專利名稱：有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展重心已從個(gè)人計(jì)算機(jī)轉(zhuǎn)移至移動(dòng)式信息產(chǎn)品，而人類主要依賴視覺(jué)方式以獲取信息產(chǎn)品中的信息，因此，對(duì)于輕薄短小的顯示裝置有其需求。有機(jī)發(fā)光元件為一種主動(dòng)發(fā)光元件，其具有自發(fā)光、廣視角、低耗電、可撓曲、制程容易、成本低、操作溫度范圍寬以及操作速度快等優(yōu)點(diǎn)，可用以做為影像顯示裝置及照明光源等用途，并具有廣大的市場(chǎng)，所以成為現(xiàn)今眾多廠商積極開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A、1B、1C、1D所示，現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光元件6的制造方法是先于一透明基板61之上形成一第一電極層62；之后于第一電極層62上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元631所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層63；接下來(lái)利用一屏蔽元件7而于有機(jī)發(fā)光層63之上形成一由數(shù)個(gè)電子注入單元641所構(gòu)成的電子注入層64，于此，電子注入單元641由相同的材料所構(gòu)成，且各電子注入單元641具有相同的高度；最后，于電子注入層64之上形成一第二電極層65。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A所示，本現(xiàn)有技術(shù)例中，透明基板61為一聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)基板，且第一電極層62的材料為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。于此，透明基板61及第一電極層62亦可依需求而選擇其它的材料。
請(qǐng)參照?qǐng)D1B所示，本現(xiàn)有技術(shù)例中所形成的有機(jī)發(fā)光層63的結(jié)構(gòu)依序?yàn)橐浑姸磦鬏攲?、一發(fā)光層及-電子傳輸層，且有機(jī)發(fā)光層63包括有數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元631，且至少有二個(gè)有機(jī)發(fā)光單元631是由相異的材質(zhì)所構(gòu)成。于此，有機(jī)發(fā)光單元631的結(jié)構(gòu)可依需求而定。
請(qǐng)參照?qǐng)D1C所示，本現(xiàn)有技術(shù)例的電子注入層64的形成方式是先移動(dòng)一屏蔽元件7至指定位置，接下來(lái)通過(guò)屏蔽元件7形成電子注入層64于有機(jī)發(fā)光層63上，于此，本現(xiàn)有技術(shù)例所形成的電子注入層64包括有數(shù)個(gè)電子注入單元641，且電子注入單元641以相同的材料所構(gòu)成，并具有單一的厚度。
請(qǐng)參考圖1D所示，本現(xiàn)有技術(shù)例的第二電極層65以鎂(Mg；Magnesium)為材料。于此，第二電極層65亦可依需求而選擇其它的材料。
請(qǐng)參考圖1E所示，本現(xiàn)有技術(shù)例的有機(jī)發(fā)光元件6’于第一電極層62形成后更可形成一電洞注入層66，電洞注入層66形成于第一電極層62之上，且介于第一電極層62與有機(jī)發(fā)光層63之間。
承上所述，依本現(xiàn)有技術(shù)例所制造的有機(jī)發(fā)光元件形成有電子注入層，電子注入層可增進(jìn)第二電極層注入到有機(jī)發(fā)光層的電子注入率，又，現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光元件的電子注入層以數(shù)個(gè)由單一材料及具有單一厚度的電子注入單元所構(gòu)成。然而，第二電極層注入到有機(jī)發(fā)光層的電子注入率與電子注入層的材料與厚度相關(guān)，且，當(dāng)欲使有機(jī)發(fā)光層與第二電極層之間具有最佳的電子注入率，需依各有機(jī)發(fā)光單元的材料而分別選擇由適當(dāng)?shù)牟牧霞昂穸人鶚?gòu)成的電子注入單元。
綜上所言，現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法所制造的有機(jī)發(fā)光元件的電子注入層具有相同的厚度且為單一材料所構(gòu)成，無(wú)法分別使各種不同材質(zhì)的有機(jī)發(fā)光單元與第二電極層間形成最佳的電子注入率，而使有機(jī)發(fā)光元件的色純度、亮度及發(fā)光效率受到影響，因此，如何增加有機(jī)發(fā)光層與第二電極間的電子注入率，進(jìn)而提升有機(jī)發(fā)光元件的色純度、亮度及發(fā)光效率為一個(gè)重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提供一種可用以制造具有高電子注入率的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法。
為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法是于一透明基板之上形成一第一電極層；于第一電極層之上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第一電子注入單元，其中第一電子注入單元由第一材料所構(gòu)成；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第二電子注入單元，第二電子注入單元由第二材料所構(gòu)成，其中第一材料及第二材料為相異的材料，且第一電子注入單元及第二電子注入單元構(gòu)成一電子注入層；于電子注入層之上形成一第二電極層。其中，第一電子注入單元及第二電子注入單元可依需求而具有相異的厚度。
為達(dá)上述目的，依本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法是于一透明基板之上形成一第一電極層；于第一電極層之上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第一電子注入單元，其中第一電子注入單元由第一材料所構(gòu)成；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第二電子注入單元，第二電子注入單元由第二材料所構(gòu)成，其中第一材料及第二材料為相異的材料，且第一電子注入單元及第二電子注入單元構(gòu)成一電子注入層；分別于第一電子注入單元及第二電子注入單元之上形成一第一金屬單元及一第二金屬單元，且第一金屬單元及第二金屬單元構(gòu)成一金屬層；于金屬層之上形成一第二電極層。其中，第一電子注入單元及第二電子注入單元可依需求而具有相異的厚度。
承上所述，因依本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法所制造的有機(jī)發(fā)光元件具有數(shù)個(gè)電子注入單元，且至少有二電子注入單元分別以相異的材料所構(gòu)成，換言之，各電子注入單元間可以選擇相異的材料，且各電子注入單元的材料可分別依相對(duì)應(yīng)的有機(jī)發(fā)光單元的材料而選擇，各電子注入單元亦可依需求而分別形成有不同的厚度，以增加第二電極注入到有機(jī)發(fā)光層的電子注入率，進(jìn)而達(dá)到提升有機(jī)發(fā)光元件的色純度、亮度及發(fā)光效率的效果。


圖1A至1E為一示意圖，顯示現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的步驟；圖2A至2E為一示意圖，顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的步驟；圖3為一示意圖，顯示依本發(fā)明第一實(shí)施例于有機(jī)發(fā)光層形成后的俯視圖；圖4為一示意圖，顯示依本發(fā)明第一實(shí)施例所制造出的有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光層；圖5為一示意圖，顯示用于本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的一屏蔽；圖6為一示意圖，顯示依本發(fā)明第一實(shí)施例所制造出的有機(jī)發(fā)光元件；圖7A為一示意圖，顯示用于本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的一第一屏蔽；圖7B為一示意圖，顯示用于本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的一第二屏蔽；圖7C為一示意圖，顯示用于本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的一第三屏蔽；圖8為一示意圖，顯示依本發(fā)明第二實(shí)施例所制造出的有機(jī)發(fā)光元件。
圖中符號(hào)說(shuō)明
1 有機(jī)發(fā)光元件11 透明基板12 第一電極層13 有機(jī)發(fā)光層131有機(jī)發(fā)光單元132電洞傳輸層133發(fā)光層134電子傳輸層14 電子注入層141第一電子注入單元142第二電子注入單元143第三電子注入單元15 第二電極層16 電洞注入層17 金屬層171第一金屬單元172第二金屬單元173第三金屬單元2 屏蔽元件21 孔洞3 第一屏蔽元件31 孔洞4 第二屏蔽元件41 孔洞5 第三屏蔽元件51 孔洞6 有機(jī)發(fā)光元件61 透明基板62 第一電極層63 有機(jī)發(fā)光層
631有機(jī)發(fā)光單元64 電子注入層641電子注入單元65 第二電極層66 電洞注入層7 屏蔽元件具體實(shí)施方式
接下來(lái)將參照相關(guān)附圖，說(shuō)明依本發(fā)明較佳實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖2B、圖2C、圖2D及圖2E所示，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件1的制造方法是先于一透明基板11之上形成一第一電極層12；之后于第一電極層12上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元131所構(gòu)成的有機(jī)發(fā)光層13；接下來(lái)，利用一屏蔽元件2于有機(jī)發(fā)光層13之上形成一電子注入層14，電子注入層14包括數(shù)個(gè)電子注入單元；最后，于電子注入層14之上形成一第二電極層15。于此，電子注入層14中的至少二電子注入單元分別由相異的材料所構(gòu)成，且電子注入單元可分別依需求而具有相異的厚度。
本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法的詳細(xì)流程如下。
請(qǐng)參照?qǐng)D2A所示，首先，本發(fā)明是先于一透明基板11之上形成一第一電極層12，于本實(shí)施例中，透明基板11為玻璃基板且第一電極層12的材料為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。于此，透明基板11亦可選自但不限定為塑料基板或柔性(Flexible)基板等。且，塑料基板和柔性基板可為一聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)基板、一聚酯(Polyester，PET)基板、一環(huán)烯共聚物(Cyclic olefin copolymer，COC)基板、一金屬鉻合物基材-環(huán)烯共聚物(metallocene-based cyclic olefincopolymer，mCOC)基板或一薄型玻璃(Thin Glass)基板。此外，第一電極層12的材料亦可選自銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)或其它透明導(dǎo)電膜。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A所示，本發(fā)明于第一電極層12形成后接下來(lái)形成一有機(jī)發(fā)光層13于第一電極12之上，有機(jī)發(fā)光層13包括有數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元131且各有機(jī)發(fā)光單元131為獨(dú)立的發(fā)光體，構(gòu)成有機(jī)發(fā)光單元131的材料與有機(jī)發(fā)光單元131所發(fā)出的可視光的顏色相關(guān)。請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，于本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光層13包括有數(shù)個(gè)第一有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)R)、數(shù)個(gè)第二有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)G)及數(shù)個(gè)第三有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)B)。第一有機(jī)發(fā)光單元、第二有機(jī)發(fā)光單元及第三有機(jī)發(fā)光單元間由相異的材料所構(gòu)成，且分別發(fā)出紅光、綠光及藍(lán)光。
請(qǐng)參考圖4所示，承上所述，于本實(shí)施例中有機(jī)發(fā)光層13依序包括一電洞傳輸層132(HTL；Hole Transport Layer)、一發(fā)光層133(EML；Emitting Layer)以及一電子傳輸層134(ETL；ElectronicTransport Layer)。于此，有機(jī)發(fā)光層13的結(jié)構(gòu)亦可為發(fā)光層/電子傳輸層、電洞傳輸層/發(fā)光層、發(fā)光層或其它結(jié)構(gòu)。且發(fā)光層133的材料可為高分子有機(jī)材料，包括但不限于CN-PPV、MEH-PPV及DPBP-PPV等，或小分子有機(jī)材料，包括但不限于Alq:MQA、Beq2:Qa及DPVPi:DSA等至少其中之一。
請(qǐng)參照?qǐng)D2B、2C、2D、圖3及圖5所示，本發(fā)明于有機(jī)發(fā)光層13形成后，接著于有機(jī)發(fā)光層13之上形成一電子注入層14。于本實(shí)施例中，電子注入層14的形成步驟是先移動(dòng)一屏蔽元件2使屏蔽元件2的孔洞21對(duì)準(zhǔn)第一有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)R)，并于第一有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)R)上形成一第一電子注入單元141；接下來(lái)，平移屏蔽元件2使屏蔽元件2的孔洞21對(duì)準(zhǔn)有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)G)，以形成一第二電子注入單元142；之后，平移屏蔽元件2使屏蔽元件2的孔洞21對(duì)準(zhǔn)有機(jī)發(fā)光單元(標(biāo)號(hào)B)以形成一第三電子注入單元143。
請(qǐng)參照?qǐng)D2D所示，承上所述，本實(shí)施例中第一電子注入單元141、第二電子注入單元142及第三電子注入單元143分別由第一材料、第二材料及第三材料所構(gòu)成，第一材料、第二材料及第三材料為相異的材料，且電子注入層14由第一電子注入單元141、第二電子注入單元142及第三電子注入單元143所構(gòu)成。
電子注入單元的材料選自堿金屬、堿土金屬、鑭系金屬、堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物及鑭系金屬鹵化物至少其中之二。其中堿金屬包括但不限于鋰及鈉等，堿土金屬包括但不限于鎂、鋇及鈣等，鑭系金屬包括但不限于釤(Sm)、銩(Tm)、鋱(Tb)及鎰(Yb)等，堿金屬鹵化物包括但不限于氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)及氟化銫(CsF)等，堿土金屬鹵化物包括但不限于氟化鎂(MgF2)、氟化鋇(BaF2)及氟化鈣(CaF2)等，鑭系金屬鹵化物包括但不限于釤化碘(SmI2)。
再請(qǐng)參照?qǐng)D2E，本發(fā)明于電子注入層14形成后，接下來(lái)于電子注入層14之上形成一第二電極層15，于本實(shí)施例中，第二電極1 5的材料選自但不限定為鋁(Al)、鈣(Ca)、鎂(Mg)、銦(In)、錫(Sn)、錳(Mn)、銀(Ag)、金(Au)及含鎂的合金(例如鎂銀(Mg:Ag)合金、鎂銦(Mg:In)合金、鎂錫(Mg:Sn)合金、鎂銻(Mg:Sb)合金及鎂碲(Mg:Te)合金)等。
如圖6所示，本實(shí)施例于第一電極層12形成后，更可形成一電洞注入層16于第一電極層12之上，且電洞注入層16介于第一電極層12及有機(jī)發(fā)光層13之間。
請(qǐng)參照?qǐng)D3所示，本發(fā)明的電子注入層于形成過(guò)程中至少分二梯次以上形成，于本實(shí)施例中，電子注入層分三梯次形成，第一梯次是于標(biāo)號(hào)R的有機(jī)發(fā)光單元上形成第一電子注入單元、第二梯次是于標(biāo)號(hào)G的有機(jī)發(fā)光單元上形成第二電子注入單元，第三梯次是于標(biāo)號(hào)B的有機(jī)發(fā)光單元形成后形成第三電子注入單元。
另外，本發(fā)明亦可使用數(shù)個(gè)屏蔽元件于有機(jī)發(fā)光層之上形成電子注入層，請(qǐng)參照?qǐng)D7A、圖7B及圖7C所示，本發(fā)明于有機(jī)發(fā)光層形成之后形成一電子注入層于有機(jī)發(fā)光層之上，在本較佳實(shí)施例中，當(dāng)欲于如圖4所示的有機(jī)發(fā)光單元之上形成一電子注入層時(shí)，首先，移動(dòng)一具有數(shù)個(gè)孔洞31的第一屏蔽元件3，并通過(guò)第一屏蔽元件3的孔洞31于圖3中標(biāo)號(hào)R的有機(jī)發(fā)光單元之上形成數(shù)個(gè)第一電子注入單元；接下來(lái)，移動(dòng)一具有數(shù)個(gè)孔洞41的第二屏蔽元件4，并通過(guò)第二屏蔽元件4的孔洞41于標(biāo)號(hào)G的有機(jī)發(fā)光單元之上形成數(shù)個(gè)第二電子注入單元；之后，移動(dòng)一具有數(shù)個(gè)孔洞51的第三屏蔽元件5，并通過(guò)第三屏蔽元件5的孔洞51于標(biāo)號(hào)B的有機(jī)發(fā)光單元之上形成數(shù)個(gè)第三電子注入單元。
于此，第一電子注入單元、第二電子注入單元及第三電子注入單元分別由第一材料、第二材料及第三材料所構(gòu)成，且，第一材料、第二材料及第三材料為相異的材料，電子注入層由第一電子注入單元、第二電子注入單元及第三電子注入單元所構(gòu)成。電子注入層可選自但不限定以氟化鋰(LiF)、鋇(Ba)或鈣(Ca)為材料。
另外，本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光元件1的制造方法是于一透明基板11之上形成一第一電極層12；于第一電極層12之上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元131所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層13；于有機(jī)發(fā)光層13之上形成至少一第一電子注入單元141，其中第一電子注入單元141由第一材料所構(gòu)成；于有機(jī)發(fā)光層13之上形成至少一第二電子注入單元142，第二電子注入單元142由第二材料所構(gòu)成，其中第一材料及第二材料為相異的材料，且第一電子注入單元141及第二電子注入單元142構(gòu)成一電子注入層14；分別于第一電子注入單元141及第二電子注入單元142之上形成一第一金屬單元171及一第二金屬單元172，且第一金屬單元171及第二金屬單元172構(gòu)成一金屬層17；于金屬層17之上形成一第二電極層15。其中，第一電子注入單元141及第二電子注入單元142可依需求而具有相異的厚度。
本實(shí)施例是于第一梯次所形成的第一電子注入單元141形成后，于其上形成一第一金屬單元171；并于第二梯次所形成的第二電子注入單元142形成后，于其之上形成一第二金屬單元172；之后于第三梯次所形成的第三電子注入單元143形成之后，于其之上形成一第三金屬單元173，如圖8所示。
再請(qǐng)參照?qǐng)D8，第一金屬單元171、第二金屬單元172及第三金屬單元173構(gòu)成一金屬層17，金屬單元171、172、173可以防止電子注入單元141、142、143于形成后至第二電極層15形成前的過(guò)程中被氧化。于此，金屬單元171、172、173的材料可選自但不限定為鋁、鋰、鎂、銀、鎂銀合金、金或其它金屬與合金至少其中之一，且第一金屬單元171、第二金屬單元172及第三金屬單元173可分別由相異的材料所構(gòu)成，并可依需求而具有相異的厚度。
于本發(fā)明中，使用單一屏蔽元件以形成電子注入層，可節(jié)省置換屏蔽元件所花費(fèi)的時(shí)間及使用數(shù)個(gè)屏蔽元件的成本；另外，當(dāng)使用數(shù)個(gè)屏蔽元件以形成電子注入層，且各屏蔽元件的孔洞所設(shè)的位置及數(shù)量是依相對(duì)應(yīng)的電子注入單元的排列位置而設(shè)計(jì)，無(wú)需受限于使用單一屏蔽元件于使電子注入單元的排列受到限制。
綜上所言，因依本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法所制造的有機(jī)發(fā)光元件具有數(shù)個(gè)電子注入單元，且至少有二電子注入單元以相異的材料所構(gòu)成，可分別對(duì)不同材料的有機(jī)發(fā)光單元提供不同材料的電子注入單元，各電子注入單元并可依需求而分別形成有不同的厚度，因此可增加第二電極間注入到有機(jī)發(fā)光層的電子注入率，進(jìn)而達(dá)到提升有機(jī)發(fā)光元件的色純度、亮度及發(fā)光效率的效果。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對(duì)其進(jìn)行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于權(quán)利要求書(shū)的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包含下列步驟于一透明基板之上形成一第一電極層；于該第一電極層上形成一有機(jī)發(fā)光層，該有機(jī)發(fā)光層由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元所構(gòu)成；于該有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第一電子注入單元，該第一電子注入單元由第一材料所構(gòu)成；于該有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第二電子注入單元，該第二電子注入單元由第二材料所構(gòu)成，該第一材料及該第二材料為相異的材料，該第一電子注入單元及該第二電子注入單元構(gòu)成一電子注入層；以及于該電子注入層之上形成一第二電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一電子注入單元及該第二電子注入單元具有相異的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一材料及第二材料選自堿金屬、堿土金屬、鑭系金屬、堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物及鑭系金屬鹵化物至少其中之二。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，更包含在形成該第一電極層之后于該第一電極層之上形成有一電洞注入層，該電洞注入層介于該第一電極及該有機(jī)發(fā)光層之間。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一電極的材料選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物及鋁鋅氧化物至少其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第二電極的材料選自鋁、鈣、鎂、銦、錫、錳、銀、金及含鎂的合金至少其中之一。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一電洞傳輸層、一發(fā)光層以及一電子傳輸層，該電洞傳輸層形成于該第一電極之上。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一發(fā)光層以及一電子傳輸層，該發(fā)光層形成于該第一電極之上。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一電洞傳輸層以及一發(fā)光層，該電洞傳輸層形成于該第一電極之上。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層包含一發(fā)光層，該發(fā)光層形成于該第一電極之上。
11.一種有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其特征在于，包含下列步驟于一透明基板之上形成一第一電極層；于該第一電極層之上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層；于該有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第一電子注入單元，該第一電子注入單元由第一材料所構(gòu)成；于該有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第二電子注入單元，該第二電子注入單元由第二材料所構(gòu)成，其中第一材料及第二材料為相異的材料，且該第一電子注入單元及該第二電子注入單元構(gòu)成一電子注入層；分別于該第一電子注入單元及該第二電子注入單元之上形成一第一金屬單元及一第二金屬單元，且該第一金屬單元及該第二金屬單元構(gòu)成一金屬層；以及于該金屬層之上形成一第二電極層。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一電子注入單元及該第二電子注入單元具有相異的厚度。
13.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一材料及第二材料選自堿金屬、堿土金屬、鑭系金屬、堿金屬鹵化物、堿土金屬鹵化物及鑭系金屬鹵化物至少其中之二。
14.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，更包含在形成該第一電極層的后于該第一電極層之上形成有一電洞注入層，該電洞注入層介于該第一電極及該有機(jī)發(fā)光層之間。
15.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一電極的材料選自銦錫氧化物、銦鋅氧化物及鋁鋅氧化物至少其中之一。
16.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第二電極的材料選自鋁、鈣、鎂、銦、錫、錳、銀、金及含鎂的合金至少其中之一。
17.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一電洞傳輸層、一發(fā)光層以及一電子傳輸層，該電洞傳輸層形成于該第一電極之上。
18.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一發(fā)光層以及一電子傳輸層，該發(fā)光層形成于該第一電極之上。
19.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層依序包含一電洞傳輸層以及一發(fā)光層，該電洞傳輸層形成于該第一電極之上。
20.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該有機(jī)發(fā)光層包含一發(fā)光層，該發(fā)光層形成于該第一電極之上。
21.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一金屬單元及該第二金屬單元間的至少一的材料是選自由鋁、鋰及鎂其中之一。
22.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其中，該第一金屬單元及該第二金屬單元具有相異的厚度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光元件的制造方法，其于一透明基板之上形成一第一電極層；于第一電極層之上形成一由數(shù)個(gè)有機(jī)發(fā)光單元所構(gòu)成有機(jī)發(fā)光層；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第一電子注入單元，其中第一電子注入單元由第一材料所構(gòu)成；于有機(jī)發(fā)光層之上形成至少一第二電子注入單元，第二電子注入單元由第二材料所構(gòu)成，其中第一材料及第二材料為相異的材料，且第一電子注入單元及第二電子注入單元構(gòu)成一電子注入層；于電子注入層之上形成一第二電極層。
文檔編號(hào)H05B33/26GK1612653SQ20031010434
公開(kāi)日2005年5月4日 申請(qǐng)日期2003年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月28日
發(fā)明者葉佩娟, 鄭同昇 申請(qǐng)人:錸寶科技股份有限公司