中間材料33，雖然未畫(huà)出來(lái)。在圖34所示的干燥11中使這些中間材料33干燥，把在半導(dǎo)體元件7上形成的突點(diǎn)34和連接圖形21a電連起來(lái)。
圖38示出了圖34所示的預(yù)浸材料疊層13的剖面圖。首先，在預(yù)浸材料疊層13中，把熱硬化性樹(shù)脂的預(yù)浸材料41和銅箔42疊層到已裝設(shè)上半導(dǎo)體元件7的基板1的一個(gè)主面1a上。預(yù)浸材料41在與電子部件4對(duì)應(yīng)的位置和與半導(dǎo)體元件7對(duì)應(yīng)的各自的位置上設(shè)置有孔43、44。在現(xiàn)有的疊層基板的制造方法中，使壓板45的溫度慢慢增加，在175℃～180℃的溫度下保持約90～120分鐘。在壓板45的溫度大體上穩(wěn)定后，邊給壓板45施加約2MPa的壓力邊以預(yù)定的速度壓縮預(yù)浸材料41。然后，在預(yù)浸材料41變成為預(yù)定的厚度時(shí)停止壓板45的移動(dòng)。另外，本身為熱硬化性樹(shù)脂的預(yù)浸材料41，在其溫度到達(dá)85℃之前的期間內(nèi)保持板狀體的形狀。此外，在預(yù)浸材料41的溫度在110℃～150℃的溫度范圍內(nèi)，預(yù)浸材料41則處于流動(dòng)狀態(tài)，在150℃以上的溫度范圍內(nèi)則就要硬化。
圖39是示出了在圖34所示的預(yù)浸材料疊層13和加熱、加壓粘接14中的疊層基板的疊層狀態(tài)的剖面圖。在預(yù)浸材料疊層13中，把熱硬化性樹(shù)脂的預(yù)浸材料41和銅箔42疊層到在干燥11中已固定上半導(dǎo)體元件7的基板1的一個(gè)主面1a上。在加熱、加壓粘接14的制造工序中，把基板1與預(yù)浸材料41夾持在壓板45的一方一側(cè)與另一方一側(cè)之間。然后，加熱、壓縮預(yù)浸材料41。借助于此，預(yù)浸材料41軟化、熔融，含于預(yù)浸材料41內(nèi)的樹(shù)脂(未畫(huà)出來(lái))填充孔43、44。
另外，作為與本申請(qǐng)的發(fā)明關(guān)聯(lián)的先有技術(shù)，例如，在日本特許公開(kāi)、特開(kāi)2002-93957號(hào)公報(bào)、特開(kāi)2003-289128號(hào)公報(bào)和特開(kāi)2003-86949號(hào)公報(bào)中進(jìn)行了介紹。
在這樣的現(xiàn)有的疊層基板的制造方法中，在把樹(shù)脂片材疊層到基板上邊使樹(shù)脂片材與基板一體化的工序之前，已經(jīng)預(yù)先把中間材料等埋入到基板與電子部件之間的間隙內(nèi)。因此，存在著必須進(jìn)行填充中間材料并使之干燥的工序這樣的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供與樹(shù)脂片材與基板的一體化工序同時(shí)進(jìn)行向各種的電子部件與片材之間的間隙內(nèi)流入樹(shù)脂的工序而無(wú)須預(yù)先向基板與電子部件之間的間隙內(nèi)填充中間材料等，可以可靠地向間隙內(nèi)填充含浸于片材內(nèi)的樹(shù)脂而不會(huì)增加制造工序的疊層基板的制造方法。
本發(fā)明的疊層基板的制造方法，具備準(zhǔn)備基板的工序、準(zhǔn)備電子部件的工序、和把電子部件裝設(shè)到設(shè)置在基板的一個(gè)主面上的導(dǎo)電部分上的工序。此外，還具備準(zhǔn)備含浸有在第1溫度范圍內(nèi)保持板狀體，在比第1溫度更高的第2溫度范圍內(nèi)具有熱流動(dòng)性，在比第2溫度范圍高的第3溫度范圍內(nèi)則硬化的熱硬化性樹(shù)脂的片材的工序。此外，是一種還具備準(zhǔn)備為在把片材疊層到了電子部件上時(shí)在電子部件的周?chē)纬煽臻g而在片材上形成了孔的帶孔片材的工序，和把帶孔片材疊層到電子部件上的工序。此外，還具備把帶孔片材加熱到第2溫度范圍以使熱硬化性樹(shù)脂軟化的第1加熱處理工序，在從第2溫度范圍到上述第3溫度范圍內(nèi)壓縮帶孔片材使上述熱硬化性樹(shù)脂流入并填充到電子部件的周?chē)目臻g部?jī)?nèi)的樹(shù)脂流入工序，和把帶孔片材加熱到第3溫度以使熱硬化性樹(shù)脂硬化的第2加熱處理工序的疊層基板的制造方法。
借助于此，由于可迅速地使樹(shù)脂流動(dòng)并填充到在電子部件、片材與基板之間的空間部分及間隙內(nèi)，因此，可以提供可以確實(shí)地在樹(shù)脂片材與基板之間的一體化工序中同時(shí)向間隙內(nèi)填充樹(shù)脂而無(wú)須填充中間材料等的疊層基板的制造方法。
此外，由于不需要用別的途徑注入中間材料的工序，也不需要中間材料，故可以實(shí)現(xiàn)價(jià)格低廉的疊層基板。
再有，由于具有樹(shù)脂流入工序，故即便是在電子部件與基板之間的狹窄的間隙內(nèi)也可以確實(shí)地填充樹(shù)脂。因此，可以實(shí)現(xiàn)可以抑制空腔的發(fā)生的可靠性高的疊層基板。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的疊層基板的制造方法的制造流程圖，圖2是該疊層基板的剖面圖，圖3是焊劑涂敷工序中的疊層基板的剖面圖，圖4是對(duì)應(yīng)的糊狀焊劑印刷工序中的疊層基板的剖面圖，圖5是對(duì)應(yīng)電子部件裝設(shè)工序中的疊層基板的剖面圖，圖6是對(duì)應(yīng)回流焊工序中的疊層基板的剖面圖，圖7是對(duì)應(yīng)預(yù)浸材料疊層工序中的疊層基板的剖面圖，圖8是對(duì)應(yīng)真空化工序中的疊層基板的剖面圖，圖9是對(duì)應(yīng)真空化工序中的疊層基板的剖面圖，圖10是對(duì)應(yīng)軟化工序中的疊層基板的剖面圖，圖11是對(duì)應(yīng)樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中的疊層基板的剖面圖，圖12是對(duì)應(yīng)樹(shù)脂流入工序中的疊層基板的剖面圖，圖13是對(duì)應(yīng)切斷時(shí)的疊層基板的剖面圖，圖14是對(duì)應(yīng)環(huán)氧樹(shù)脂的粘度特性與壓板的壓力特性圖，圖15是對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體元件的間隙的放大圖，圖16A是對(duì)應(yīng)一體化工序中的壓力特性圖，圖16B示出了同上一體化工序中的基板與預(yù)浸材料的合計(jì)厚度之間的關(guān)系，圖16C是對(duì)應(yīng)一體化工序中的氣壓特性圖，圖17是實(shí)施形態(tài)4的疊層基板的制造的流程圖，圖18是實(shí)施形態(tài)4的減壓、疊層裝置的剖面圖，圖19是實(shí)施形態(tài)4的減壓、疊層裝置的剖面圖，圖20是實(shí)施形態(tài)4的樹(shù)脂流入工序的疊層基板的剖面圖，圖21是實(shí)施形態(tài)5的減壓、疊層裝置的剖面圖，圖22是實(shí)施形態(tài)5的減壓、疊層裝置的剖面圖，圖23是實(shí)施形態(tài)5的樹(shù)脂流入工序中的疊層基板的剖面圖，圖24是實(shí)施形態(tài)6的疊層基板的制造方法的制造流程圖，圖25是示出了預(yù)浸材料的懸空狀態(tài)的剖面圖，圖26是同上減壓、疊層中的減壓、疊層裝置的剖面圖，圖27A是表示實(shí)施形態(tài)7的同上減壓、疊層狀態(tài)的剖面圖，圖27B是對(duì)應(yīng)的俯視圖，圖28是示出了實(shí)施形態(tài)8的預(yù)浸材料的懸空狀態(tài)的剖面圖，圖29是示出了實(shí)施形態(tài)9的預(yù)浸材料的懸空狀態(tài)的剖面圖，圖30是示出了實(shí)施形態(tài)8的回流焊的布線基板的剖面圖，圖31是同上半導(dǎo)體元件的主要部分放大剖面圖，圖32是實(shí)施形態(tài)11的半導(dǎo)體元件的底視圖，圖33A到圖33C是實(shí)施形態(tài)12的加熱、壓縮工序的特性圖，圖34是現(xiàn)有的疊層基板的制造流程圖，圖35是同上電子部件裝設(shè)工序中的疊層基板的剖面圖，圖36是同上半導(dǎo)體元件裝設(shè)工序中的疊層基板的剖面圖，圖37是同上中間材料注入工序中的疊層基板的剖面圖，圖38是同上加熱、加壓粘接工序中的疊層基板的剖面圖，圖39是同上疊層基板的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
(實(shí)施形態(tài)1)以下，用附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1進(jìn)行說(shuō)明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)1的疊層基板的制造方法的流程圖。另外，圖1所示的各個(gè)制造工序借助于后述的圖2及圖2以后的說(shuō)明會(huì)了解得更為明白。
參看圖1，首先示出的是準(zhǔn)備基板101、助焊劑112，進(jìn)行助焊劑涂敷111的工序。助焊劑涂敷111，例如是為了把半導(dǎo)體元件105裝設(shè)到基板101的一個(gè)主面101a上而用金屬網(wǎng)板(未畫(huà)出來(lái))把助焊劑112印刷到基板101的一個(gè)主面101a上邊的導(dǎo)電部分(結(jié)合區(qū)圖形)上的制造工序。
糊狀焊劑印刷工序113是在助焊劑涂敷111之后，例如為了把電阻106裝設(shè)到基板101上而用網(wǎng)板向另一個(gè)結(jié)合區(qū)圖形上印刷糊狀焊劑2的工序。網(wǎng)板例如使用不銹鋼制的金屬網(wǎng)板。在網(wǎng)板131的要涂敷助焊劑112的位置上形成凹部。凹部在向結(jié)合區(qū)圖形上印刷糊狀焊劑2時(shí)，防止助焊劑112向網(wǎng)板上的附著。
電子部件裝設(shè)工序114，在糊狀焊劑印刷工序113之后進(jìn)行。用自動(dòng)裝配機(jī)(未畫(huà)出來(lái))把半導(dǎo)體元件105、電阻106等的電子部件裝設(shè)到基板101的一個(gè)主面101a的預(yù)定的位置上。在半導(dǎo)體元件105的下表面一側(cè)上形成有多個(gè)焊劑突點(diǎn)。
回流焊工序115，以比其熔點(diǎn)溫度還高的溫度進(jìn)行熱處理使糊狀焊劑2熔融后，分別焊接固定半導(dǎo)體元件105的焊劑突點(diǎn)和結(jié)合區(qū)圖形、電阻106和結(jié)合區(qū)圖形。結(jié)合區(qū)圖形是在基板101的一個(gè)主面101a上形成的導(dǎo)電部分。
另外，回流焊工序115要在本身為惰性氣體氣氛的例如氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行。借助于此抑制基板101的表面的氧化。
在回流焊工序115之后施行未畫(huà)出來(lái)的清洗處理。除去助焊劑112的殘?jiān)?，使裝設(shè)到半導(dǎo)體元件105上的焊劑突點(diǎn)潔凈化。另外，如果在清洗處理時(shí)，進(jìn)行氧氣灰化處理或硅烷耦合處理，則是更為理想的。如果施行所謂的表面改質(zhì)處理則可以進(jìn)一步提高基板101與預(yù)浸材料141之間的貼緊性。
回流焊工序115是用來(lái)進(jìn)行高品質(zhì)焊接的焊接工序之一。此外，在回流焊工序115中可以借助于自對(duì)準(zhǔn)效果把半導(dǎo)體元件105和電阻106等的電子部件裝設(shè)到預(yù)先所決定的位置上。這無(wú)非是可以把這些電子部件粘接固定到具有預(yù)先所決定的長(zhǎng)度的圖形線路的預(yù)定的位置上。因此，圖形線路的長(zhǎng)度可以保持最初所決定的大小。這樣做，特別在把圖形線路用做電感器的情況下是極其重要的要件。就是說(shuō)，可以把電感器的電感的大小確實(shí)地設(shè)定為預(yù)定的值。特別是在高頻電路中是重要的要件。
預(yù)浸材料疊層工序116，把預(yù)浸材料141疊層到已裝設(shè)到基板101的上邊的各電子部件上。設(shè)置有孔的預(yù)浸材料141，可用作為與預(yù)浸材料疊層工序116不同的制造工序的孔加工工序117制造。在帶孔的預(yù)浸材料141上在要插入半導(dǎo)體元件105和電阻106的部位上已穿設(shè)有孔。
另外，預(yù)浸材料141是使玻璃無(wú)紡布含浸熱硬化性樹(shù)脂并使之干燥后的坯料。熱硬化性樹(shù)脂除去環(huán)氧樹(shù)脂之外，還可以使用酚醛樹(shù)脂等。此外，也可以使用玻璃織物或別的芳香族聚酰胺樹(shù)脂等的樹(shù)脂類(lèi)纖維等的布而不是玻璃無(wú)紡布。
一體化工序118，為了使基板101、預(yù)浸材料141和銅箔145一體化要用焊劑突點(diǎn)不熔融的溫度進(jìn)行熱壓粘接。一體化工序118具備真空化、軟化工序120，流動(dòng)抑制工序121，強(qiáng)制流入工序122、壓縮壓緩和工序122a、硬化工序123和冷卻工序124這些各個(gè)制造工序。
真空化工序119把在預(yù)浸材料疊層工序116中已疊層到基板101上邊的預(yù)浸材料141收納于密封容器內(nèi)。然后，用吸氣器(未畫(huà)出來(lái))把密封容器的內(nèi)部抽成真空狀態(tài)，抽吸存在于疊層基板內(nèi)的空腔等。
軟化工序120是使含浸于預(yù)浸材料141內(nèi)的例如環(huán)氧樹(shù)脂軟化的制造工序。就是說(shuō)，進(jìn)行降低預(yù)浸材料141的粘度以使環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行流動(dòng)那樣的加熱處理。
流動(dòng)抑制工序121進(jìn)行緩和施加到預(yù)浸材料141上的壓縮壓力，使環(huán)氧樹(shù)脂不向基板101和密封容器的外部流出那樣的控制。
強(qiáng)制流入工序122，具有所謂的樹(shù)脂流入工序的功能，是強(qiáng)制性地使含浸于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂向存在于預(yù)浸材料141與半導(dǎo)體元件105、電阻106之間的間隙、空間部分內(nèi)流入、填充的工序。另外，在以后的說(shuō)明中，狹義地把“間隙”用來(lái)指明電子部件的電極部分例如焊劑突點(diǎn)與相鄰的焊劑突點(diǎn)之間的小的空間部部。此外，“空間部分”用來(lái)指明電子部件的外體與其周?chē)g的空間部分。這些廣義地說(shuō)可以定義為“空間部分”。
壓縮壓緩和工序122a，與前工序的強(qiáng)制流入工序122大體上相同，是解除已載置有預(yù)浸材料141的密封容器(未畫(huà)出來(lái))的真空狀態(tài)的工序。在預(yù)浸材料141受到壓力時(shí)，含浸于其中的環(huán)氧樹(shù)脂，就被置于更為易于向存在于預(yù)浸材料141與半導(dǎo)體元件105、電阻106之間的間隙、空間部分流入的狀態(tài)。因此，可以把壓縮壓緩和工序122a看作是前工序的強(qiáng)制流入工序122的一部分。
硬化工序123具有使預(yù)浸材料141的流動(dòng)性喪失的加熱處理和使之完全硬化的加熱處理這2個(gè)目的。
冷卻工序124，在前工序的硬化工序123中，在預(yù)浸材料141硬化后進(jìn)行。冷卻工序124為了抑制疊層基板的彎曲，此外，還為了防止在基板101的上邊形成的導(dǎo)電部分，就是說(shuō)結(jié)合區(qū)圖形(在后述中用標(biāo)號(hào)104a、104b表示)與環(huán)氧樹(shù)脂(在后述中用標(biāo)號(hào)108表示)之間的界面上的剝離而要慢慢冷卻。
切斷工序125是切除流出到基板101的外側(cè)的樹(shù)脂的工序。此外，切斷工序125也是使疊層基板整體的尺寸整齊劃一為預(yù)定的大小的工序。
圖2示出了根據(jù)圖1所示的疊層基板的制造工序所形成的疊層基板100的剖面圖。疊層基板100具備基板101?；?01由熱硬化性的樹(shù)脂基板構(gòu)成，其內(nèi)部用多層構(gòu)成，雖然未畫(huà)出來(lái)。各層的上表面上敷設(shè)有銅箔圖形，分別形成預(yù)定的電子電路。各層的上表面和下表面，就是說(shuō)層內(nèi)，已用內(nèi)部通路(未畫(huà)出來(lái))電連起來(lái)。
在基板101的一個(gè)主面101a上形成結(jié)合區(qū)圖形104a、104b。半導(dǎo)體元件105通過(guò)焊劑突點(diǎn)102連接到結(jié)合區(qū)圖形104a上。焊劑突點(diǎn)102已預(yù)先裝設(shè)到半導(dǎo)體元件105上。它們?cè)谶B接到結(jié)合區(qū)圖形104a上之前已經(jīng)一體化。在結(jié)合區(qū)圖形104b的上邊形成焊劑107。焊劑107使用錫、銀或銅系的無(wú)鉛焊劑。之所以采用無(wú)鉛焊劑107，是因?yàn)樗鼈儾缓杏泻Φ奈镔|(zhì)，不會(huì)對(duì)人體、環(huán)境造成壞的影響。
另外，也可以不使用焊劑107而代之以使用具有熱硬化性的導(dǎo)電性粘接劑。導(dǎo)電性粘接劑的熔融溫度比焊劑高。因此，即便是在使用該導(dǎo)電性粘接劑的部位的附近進(jìn)行別的焊劑連接而且暴露于高溫環(huán)境下，也可以防患于未然地防止半導(dǎo)體元件105、電阻106從基板101上脫落下來(lái)。
把半導(dǎo)體元件105和電阻106埋設(shè)到預(yù)浸材料141內(nèi)，被預(yù)浸材料141和含浸于其中的環(huán)氧樹(shù)脂108包圍起來(lái)，特別是焊劑突點(diǎn)102與別的焊劑突點(diǎn)102之間的間隙(未畫(huà)出來(lái))以及焊劑107和別的焊劑107之間的間隙(未圖示)用環(huán)氧樹(shù)脂108填充起來(lái)。
在預(yù)浸材料141的上方部分上形成有銅箔圖形145?？梢灶A(yù)先使銅箔圖形145具有目的為使得從外部進(jìn)來(lái)的不希望的信號(hào)不會(huì)給疊層基板100造成壞影響的屏蔽效果或者預(yù)先在銅箔圖形145上形成預(yù)定的電路圖形。
另外，圖2所示的疊層基板100示出了用本發(fā)明的制造方法的一種方法完成的一個(gè)例子。在以后的說(shuō)明中將要示出疊層基板的若干種制造方法。但是，應(yīng)當(dāng)把這些制造方法完成后的最終狀態(tài)理解為都與圖2所示的最終狀態(tài)并不相同。
(實(shí)施形態(tài)2)
在實(shí)施形態(tài)2中對(duì)圖1所示的疊層基板的制造方法的主要的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。借助于實(shí)施形態(tài)2的說(shuō)明，就會(huì)進(jìn)一步弄明白圖1所示的疊層基板的制造工序。
圖3示出了在圖1所示的助焊劑涂敷111中的疊層基板的剖面圖。在基板101的一個(gè)主面101a上，為了裝設(shè)半導(dǎo)體元件105和電阻106(參看圖2或圖5)，分別形成結(jié)合區(qū)圖形104a、104b。用金屬網(wǎng)板(未畫(huà)出來(lái))把助焊劑112印刷到結(jié)合區(qū)圖形104a的上邊。
圖4示出了在圖1所示的助焊劑涂敷111之后進(jìn)行的糊狀焊劑印刷工序113中的疊層基板的剖面圖。在糊狀焊劑印刷工序113中，用網(wǎng)板131把糊狀焊劑2印刷到用來(lái)裝設(shè)電阻106的結(jié)合區(qū)圖形104b上邊。要使用在網(wǎng)板131的要涂敷助焊劑112的位置上形成了凹部126的例如不銹鋼制的金屬網(wǎng)板。凹部126是為了在印刷糊狀焊劑2時(shí)防止助焊劑112附著到網(wǎng)板131而設(shè)置的。另外，多余的糊狀焊劑2可用加注器32除掉。
圖5示出了圖1所示的電子部件裝設(shè)工序114中的疊層基板的剖面圖。在這里，所謂電子部件，例如除去半導(dǎo)體元件105和電阻106之外，還可以舉出電容器、線圈和變壓器等。這些電子部件，可用自動(dòng)裝配機(jī)(未畫(huà)出來(lái))裝設(shè)(安裝)到基板101的預(yù)定的位置上。
在半導(dǎo)體元件105的下表面105a，就是說(shuō)，在距基板101最近的半導(dǎo)體元件105的面一側(cè)上預(yù)先已形成了多個(gè)焊劑突點(diǎn)102。然后把焊劑突點(diǎn)102連接到結(jié)合區(qū)圖形104a上。在電阻106的下表面106a一側(cè)形成有未畫(huà)出來(lái)的電極，這些電極通過(guò)糊狀焊劑2被連接到基板101的上邊的結(jié)合區(qū)圖形104b上。
圖6是圖1所示的回流焊工序115中的疊層基板的剖面圖?；亓骱腹ば?15使糊狀焊劑2熔融。借助于此，分別把電阻106與結(jié)合區(qū)圖形104b以及半導(dǎo)體元件105的焊劑突點(diǎn)102與結(jié)合區(qū)圖形104a焊接固定起來(lái)。圖6所示的疊層基板結(jié)果就變成為與前工序的電子部件裝設(shè)工序114大體上相同的狀態(tài)。不同之處是糊狀焊劑2因熔融而擴(kuò)展到了電阻106的側(cè)部上。此外，該圖還示出了已裝設(shè)到半導(dǎo)體元件105上的焊劑突點(diǎn)102也因熔融而被形成為把結(jié)合區(qū)圖形104a覆蓋起來(lái)。另外，在圖6中，對(duì)于那些與圖5相同的部位賦予同一標(biāo)號(hào)。
另外，回流焊工序115，是為了高品質(zhì)地形成優(yōu)質(zhì)焊接而進(jìn)行的。該回流焊工序115是焊接處理?？山柚谧詫?duì)準(zhǔn)效果把回流焊焊接后的電子部件固定到預(yù)定的位置上。因此，由于可以高精度地把電子部件固定到預(yù)定的位置上，故連接到該部件上的圖形線路的長(zhǎng)度就將變成為恒定。即，在要把圖形線路用做電感器之類(lèi)的情況下，電感值將變成為恒定，可以使電特性收斂到所希望的范圍內(nèi)。該問(wèn)題在高頻電路中特別重要。
另外，在回流焊工序115之后用清洗工序(未畫(huà)出來(lái))進(jìn)行清洗，使助焊劑112的殘?jiān)蚝竸┩稽c(diǎn)102等潔凈化。然后，若再進(jìn)行已施行了氧氣灰化處理或硅烷耦合處理等的所謂的表面改質(zhì)處理則更好。這是因?yàn)榭梢越柚谶@些表面改質(zhì)處理進(jìn)一步提高基板101與預(yù)浸材料141之間的貼緊性。
圖7是圖1所示的預(yù)浸材料疊層工序116中的疊層基板200的剖面圖。預(yù)浸材料疊層工序116被設(shè)置在回流焊工序115的后邊，是把帶孔預(yù)浸材料141(用做片材的一個(gè)例子)疊層到基板101上邊的工序。該帶孔預(yù)浸材料141，已在孔加工工序117(參看圖1)中，在預(yù)浸材料141上預(yù)先加工好了要插入半導(dǎo)體元件105的孔146和將要插入電阻106的孔142。在孔加工工序117的工序時(shí)所準(zhǔn)備的預(yù)浸材料141是使熱硬化性樹(shù)脂含浸到玻璃無(wú)紡布內(nèi)，然后使之干燥的預(yù)浸材料。在實(shí)施形態(tài)2中，作為熱硬化性樹(shù)脂使用的是環(huán)氧樹(shù)脂。但是，也可以使用酚醛等別的熱硬化性樹(shù)脂。此外，在實(shí)施形態(tài)2中，雖然使用的是玻璃無(wú)紡布，但是也可以使用玻璃織物或別的芳香族聚酰胺樹(shù)脂等的樹(shù)脂系纖維等的布。
孔146，在與半導(dǎo)體元件105之間具有空間部分143。因此，可以容易地把帶孔預(yù)浸材料141疊層到已裝設(shè)上半導(dǎo)體元件105的基板101上。此外，同樣，由于孔142與電阻106的外周之間也設(shè)置有空間部分144，故可以容易地把帶孔預(yù)浸材料141疊層到已裝設(shè)上電阻106的基板101上。
此外，由于可用回流焊焊接裝設(shè)半導(dǎo)體元件105或電阻106等的電子部件，故可以借助于糊狀焊劑2的熔融而達(dá)到的自對(duì)準(zhǔn)效果以高的精度進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)。借助于此，就可以確實(shí)地把電子部件裝設(shè)到基板101的預(yù)定的位置上，即，由于裝設(shè)半導(dǎo)體元件105或電阻106的位置對(duì)準(zhǔn)精度是良好的，故可以減小空間部分143、144。因此，就易于使環(huán)氧樹(shù)脂108向間隙156、157內(nèi)流入(填充)。另外，既是空間部分143又是半導(dǎo)體元件105的上表面方向的空間部分143a的大小，約為0.4mm?？臻g部分144的電阻106的上表面方向的空間部分144a的大小，約為0.2mm。得益于設(shè)置空間部分143a、144a，即便是半導(dǎo)體元件105或電阻106的裝設(shè)位置從預(yù)定的裝設(shè)位置偏移開(kāi)來(lái)，也可以容易地疊層預(yù)浸材料141。
在基板101的一個(gè)主面101a上按照預(yù)浸材料141a～141f的順序疊層6片由各個(gè)0.2mm厚度的預(yù)浸材料141a～141f構(gòu)成的預(yù)浸材料141。在基板101的一個(gè)主面101a上按照順序疊層從預(yù)浸材料141a到141d的4塊的片材。此外，在這些片材上個(gè)別地形成有要插入半導(dǎo)體元件105和電阻106的孔146、142。
此外，在疊層到預(yù)浸材料141d的上表面上的預(yù)浸材料141e上，設(shè)置要插入電阻106的孔142，不設(shè)置要插入半導(dǎo)體元件105的孔146。就是說(shuō)，設(shè)置與半導(dǎo)體元件105、106等的電子部件的高度對(duì)應(yīng)的孔。另外，可以在半導(dǎo)體元件105及電阻106的上方一側(cè)也預(yù)先設(shè)置有空間部分143a、144a。這是因?yàn)橐龀蔀槭沟冒雽?dǎo)體元件105及電阻106不會(huì)因在后述的一體化工序118中預(yù)浸材料141所受到的壓縮壓力而破壞的緣故。即，這樣做就是為了在環(huán)氧樹(shù)脂108軟化前，防止給半導(dǎo)體元件105及電阻106等的電子部件加上過(guò)分的壓縮壓力。
另外，在實(shí)施形態(tài)2中示出了把半導(dǎo)體元件105和電阻106這2種的電子部件裝設(shè)到了基板101的一個(gè)主面101a上的情況。因此，預(yù)浸材料141的疊層塊數(shù)例如采用的是6塊。但是，在要裝設(shè)更為多種、多樣的電子部件的情況下，結(jié)果就變成為也存在著多種的電子部件的高度。就必須設(shè)定與這些各種各樣的電子部件的高度對(duì)應(yīng)的間隙的高度。因此，即便是為了應(yīng)對(duì)這樣的情況，也可以使用厚度更薄的預(yù)浸材料、增加疊層塊數(shù)。例如可以使用厚度0.1mm的預(yù)浸材料將之疊層12塊或把2種或2種以上的厚度的預(yù)浸材料混合起來(lái)進(jìn)行疊層。但是，在該情況下，由于結(jié)果變成為增加預(yù)浸材料的疊層次數(shù)，故理想的是做成為使得在可以對(duì)應(yīng)電子部件的高度的差異的范圍內(nèi)盡可能地減少疊層塊數(shù)。
然后，把未形成孔146、142中的任何一方的預(yù)浸材料141f載置到預(yù)浸材料141e的上表面一側(cè)上，再在該預(yù)浸材料141f的整個(gè)上表面上設(shè)置銅箔145。
圖8是示出了本身為圖1所示的一體化工序118之一的真空化工序119的初始的狀態(tài)的剖面圖。另外，一體化工序118，具備真空化工序119、軟化工序120、流動(dòng)抑制工序121、強(qiáng)制流入工序122、壓縮壓緩和工序122a、硬化工序123和冷卻工序124的各個(gè)工序。
參看圖8，作為壓縮預(yù)浸材料141的一個(gè)裝置準(zhǔn)備壓板151、152。壓板151、152用伸縮壁153進(jìn)行連接，借助于此，構(gòu)成密封容器154。在配置在密封容器154的下部上的壓板152上裝載上圖7所示的疊層基板200。就是說(shuō)，疊層基板200已被收納于密封容器154的大體上的中央部分上。在壓板152的外周上，設(shè)置用來(lái)抽出密封容器154內(nèi)的空氣的孔155。從孔155抽出密封容器154內(nèi)的空氣施行真空化處理。
加熱器160作為加熱預(yù)浸材料141的一種加熱裝置被埋入到壓板151、152內(nèi)。作為精細(xì)而正確地驅(qū)動(dòng)壓板152的工作的一個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置準(zhǔn)備有伺服電機(jī)162。此外，在伺服電機(jī)162與壓板152之間還準(zhǔn)備有減速機(jī)構(gòu)163。然后，在用該減速機(jī)構(gòu)163把旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)變換為往復(fù)運(yùn)動(dòng)的同時(shí)，還使伺服電機(jī)162的旋轉(zhuǎn)減速。另外，在實(shí)施形態(tài)2的減速機(jī)構(gòu)163中還使用球形螺母軸承。因此，可以精細(xì)且正確地控制壓板152的位置。
在壓板151、152中，還設(shè)置有溫度傳感器、壓力傳感器和位置傳感器(未畫(huà)出來(lái))。來(lái)自這些傳感器的輸出和存儲(chǔ)器(未圖示)已連接到控制電路(未畫(huà)出來(lái)，用作驅(qū)動(dòng)裝置控制電路以及加熱裝置控制電路的一個(gè)例子)的輸入上。然后，該控制電路的輸出，連接到伺服電機(jī)162的輸入、加熱器160的輸入和真空化裝置上，控制這些裝置的工作。另外，在該控制電路上連接有時(shí)鐘定時(shí)器的輸出，也進(jìn)行一體化工序118的時(shí)間的管理。
此外，在實(shí)施形態(tài)2中，由于環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度取決于溫度而變化，故把該環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度轉(zhuǎn)換成溫度后進(jìn)行管理。此外，在存儲(chǔ)器中把對(duì)一體化工序118中的傳感器的輸出的判定條件變成為數(shù)據(jù)存放起來(lái)，控制電路比較、判定這些數(shù)據(jù)和來(lái)自各個(gè)傳感器的輸出，對(duì)加熱器160或伺服電機(jī)162或真空化工序119等進(jìn)行控制。
然后，借助于吸氣器(未畫(huà)出來(lái))從設(shè)置在壓板152上的孔155把密封容器154內(nèi)的空氣抽出來(lái)，使密封容器154內(nèi)變成為大體上的真空狀態(tài)。這時(shí)使孔146、142內(nèi)變成為大體上的真空是重要的。這是因?yàn)椴捎檬箍?46、142內(nèi)變成為真空的辦法，確實(shí)地把后述的強(qiáng)制流入工序122中的預(yù)浸材料141中的環(huán)氧樹(shù)脂108填充到空間部143、144，基板101和半導(dǎo)體元件105之間夾穿的間隙156，基板101與電阻106之間的狹窄的間隙157等內(nèi)的緣故。實(shí)施形態(tài)2的間隙156的大小為從約40微米到約350微米，間隙157的間隙為大約10微米到大約40微米，就是說(shuō)，與空間部分143或空間部分144比是非常小的。
另外，在實(shí)施形態(tài)2中，為了便于說(shuō)明，是用裝設(shè)有1個(gè)半導(dǎo)體元件105和2個(gè)電阻106的例子進(jìn)行的說(shuō)明，但是，實(shí)際上可以把更多的電子部件裝設(shè)到基板101上邊。此外，若考慮疊層基板的生產(chǎn)性，則基板101的尺寸大是理想的。因此，結(jié)果就變成為實(shí)際上在疊層基板上在更多的部位上存在著空間部分143、144及間隙156、157。于是，在真空化工序119中，抽出存在于這些為數(shù)眾多的空間部分143、144及間隙156、157內(nèi)的空氣是重要的。
實(shí)施形態(tài)2的預(yù)浸材料141，使用多塊在常溫下不具有粘性的預(yù)浸材料。因此，就要做成為使得采用在軟化工序120之前設(shè)置真空化工序119的辦法，在預(yù)浸材料141內(nèi)不產(chǎn)生粘性，在預(yù)浸材料141彼此間或預(yù)浸材料141與基板101之間不進(jìn)行粘接。即，要在預(yù)浸材料141中產(chǎn)生粘性之前結(jié)束真空化工序119。借助于此，就可以從各個(gè)預(yù)浸材料141彼此間及預(yù)浸材料141與基板101之間的間隙等抽出空氣，使空間部分143、144及間隙156、157變成為大體上的真空。
圖9示出了圖1所示的真空化工序119的后半部分中的疊層基板的狀態(tài)。采用使密封容器154之內(nèi)變成為真空化的辦法，就被置于給預(yù)浸材料141加上了約0.2Mpa的負(fù)壓的狀態(tài)。采用施行真空化的辦法，就可以把基板101，疊層起來(lái)的預(yù)浸材料141和銅箔145夾持在壓板151與壓板152之間。另外，在圖9中，對(duì)于與圖8相同的部位賦予同一標(biāo)號(hào)。
圖10的剖面圖示出了圖1所示的軟化工序120中的疊層基板狀態(tài)。軟化工序120要在真空化119之后進(jìn)行。具備在施行軟化119的處理時(shí)，采用加熱加熱器160的辦法，使含浸于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂108軟化的第1加熱工序。使環(huán)氧樹(shù)脂108上升到約110℃，使粘度下降到約2100ps。另外，該粘度是歸因于在實(shí)施形態(tài)2的真空化工序119中進(jìn)行的真空化而產(chǎn)生的壓力(0.2MPa)中環(huán)氧樹(shù)脂108開(kāi)始流動(dòng)的粘度。
預(yù)浸材料141，由于可借助于壓板151、152用0.2MPa這一比較小的壓力進(jìn)行壓縮，故可以使壓板151貼緊到銅箔145的表面上。因此，可以使加熱器160的熱確實(shí)地向預(yù)浸材料141傳遞，能效提高，可以實(shí)現(xiàn)加熱裝置的節(jié)能化。
圖11是圖1所示的樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121中的疊層基板的剖面圖。樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121，設(shè)置在軟化工序120之后。在這里，把加熱器160加熱到達(dá)到環(huán)氧樹(shù)脂108可以流動(dòng)的粘度為止。這是因?yàn)樵诤笫龅膹?qiáng)制流入工序122中，樹(shù)脂108的粘度盡可能小的一方易于向間隙156、157流入的緣故。
為此，即便是因真空化工序119而發(fā)生的程度比較小的壓力(0.2MPa)，也可以把環(huán)氧樹(shù)脂108填充到基板101的外側(cè)、空間部分143、144、間隙156、157內(nèi)。例如，當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂108向比基板101更往外流出時(shí)，在后述的強(qiáng)制流入工序122中，結(jié)果就變成為環(huán)氧樹(shù)脂108的量就相應(yīng)地減少，使得填充間隙156、157所充分的環(huán)氧樹(shù)脂不足。
此外，在軟化工序120中壓板151、152，由于沿上下方向把基板101及預(yù)浸材料141夾在中間進(jìn)行加熱，故在距設(shè)置在壓板151、152內(nèi)的加熱器160近的部位和遠(yuǎn)的部位之間就會(huì)產(chǎn)生溫度差。通常，間隙156、157，在從壓板151、152離開(kāi)距離的位置上形成。為此，間隙156、157的溫度，要比環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度還低。因此，在施行強(qiáng)制流入工序122之前的階段中，如果環(huán)氧樹(shù)脂108向間隙156、157流入，則環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度就要降低。其結(jié)果是流入到間隙156、157內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度變大，在強(qiáng)制流入工序122中，不會(huì)向間隙內(nèi)流入更多的環(huán)氧樹(shù)脂108，成為空腔等的發(fā)生的主要因素。
于是，在實(shí)施形態(tài)2中，就要在軟化工序120與強(qiáng)制流入工序122之間施行樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121的處理。就是說(shuō)，在樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121中，從環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)開(kāi)始，到強(qiáng)制性地流入環(huán)氧樹(shù)脂108為止的期間內(nèi)，要做成為緩和由壓板151、152產(chǎn)生的加往預(yù)浸材料141的壓縮壓力，使得環(huán)氧樹(shù)脂108不流動(dòng)。借助于此，就可以抑制環(huán)氧樹(shù)脂108向外流出。此外，環(huán)氧樹(shù)脂108還難于進(jìn)入空間部分、間隙156、157內(nèi)，在強(qiáng)制流入工序122中，可以使環(huán)氧樹(shù)脂確實(shí)地向間隙內(nèi)填充。
另外，為了緩和壓縮壓力，也可以把已連接到壓板152上的伺服電機(jī)162用做壓縮樹(shù)脂流動(dòng)抑制裝置。即采用伺服電機(jī)162根據(jù)溫度傳感器的信號(hào)，使壓板152向圖11所示的標(biāo)號(hào)B方向移動(dòng)的辦法，緩和要加給環(huán)氧樹(shù)脂108的壓縮壓力。另外，由于環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度取決于溫度而變化，故該環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度要轉(zhuǎn)換為溫度后進(jìn)行管理。
就如以前所說(shuō)的那樣，在壓板151、152這一側(cè)(未畫(huà)出來(lái))具備溫度傳感器、壓力傳感器和位置傳感器。此外，還具備驅(qū)動(dòng)裝置控制電路、加熱裝置控制電路和存儲(chǔ)器。在這里，在存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)有環(huán)氧樹(shù)脂108開(kāi)始流動(dòng)的流動(dòng)開(kāi)始溫度數(shù)據(jù)。此外，控制電路對(duì)用溫度傳感器所檢測(cè)到的信號(hào)和流動(dòng)開(kāi)始溫度數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，在判定為已達(dá)到了環(huán)氧樹(shù)脂108開(kāi)始流動(dòng)溫度的情況下，就驅(qū)動(dòng)伺服電機(jī)162。然后，控制電路，采用接收來(lái)自壓力傳感器的壓力信號(hào)，控制伺服電機(jī)162的辦法，進(jìn)行使壓板152的壓力變成為預(yù)定的壓力那樣的控制。
另外，為了抑制環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)，理想的是使壓板151、152與基板101、預(yù)浸材料141接觸，并以盡可能低的壓力進(jìn)行保持。在此，把樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121的壓力，定為約0.1MPa。借助于此就可以抑制環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)，在后述的強(qiáng)制流入工序122中，就可以確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂108。
圖12是圖1所示的強(qiáng)制流入工序122中的疊層基板的剖面圖。強(qiáng)制流入工序122，在樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121之后施行。在強(qiáng)制流入工序122中，預(yù)浸材料141被壓縮、減小到最初的厚度的約2/3的大小。預(yù)浸材料141中的含于玻璃無(wú)紡布內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂108流出，填充空間部分143、144及間隙156、157整體。即，使壓板152高速地向圖12所示的箭頭C的方向移動(dòng)，以高速壓縮預(yù)浸材料141。借助于此，一并地使軟化后的環(huán)氧樹(shù)脂108流入空間部分143、143a、144、144a以及間隙156、157，填充這些空間部分、間隙。采用加大壓板152的壓縮速度的辦法，就可以用短的時(shí)間對(duì)間隙156、157注入、填充環(huán)氧樹(shù)脂。
間隙156、157的大小，與空間部分143、144的大小相比非常小。為此，在環(huán)氧樹(shù)脂108向該間隙156、157流入時(shí)就要發(fā)生大的壓力損耗。此外，由于環(huán)氧樹(shù)脂108是粘性流體，故環(huán)氧樹(shù)脂108在與基板101、半導(dǎo)體元件105及電阻106之間的接觸面上將產(chǎn)生摩擦。
由于半導(dǎo)體元件105具有焊劑突點(diǎn)102，故環(huán)氧樹(shù)脂108流動(dòng)的通路的寬度歸因于焊劑突點(diǎn)102反復(fù)進(jìn)行縮小、擴(kuò)大。因此，特別是該間隙156中的環(huán)氧樹(shù)脂108的壓力損耗會(huì)增大。于是，重要的是要做成為采用增大該環(huán)氧樹(shù)脂108的流速的辦法，使得到對(duì)于間隙156、157填充完畢之前的期間內(nèi)環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)不會(huì)歸因于壓力損耗及摩擦力而停止。
此外，即便是在正在進(jìn)行強(qiáng)制流入工序122的期間內(nèi)，也要用加熱器160繼續(xù)進(jìn)行加熱。因此，可以使環(huán)氧樹(shù)脂108對(duì)空間部分143、143a、144、144a以及間隙156、157的填充在短時(shí)間內(nèi)結(jié)束。這是因?yàn)橛捎陬A(yù)浸材料141是熱硬化性樹(shù)脂，故可以借助于來(lái)自加熱器160的加熱，使含浸于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度上升、防止硬化的緣故。
另外，壓板152，以約大于等于300mm/秒的高速進(jìn)行壓縮。借助于此，使環(huán)氧樹(shù)脂108自身產(chǎn)生流動(dòng)，一并對(duì)空間部分143、143a、144、144a以及間隙156、157注入、填充環(huán)氧樹(shù)脂108。此外，為了迅速而且正確地驅(qū)動(dòng)壓板152而使用響應(yīng)性良好的伺服電機(jī)162，故可以對(duì)壓板152提供急劇的加速度。然后，采用與制動(dòng)機(jī)構(gòu)161接觸的辦法使壓板152的移動(dòng)靜止下來(lái)。
壓縮壓緩和工序122a(參看圖1)是作為前工序的強(qiáng)制流入工序122的后工序準(zhǔn)備的。但是，實(shí)際上壓縮壓緩和工序122a與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)進(jìn)行。就是說(shuō)，可以認(rèn)為即便是與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)解除真空，間隙156、157的真空也可以保持。在強(qiáng)制流入工序122中，若變成為真空解除狀態(tài)，則結(jié)果就變成為預(yù)浸材料141在向內(nèi)側(cè)進(jìn)行壓縮的方向上也會(huì)受到壓力。
于是，與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)解除真空狀態(tài)，使密封容器154(參看圖8)的內(nèi)部大體上恢復(fù)為大氣壓。借助于此，在強(qiáng)制流入工序122中，由于在可借助于壓板151、152沿上下方向進(jìn)行壓縮的同時(shí)從側(cè)面方向也施加壓力，故使得環(huán)氧樹(shù)脂108變得易于向間隙156、157內(nèi)流入。就是說(shuō)，借助于強(qiáng)制流入工序122和壓縮壓緩和工序122a這2個(gè)工序，就可以迅速而確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)注入填充環(huán)氧樹(shù)脂108。
示出了硬化工序123(參看圖1)的詳細(xì)的圖面，在圖2及其以后也沒(méi)有充分地畫(huà)出來(lái)。硬化工序123是出于使環(huán)氧樹(shù)脂108硬化的目的而準(zhǔn)備的。該硬化工序123，具有在焊劑突點(diǎn)102及焊劑107的液相線溫度以下進(jìn)行加熱，用來(lái)使預(yù)浸材料141的流動(dòng)性喪失的第1加熱工序，和在該加熱工序后，使預(yù)浸材料141完全硬化的第2加熱工序。
在這里，重要的是要做成為使得在第1加熱工序中，在比焊劑突點(diǎn)102、焊劑107的液相線溫度低的溫度下，預(yù)浸材料141喪失流動(dòng)性。由于焊劑突點(diǎn)102、焊劑107使用的是熔點(diǎn)約217℃的無(wú)鉛焊劑，故理想的是使在第1加熱工序中的使環(huán)氧樹(shù)脂108喪失流動(dòng)性的溫度至少變成為約小于等于200℃。于是，在溫度約150℃下使環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)性喪失。為此，由于在溫度150℃下的環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度為約24000ps，故使第2加熱工序中的壓力定為約4MPa，使得大于等于該粘度就不流動(dòng)。
借助于此，在第1加熱工序中使環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)性喪失，然后，在第2加熱工序中使環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度上升到180℃，確實(shí)地使環(huán)氧樹(shù)脂108硬化。因此，在第1加熱工序中，由于結(jié)果變成為環(huán)氧樹(shù)脂108在約150℃喪失流動(dòng)性，故在半導(dǎo)體元件105與基板101之間及電阻106與基板101之間的連接不會(huì)脫落。
當(dāng)硬化工序123結(jié)束后，就要進(jìn)入下一個(gè)工序的冷卻工序124。冷卻工序124中的疊層基板的剖面圖也與前工序的硬化工序123同樣未畫(huà)出來(lái)。冷卻工序124，以平緩的溫度梯度冷卻預(yù)浸材料141。為此，保持預(yù)浸材料141被壓板151、152挾持著的原狀不變地邊控制加熱器160的溫度邊慢慢冷卻。另外，該冷卻工序124要一直進(jìn)行到變成為低于等于?；c(diǎn)(用TMA測(cè)定法為160℃)的溫度為止。之后使壓板151、152開(kāi)放以進(jìn)行自然冷卻。借助于此，就可以減小歸因于與銅箔145或環(huán)氧樹(shù)脂108之間的線膨脹系數(shù)之差而產(chǎn)生的收縮量之差，可以減小疊層基板的彎曲。此外，還可以防止在基板101上邊的導(dǎo)電部分，就是說(shuō)結(jié)合區(qū)圖形104a、104b與環(huán)氧樹(shù)脂108之間的界面上產(chǎn)生的剝離等。
圖13示出了作為圖1所述的最終工序的切斷工序125的狀態(tài)。切斷工序125，是切除借助于強(qiáng)制流入工序122向基板101的外側(cè)流出去的樹(shù)脂172的工序。在該切斷工序125中，采用是使切片刀171旋轉(zhuǎn)的辦法，切除多余的樹(shù)脂172。另外，要切斷基板101和樹(shù)脂172的雙方而不僅僅切除多余的樹(shù)脂172部分。這是因?yàn)橐捎们袛嗫炕?01的端部的內(nèi)側(cè)的辦法，使疊層基板的尺寸整齊劃一為大體上恒定的尺寸的緣故。疊層基板歸因于熱處理等不僅在厚度方向上在長(zhǎng)度方向上也伸縮，在疊層基板的大小上產(chǎn)生不均。于是，就要進(jìn)行借助于切斷工序125使疊層基板的尺寸整齊劃一為預(yù)定的大小的加工。
如上所述，在一體化工序118中，特別是借助于軟化工序120加熱到可流動(dòng)的溫度。此外，借助于從軟化工序120到壓縮壓緩和工序122a的加熱、壓縮工序118a，根據(jù)環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度或溫度等邊對(duì)提供給預(yù)浸材料141和基板101的溫度、壓板152的壓力及速度進(jìn)行控制邊進(jìn)行加熱壓縮。通過(guò)采用具有這些特征的本發(fā)明的制造方法，使基板101與預(yù)浸材料141一體化，形成上述的圖2所述的疊層基板。
另外，對(duì)在圖2中設(shè)置在最上層的銅箔145進(jìn)行刻蝕，形成布線圖形110。因此，使用該圖形110，就可以在最上層上形成電路或其布線以及端子等。此外，若連接到地線上而不進(jìn)行該銅箔145的刻蝕，則可以用做接地平面或用做屏蔽。
(實(shí)施形態(tài)3)其次，對(duì)在圖1和圖8～圖12所述的一體化工序118中向間隙156、157內(nèi)注入環(huán)氧樹(shù)脂108的機(jī)理進(jìn)行說(shuō)明。在這里，首先用附圖對(duì)環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度與壓力以及粘度特性之間的關(guān)系進(jìn)行說(shuō)明。
圖14是環(huán)氧樹(shù)脂108的特性圖，橫軸示出的是溫度，左側(cè)的縱軸示出的是粘度，右側(cè)的縱軸示出的是壓縮壓力。在圖14中，標(biāo)號(hào)204表示含于預(yù)浸材料141中的環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度特性，標(biāo)號(hào)205表示預(yù)浸材料從壓板151、152受到的壓力。
環(huán)氧樹(shù)脂108，如用粘度特性204所示，具有在常溫下沒(méi)有粘性，隨著溫度上升而軟化，粘度降低的特性。溫度Ta1是環(huán)氧樹(shù)脂108開(kāi)始流動(dòng)的溫度。這時(shí)的粘度用v1表示。到達(dá)溫度Ta1之前預(yù)浸材料是板狀體，未形成流動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)從溫度Ta1上升達(dá)到了流動(dòng)溫度Ta2后，就變成為最低粘度v2。以該溫度Ta2為邊界粘度增加，促進(jìn)硬化。在這里，Ta2約為133℃。這時(shí)的最低粘度v2約為1150ps。
另外，在上述的一體化工序118中一直給環(huán)氧樹(shù)脂108施加有壓力。即，環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)，由施加給該環(huán)氧樹(shù)脂108的壓力和環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度(溫度)決定。
其次，觀察壓板151、152的壓力特性可知，在圖1所示的軟化工序120中施加壓力P1，在硬化工序123中施加壓力P2，在強(qiáng)制流入工序122中施加大于等于壓力P2的2倍的瞬間峰值壓力Pmax。
其次，環(huán)氧樹(shù)脂108在壓力P1下就變成為在溫度Ta1下開(kāi)始流動(dòng)的流動(dòng)開(kāi)始粘度v1。即，環(huán)氧樹(shù)脂108在從常溫到溫度Ta1的溫度區(qū)域S1(第1溫度區(qū)域)中是板狀體，尚未變成為流動(dòng)狀態(tài)。在壓力P1是0.2MPa時(shí)，流動(dòng)開(kāi)始粘度是2100ps，這時(shí)的溫度Ta1約為110℃。
其次，當(dāng)超過(guò)了該溫度Ta1時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度，在溫度Ta2下將降低到最低粘度v2。然后，在溫度Ta1與溫度Ta2之間的溫度區(qū)域S2(第2溫度范圍)中進(jìn)行強(qiáng)制流入工序122。
當(dāng)強(qiáng)制流入工序122結(jié)束后，就用硬化工序123使環(huán)氧樹(shù)脂108硬化。在硬化工序123中給環(huán)氧樹(shù)脂108施加壓力P2。環(huán)氧樹(shù)脂108，當(dāng)變成為大于等于溫度Ta3的溫度區(qū)域S3(第3溫度范圍)時(shí)就開(kāi)始慢慢硬化，在壓力P2下在溫度Ta3處變成為喪失流動(dòng)性的粘度v3。另外，在壓力P2為4MPa時(shí)，溫度Ta3為150℃，粘度v3為24000ps。
另外，在硬化工序123中，使環(huán)氧樹(shù)脂108上升到約180℃的溫度，并保持該溫度60分鐘。然后，在保持用壓板151、152夾持著預(yù)浸材料141(環(huán)氧樹(shù)脂108)的原狀不變的狀態(tài)下邊調(diào)節(jié)加熱器160的溫度，邊施行以約1℃/分的溫度梯度進(jìn)行緩慢冷卻的冷卻工序124。
借助于以上的方法，在溫度Ta1(流動(dòng)開(kāi)始粘度v1)與溫度Ta2(最低粘度v2)之間設(shè)置強(qiáng)制流入工序122，用壓板152加上壓力Pmax。借助于此，產(chǎn)生急劇的加速度，強(qiáng)制性地使環(huán)氧樹(shù)脂108流動(dòng)。另外，從該壓板152的移動(dòng)開(kāi)始到結(jié)束為止的時(shí)間在約1秒以內(nèi)的短時(shí)間內(nèi)結(jié)束。然后，當(dāng)使環(huán)氧樹(shù)脂108的加熱溫度上升到大于等于變成為最小粘度v2的溫度Ta2，進(jìn)一步加熱時(shí)，就進(jìn)行加成聚合反應(yīng)，開(kāi)始硬化。然后，當(dāng)加熱到大于等于溫度Ta3時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂108就不再流動(dòng)，變成為已硬化的狀態(tài)。
圖15的主要部分放大圖示出了在圖1所示的強(qiáng)制流入工序122中的半導(dǎo)體元件105的狀態(tài)。環(huán)氧樹(shù)脂108，借助于壓板152(參看圖12)被壓縮。其前端部分108a流入到間隙156內(nèi)。此時(shí)可以看作是與空間部143相比，間隙156非常小，環(huán)氧樹(shù)脂108a是在縮小管內(nèi)通過(guò)的流體。因此，在半導(dǎo)體元件105的角上105b的附近發(fā)生旋渦261，發(fā)生壓力損耗。
此外，環(huán)氧樹(shù)脂108，在焊劑突點(diǎn)102附近，可以看作是在縮小管和擴(kuò)大管中通過(guò)的流體。因此，由于要在縮小管和擴(kuò)大管內(nèi)通過(guò)，故結(jié)果變成為通過(guò)焊劑突點(diǎn)102的環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)也會(huì)發(fā)生大的壓力損耗。
此外，強(qiáng)制流入工序122，在溫度Ta1(流動(dòng)開(kāi)始粘度v1)與溫度Ta2(最低粘度v2)之間進(jìn)行。這時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂108的粘性，由于處于約2100ps～1150ps之間，故可流入到間隙156、157(參看圖11、圖12)內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂108，就保持著粘性流體的狀態(tài)。因此，在環(huán)氧樹(shù)脂108a與半導(dǎo)體元件105的下側(cè)105a之間就要產(chǎn)生摩擦。于是，就要使得環(huán)氧樹(shù)脂108a的流動(dòng)不會(huì)因該壓力損耗或摩擦阻力而停止那樣地給壓板152施加壓力Pmax以使環(huán)氧樹(shù)脂108高速流動(dòng)。
此外，為了盡可能地加大環(huán)氧樹(shù)脂108a的流速，理想的是環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度是盡可能地接近最低粘度v2(參看圖14)的溫度。但是，由壓力損耗或摩擦所產(chǎn)生的能量損耗量將因向熱能的轉(zhuǎn)換而發(fā)熱。即，歸因于該發(fā)熱環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)的溫度將變得比強(qiáng)制流入工序122中的環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度高。在這里，環(huán)氧樹(shù)脂108a，由于當(dāng)超過(guò)溫度Ta2時(shí)粘度將增大，故要使環(huán)氧樹(shù)脂108a在小于等于溫度Ta2的溫度下流入(填充)到間隙156、157內(nèi)。
如上所述在強(qiáng)制流入工序122中，為了防止環(huán)氧樹(shù)脂108硬化，預(yù)浸材料141的溫度(粘度)要預(yù)先估計(jì)到由環(huán)氧樹(shù)脂108a的發(fā)熱所產(chǎn)生的溫度上升量地對(duì)開(kāi)始硬化的溫度Ta2(粘度v2)設(shè)定為低的溫度(高的粘度)。
此外，隨著環(huán)氧樹(shù)脂108a的流入速度的增大發(fā)熱也將增大。因此，壓板152的移動(dòng)速度，要設(shè)定為因摩擦熱而上升的環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)的流入速度不會(huì)超過(guò)溫度Ta2的速度。
在實(shí)施形態(tài)3中，為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，例示的是裝設(shè)1個(gè)半導(dǎo)體元件105和2個(gè)電阻的疊層基板。實(shí)際上可以裝設(shè)多個(gè)多種多樣的部件。在這樣的情況下，環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)向每一個(gè)電子部件的間隙內(nèi)流入的時(shí)間的定時(shí)都不同。這被認(rèn)為是由于起因于空間部分143及空間部分144的大小或加熱器160的配置等發(fā)生的在預(yù)浸材料141內(nèi)的溫度不均造成的。
鑒于這樣的情況，強(qiáng)制流入工序122，在加大壓板152的速度的同時(shí)，在對(duì)于溫度Ta2(粘度v2)低約8℃的溫度(高100ps的粘度)下進(jìn)行。借助于此，即便是在強(qiáng)制流入工序122中，即使向間隙156、157內(nèi)流入的環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)的溫度歸因于摩擦熱等而上升，也可以抑制為小于等于溫度Ta2。因此，環(huán)氧樹(shù)脂108(108a)就變得更易于向間隙156、157內(nèi)流入。
此外，強(qiáng)制流入工序122，由于可在短時(shí)間內(nèi)結(jié)束，故可以降低在強(qiáng)制流入工序122開(kāi)始時(shí)刻處的環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度。因此，可以使環(huán)氧樹(shù)脂108迅速而且確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)流入。
通過(guò)使用以上那樣的疊層基板的制造方法，可以容易地使環(huán)氧樹(shù)脂108向半導(dǎo)體元件105、電阻106與基板101之間的間隙156、157內(nèi)流入。借助于此，即便是不使用中間材料等也沒(méi)有必要向半導(dǎo)體元件105、電阻106與基板101之間填充環(huán)氧樹(shù)脂108。因此，就可以提供不需要預(yù)先向半導(dǎo)體元件105及電阻106等與基板101之間的間隙156、157內(nèi)填充中間材料等，在預(yù)浸材料141與基板101之間的一體化工序118中，可以確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂108的疊層基板的制造方法。
此外，由于可以去掉注入中間材料的工序，也不需要準(zhǔn)備中間材料，故可以實(shí)現(xiàn)價(jià)格低廉的疊層基板。
再有，在強(qiáng)制流入工序122中可以確實(shí)地向狹窄的間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂108。因此，可以抑制易于在間隙內(nèi)產(chǎn)生的空腔，可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的疊層基板。
圖16A、圖16B和圖16C的定時(shí)圖示出了疊層基板的制造設(shè)備相關(guān)的一連串的控制。圖16A是壓板151、152的壓力的定時(shí)圖，圖16B示出了把基板與預(yù)浸材料合在一起的整體的厚度的變化，圖16C是真空化裝置就是說(shuō)氣壓的定時(shí)圖。
在真空化工序119中，預(yù)浸材料141所受到的壓力是0.2MPa。在保持受到該壓力的原狀不變的狀態(tài)下轉(zhuǎn)移到下一工序的軟化工序120。伴隨著溫度上升粘度減小，在溫度Ta1下達(dá)到進(jìn)行流動(dòng)的溫度。樹(shù)脂的流動(dòng)抑制工序121(參看圖1)抑制環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)。就是說(shuō)，倘給預(yù)浸材料141直接加上壓力，則環(huán)氧樹(shù)脂108就要流入到基板101的外側(cè)或間隙156、157內(nèi)。在此，控制電路就要根據(jù)來(lái)自溫度傳感器的信號(hào)，檢測(cè)環(huán)氧樹(shù)脂108達(dá)到了溫度Ta1，并使壓板152的壓力暫時(shí)降到壓力P1。這時(shí)控制電路，接收來(lái)自壓力傳感器的信號(hào)，根據(jù)該信號(hào)檢測(cè)壓板152的壓力達(dá)到了P1，停止壓板152的工作。借助于此，就可以緩和加往環(huán)氧樹(shù)脂108的壓力，抑制環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)。
另外，壓力P1定為約0.15MPa。借助于此，在強(qiáng)制流入工序122中，就可以增多環(huán)氧樹(shù)脂108向空間部分143、144這一側(cè)流入的量。此外，在進(jìn)行強(qiáng)制流入工序122之前，由于環(huán)氧樹(shù)脂108難于向間隙156、157流入，故環(huán)氧樹(shù)脂108的溫度可以保持均一的溫度而不會(huì)降低。因此，在強(qiáng)制流入工序122中，就可以確實(shí)地向間隙156、157填充環(huán)氧樹(shù)脂108。
其次，對(duì)在強(qiáng)制流入工序122中的控制進(jìn)行說(shuō)明。在該強(qiáng)制流入工序122中，以高速使壓板152移動(dòng)，強(qiáng)制性地使環(huán)氧樹(shù)脂108向間隙156、157流入。這時(shí)控制電路，根據(jù)來(lái)自位置傳感器的輸出和來(lái)自時(shí)鐘定時(shí)器的信號(hào)，判定壓板152是否正在以預(yù)定速度進(jìn)行移動(dòng)。即，控制電路對(duì)在預(yù)定時(shí)間時(shí)的壓板152的位置和預(yù)先決定好了的位置信息進(jìn)行比較，判定是否為預(yù)定的移動(dòng)速度。
然后，根據(jù)這些位置信息，在強(qiáng)制流入工序122中，變更供往伺服電機(jī)162(圖12)的脈沖信號(hào)的寬度，控制壓板152的壓縮速度，增大其移動(dòng)速度，一口氣地壓縮預(yù)浸材料141。這時(shí)，如圖16B所示，預(yù)浸材料141的厚度W141，在該強(qiáng)制流入工序122中一下從厚度Wmax減小到厚度Wmin。另外，在實(shí)施形態(tài)3的強(qiáng)制流入工序122中，預(yù)浸材料141的厚度減少約0.4mm。
也向控制電路輸入從壓力傳感器輸出的壓力信息信號(hào)。于是控制電路監(jiān)視壓板152的壓力，使得該壓力多余變成為大于等于預(yù)定的大小。就是說(shuō)，環(huán)氧樹(shù)脂108a，從間隙156、157的周?chē)魅?，在間隙156、157的大體上的中心處進(jìn)行沖突。這時(shí)，環(huán)氧樹(shù)脂108的流速就要與壓板152的壓力特性P152相對(duì)應(yīng)地增大，在間隙156、157處的沖突時(shí)的力增大。由該沖突產(chǎn)生的力，施加到要把半導(dǎo)體元件105或電阻106從基板101上剝離下來(lái)的方向上。于是，為了防止因該沖突所產(chǎn)生的力對(duì)把半導(dǎo)體元件105和基板101連接起來(lái)的焊劑突點(diǎn)102、把電阻106和基板101連接起來(lái)的焊劑2等的破壞，控制電路監(jiān)視壓板152的壓力。然后，該控制電路使得壓力變成為小于等于預(yù)先決定好了的上限壓力Pmax那樣地使伺服電機(jī)162停止。
在這里，由于該強(qiáng)制流入工序122的時(shí)間非常短，故從由壓力傳感器輸出壓力信息信號(hào)到伺服電機(jī)162進(jìn)行驅(qū)動(dòng)為止的期間的響應(yīng)時(shí)間是重要的。特別是球形螺母軸承部分的響應(yīng)性慢(慣性力矩大)是最大因素。即，要是在控制電路判定為已達(dá)到了上限壓力Pmax之后，已停止伺服電機(jī)162的情況下，則歸因于軸承的慣性力，壓板152的壓力會(huì)超過(guò)上限壓力Pmax，所以會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題。因此，控制電路，要根據(jù)定時(shí)時(shí)鐘的信號(hào)和壓力信息信號(hào)這兩者的信號(hào)，計(jì)算壓力特性P152的增加斜率，預(yù)測(cè)壓板152的壓力達(dá)到上限壓力Pmax的時(shí)間T2，在比該時(shí)間T2恰好提前一個(gè)到控制系統(tǒng)作出響應(yīng)為止所需要的響應(yīng)時(shí)間T3的時(shí)間T1處使伺服電機(jī)162停止。
借助于此，控制電路，基于來(lái)自壓力傳感器的壓力信息信號(hào)，對(duì)壓板152進(jìn)行控制。因此，就難于發(fā)生焊劑突點(diǎn)102或焊劑2等的斷裂，就可以得到可靠性良好的疊層基板。此外，還可以提供可以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)便且小型化以及低價(jià)格化的疊層基板的制造裝置。
在實(shí)施形態(tài)3中，如圖1所示，設(shè)置有壓力緩和工序122a的工序。這是為了緩和加往半導(dǎo)體元件105及電阻106的由沖突產(chǎn)生的力，而設(shè)置在達(dá)到了上限壓力Pmax后，使壓縮壓力下降到壓力P2的壓力緩和工序122a(如圖1所示)。在該壓力緩和工序122a中，控制電路，當(dāng)檢測(cè)到來(lái)自壓力傳感器的壓力信號(hào)已變成為上限壓力Pmax的情況后，就使伺服電機(jī)162向反方向旋轉(zhuǎn)。借助于該伺服電機(jī)162的反方向旋轉(zhuǎn)，使壓板152向打開(kāi)的方向移動(dòng)，減小壓力。
此外，在實(shí)施形態(tài)3中，與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)解除真空狀態(tài)。借助于此，結(jié)果就變成為環(huán)氧樹(shù)脂108在受到用壓板152進(jìn)行的沿上下方向進(jìn)行的壓縮同時(shí)，歸因于由真空化解除所產(chǎn)生的增壓來(lái)自側(cè)面方向的壓力也將增加，環(huán)氧樹(shù)脂108就變得易于向間隙156、157等內(nèi)流入填充。
此外，在真空化工序119中，在含于預(yù)浸材料141內(nèi)的空腔未完全去除，在一部分的部位上殘留下空腔的情況下，空腔就要借助于在軟化工序120中的軟化進(jìn)行膨脹，保持低壓的原狀地發(fā)生空腔。于是，采用與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)地進(jìn)行真空解除，縮小空腔的辦法，就防止了空腔的發(fā)生。
另外，該真空解除理想的是在小于等于樹(shù)脂108的硬化開(kāi)始溫度Ta2(參看圖14)下進(jìn)行。這是因?yàn)榧幢闶菤w因于真空解除給樹(shù)脂108加上了與大氣壓相等的氣壓，在樹(shù)脂108的硬化后也不會(huì)發(fā)生空腔的收縮的緣故。于是，與強(qiáng)制流入工序122同時(shí)進(jìn)行真空解除。
如果在半導(dǎo)體元件105的焊劑突點(diǎn)102中發(fā)生了該空腔，則就會(huì)產(chǎn)生這樣的問(wèn)題歸因于在回流焊工序115的時(shí)候進(jìn)行的焊接時(shí)的加熱使得焊劑突點(diǎn)102熔融，熔融后的焊劑突點(diǎn)102被空腔吸取，在半導(dǎo)體元件105與結(jié)合區(qū)圖形104a之間的正常的電連接就不能實(shí)現(xiàn)。此外，當(dāng)歸因于環(huán)氧樹(shù)脂108等的吸濕而使得水滴侵入到空腔內(nèi)時(shí)，由于該水滴，也會(huì)產(chǎn)生在回流焊工序115中進(jìn)行的焊接等中電連接脫落的缺憾。
因此，采用與強(qiáng)制流入工序122大體上同時(shí)進(jìn)行真空解除的辦法，防止了空腔的發(fā)生。借助于此，就可以抑制在空間部分143、143a、144、144a及間隙156、157內(nèi)空腔的發(fā)生，就可以防患于未然地防止在回流焊工序115等中的焊劑突點(diǎn)連接的脫落或電短路等的發(fā)生，可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的疊層基板。
如上所述在實(shí)施形態(tài)3中，采用對(duì)壓板151、152的壓縮壓力及移動(dòng)速度及溫度進(jìn)行管理控制的辦法，就可以控制環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)，即便是向小的間隙156、157內(nèi)也可以填充環(huán)氧樹(shù)脂108。借助于此，就可以抑制在間隙156、157中的空腔的發(fā)生，可以實(shí)現(xiàn)可靠性高的疊層基板。
另外，由于在本發(fā)明中使用的預(yù)浸材料141是熱硬化性樹(shù)脂，故一旦熱硬化后，即便是再次加熱也不會(huì)再返回到可塑狀態(tài)。因此，一旦用環(huán)氧樹(shù)脂108密封起來(lái)，半導(dǎo)體元件105的固定就可以保持。此外，環(huán)氧樹(shù)脂108到大體上150℃的溫度為止粘度慢慢下降。因此，環(huán)氧樹(shù)脂108因如上所述粘度變小，流動(dòng)性增加而使得即便是向狹窄的間隙內(nèi)也可以充分地填充。此外，由于在玻璃無(wú)紡布中含浸有環(huán)氧樹(shù)脂，故在軟化工序120、強(qiáng)制流入工序122中，即便是使環(huán)氧樹(shù)脂108流動(dòng)，由于也可以保持作為基板的本來(lái)的形狀，故可以實(shí)現(xiàn)尺寸精度良好的疊層基板。
此外，理想的是在該加熱粘接中預(yù)先使焊劑107的氣氛溫度變成為小于等于焊劑107的熔融點(diǎn)。因此，焊劑107可以使用熔融點(diǎn)比硬化工序123的溫度更高的焊劑。
此外，由于在預(yù)浸材料141中設(shè)置有在半導(dǎo)體元件105與電阻106之間具有空間部分143的孔146、142，故即便是要裝設(shè)從基板101突出出來(lái)的電子部件也可以容易地進(jìn)行有間隙的插入，擴(kuò)展組裝的自由度。
此外，由于該強(qiáng)制流入的溫度，為了連接固定半導(dǎo)體元件105及電阻106，要在低到焊劑2不熔融的那種程度的溫度(150℃)下進(jìn)行一體化，故半導(dǎo)體元件105和電阻106可以保持牢固的連接固定而不會(huì)因該一體化而破壞連接固定。
此外，在加熱粘接時(shí)的軟化中，也可以向狹窄的間隙156、157內(nèi)填充樹(shù)脂108。此外，由于使用的是熱硬化性的預(yù)浸材料141，故在熱硬化后即便是加熱也不會(huì)再次返回到可塑狀態(tài)，因而可以保持密封后的半導(dǎo)體元件105與電阻106的穩(wěn)定的固定狀態(tài)。
再有，由于半導(dǎo)體元件105和電阻106裝設(shè)到基板101上，故可以以該基板101的狀態(tài)進(jìn)行檢查，提高疊層基板完成后的合格率。
另外，在實(shí)施形態(tài)1、2和3中，雖然使用的是6塊預(yù)浸材料141，但是，如后所述，也可以用1塊厚度厚的預(yù)浸材料。在該情況下，由于可以用短的時(shí)間進(jìn)行疊層工序116，故可以得到低價(jià)格的疊層基板。
此外，在實(shí)施形態(tài)1、2和3中，雖然在強(qiáng)制流入工序122中解除了真空狀態(tài)，但是，只要這是在使環(huán)氧樹(shù)脂108的粘度變大，各個(gè)預(yù)浸材料141間消除了間隙的溫度或其以上的溫度，而且在小于使環(huán)氧樹(shù)脂108的流動(dòng)性喪失的溫度之間即可。這是因?yàn)橛捎诩幢闶窃谠摐囟确秶鷥?nèi)解除了真空，空氣也不會(huì)進(jìn)入到空間部分143、144及間隙156、157內(nèi)，故在強(qiáng)制流入工序122中得以保持這些的真空的緣故。借助于此，在強(qiáng)制流入工序122中，就可以確實(shí)地使環(huán)氧樹(shù)脂108流入到間隙156、157內(nèi)。
(實(shí)施形態(tài)4)用圖17到圖20對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)4進(jìn)行說(shuō)明。圖17是疊層基板的制造方法的流程圖。另外，在圖17到圖20中，對(duì)那些與從圖1到圖16相同的部分使用同一標(biāo)號(hào)，省略其說(shuō)明。
在實(shí)施形態(tài)1、2和3中所說(shuō)明的疊層基板，雖然是把6塊的預(yù)浸材料141(141a～141f)疊層到基板101上邊使用，但是，在實(shí)施形態(tài)4中，例示的卻是僅僅把1塊厚度約1mm的預(yù)浸材料疊層到基板101上邊的例子。
首先，在實(shí)施形態(tài)4中，如圖17所示，與實(shí)施形態(tài)1、2和3同樣，把半導(dǎo)體元件105和電阻106裝設(shè)到基板101上邊。此外，在回流焊工序115中進(jìn)行焊接。懸空工序300被設(shè)置在回流焊工序115的后邊，把預(yù)浸坯懸空到基板101上邊。在懸空工序300后邊設(shè)置減壓、疊層工序301。
用圖18、19對(duì)該懸空工序300和減壓、疊層工序301進(jìn)行說(shuō)明。圖18的剖面圖示出了實(shí)施形態(tài)4的懸空狀態(tài)，圖19的剖面圖示出了對(duì)應(yīng)的減壓、疊層的狀態(tài)。
在圖18中，準(zhǔn)備好了作為密閉裝置的一個(gè)例子的密封容器311和作為壓縮裝置的一個(gè)例子的壓板152。此外，還構(gòu)成為具有把基板101的側(cè)面圍起來(lái)的引導(dǎo)部分312，和設(shè)置在該引導(dǎo)部分312的上端部上的傾斜部分313，在該引導(dǎo)部分312的上方具有開(kāi)口部分314。把基板101插入到像這樣地構(gòu)成的密封容器311的引導(dǎo)部分312內(nèi)。在這里，引導(dǎo)部分312與基板101之間的間隙(t1)，在單側(cè)設(shè)為約0.5mm，基板101借助于該引導(dǎo)部分312進(jìn)行定位。
然后，把預(yù)浸材料302載置為使之把該開(kāi)口部分314覆蓋起來(lái)。這時(shí)，預(yù)浸材料302的寬度W1，要做成為比引導(dǎo)部分312的寬度W2大，比傾斜部分313的開(kāi)口尺寸W3小的尺寸。就是說(shuō)，使之具有W2＜W1＜W3的關(guān)系。這樣一來(lái)，結(jié)果就變成為在懸空工序300中，預(yù)浸材料302可以以被傾斜部分312支持著的狀態(tài)進(jìn)行保持。然后，把銅箔145疊層到該預(yù)浸材料302的上邊。即，在實(shí)施形態(tài)4中，其特征在于該傾斜部分313，為了在預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105及電阻106之間形成間隙不使它們進(jìn)行接觸，而具備把預(yù)浸材料302懸空起來(lái)的懸空裝置。
另外，預(yù)浸材料302采用的是含有在常溫下具有粘性的環(huán)氧樹(shù)脂317的預(yù)浸材料。這是因?yàn)槿绻窍襁@樣的環(huán)氧樹(shù)脂317即便是加熱量小也可以迅速地降低粘性，故可以用少的能量制造疊層基板。含有這樣的環(huán)氧樹(shù)脂317的預(yù)浸材料302的端部302a，貼緊到傾斜部分313上。借助于此，結(jié)果就變成為半導(dǎo)體元件105和電阻106可借助于壓板152、引導(dǎo)部分312、傾斜部分313和預(yù)浸材料302進(jìn)行密封。
即，在實(shí)施形態(tài)4中，預(yù)浸材料302本身起著密封容器311的蓋的作用，就是說(shuō)起著進(jìn)行密封的作用。
然后，真空化裝置(未畫(huà)出來(lái))，在通過(guò)預(yù)浸材料302蓋上了蓋的狀態(tài)下，從設(shè)置在引導(dǎo)部分312上的孔318抽出空氣。借助于該減壓處理密封容器311之內(nèi)變成為負(fù)壓，預(yù)浸材料302沿著傾斜部分313和引導(dǎo)部分312向下方移動(dòng)。
孔318設(shè)置在引導(dǎo)部分312的下端部的附近。另外，孔318理想的是預(yù)先設(shè)置在比借助于減壓而下降的預(yù)浸材料302更往下側(cè)。借助于此，由于即便是從孔318抽出空氣也不會(huì)吸引預(yù)浸材料302，故可以確實(shí)地使開(kāi)口部分314之中真空化。
圖19的剖面圖示出了圖17所示的減壓、疊層工序301的狀態(tài)。上側(cè)壓板321加熱、壓縮、冷卻預(yù)浸材料302，在也向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂317的同時(shí)，還一并使基板101與預(yù)浸材料302一體化。預(yù)浸材料302在接觸到半導(dǎo)體元件105、電阻106的上表面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下停止。把預(yù)浸材料302疊層到基板101上邊。在該狀態(tài)下，預(yù)浸材料302，在施加上由真空化產(chǎn)生的負(fù)壓的狀態(tài)下進(jìn)行保持。
為此，在半導(dǎo)體元件105、電阻106與預(yù)浸材料302之間就不會(huì)殘存下空腔。因此，可以提高預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105的上表面105c及電阻106的上表面106a之間的貼緊性，可以得到可靠性高的疊層基板。
圖20是一體化工序303中的一體化裝置的剖面圖。一體化工序303，設(shè)置在減壓、疊層工序301的后邊。在一體化工序303中，上側(cè)壓板321加熱、壓縮、冷卻預(yù)浸材料302，也向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂317，同時(shí)，一并使基板101與預(yù)浸材料302一體化。
作為該一體化工序303的最初的制造工序的軟化工序304，設(shè)置在減壓、疊層工序301的后邊。在軟化工序304中，加熱設(shè)置在壓板152與上側(cè)壓板321內(nèi)的加熱器160，加熱到使預(yù)浸材料302軟化到可以流動(dòng)的溫度。另外，預(yù)浸材料302由于在常溫下具有流動(dòng)性，故可以減少在軟化工序304中的熱的供給。因此，可以實(shí)現(xiàn)節(jié)能化。
其次，在設(shè)置在軟化工序304的后邊的強(qiáng)制流入工序305中，以急劇的壓力(速度)使環(huán)氧樹(shù)脂317流入。于是，就要使壓板321進(jìn)行移動(dòng)，以使得歸因于由該流入所產(chǎn)生的摩擦熱或由壓力損耗等產(chǎn)生的溫度上升而向間隙156、157流入的環(huán)氧樹(shù)脂317不會(huì)超過(guò)開(kāi)始硬化的溫度。
如上所述，由于在環(huán)氧樹(shù)脂317的溫度為約100℃的狀態(tài)下，施加上急劇的壓力(速度)，強(qiáng)制性地使之向間隙156、157流入，故不需要用別的途徑向間隙156、157注入中間材料。另外，環(huán)氧樹(shù)脂317開(kāi)始硬化的溫度的范圍是從約110℃到150℃。另外，在本發(fā)明中，采用的是當(dāng)在110℃到150℃中保持約10分鐘后，環(huán)氧樹(shù)脂317開(kāi)始附加荷重反應(yīng)。
在上側(cè)壓板321上設(shè)置有位置傳感器(未畫(huà)出來(lái))?？刂齐娐?，對(duì)來(lái)自該位置傳感器的信號(hào)和預(yù)先存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器(未畫(huà)出來(lái))內(nèi)的上側(cè)壓板321的位置數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，在判定為上側(cè)壓板321已被收納在預(yù)定的位置上時(shí)，就對(duì)已連接到上側(cè)壓板321上的伺服電機(jī)發(fā)送意思為停止的指令信號(hào)。
另外，在實(shí)施形態(tài)4中，由于在預(yù)浸材料302上未設(shè)置孔，故在半導(dǎo)體元件105或電阻106的周?chē)纬傻拈g隙331，就變得比在實(shí)施形態(tài)1、2和3中形成的空間部分143、144大。于是，采用把強(qiáng)制流入工序305的溫度定為100℃的辦法，就可以確實(shí)地向間隙331及間隙156、157填充環(huán)氧樹(shù)脂317。
硬化工序306設(shè)置在強(qiáng)制流入工序305的后邊。采用把硬化工序306中的溫度設(shè)定為150℃左右的辦法，就可以使環(huán)氧樹(shù)脂317完全地硬化。然后，在硬化工序306中完全地使之硬化后，在冷卻工序124中慢慢冷卻，然后，在切斷工序125中進(jìn)行切斷。
如上所述由于把減壓、疊層工序301設(shè)置在一體化工序303之前，故不會(huì)在半導(dǎo)體元件105、電阻106與預(yù)浸材料302之間殘存下空腔。因此，可以提高預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105的上表面105c及電阻106的上表面106a之間的貼緊性，可以得到可靠性高的疊層基板。
此外，在實(shí)施形態(tài)4中，也可以在預(yù)浸材料302上不預(yù)先設(shè)置與半導(dǎo)體元件105及電阻106對(duì)應(yīng)的孔。為此，就不再需要孔加工工序117(參看圖1)。因此，可以得到低價(jià)格的疊層基板。
此外，在實(shí)施形態(tài)4中，由于沒(méi)有必要設(shè)置與部件的高度對(duì)應(yīng)的孔，故僅僅準(zhǔn)備1塊預(yù)浸材料302即可。因此，由于只要疊層1塊預(yù)浸材料302即可，故可以得到低價(jià)格的疊層基板。
再有，預(yù)浸材料302由于僅僅載置到傾斜部分313的一部分上即可，故可以非常容易地進(jìn)行疊層作業(yè)。因此可以得到低價(jià)格的疊層基板。
除此之外，由于在引導(dǎo)部分312上設(shè)置有孔318，故可以減小基板101與引導(dǎo)部分312之間的間隙。因此，在可以提高基板101的定位精度的同時(shí)，引導(dǎo)部分312還可以防止預(yù)浸材料302向外側(cè)飛出。借助于此，由于環(huán)氧樹(shù)脂317可向間隙331及間隙156、157流入，故可以抑制空腔的發(fā)生，可以確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂317。
(實(shí)施形態(tài)5)實(shí)施形態(tài)5，示出了實(shí)施形態(tài)4所示的減壓、疊層裝置的另一實(shí)施例。實(shí)施形態(tài)5中的各個(gè)工序，與實(shí)施形態(tài)4是相同的。于是在實(shí)施形態(tài)5中，對(duì)減壓、疊層的減壓、疊層裝置進(jìn)行說(shuō)明。
圖21、圖22是實(shí)施形態(tài)5的減壓、疊層的剖面圖。圖23是強(qiáng)制流入工序305中的疊層基板的剖面圖。另外，在圖21、圖22和圖23中，那些與從圖18到圖20相同的部分，表示為同一標(biāo)號(hào)，簡(jiǎn)化其說(shuō)明。
在圖21中，借助于壓板151、152和伸縮壁153，作為密封裝置的一個(gè)例子形成密封容器154。然后，把已預(yù)先回流焊焊接上半導(dǎo)體元件105及電阻106等的電子部件的基板101，裝載到壓板152的預(yù)定位置上。
保持爪401自由旋轉(zhuǎn)地連接到設(shè)置在壓板151上的支軸402上。保持爪401，借助于彈簧(未畫(huà)出來(lái))被推往開(kāi)口部分314的內(nèi)側(cè)方向，把預(yù)浸材料302夾在中間地進(jìn)行保持。這時(shí)，保持爪401與壓板151，把預(yù)浸材料302保持為使之變成為與基板101相向的位置。然后，由壓板151與保持爪401構(gòu)成的懸空裝置，使得預(yù)浸材料302不與半導(dǎo)體元件105、電阻106進(jìn)行接觸。借助于此，就可以在預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105及電阻106之間形成間隙403。然后，借助于吸氣器(未畫(huà)出來(lái))從孔155抽出空氣，使間隙403減壓、真空化。借助于此，密封容器154內(nèi)變成為負(fù)壓，壓板152就朝向壓板151側(cè)不斷上升。
圖22是實(shí)施形態(tài)5的減壓、疊層工序301的剖面圖。如圖22所示，借助于真空化預(yù)浸材料302在與半導(dǎo)體元件105的上表面105a及電阻106的上表面106a接連的狀態(tài)下停止下來(lái)，并把預(yù)浸材料302疊層到基板101上邊。在該狀態(tài)下，就可以在施加借助于真空化所產(chǎn)生的負(fù)壓的狀態(tài)下保持預(yù)浸材料302。在該加上了負(fù)壓的狀態(tài)下，在半導(dǎo)體元件105及電阻106與預(yù)浸材料302之間就不會(huì)殘留下空腔。因此，可以提高預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105的上表面105c及電阻106的上表面106a之間的貼緊性，可以得到可靠性高的疊層基板。
圖23是一體化工序303(參看圖17)的剖面圖。如圖23所示，在一體化工序303中，采用上側(cè)壓板321加熱、壓縮、冷卻預(yù)浸材料302的辦法，在對(duì)于間隙156、157也填充環(huán)氧樹(shù)脂317的同時(shí)，使基板101與預(yù)浸材料302一體化。
另外，在該情況下保持爪401的前端401a在接觸到壓板152的位置處停止下來(lái)。即，該保持爪401還起著作為實(shí)施形態(tài)1、2中的制動(dòng)機(jī)構(gòu)161(參看圖8、圖9)的作用。
保持爪401被設(shè)置為把預(yù)浸材料302的整周都覆蓋起來(lái)。借助于此，在一體化工序303中，在環(huán)氧樹(shù)脂317的流動(dòng)時(shí)保持爪401就將阻止環(huán)氧樹(shù)脂317向外側(cè)的流出。因此，由于環(huán)氧樹(shù)脂317向間隙331及間隙156、157流入，故可以抑制空腔的發(fā)生，可以確實(shí)地向間隙156、157內(nèi)填充環(huán)氧樹(shù)脂317。此外，由于可以抑制環(huán)氧樹(shù)脂317向預(yù)浸材料302的外側(cè)流出，故可以對(duì)應(yīng)地使預(yù)浸材料減小。因此，由于事實(shí)上可以減少預(yù)浸材料302的使用量，故可以得到低價(jià)格的疊層基板。
熱硬化性樹(shù)脂，一般地說(shuō)一旦硬化之后就不能再利用。因此，削減預(yù)浸材料302的使用量，從環(huán)境保護(hù)方面的觀點(diǎn)看是非常重要的。
然后，當(dāng)一體化工序303結(jié)束后，保持爪401就向用標(biāo)號(hào)401y表示的箭頭方向轉(zhuǎn)動(dòng)，松開(kāi)預(yù)浸材料302。借助于此，結(jié)果變成為壓板152向上方打開(kāi)，可以取出基板101。
由于如上所述在一體化工序303之前實(shí)施減壓、疊層工序301，故可以抑制在半導(dǎo)體元件105、電阻106與預(yù)浸材料302之間產(chǎn)生的空腔的發(fā)生。因此，可以提高預(yù)浸材料302與半導(dǎo)體元件105的上表面105c及電阻106的上表面106a之間的貼緊性，可以得到可靠性高的疊層基板。
此外，由于在預(yù)浸材料302上也可以不預(yù)先設(shè)置與半導(dǎo)體元件105及電阻106對(duì)應(yīng)的孔，故例如可以不設(shè)置在實(shí)施形態(tài)1、2中必須準(zhǔn)備的孔加工工序117。因此，可以得到低價(jià)格的疊層基板。
再有，在實(shí)施形態(tài)5中，由于不需要與部件的高度對(duì)應(yīng)的孔，故結(jié)果就變成為用1塊預(yù)浸材料302即可。因此，由于只要疊層1塊預(yù)浸材料302即可，故可以得到低價(jià)格的疊層基板。
除此之外，預(yù)浸材料302由于僅僅夾持在保持爪401內(nèi)即可，故可以容易地進(jìn)行疊層作業(yè)。因此，可以實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的疊層基板。
另外，在實(shí)施形態(tài)5中，把預(yù)浸材料302做成為懸空狀態(tài)。但是，也可以使基板101這一側(cè)懸空。即便是在該情況下，也可以得到同樣的效果。
(實(shí)施形態(tài)6)實(shí)施形態(tài)6與實(shí)施形態(tài)1的預(yù)浸材料疊層116(參看圖1)相關(guān)聯(lián)，涉及片材的疊層。與實(shí)施形態(tài)4或5同樣，是采用懸空、疊層工序的一個(gè)實(shí)施例。圖24是實(shí)施形態(tài)6的布線基板的制造的流程圖。圖25是在懸空工序中的剖面圖，圖26的剖面圖示出了減壓、疊層狀態(tài)。在圖24到圖26中，對(duì)于與圖7、圖8和從圖21到圖23相同的部位使用同一標(biāo)號(hào)而簡(jiǎn)化其說(shuō)明。
在圖24、圖25中，在回流焊工序115之后，準(zhǔn)備懸空工序300。在懸空工序300中，在已經(jīng)預(yù)先裝設(shè)上了半導(dǎo)體元件105、電阻106的基板101的上方設(shè)置間隙403，以懸空狀態(tài)保持預(yù)浸材料141。預(yù)浸材料141，已用孔加工對(duì)于預(yù)浸材料基材預(yù)先進(jìn)行了要插入半導(dǎo)體元件105的孔146，和要插入電阻106的孔142的加工。然后，要懸空為使得該孔146與半導(dǎo)體元件105對(duì)應(yīng)，孔142與電阻106對(duì)應(yīng)。
另外，為了使之與預(yù)浸材料141的下表面接觸，在保持爪401的前端上設(shè)置有朝向預(yù)浸材料141一側(cè)突出的突起501。借助于突起501把預(yù)浸材料141夾在中間地以懸空狀態(tài)保持預(yù)浸材料141。
在圖24、圖26中，在懸空工序300之后，設(shè)置減壓、疊層工序301。在該減壓、疊層工序301中，抽出密封容器154內(nèi)的空氣，加大真空度。然后，借助于該真空化處理，密封容器154內(nèi)變成為負(fù)壓，壓板152朝向壓板151一側(cè)移動(dòng)，把預(yù)浸材料141疊層到基板101上邊。
(實(shí)施形態(tài)7)實(shí)施形態(tài)7的預(yù)浸材料，示出了從實(shí)施形態(tài)1到3所使用的預(yù)浸材料的另一實(shí)施例。但是，在實(shí)施形態(tài)4、5和6的制造工序中也可以應(yīng)用。
圖27A是實(shí)施形態(tài)7的疊層工序中的疊層基板的剖面圖，圖27B是同上疊層基板的頂視圖。另外，在圖27A、27B中，與圖7相同的部分使用同一標(biāo)號(hào)而簡(jiǎn)化其說(shuō)明。
在圖27A、27B中，在預(yù)浸材料141上設(shè)置孔147。孔147具有抑制樹(shù)脂的流動(dòng)的作用。孔147a與孔146獨(dú)立地設(shè)置，該孔147被設(shè)置為與預(yù)浸材料141a、141b貫通。此外，孔147b被形成為與孔142相連，被設(shè)置為從預(yù)浸材料141a一直貫通到141e為止。這些孔147、147a和147b，可用孔加工工序117(參看圖1)與孔142、146同時(shí)形成。另外，在上述的實(shí)施形態(tài)1、2和3中，在懸空工序300之前設(shè)置孔加工工序117，借助于該孔加工對(duì)孔147、147a進(jìn)行加工。
其次，對(duì)在實(shí)施形態(tài)7的強(qiáng)制流入工序122中的樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔147、147a和147b的作用進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)強(qiáng)制流入工序122中的樹(shù)脂的流動(dòng)進(jìn)行說(shuō)明。在強(qiáng)制流入工序122中，沿其上下方向用壓板151、152(示于圖8、圖9)壓縮已在軟化工序120中變成為粘性流體狀的預(yù)浸材料141。這樣一來(lái)，樹(shù)脂108就向空間部分143、144和間隙156、157內(nèi)流入。然后，當(dāng)這些空間部分143、144和間隙156、157被環(huán)氧樹(shù)脂108填充滿了時(shí)，之后就要從預(yù)浸材料141的大體上的中央部分朝向外周方向流動(dòng)。
這時(shí)，外周附近的環(huán)氧樹(shù)脂108，向基板101的外周的外側(cè)流出，壓板151、152的壓力與環(huán)氧樹(shù)脂108的內(nèi)壓變成為大體上相等。但是，預(yù)浸材料的中央部分附近的環(huán)氧樹(shù)脂108，由于在周?chē)泊嬖谥鴺?shù)脂，故流動(dòng)易于被阻止，中央部分的環(huán)氧樹(shù)脂108的內(nèi)壓就易于增大到大于等于壓板151、152所施加的壓力。
此外，從正面看圖27B，半導(dǎo)體元件105及電阻106被配置為偏向基板101的右側(cè)。即，由于在其左側(cè)未設(shè)置空間部分143、144及間隙156、157，故與預(yù)浸材料141的部位相對(duì)應(yīng)地在其樹(shù)脂量上就會(huì)產(chǎn)生差。歸因于此，樹(shù)脂就會(huì)多量地向在樹(shù)脂量多的例如電子部件的裝設(shè)密度小而配置在孔146或孔142少的部位的附近的電子部件105的空間部分143內(nèi)流入，可以用短時(shí)間進(jìn)行填充。另一方面，與空間部分143比較起來(lái)，由于在樹(shù)脂量少的例如電子部件密集，孔146或孔142多的部位的附近配置的電子部件106的空間部分144內(nèi)樹(shù)脂的流入量少，故到達(dá)完全把空間部分144填充起來(lái)為止的時(shí)間，比空間部分143的填充時(shí)間更短。
就是說(shuō)，在已把多種多樣的電子部件裝設(shè)到了基板101上邊的情況下，在把空間部分143、144及間隙156、157完全填充起來(lái)為止的時(shí)間上就會(huì)產(chǎn)生差。這時(shí)，重要的是對(duì)于所有的空間部分(143、144等)及所有的間隙(156、157等)都確實(shí)地填充上環(huán)氧樹(shù)脂108。為此，結(jié)果就變成為在強(qiáng)制流入工序122中，在到進(jìn)行填充最花費(fèi)時(shí)間的間隙等完全地被填充為止的期間，對(duì)于別的間隙等也繼續(xù)進(jìn)行填充。為此，結(jié)果就變成為對(duì)于填充完畢的時(shí)間的可以短的所謂的填充已經(jīng)完畢的間隙等要繼續(xù)施加壓力。
在已經(jīng)裝設(shè)到在要像這樣地施加過(guò)度的壓力的預(yù)浸材料141的中央部分附近及電子部件的裝配密度小的區(qū)域等上的電子部件的附近的預(yù)浸材料141上，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔147。借助于此，由于結(jié)果就變成為在環(huán)氧樹(shù)脂的強(qiáng)制流入工序122中，在預(yù)浸材料141的中央部分附近及電子部件的裝配密度小的區(qū)域的環(huán)氧樹(shù)脂108，就要向樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔147流入，故可以緩和要施加到電子部件上的壓力。
歸因于使用以上那樣的疊層基板的制造方法，就可以防止對(duì)半導(dǎo)體元件105及電阻106等的電子部件加上過(guò)度的壓力，可以使環(huán)氧樹(shù)脂108容易地流入到這些電子部件與基板101之間的間隙156、157內(nèi)。借助于此，就可以確實(shí)地向半導(dǎo)體元件105、電阻106與基板101之間填充環(huán)氧樹(shù)脂108而無(wú)須使用中間材料等。因此，可以提供可以實(shí)現(xiàn)把電子部件埋設(shè)到環(huán)氧樹(shù)脂108之中而無(wú)須預(yù)先向半導(dǎo)體元件105及電阻106等與基板101之間的間隙156、157內(nèi)填充中間材料等的疊層基板的制造方法。
此外，由于可以不準(zhǔn)備用別途徑注入中間材料的工序，此外不再需要中間材料，故可以實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的疊層基板。
再有，在強(qiáng)制流入工序122中，還可以對(duì)于狹窄的間隙156、157確實(shí)地填充環(huán)氧樹(shù)脂108。因此，可以實(shí)現(xiàn)抑制空腔的發(fā)生，可靠性高的疊層基板。
另外，由于把半導(dǎo)體元件105配置在電阻106的左側(cè)，故可以對(duì)于半導(dǎo)體元件105和電阻106在離相鄰的部件遠(yuǎn)的一側(cè)分別設(shè)置孔147a和孔147b。借助于此，可以減小到從半導(dǎo)體元件105或電阻106的左右流入填充樹(shù)脂為止的時(shí)間差。
再有，在實(shí)施形態(tài)7中對(duì)于1個(gè)布線基板進(jìn)行了說(shuō)明。但是，也可以在把多個(gè)相同的布線基板連結(jié)起來(lái)的狀態(tài)下進(jìn)行。在這樣的情況下，特別是可以在把多個(gè)布線基板連結(jié)起來(lái)的母基板的中央部分附近設(shè)置孔147。
此外，在實(shí)施形態(tài)7中，對(duì)2種的電子部件進(jìn)行了說(shuō)明。但是，即便是對(duì)于裝載有更多的電子部件的基板也可以使用。在這樣的情況下，對(duì)于被夾持在2個(gè)電子部件之間的另外的電子部件來(lái)說(shuō)，要在與相鄰的電子部件之間的間隔遠(yuǎn)的一側(cè)設(shè)置孔147。借助于此，即便是對(duì)于被電子部件夾持著的電子部件，也可以調(diào)整樹(shù)脂的流入時(shí)間。
(實(shí)施形態(tài)8)實(shí)施形態(tài)8涉及在實(shí)施形態(tài)4、5和6中所使用的預(yù)浸材料的另一個(gè)實(shí)施例。圖28是懸空工序300的剖面圖。在圖28中，對(duì)于與圖18相同的部分使用同一標(biāo)號(hào)而簡(jiǎn)化其說(shuō)明。
圖28所示的實(shí)施例，是在預(yù)浸材料302的一部分上設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319a、319b的實(shí)施例。另外，這些孔319a、319b可借助于設(shè)置在懸空工序300的工序之前的孔加工(圖1，孔加工工序117)形成。在這里，孔319a設(shè)置在預(yù)浸材料302的大體上的中央部分上，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319b則設(shè)置在電阻106的附近。
借助于此，就可以抑制起因于壓力的半導(dǎo)體元件105、電阻106或者用來(lái)連接這些電子部件和基板101之間的焊劑等的連接構(gòu)件的破壞。特別是在預(yù)浸材料302上，在與半導(dǎo)體元件105、電阻106對(duì)應(yīng)的部位上未設(shè)置開(kāi)口部分。為此，結(jié)果就變成為在預(yù)浸材料302被壓縮的同時(shí)，半導(dǎo)體元件105、電阻106先接觸預(yù)浸材料302，先開(kāi)始流動(dòng)。在此，在配置有電阻106的部分上設(shè)置樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319b。借助于此，就可以預(yù)先使到達(dá)間隙157被填充完畢為止的填充時(shí)間變慢，可以防止給電阻106或焊劑等加上過(guò)度的壓力。
此外，預(yù)浸材料302的中央部分由于壓力易于變高，故在中央部分上設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319a。借助于此，就可以緩和從中央部分向外周部分流的樹(shù)脂的內(nèi)壓的上升，可以防患于未然地防止電子部件等的破壞。
(實(shí)施形態(tài)9)實(shí)施形態(tài)9的疊層基板的制造方法，是把例如在實(shí)施形態(tài)8中所采用的預(yù)浸材料應(yīng)用于例如在實(shí)施形態(tài)5中的制造方法這樣的制造方法。
圖29是實(shí)施形態(tài)9的懸空工序300的剖面圖。對(duì)于與圖21或圖28相同的部位使用同一標(biāo)號(hào)而簡(jiǎn)化其說(shuō)明。由于要采用圖29所示的制造方法，故即便是半導(dǎo)體元件105、電阻106或者用來(lái)連接這些電子部件和基板101之間的焊劑等受到了壓力，也可以防止破壞。特別是由于在預(yù)浸材料302上，未設(shè)置與半導(dǎo)體元件105、電阻106對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部分，故結(jié)果就變成為如果預(yù)浸材料302被壓縮，則半導(dǎo)體元件105、電阻106先接觸預(yù)浸材料302，先開(kāi)始流動(dòng)。于是，就要在配置有電阻106的部分上設(shè)置樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319b。借助于此，就可以預(yù)先使到達(dá)間隙157被填充完畢為止的填充時(shí)間變慢，可以防止給電阻106或焊劑等加上過(guò)度的壓力。
此外，預(yù)浸材料302的中央部分由于壓力易于變高，故在該中央部分附近上設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔319a。借助于此，就可以緩和從預(yù)浸材料302的中央部分向外周部分流的樹(shù)脂的內(nèi)壓的上升，可以防患于未然地防止半導(dǎo)體元件及電阻等的電子部件等的破壞。
(實(shí)施形態(tài)10)實(shí)施形態(tài)10示出了采用與在實(shí)施形態(tài)1到9中所使用的半導(dǎo)體元件不同的半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施例。圖30是圖1所示的回流焊工序115中的疊層基板的剖面圖。圖31是同上半導(dǎo)體元件的間隙的放大剖面圖。
在圖30、圖31中，在基板101的一個(gè)主面101a上形成有結(jié)合區(qū)圖形104a、104b和104c。載置在基板101的一個(gè)主面101a上的半導(dǎo)體元件105的電極(未畫(huà)出來(lái))分別通過(guò)焊劑突點(diǎn)102a、102b和102c個(gè)別地連接到結(jié)合區(qū)圖形104a、104b和104c上。
另一方面，在半導(dǎo)體元件105的外周邊緣的附近具有突點(diǎn)102d。在這里，結(jié)合區(qū)圖形104a和104c是電獨(dú)立的導(dǎo)電部分。此外，結(jié)合區(qū)圖形104b，被用做短路阻止裝置之一，設(shè)置在結(jié)合區(qū)圖形104a與104c之間。此外，結(jié)合區(qū)圖形102b與結(jié)合區(qū)圖形104a一起被連接到地線上。
在實(shí)施形態(tài)10的電子部件裝設(shè)工序114(參看圖1)中，可借助于自動(dòng)裝配機(jī)(未畫(huà)出來(lái))把半導(dǎo)體元件105及電阻106等裝設(shè)到基板101的預(yù)定位置上。另外，在該半導(dǎo)體元件105上把大體上同一大小的突點(diǎn)裝設(shè)為使得4×4列的16個(gè)的焊劑突點(diǎn)102a、102b、102c和102d的高度都變成為大體上同一高度。
此外，圖1所示的回流焊工序115的設(shè)定溫度，高于等于焊劑突點(diǎn)102a的熔點(diǎn)而且低于焊劑突點(diǎn)102d的熔點(diǎn)。即，采用使焊劑突點(diǎn)102d的熔點(diǎn)比回流焊工序115的溫度更高的辦法，由于在回流焊工序115中焊劑突點(diǎn)102d不熔融，僅僅突點(diǎn)102a熔化，故結(jié)果就變成為半導(dǎo)體元件105對(duì)于基板101傾斜地進(jìn)行裝設(shè)。
在這里，間隙156a、156b和156c，由于與空間部分143a比非常小，故當(dāng)環(huán)氧樹(shù)脂108向該間隙156流入時(shí)就要產(chǎn)生大的壓力損耗。此外，由于環(huán)氧樹(shù)脂108是粘性流體，故環(huán)氧樹(shù)脂108在與基板101及半導(dǎo)體元件105之間的接觸面上將產(chǎn)生摩擦。特別是由于半導(dǎo)體元件105具有多個(gè)焊劑突點(diǎn)，故環(huán)氧樹(shù)脂108流動(dòng)的通路的寬度歸因于焊劑突點(diǎn)102a～102d中的每一者而反復(fù)進(jìn)行縮小、擴(kuò)大。因此，特別是間隙156中的環(huán)氧樹(shù)脂108的壓力損耗會(huì)增大。
于是，在實(shí)施形態(tài)10中，就要對(duì)于基板101傾斜地裝設(shè)半導(dǎo)體元件105。借助于此，就可以使開(kāi)口面積寬的突點(diǎn)102d，就是說(shuō)，來(lái)自間隙156c一側(cè)的環(huán)氧樹(shù)脂108的流入就變得容易起來(lái)，就可以減少壓力損耗。在到達(dá)環(huán)氧樹(shù)脂108完全地填充到間隙156內(nèi)為止的期間內(nèi)可以使環(huán)氧樹(shù)脂向間隙156內(nèi)填充不會(huì)因壓力損耗或摩擦力而阻止環(huán)氧樹(shù)脂的流動(dòng)。
此外，在圖1所示的強(qiáng)制流入工序122中，殘留在環(huán)氧樹(shù)脂108內(nèi)的空腔，有時(shí)候就要從間隙156c向156b、156a內(nèi)流入。在這樣的情況下，一般地說(shuō)，在從突點(diǎn)102d一側(cè)流入進(jìn)來(lái)的環(huán)氧樹(shù)脂108a和從突點(diǎn)102a一側(cè)流入進(jìn)來(lái)的環(huán)氧樹(shù)脂108b沖突的沖突部分108c中易于產(chǎn)生空腔。
但是，在實(shí)施形態(tài)10中，由于傾斜地裝設(shè)半導(dǎo)體元件105，由于來(lái)自突點(diǎn)102d一側(cè)這一方環(huán)氧樹(shù)脂108易于流入，故在突點(diǎn)102a與突點(diǎn)102b之間就會(huì)產(chǎn)生沖突部分108c。
于是，就要把作為短路阻止裝置之一所準(zhǔn)備的突點(diǎn)102b作為與突點(diǎn)102a相同的地線端子，把結(jié)合區(qū)圖形104b和結(jié)合區(qū)圖形104a連接起來(lái)，一起作為地線。借助于此，由于把突點(diǎn)102a、102b，結(jié)合區(qū)圖形104a和104b都作為地線，而且把沖突部分108c的位置設(shè)置在被突點(diǎn)102a、102b，結(jié)合區(qū)圖形104a和104b圍起來(lái)的位置上，故結(jié)果就變成為即便是在沖突部分108c上發(fā)生了空腔等，也不會(huì)發(fā)生電路間的短路。因此，在回流焊焊接這樣的組件的情況下等中，就可以防患于未然地防止空腔變成為原因的在相鄰的突點(diǎn)102a和102c中產(chǎn)生的電短路。
此外，由于把半導(dǎo)體元件105傾斜地裝設(shè)到了基板101上，故環(huán)氧樹(shù)脂108中的空腔，就易于沿著斜坡從間隙156c向間隙156a內(nèi)流入。借助于此，就可以進(jìn)一步抑制在間隙156a內(nèi)空腔的發(fā)生。
此外，可以提供可以實(shí)現(xiàn)把半導(dǎo)體元件105埋設(shè)到環(huán)氧樹(shù)脂108中而無(wú)須預(yù)先向半導(dǎo)體元件105及電阻106等與基板101之間的間隙156a～156c和157(參看圖8、圖9)中填充中間材料等的組件的組件制造方法。
此外，由于可以不準(zhǔn)備用別的途徑注入中間材料的制造工序，此外不再需要中間材料，故可以實(shí)現(xiàn)低價(jià)格的組件。
再有，在圖1所示的強(qiáng)制流入工序122中，還可以對(duì)于狹窄的間隙156a～156c和157(參看圖8、圖9)確實(shí)地填充環(huán)氧樹(shù)脂108。因此，可以實(shí)現(xiàn)難于發(fā)生空腔，可靠性高的組件。
另外，在實(shí)施形態(tài)10中，示出了采用不使突點(diǎn)102d熔融的辦法，使半導(dǎo)體元件105傾斜的一個(gè)例子。但是，也可以采用預(yù)先把不同的大小的突點(diǎn)裝設(shè)到半導(dǎo)體元件105上而不是使突點(diǎn)102a～102d的熔點(diǎn)不同的辦法使半導(dǎo)體元件105傾斜。
此外，在實(shí)施形態(tài)10中，用強(qiáng)制流入使環(huán)氧樹(shù)脂向間隙內(nèi)流入。但是，也可以與現(xiàn)有技術(shù)同樣，采用用加注器等預(yù)先向間隙內(nèi)流入樹(shù)脂的方法。在該情況下，環(huán)氧樹(shù)脂可從具有大的開(kāi)口部分的突點(diǎn)102d一側(cè)流入。這樣一來(lái)，由于樹(shù)脂108將容易地向間隙156c、156b、156a流入，故可以抑制在半導(dǎo)體元件105與基板101之間的空腔的發(fā)生。
(實(shí)施形態(tài)11)圖32涉及實(shí)施形態(tài)11，示出了采用與在實(shí)施形態(tài)1到10中所使用的半導(dǎo)體元件不同的再一種半導(dǎo)體元件的一個(gè)實(shí)施例。另外，在實(shí)施形態(tài)11中說(shuō)明的半導(dǎo)體元件也可以在從實(shí)施形態(tài)1到10中應(yīng)用。
圖32示出了已在其內(nèi)部制作上了半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體元件251。在半導(dǎo)體元件251的下表面一側(cè)上設(shè)置有多個(gè)未畫(huà)出來(lái)的已與半導(dǎo)體電路連接起來(lái)的電極。在這些電極中的每一者上都焊接上了焊劑突點(diǎn)252。在半導(dǎo)體元件251上，例如設(shè)置有69個(gè)焊劑突點(diǎn)252。然后，在半導(dǎo)體元件251上，具有間隔W11地排列7列把9個(gè)焊劑突點(diǎn)252并行排列起來(lái)的第1突點(diǎn)排列254，在該焊劑突點(diǎn)列254的鄰近，具有間隔W12地排列1列把5個(gè)焊劑突點(diǎn)252并行排列起來(lái)的焊劑突點(diǎn)列256。在焊劑突點(diǎn)256的鄰近，具有間隔W13地排列2列把3個(gè)焊劑突點(diǎn)252并行排列起來(lái)的笫2突點(diǎn)排列258。然后每一個(gè)的突點(diǎn)列254、256和258，具有間隔W14地排列起來(lái)。
然后，在半導(dǎo)體元件251上，在焊劑突點(diǎn)列254的第5、6列的中央設(shè)置有既未形成電極，也未裝設(shè)焊劑突點(diǎn)252的電極不形成部分260。
倘采用以上的構(gòu)成，則焊劑突點(diǎn)列258這一側(cè)的間隔W13，比焊劑突點(diǎn)列254一側(cè)的間隔W11大。借助于此，在焊劑突點(diǎn)列256、258中，在焊劑突點(diǎn)252間形成的間隙265、266，比在焊劑突點(diǎn)列254中形成的間隙267大。因此，如果用這樣的半導(dǎo)體元件251，并在實(shí)施形態(tài)1、2或?qū)嵤┬螒B(tài)7所示的組件中使用，則可以良好地從焊劑突點(diǎn)列258側(cè)流入中間材料或環(huán)氧樹(shù)脂。
因此，如實(shí)施形態(tài)11所示，在形成了為數(shù)眾多的焊劑突點(diǎn)252之類(lèi)的半導(dǎo)體元件251中，也可以向在半導(dǎo)體元件251與基板101(參看圖3)等之間形成的間隙內(nèi)確實(shí)地填充樹(shù)脂或中間材料。
然后，在把實(shí)施形態(tài)11的組件用半導(dǎo)體元件251應(yīng)用于實(shí)施形態(tài)1、2所示的基板(參看圖2)的情況下，就會(huì)從焊劑突點(diǎn)列258一側(cè)向組件用半導(dǎo)體元件與基板101之間的間隙內(nèi)流入多量的環(huán)氧樹(shù)脂108。即，實(shí)施形態(tài)11的沖突部分，變成為比半導(dǎo)體元件251的中央更偏右側(cè)(圖32，焊劑突點(diǎn)252的相反的一側(cè))。
于是，在實(shí)施形態(tài)9中，把從焊劑突點(diǎn)列254的笫2列到第4列的從第3行到第5行的焊劑突點(diǎn)252a，都用做地線用的焊劑突點(diǎn)，用導(dǎo)體把已焊接上這些焊劑突點(diǎn)252a的9個(gè)地線電極彼此間連接起來(lái)，把由地線電極形成的島261形成為用來(lái)進(jìn)行短路阻止的一個(gè)裝置。
此外，采用使用導(dǎo)體把已焊接上突點(diǎn)列第2列的笫7、8行的焊劑突點(diǎn)252b的電極彼此間連接起來(lái)的辦法形成島262，采用使用導(dǎo)體把已焊接上突點(diǎn)列第4列的第7、8行的焊劑突點(diǎn)252c的電極彼此間連接起來(lái)的辦法形成島263。然后，把這些島262與島263之間的焊劑突點(diǎn)264用做短路阻止裝置之一，把這些焊劑突點(diǎn)264當(dāng)作與半導(dǎo)體元件251的任何電路部分都不連接的電極進(jìn)行配置。
即，在半導(dǎo)體元件251上設(shè)置島261及焊劑突點(diǎn)264，并使島261及突點(diǎn)264的位置，與要形成環(huán)氧樹(shù)脂的沖突部分的位置進(jìn)行匹配。為此，環(huán)氧樹(shù)脂就會(huì)因擴(kuò)大了已形成了這些島261及突點(diǎn)264的一側(cè)的相反的一側(cè)的焊劑突點(diǎn)列258和256的間隔W13、W12而變得易于流入。倘采用這樣的構(gòu)成，即便是在沖突部分中發(fā)生了空腔，也可以防止在半導(dǎo)體元件251上形成的半導(dǎo)體電路中的短路的發(fā)生。
(實(shí)施形態(tài)12)實(shí)施形態(tài)12，示出了從實(shí)施形態(tài)1到11所示的加熱、壓縮工序118a(參看圖1)的另一實(shí)施例。圖33A是實(shí)施形態(tài)12的加熱、壓縮工序的預(yù)浸材料溫度與粘度的特性圖，圖33B是同上加熱、壓縮工序的壓力特性圖，圖33C是同上加熱、壓縮工序的真空度的特性圖。
另外，圖33A～圖33C所示的加熱、壓縮，在實(shí)施形態(tài)1～11中也可以應(yīng)用。以下用這些附圖對(duì)實(shí)施形態(tài)12進(jìn)行說(shuō)明。
如圖33B所示，在實(shí)施形態(tài)12的加熱、壓縮工序118a中，施加到預(yù)浸材料141上的壓力變成為恒定的值而不變化。在實(shí)施形態(tài)12中，例如，給預(yù)浸材料141加上了每1平方厘米40kg的壓力。此外，如圖33C所示，在加熱、壓縮工序118a的期間內(nèi)，真空度也保持為恒定。其大小例如變成為約40Torr。
在圖33A中，橫軸示出的是處理時(shí)間。當(dāng)從正面看圖33時(shí)，左側(cè)的縱軸示出的是預(yù)浸材料141的溫度，右側(cè)的縱軸示出的是預(yù)浸材料141的粘度。此外，特性曲線604示出了加熱、壓縮工序18a中的預(yù)浸材料141的溫度，特性曲線605示出了預(yù)浸材料141的粘度。
在這里，含于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂，在溫度高于等于T13的溫度下開(kāi)始流動(dòng)。這時(shí)的溫度約為90℃。樹(shù)脂開(kāi)始硬化的粘度v13約為1500Pa·S。在實(shí)施形態(tài)12中，加上了每1平方厘米40kg的壓力。另一方面在預(yù)浸材料141的溫度變成為150℃的時(shí)刻處，預(yù)浸材料141的粘度就變成為約24000Pa·S，變得不流動(dòng)。
在實(shí)施形態(tài)12中，在加熱工序608中，要把預(yù)浸材料加熱到高于等于樹(shù)脂開(kāi)始流動(dòng)的溫度T13。然后，在加熱工序608中加熱到溫度T14之后，在強(qiáng)制流入工序609中，采用把預(yù)浸材料141保持在溫度T14的辦法，使預(yù)浸材料141的粘度下降到最低粘度v11。另外，實(shí)施形態(tài)12的最低粘度v11定為1500Pa·S。此外，強(qiáng)制流入工序609的溫度定為約110℃。
然后，在強(qiáng)制流入工序609中，結(jié)果就變成為采用保持加上了壓力的狀態(tài)不變地保持預(yù)浸材料141的辦法，借助于所施加的壓力向空間部分143及間隙156流入(填充)含于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂。然后，在強(qiáng)制流入工序609中，在經(jīng)過(guò)了預(yù)先決定好了的時(shí)間T20后使溫度上升，轉(zhuǎn)移到加熱工序613。在該加熱工序613中，為了使預(yù)浸材料141完全硬化，要使之上升到溫度T15。溫度T15，采用定為約200℃的辦法，使預(yù)浸材料141完全硬化。
如上所述，在實(shí)施形態(tài)12的強(qiáng)制流入工序609中，采用使壓力及真空度變成為恒定，對(duì)預(yù)浸材料141的溫度進(jìn)行控制的辦法，強(qiáng)制性地使含浸于預(yù)浸材料141內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂流入、填充到間隙156及空間部分143內(nèi)。因此，由于不再需要壓板的復(fù)雜的工作控制等，故設(shè)備等變得簡(jiǎn)便起來(lái)，因而可以實(shí)現(xiàn)制造設(shè)備的低價(jià)格化。
另外，理想的是對(duì)于強(qiáng)制流入工序609的溫度梯度α2把加熱工序608的溫度梯度α1形成得大。因此，在該加熱工序608中，就可以使預(yù)浸材料141的溫度上升到大于樹(shù)脂流動(dòng)開(kāi)始的溫度T13的溫度T14。如上所述，在加熱工序608中，采用增大要提供給預(yù)浸材料141的溫度的上升梯度，使預(yù)浸材料141的溫度上升到溫度T14的辦法，加速預(yù)浸材料141的粘度的降低，在短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到最低粘度v11。
另一方面，如果減小強(qiáng)制流入工序609的溫度梯度α2，則可以加長(zhǎng)預(yù)浸材料141為最低粘度v11的保持時(shí)間。借助于此，由于可以加長(zhǎng)最低粘度v11的時(shí)間，故即便是不進(jìn)行壓力或真空度等的控制，也可以使含于預(yù)浸材料內(nèi)的環(huán)氧樹(shù)脂向間隙156、空間部分143(參看圖27A)等內(nèi)流入填充。
如上所述，在實(shí)施形態(tài)12中，采用控制預(yù)浸材料141的溫度的辦法，把樹(shù)脂開(kāi)始流動(dòng)的時(shí)刻Tstart設(shè)定得早一點(diǎn)，加長(zhǎng)到樹(shù)脂開(kāi)始硬化的時(shí)刻Tend為止的時(shí)間間隔。借助于此，就可以應(yīng)對(duì)多種多樣的眾多的電子部件，即便是在環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行流入的定時(shí)上產(chǎn)生了差，也可以對(duì)間隙156及空間部分143流入環(huán)氧樹(shù)脂。因此，就不再需要預(yù)先用加注器等流入樹(shù)脂的工序。
本發(fā)明的疊層基板的制造方法和在該方法制造中使用的組件用半導(dǎo)體元件和疊層基板的制造設(shè)備，可以確實(shí)地向預(yù)浸材料片材與基板之間的一體化工序中的間隙及空間部分內(nèi)流入、填充樹(shù)脂而無(wú)須預(yù)先向電子部件與基板之間的間隙及空間部分內(nèi)填充中間材料。此外，還可以實(shí)現(xiàn)疊層基板、組件用半導(dǎo)體元件和制造設(shè)備的小型化。特別是由于當(dāng)應(yīng)用于需要小型化的攜帶用電子設(shè)備等時(shí)是特別有用的，故其工業(yè)上的利用可能性高。
權(quán)利要求
1.一種疊層基板的制造方法，其特征于，具備準(zhǔn)備基板的工序；準(zhǔn)備電子部件的工序；把上述電子部件裝設(shè)到設(shè)置在上述基板的一個(gè)主面上的導(dǎo)電部分上的工序；準(zhǔn)備含浸有在第1溫度范圍內(nèi)保持板狀體，在比上述第1溫度高的第2溫度范圍內(nèi)具有熱流動(dòng)性，在比上述第2溫度范圍高的第3溫度范圍內(nèi)則硬化的熱硬化性樹(shù)脂的片材的工序；準(zhǔn)備為了在把上述片材疊層到了上述電子部件上時(shí)在上述電子部件的周?chē)纬煽臻g部而在上述片材上形成了孔的帶孔片材的工序；把上述帶孔片材疊層到上述電子部件上的工序；把上述帶孔片材加熱到上述第2溫度范圍以使上述熱硬化性樹(shù)脂軟化的第1加熱處理工序；在從上述第2溫度范圍到上述第3溫度范圍內(nèi)壓縮上述帶孔片材使上述熱硬化性樹(shù)脂流入、填充到上述電子部件的周?chē)目臻g部?jī)?nèi)的樹(shù)脂流入工序；以及把上述帶孔片材加熱到上述第3溫度使上述熱硬化性樹(shù)脂硬化的第2加熱處理工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，片材是由織物或無(wú)紡布及含浸于該織物或無(wú)紡布內(nèi)的樹(shù)脂構(gòu)成的板狀體，在上述片材的裝設(shè)上述電子部件的上述電子部件的周?chē)O(shè)置有空間部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，上述樹(shù)脂流入工序，對(duì)片材和基板進(jìn)行壓縮，使含浸于上述片材內(nèi)的熱硬化性樹(shù)脂流入到空間部分內(nèi)，并把加熱上述片材的溫度設(shè)定為比其最低粘度點(diǎn)溫度低的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在對(duì)歸因于向空間部分進(jìn)行的樹(shù)脂流入而發(fā)生的樹(shù)脂的溫度上升量進(jìn)行預(yù)計(jì)后，把樹(shù)脂流入工序中的上述片材的溫度，設(shè)定為至少比變成為該片材的最低粘度時(shí)的溫度低的溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在上述樹(shù)脂流入工序中，使樹(shù)脂向空間部分流入時(shí)的上述樹(shù)脂的溫度，設(shè)定為比上述樹(shù)脂的最低粘度點(diǎn)溫度低的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，強(qiáng)制流入中的片材的溫度，設(shè)定為連接固定材料不熔融的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在對(duì)向空間部分流入時(shí)的樹(shù)脂的溫度上升量進(jìn)行預(yù)計(jì)后，把強(qiáng)制流入中的片材的溫度，設(shè)定為至少比連接固定材料的熔融點(diǎn)溫度低。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在強(qiáng)制流入中，把向空間部分流入的樹(shù)脂的溫度設(shè)定得比連接固定材料的熔融點(diǎn)溫度低。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在強(qiáng)制流入中，在對(duì)由在上述樹(shù)脂和電子部件或上述樹(shù)脂與基板之間產(chǎn)生的摩擦熱所產(chǎn)生的溫度上升量進(jìn)行預(yù)計(jì)后，把使樹(shù)脂向空間部分流入時(shí)的上述樹(shù)脂的速度，減小到上述樹(shù)脂的粘度不上升的程度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在強(qiáng)制流入中，在對(duì)由在上述樹(shù)脂和電子部件或與基板之間產(chǎn)生的摩擦熱所產(chǎn)生的溫度上升量進(jìn)行預(yù)計(jì)后，把使樹(shù)脂向空間部分流入時(shí)的速度，設(shè)定為使得上述樹(shù)脂的溫度不超過(guò)連接固定材料的熔融點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，第2加熱工序中的片材的溫度，設(shè)定為比連接固定材料的熔融點(diǎn)溫度低。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第2加熱工序之后，具有加熱到比連接固定材料的熔點(diǎn)高的溫度的第3加熱工序，在上述第3加熱工序中，在上述片材喪失了流動(dòng)性之后，把上述片材的溫度加熱到大于等于上述連接固定材料的熔點(diǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，強(qiáng)制流入，使樹(shù)脂向空間部分流入，并借助于在使上述樹(shù)脂向上述空間部分流入時(shí)所產(chǎn)生的發(fā)熱，減小上述樹(shù)脂的粘度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序中，片材至少以使得用于向上述片材供給熱的加熱裝置和上述片材接觸的第1壓力壓縮。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的疊層基板的制造方法，其特征于，把在強(qiáng)制流入中壓縮片材的速度，設(shè)定為比在第1加熱工序中壓縮上述片材的速度大。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序與強(qiáng)制流入工序之間，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序，在該樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中，加熱片材，并用比第1壓力小的第2壓力壓縮片材。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在強(qiáng)制流入與第2加熱工序之間設(shè)置有壓縮壓力緩和工序，在該壓縮壓力緩和工序中，使從在上述強(qiáng)制流入中供給的第1壓力變化為比上述第1壓力小的第2壓力。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的疊層基板的制造方法，其特征于，把第2壓力設(shè)定為比樹(shù)脂的喪失流動(dòng)的溫度與連接固定材料的熔點(diǎn)溫度變成為基本相等的情況下的壓力小。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序與強(qiáng)制流動(dòng)工序之間，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序，在該樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中，加熱上述片材，并用不使含浸于上述片材內(nèi)的樹(shù)脂流動(dòng)的壓力壓縮上述片材。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序與強(qiáng)制流動(dòng)工序之間，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序，在該樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中，加熱上述片材，并用不使含浸于上述片材內(nèi)的樹(shù)脂向上述基板的外側(cè)流出的壓力壓縮上述片材。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序與強(qiáng)制流動(dòng)工序之間，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序，在該樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中，加熱上述片材，并用使上述片材與用來(lái)加熱該片材的加熱裝置接觸的壓力壓縮上述片材。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序與強(qiáng)制流動(dòng)工序之間，設(shè)置有樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序，在該樹(shù)脂流動(dòng)抑制工序中，加熱上述片材，并與上述片材的粘度的降低相對(duì)應(yīng)地減小上述片材的壓縮壓力。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在一體化工序中在第1加熱工序之前設(shè)置有真空化工序，抽出空間部分和間隙中的至少一方的空氣使之變成為基本真空，在樹(shù)脂的溫度處于上述樹(shù)脂的軟化溫度與第2溫度范圍的上限溫度之間時(shí)解除上述真空。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在比樹(shù)脂的粘度為最低粘度的溫度低的溫度下解除真空。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的疊層基板的制造方法，其特征于，真空的解除，定為與強(qiáng)制流入的開(kāi)始基本同時(shí)。
26.一種疊層基板的制造方法，其特征于，具備準(zhǔn)備基板的工序；準(zhǔn)備電子部件的工序；把上述電子部件裝設(shè)到設(shè)置在上述基板的一個(gè)主面上的導(dǎo)電部分上的工序；準(zhǔn)備含浸有在第1溫度范圍內(nèi)保持板狀體，在比上述第1溫度高的第2溫度范圍內(nèi)具有熱流動(dòng)性，在比上述第2溫度范圍高的第3溫度范圍內(nèi)硬化的熱硬化性樹(shù)脂的片材的工序；準(zhǔn)備為在把上述片材疊層到了上述電子部件上時(shí)在上述電子部件的周?chē)纬煽臻g部而在上述片材上形成了孔的帶孔片材的工序；把上述帶孔片材疊層到上述電子部件上的工序；把上述帶孔片材加熱到上述第2溫度范圍使上述熱硬化性樹(shù)脂軟化的第1加熱處理工序；在從上述第2溫度范圍到上述第3溫度范圍內(nèi)壓縮上述帶孔片材，邊加熱邊壓縮上述樹(shù)脂的加熱、壓縮工序；在該加熱、壓縮工序之后把上述片材加熱到上述第3溫度范圍的第2加熱工序，上述加熱、壓縮工序，根據(jù)上述樹(shù)脂的粘度改變加到上述片材上的壓力。
27.一種疊層基板的制造方法，其特征于，具備準(zhǔn)備基板的工序；準(zhǔn)備電子部件的工序；把上述電子部件裝設(shè)到設(shè)置在上述基板的一個(gè)主面上的導(dǎo)電部分上的工序；準(zhǔn)備含浸有在第1溫度范圍內(nèi)保持板狀體，在比上述第1溫度高的第2溫度范圍內(nèi)具有熱流動(dòng)性，在比上述第2溫度范圍高的第3溫度范圍內(nèi)硬化的熱硬化性樹(shù)脂的片材的工序；準(zhǔn)備為在把上述片材疊層到了上述電子部件上時(shí)在上述電子部件的周?chē)纬煽臻g部而在上述片材上形成了孔的帶孔片材的工序；把上述帶孔片材疊層到上述電子部件上的工序；把上述帶孔片材加熱到上述第2溫度范圍使上述熱硬化性樹(shù)脂軟化的第1加熱處理工序；在從上述第2溫度范圍到上述第3溫度范圍內(nèi)壓縮上述帶孔片材，邊加熱邊壓縮上述樹(shù)脂的加熱、壓縮工序；以及在該加熱、壓縮工序之后把上述片材加熱到上述第3溫度范圍的第2加熱工序，上述加熱、壓縮工序，根據(jù)上述樹(shù)脂的粘度改變壓縮上述片材的速度。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第1加熱工序中，在加壓力的同時(shí)，把片材的溫度加熱到在上述壓力中上述樹(shù)脂變成為可流動(dòng)的粘度的溫度。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，強(qiáng)制流入中的樹(shù)脂的溫度，保持于基本恒定的溫度。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，把第1加熱工序中的片材的溫度上升的斜度，設(shè)定得比強(qiáng)制流入中的上述片材的溫度斜度大。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在疊層工序之前，設(shè)置有懸空工序，使得對(duì)向地載置片材與上述電子部件，并把上述片材與上述基板之中的任何一方保持為在上述電子部件與上述片材之間設(shè)置有空間部分，同時(shí)，在疊層工序中，抽吸上述空間部分內(nèi)的空氣，并把上述片材載置到上述電子部件上邊。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的疊層基板的制造方法，其特征于，把片材做成為在常溫下具有粘性的板狀體。
33.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在疊層工序之前設(shè)置有在預(yù)浸材料上加工孔的孔加工，并通過(guò)該孔加工，在上述預(yù)浸材料中在與空間部分的體積比樹(shù)脂量多的部位附近形成樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔，在強(qiáng)制流入中，用樹(shù)脂埋設(shè)上述樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的疊層基板的制造方法，其特征于，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔設(shè)置在電子部件的附近。
35.根據(jù)權(quán)利要求33所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在電子部件中，具有第1電子部件和與該第1電子部件相鄰地配置的第2電子部件，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔設(shè)置在上述第1電子部件的上述第2電子部件的相反側(cè)的側(cè)面附近。
36.根據(jù)權(quán)利要求33所述的疊層基板的制造方法，其特征于，電子部件，具有第1電子部件，和與該第1電子部件設(shè)置第1間隔地配置的第2電子部件對(duì)該第2電子部件設(shè)置比上述第1間隔小的第2間隔地配置在與上述第1電子部件相反側(cè)的第3電子部件，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔至少設(shè)置在與上述第1電子部件和上述第2電子部件之間對(duì)應(yīng)的位置上。
37.根據(jù)權(quán)利要求33所述的疊層基板的制造方法，其特征于，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔設(shè)置在片材的中央部分附近。
38.根據(jù)權(quán)利要求33所述的疊層基板的制造方法，其特征于，在第2加熱工序之后，具有至少切斷樹(shù)脂與基板之中的任何一方的切斷工序，樹(shù)脂流動(dòng)抑制孔，設(shè)置在被在上述切斷工序中切斷的切斷部分圍起來(lái)的區(qū)域內(nèi)。
39.一種組件用半導(dǎo)體元件，具備形成有半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體元件，和已連接到列設(shè)于該半導(dǎo)體元件的外體的一個(gè)面一側(cè)上的多個(gè)電極上的連接突點(diǎn)，上述連接突點(diǎn)，具有把多個(gè)上述連接突點(diǎn)排列為使得在相鄰的連接突點(diǎn)間形成第1空間部分的第1突點(diǎn)排列部分，和把多個(gè)上述連接突點(diǎn)排列為形成具有比上述第1空間部分的開(kāi)口面積大的開(kāi)口面積的第2空間部分的第2突點(diǎn)排列部分。
40.根據(jù)權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，在第1突點(diǎn)排列部分中，具有第1電極和與該第1電極電獨(dú)立的第2電極，在該第2電極與上述第1電極之間，設(shè)置有阻止上述第1電極與上述第2電極之間的短路的短路阻止裝置。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，其特征在于，第2突點(diǎn)排列部分，設(shè)置在半導(dǎo)體元件的外周部分附近。
42.根據(jù)權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，其特征在于，第2突點(diǎn)排列部分的連接突點(diǎn)的熔點(diǎn)設(shè)定為比第1突點(diǎn)排列部分的連接突點(diǎn)的熔點(diǎn)高。
43.根據(jù)權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，其特征在于，連接突點(diǎn)的大小，隨著從第1突點(diǎn)排列部分側(cè)朝向第2突點(diǎn)排列部分一側(cè)前進(jìn)，依次增大。
44.根據(jù)權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，其特征在于，第2突點(diǎn)排列部分中的連接突點(diǎn)的間隔，形成得比第1突點(diǎn)排列部分中的連接突點(diǎn)的間隔大。
45.一種布線基板，其特征在于，具有基板和設(shè)置在該基板的一個(gè)主面上的導(dǎo)電部分，即結(jié)合區(qū)圖形，上述導(dǎo)電部分上裝設(shè)有權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件，上述導(dǎo)電部分，設(shè)置在與上述組件用半導(dǎo)體元件的連接突點(diǎn)對(duì)應(yīng)的位置上，在上述基板與上述組件用半導(dǎo)體元件的下表面之間，設(shè)置有第1樹(shù)脂流動(dòng)埋設(shè)部分。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的布線基板，其特征在于，具備設(shè)置在基板的上表面一側(cè)上，并把組件用半導(dǎo)體元件埋設(shè)起來(lái)的樹(shù)脂制的片材，在上述片材上，在上述組件用半導(dǎo)體元件的外周部分上具有用上述樹(shù)脂形成的第2樹(shù)脂流動(dòng)埋設(shè)部分。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的布線基板，其特征在于，樹(shù)脂為在第1溫度范圍內(nèi)具有流動(dòng)性，并在比上述第1溫度范圍高的第2溫度范圍內(nèi)則硬化的熱硬化性樹(shù)脂，連接突點(diǎn)的熔點(diǎn)設(shè)定為比第1溫度范圍的上限溫度高。
48.根據(jù)權(quán)利要求45所述的布線基板的制造方法，其特征于，權(quán)利要求39所述的組件用半導(dǎo)體元件裝設(shè)在形成于基板的上表面一側(cè)上的結(jié)合區(qū)上邊，把上述結(jié)合區(qū)與上述半導(dǎo)體元件的連接突點(diǎn)連接起來(lái)。
49.一種把電子部件埋設(shè)到疊層基板內(nèi)的疊層基板的制造裝置，其特征在于，具有對(duì)于借助于連接固定材料把設(shè)置在其上表面上的結(jié)合區(qū)和電子部件連接固定起來(lái)的基板，在上述電子部件的外周上形成空間部分地疊層片材的疊層裝置，和設(shè)置在該疊層裝置的下游，并把上述片材與上述基板加熱粘接起來(lái)以使之一體化的一體化裝置；上述一體化裝置，具備被設(shè)置為把上述基板圍起來(lái)并遮斷外部氣體的密閉裝置；連接到該密閉裝置上并抽吸上述密閉裝置內(nèi)的空氣使之基本真空化的真空化裝置；設(shè)置在已疊層上上述片材的上述基板的上下方向上，并壓縮上述片材的壓縮裝置；設(shè)置在該壓縮裝置上，把上述壓縮裝置加熱到第3溫度范圍的加熱裝置；和連接到上述壓縮裝置上的驅(qū)動(dòng)裝置；上述疊層基板的制造設(shè)備，具有設(shè)置在上述壓縮裝置上，并輸出與上述樹(shù)脂的粘度對(duì)應(yīng)的信號(hào)的傳感器，和插入到該傳感器的輸出與上述驅(qū)動(dòng)裝置之間的驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，上述驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在上述片材的溫度是上述第2溫度范圍內(nèi)，使上述壓縮裝置壓縮上述片材，并使上述樹(shù)脂強(qiáng)制性地向上述電子部件與上述基板之間的空間部分流入。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，傳感器使用檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，根據(jù)從該溫度傳感器輸出的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在上述片材的溫度比上述片材的變成為最低粘度的溫度低的溫度下強(qiáng)制性地使樹(shù)脂流入。
51.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，傳感器使用檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在片材的溫度比連接固定材料的熔融溫度低的溫度下強(qiáng)制性地使樹(shù)脂向空間部分內(nèi)流入。
52.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，傳感器使用檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，根據(jù)從該溫度傳感器輸出的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在上述片材的溫度對(duì)于連接固定材料的熔融溫度，低大于等于預(yù)先決定的因摩擦熱而上升的溫度的量的溫度下，使上述樹(shù)脂流入。
53.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，上述壓縮裝置的速度，減小到上述樹(shù)脂的粘度不會(huì)因由在樹(shù)脂與電子部件或與基板之間產(chǎn)生的摩擦熱而帶來(lái)的溫度上升而上升的程度。
54.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，壓縮裝置以上述樹(shù)脂的粘度因由在樹(shù)脂與電子部件或與基板之間產(chǎn)生的摩擦熱而帶來(lái)的溫度上升而減小的速度壓縮片材。
55.根據(jù)權(quán)利要求49所述疊層基板的制造裝置，其特征在于傳感器使用檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，并具有插入到該溫度傳感器的輸出與加熱裝置之間的加熱裝置控制電路，上述加熱裝置控制電路，根據(jù)從上述溫度傳感器輸出的信號(hào)，在第1片材喪失了流動(dòng)性之后，把上述片材的溫度加熱到大于等于上述連接固定材料的熔點(diǎn)的溫度。
56.根據(jù)權(quán)利要求55所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在傳感器中，至少具有檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，在顯示為來(lái)自該溫度傳感器的輸出在第1溫度范圍內(nèi)的情況下，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，就以微小的壓力保持由壓力裝置產(chǎn)生的壓縮壓力。
57.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在傳感器中，至少具有檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，在驅(qū)動(dòng)裝置控制電路根據(jù)該溫度傳感器的輸出信號(hào)判定為是第2溫度范圍的情況下，在到壓力裝置強(qiáng)制性地使樹(shù)脂向空間部分流入為止的期間內(nèi)，使上述壓力裝置的壓力變成為抑制上述樹(shù)脂的流動(dòng)的微小的壓力。
58.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在傳感器中，至少具有檢測(cè)片材的溫度的溫度傳感器，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路根據(jù)該溫度傳感器的輸出信號(hào)，把在第2溫度范圍內(nèi)的壓縮裝置的移動(dòng)速度設(shè)定為比第1溫度范圍的大。
59.根據(jù)權(quán)利要求49所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在傳感器中，至少包括設(shè)置在壓縮裝置上的壓力傳感器，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在上述壓力傳感器的輸出變成為預(yù)先決定的第1壓力時(shí)，使壓縮片材的壓力變化為比上述第1壓力小的第2壓力。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在壓力變成為第1壓力時(shí)，使壓力裝置向間隔增大的方向移動(dòng)。
61.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在傳感器中，至少包括溫度傳感器，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在樹(shù)脂的溫度變成為預(yù)先決定的溫度為止的期間內(nèi)，使壓縮裝置的壓力保持為小于等于預(yù)先決定的壓力。
62.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，在片材的溫度是第2溫度范圍的情況下解除真空。
63.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在壓縮裝置中，根據(jù)樹(shù)脂的粘度改變壓縮上述片材的壓力。
64.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，根據(jù)來(lái)自傳感器的信號(hào)改變壓縮上述片材的壓力。
65.根據(jù)權(quán)利要求59所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，驅(qū)動(dòng)裝置控制電路，根據(jù)來(lái)自傳感器的信號(hào)改變壓縮片材的速度。
66.一種疊層基板的制造裝置，其特征在于在壓縮裝置的上側(cè)設(shè)置把片材在上述電子部件的上方保持為使得與電子部件之間具有空間部分的懸空裝置，真空化裝置至少抽吸上述空間部分的空氣，使之變成為基本真空。
67.根據(jù)權(quán)利要求66所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，密封裝置至少由壓縮裝置，和豎立設(shè)置在該壓縮裝置上并被設(shè)置為把基板的外周覆蓋起來(lái)的引導(dǎo)部分構(gòu)成，片材通過(guò)被載置為把上述引導(dǎo)部分的開(kāi)口部分堵塞起來(lái)而密封。
68.根據(jù)權(quán)利要求66所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，在引導(dǎo)部分上設(shè)置有用來(lái)抽吸密封裝置內(nèi)的空氣的孔，并把上述孔設(shè)置在上述引導(dǎo)部分的下端部附近。
69.根據(jù)權(quán)利要求66所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，懸空裝置具有包圍基板的側(cè)面的引導(dǎo)部分，和設(shè)置在該引導(dǎo)部分的上端上并具有朝向上方其寬度變寬的方向的傾斜的保持部分。
70.根據(jù)權(quán)利要求66所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，懸空裝置，由與壓縮裝置對(duì)向設(shè)置的上側(cè)壓縮板，和設(shè)置在該上側(cè)壓縮板上的保持爪構(gòu)成。
71.根據(jù)權(quán)利要求70所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，保持爪自由轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在上側(cè)壓縮板上。
72.根據(jù)權(quán)利要求70所述的疊層基板的制造裝置，其特征在于，保持爪被設(shè)置為覆蓋片材的全周。
全文摘要
本發(fā)明提供實(shí)現(xiàn)攜帶用電子設(shè)備小型化的疊層基板的制造方法。預(yù)浸材料(141)使用在第1溫度范圍內(nèi)為板狀體，在第2溫度范圍內(nèi)具有熱流動(dòng)性，并在第3溫度范圍內(nèi)硬化的熱硬化性的樹(shù)脂。一體化工序(118)具有在把預(yù)浸材料(141)加熱到第2溫度范圍時(shí)，使含浸于預(yù)浸材料(141)內(nèi)的樹(shù)脂軟化的軟化(120)，在預(yù)浸材料(141)變?yōu)榈?溫度范圍之前壓縮預(yù)浸材料(141)，強(qiáng)制性地使樹(shù)脂向在半導(dǎo)體元件(105)、電阻(106)與基板(101)之間形成的空間部分、間隙內(nèi)流入的強(qiáng)制流入(122)，和把預(yù)浸材料(141)加熱到第3溫度范圍的硬化(123)。因此，即便不使用中間材料，也可以確實(shí)向在半導(dǎo)體元件(105)、電阻(106)與基板(101)間形成的空間部分、間隙內(nèi)填充樹(shù)脂。
文檔編號(hào)H05K3/28GK1691877SQ20051006601
公開(kāi)日2005年11月2日 申請(qǐng)日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月19日
發(fā)明者西村干夫, 森敏彥, 本城和彥, 木村潤(rùn)一, 西井利浩, 原田真二, 北川元祥 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社