專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置的制造方法和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置的制造方法和顯示裝置，尤其涉及具有在電極間夾持有機(jī)材料的發(fā)光元件的顯示裝置的制造方法和顯示裝置。
背景技術(shù)：
利用有機(jī)材料的場(chǎng)致發(fā)光(electroluminescence以下記為EL)的有機(jī)EL元件在陰極和陽(yáng)極之間設(shè)置有機(jī)空穴傳輸層和有機(jī)發(fā)光層層疊的有機(jī)層，作為通過(guò)低電壓直流驅(qū)動(dòng)而能高亮度發(fā)光的發(fā)光元件而受到注意。這種有機(jī)EL元件由基板上作為陽(yáng)極(或陰極)的下部電極、包含發(fā)光層的有機(jī)層、和作為陰極(或陽(yáng)極)的上部電極依次層疊構(gòu)成，從基板側(cè)或上部電極側(cè)提取由有機(jī)層產(chǎn)生的發(fā)射光。
在制造具有這種結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件的顯示裝置時(shí)，在基板上形成下部電極圖案之后，和下部電極重疊，形成具有發(fā)光層的有機(jī)層，接著，在確保和下部電極的絕緣性的狀態(tài)下，在該有機(jī)層上形成上部電極。
在上述制造方法中，各材料層的形成是通過(guò)濺射法、真空蒸鍍法或其他的成膜方法進(jìn)行的，但其中上部電極的形成必須不對(duì)作為襯底的有機(jī)層造成破壞。即，當(dāng)對(duì)有機(jī)層造成破壞時(shí)，由于對(duì)應(yīng)于電荷注入量的發(fā)光效率下降，因此，為了維持亮度，需要增大在電極間流過(guò)的電流。但是，若增大有機(jī)EL元件中流過(guò)的電流，就會(huì)出現(xiàn)所謂的有機(jī)層的劣化加快、顯示裝置的壽命(亮度減半壽命)縮短、電力消耗增大等問(wèn)題。
因此，上部電極的形成通常通過(guò)對(duì)作為襯底的有機(jī)層破壞少的真空蒸鍍法來(lái)進(jìn)行。在通過(guò)濺射法形成上部電極的情況下，提出了這樣的方法在有機(jī)層上形成由例如銅酞花青染料這樣的有機(jī)材料制成的緩沖層，通過(guò)憑借該緩沖層形成上部電極，防止濺射成膜時(shí)對(duì)有機(jī)層的破壞(例如參考以下專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3)專(zhuān)利文獻(xiàn)1
特開(kāi)2000-58266號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2美國(guó)專(zhuān)利第6,172,459B1專(zhuān)利文獻(xiàn)3特開(kāi)2000-340364號(hào)公報(bào)但是，在這種制造方法中，存在以下的課題。
即，在通過(guò)濺射法形成上部電極的方法中，由于在有機(jī)層和上部電極之間設(shè)有緩沖層，因此增加了制造工序數(shù)，同時(shí)元件結(jié)構(gòu)變復(fù)雜。
在由此制造的顯示裝置中，緩沖層吸收特定波長(zhǎng)，因此，在特定波長(zhǎng)帶域提取的光不能得到希望的特性。例如，已知由上述銅酞花青染料制成的緩沖層在紅色區(qū)域中具有大的光吸收峰值，即使僅僅14nm的膜厚，也會(huì)吸收20％左右。但是，在紅色有機(jī)EL元件中，發(fā)射光的提取效率(即外部量子效率)降低。
因此，這種外部量子效率的下降是導(dǎo)致為獲得預(yù)定亮度而增大電流量、由此導(dǎo)致亮度減半壽命下降的主要原因。
另一方面，在通過(guò)真空蒸鍍法形成上部電極的方法中，由于通過(guò)真空蒸鍍成膜率不穩(wěn)定，因此難以得到穩(wěn)定膜厚的上部電極。而且，在同時(shí)蒸鍍多種材料來(lái)形成上部電極的情況下，難以控制組成比，因此，在以穩(wěn)定的組成進(jìn)行共同蒸鍍時(shí)需要存儲(chǔ)時(shí)間，而且，需要給成膜裝置頻繁提供材料等，所以存在生產(chǎn)率低的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種顯示裝置的制造方法和顯示裝置，所述顯示裝置由于生產(chǎn)率高且可形成防止破壞有機(jī)層的上部電極而具有優(yōu)越的長(zhǎng)期可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種在基板上依次由下部電極、包含發(fā)光層的有機(jī)層以及上部電極層疊成的從該上部電極側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型顯示裝置的制造方法，其特征在于，在基板上形成下部電極，在該下部電極上形成包含發(fā)光層的有機(jī)層后，通過(guò)濺射法在該有機(jī)層上形成含鋰的上部電極作為陰極。
這樣，在從上部電極側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型顯示裝置中，不需要在下部電極中具有反射性，因此，該上部電極的膜厚可以很薄。因此，在濺射成膜制造上部電極時(shí)，可抑制對(duì)作為其襯底的有機(jī)層造成的損壞的總量，由此，得到發(fā)光效率良好的顯示裝置。此外，上部電極因?yàn)楹琇i，所以可作為陰極。特別地，通過(guò)利用將吸收率小的金屬銀(Ag)作為主要成分的含鋰(Li)的上部電極，可減小上部電極中的光損失，提高光提取效率。由此，可高效率地得到長(zhǎng)壽命的顯示裝置。


圖1是示出由通過(guò)濺射法形成的AgLi構(gòu)成的上部電極的膜厚和具備該上部電極的顯示裝置的亮度減半壽命的關(guān)系曲線圖；圖2是示出AgLi膜的Li濃度和元件驅(qū)動(dòng)電壓、效率的關(guān)系的曲線圖；圖3是說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的截面圖；圖4是示出AgLi膜的膜厚和透過(guò)率以及反射率的關(guān)系曲線圖；圖5是示出在一定電流下連續(xù)照明時(shí)間和亮度的關(guān)系曲線圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是由此得到的顯示裝置的上部電極(AgLi)的膜厚和亮度減半壽命的關(guān)系曲線。這里，使用通過(guò)真空蒸鍍法形成的、由Li2O構(gòu)成的電子注入層和由Ag及鎂(Mg)構(gòu)成的上部導(dǎo)電層的層疊結(jié)構(gòu)的上部電極時(shí)的亮度半減壽命為864個(gè)小時(shí)。與之相比較，通過(guò)濺射法形成的上述上部電極在7nm～21nm膜厚范圍內(nèi)得到864個(gè)小時(shí)以上的亮度減半壽命。而且，若Li對(duì)Ag的重量濃度為0.3～1.9％，則該亮度減半壽命可幾乎不變。圖2示出了AgLi膜的Li重量濃度在0.18％～1.9％之間變化的結(jié)果。由此，可見(jiàn)若Li重量濃度是0.3％～1.9％，則驅(qū)動(dòng)電壓(voltage)、外部量子效率(C.E.)可幾乎不變。因此，若是該膜厚范圍和Li濃度，即使用濺射法形成上部電極時(shí)，也可充分抑制對(duì)有機(jī)層的損壞，確實(shí)得到和通過(guò)真空蒸鍍法形成的上部電極同程度以上的驅(qū)動(dòng)電壓、外部量子效率和亮度減半壽命。
本發(fā)明是通過(guò)上述制造方法形成的顯示裝置，其特征在于，上部電極含鋰且被用作陰極。
以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明關(guān)于本發(fā)明顯示裝置的制造方法和顯示裝置的實(shí)施方案。圖3示出了本發(fā)明顯示裝置一個(gè)構(gòu)成例的截面圖。圖中所示的顯示裝置1在基板2上設(shè)置有機(jī)EL元件3，在本實(shí)施方案中，根據(jù)其制造方法順次說(shuō)明圖中所示的顯示裝置1的結(jié)構(gòu)。
首先，準(zhǔn)備基板2。基板2由玻璃、硅、塑料基板、以及形成TFT(thinfilm transistor)的TFT基板等構(gòu)成，特別地，在顯示裝置1是從基板2側(cè)提取發(fā)射光的透過(guò)型的情況下，該基板2由具有光透過(guò)性的材料構(gòu)成。
接著，在基板2上形成下部電極4。下部電極4用作陽(yáng)極。因此，下部電極4最好使用功函數(shù)盡可能大的材料，例如鎳、金、白金、鈀、硒、銠、釕、銥、錸、鎢、鉬、鉻、鉭、鈮和它們的合金，或者氧化錫、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅、氧化鈦等。
下部電極4根據(jù)顯示裝置1的驅(qū)動(dòng)方式以合適的形狀制作布線圖案。例如，顯示裝置1的驅(qū)動(dòng)方式是單純矩陣型的情況下，下部電極4例如形成為線條狀。顯示裝置1的驅(qū)動(dòng)方式是每個(gè)像素中具有TFT的有源矩陣型的情況下，下部電極4和多個(gè)配列的各像素對(duì)應(yīng)而形成圖形，同樣地，對(duì)于設(shè)在各像素中的TFT，以通過(guò)覆蓋這些TFT的層間絕緣膜中形成的接觸孔(未圖示)以分別連接它們的狀態(tài)形成。
接著，在下部電極4上形成有機(jī)層5。這里，從作為陽(yáng)極形成的下部電極4側(cè)依次順序形成例如空穴注入層501、空穴傳輸層503、發(fā)光層505、未圖示的電子傳輸層等。該有機(jī)層5的結(jié)構(gòu)不限于上述結(jié)構(gòu)，可根據(jù)需要以適當(dāng)選擇的結(jié)構(gòu)來(lái)形成。
形成這種有機(jī)層5的各層的成膜，可利用通過(guò)己知方法合成的各有機(jī)材料，使用真空蒸鍍和濺射等己知方法來(lái)進(jìn)行。調(diào)整有機(jī)層5的膜厚，使由發(fā)光層505產(chǎn)生的發(fā)射光經(jīng)有機(jī)層5的上面和下面反射并諧振后提取出來(lái)，以便獲得微諧振腔效果。
此后，在有機(jī)層5上，通過(guò)濺射法形成7nm～21nm膜厚的含鋰(Li)的上部電極6。該上部電極6作為陰極形成。
該上部電極6作成Li對(duì)Li以外的所有成分的重量組成比達(dá)到0.3％～1.9％。而且，上部電極6最好將銀(Ag)作為主要成分，但除此之外，可使用鋁(Al)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鍺(Ge)、銠(Rh)、鈀(Pd)、因(In)、錫(Sn)、銥(Ir)、鉑(Pt)、金(Au)、釕(Ru)，以及鈉(Na)、鉀(K)、銣(Rb)、銫(Cs)、鈁(Fr)等堿金屬，鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)等堿土類(lèi)金屬，鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鋱(Yb)和镥(Lu)等稀土類(lèi)金屬。
特別地，在通過(guò)濺射法形成上部電極6時(shí)，將成膜速度抑制到50nm/min以下。
這樣，在顯示裝置1為單純矩陣型的情況下，上部電極6形成為例如和下部電極4的線條交叉的線條狀，它們交叉并層疊的部分作為有機(jī)EL元件3。在顯示裝置1為有源矩陣型的情況下，上部電極6形成為以覆蓋基板2上的一個(gè)面的狀態(tài)成膜的全膜狀，在各個(gè)像素中作為公共電極使用。
在此，在顯示裝置1是從上部電極6側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型的情況下，在上部電極6中需要一定程度的光透過(guò)率。在光透過(guò)率明顯小的情況下，外部量子效率下降，因此，必須增大用于獲得預(yù)定亮度的電流密度，結(jié)果，使元件的亮度減半壽命下降。由圖1可見(jiàn)，在AgLi膜中，為了得到亮度減半壽命的改善效果，膜厚需要在21nm以下。
接著，考察上部電極6所要求的光透過(guò)率的下限。圖4示出了Ag的重量為98.1％、Li的重量為1.9％的AgLi膜中，波長(zhǎng)550nm的光的透過(guò)率和反射率的曲線(示出了與Ag的重量為99.7％、Li的重量為0.3％時(shí)也幾乎相同的曲線)，但由于為得到改善亮度減半壽命的效果而使最大膜厚為21nm，因此，要求上部電極6的光透過(guò)率至少必須在30％以上。若光透過(guò)率在30％以上，則可將顯示裝置1完全用作上面發(fā)光型。此外，上部電極6的光透過(guò)率和反射率，因上部電極6的組成而不同。因此，上部電極6的膜厚，可根據(jù)其組成設(shè)定在合適的膜厚范圍內(nèi)，若考慮銀是吸收小的金屬以及在吸收較大的電極中是最佳膜厚變薄的方向，則上部電極6的膜厚的最大值為21nm。
根據(jù)以上所述，在基板1上設(shè)置由下部電極4、有機(jī)層5和上部電極6依次層疊的有機(jī)EL元件3而得到顯示裝置1。該顯示裝置1通過(guò)濺射法形成將Ag作為主要成分、含Li的上部電極6。
此外，這里雖然未圖示，但在具有這種結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL元件3的顯示裝置1中，為了防止由于大氣中的水分和氧氣等使有機(jī)EL元件3老化，在覆蓋有機(jī)EL元件3的狀態(tài)下，在基板2上形成由氟化鎂和氟化鈣、氮化硅膜組成的保護(hù)膜。而且，希望通過(guò)樹(shù)脂粘貼對(duì)面基板，之后，通過(guò)紫外線照射和加熱使樹(shù)脂硬化并完全固化，將有機(jī)EL元件3密封在樹(shù)脂中。
根據(jù)以上說(shuō)明的實(shí)施方案的制造方法，在有機(jī)層5上通過(guò)濺射法形成含Li的上部電極6，而顯示裝置1是從上部電極6側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型，因此，即使上部電極6的反射率低也無(wú)妨。因此，上部電極6的膜厚可以薄。因此，雖然用生產(chǎn)率良好的濺射成膜，也能抑制對(duì)作為襯底的有機(jī)層5的損壞總量地進(jìn)行上部電極6的成膜。其結(jié)果是，可得到長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)越的顯示裝置，保證高產(chǎn)量地制造具有高效率·高可靠性的顯示裝置。
特別地，由于以7nm到21nm的膜厚形成上部電極6的結(jié)構(gòu)，因此，在形成上部電極6時(shí)，能可靠抑制對(duì)有機(jī)層5的損壞總量。尤其是，形成以Ag作為主要成分、含Li的上部電極6，可得到發(fā)光效率更高的顯示裝置1。而且，在以Ag作為主要成分的濺射法中，相對(duì)于成膜能量的成膜速度迅速。因此，在上部電極6的形成中，可抑制作為襯底的有機(jī)層5的損壞，并且可進(jìn)行一定程度的膜厚的成膜。因此，可將對(duì)有機(jī)層5的損壞抑制得更小。
圖1示出了涉及由此得到的顯示裝置的上部電極(AgLi)的膜厚和亮度減半壽命的關(guān)系曲線。此外，亮度減半壽命是指在以一定電流連續(xù)照明時(shí)，有機(jī)EL元件的亮度減至初期亮度一半的時(shí)間。在同樣的結(jié)構(gòu)中，用Ag和Mg的合金通過(guò)真空蒸鍍法僅形成上部電極的結(jié)構(gòu)的顯示裝置的亮度減半壽命是864個(gè)小時(shí)。與此相比，通過(guò)濺射法形成的上述上部電極6在7nm～21nm的膜厚范圍內(nèi)得到864個(gè)小時(shí)以上的亮度減半壽命。從這個(gè)結(jié)果可知，若在該膜厚范圍內(nèi)，即使通過(guò)濺射法形成上部電極6的情況下，也可充分抑制對(duì)有機(jī)層5的損壞，并得到與通過(guò)真空蒸鍍法形成的上部電極同程度以上的亮度減半壽命。因此，在有機(jī)層5上不設(shè)置用于防止損壞的緩沖層，從而，不會(huì)使結(jié)構(gòu)復(fù)雜化。
而且，在用Ag作為上部電極6的主要成分時(shí)，上部電極6和有機(jī)層的附著力高，并且對(duì)水分和氧氣穩(wěn)定，通過(guò)濺射法成膜的膜具有致密的膜質(zhì)。因此，可抑制水分浸入有機(jī)層5。而且，通過(guò)將功函數(shù)小的Li上部電極6形成陰極，可降低驅(qū)動(dòng)電壓。由此，抑制有機(jī)層5老化，可實(shí)現(xiàn)顯示裝置的長(zhǎng)壽命化。
如上所述，盡管使用對(duì)襯底影響大的濺射法來(lái)形成上部電極6，也不用形成緩沖層而能制造防止對(duì)有機(jī)層5損壞的顯示裝置。其結(jié)果是，在長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)良的顯示裝置制造方面，可提高其產(chǎn)量。
實(shí)施例下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
首先，在由0.7mm厚的玻璃制成的基板1上，通過(guò)DC磁控管濺射法形成膜厚200nm的由鉻(Cr)構(gòu)成的下部電極4。接著，對(duì)下部電極4的表面實(shí)施30秒的氧等離子體處理，將下部電極4的表面層變成氧化鉻。
接著，不暴露在大氣中并原封不動(dòng)地維持在10-4pa的真空氣氛內(nèi)，將基板1搬送到有機(jī)層成膜用的室中。而且，在將室內(nèi)減壓到3×10-5pa左右的狀態(tài)下，形成厚度為30nm的2-TNATA[4，4’，4″-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺]膜，接著，形成厚度為20nm的α-NPD[4，4’-雙(N-1-萘基-N-苯基氨基)聯(lián)二苯基]膜后，在Alq3[三(8-喹啉醇化)鋁(III)]中添加香豆素6，形成30nm的膜，接著形成厚度為20nm的Alq3的膜。
之后，不暴露在大氣中并維持在10-4pa的真空氣氛內(nèi)，原樣將基板1搬送到形成陰極的室中。將AgLi(Li3.0wt％)作為目標(biāo)，通過(guò)DC磁控管濺射法，將由AgLi構(gòu)成的陰極作為上部電極6，以12nm的膜厚成膜。此時(shí)的濺射條件是以DC功率為60W、在濺射氣體中使用氬(Ar)、氣體壓力為0.2Pa、成膜時(shí)間為316秒，進(jìn)行上部電極6的濺射成膜。
接著，不暴露在大氣中并將基板1搬送到等離子體CVD(化學(xué)氣相淀積)用的室中。以3μm的膜厚在基板1上形成由氮化硅(SiNx)構(gòu)成的保護(hù)膜。此時(shí)，在成膜氣體中使用硅烷(SiH4)、氨(NH3)、和氮?dú)?N2)。
接著，在大氣中取出基板1，將光硬化性樹(shù)脂滴到保護(hù)膜上，通過(guò)光硬化性樹(shù)脂使板厚0.7mm的玻璃作為對(duì)置基板貼合。之后，通過(guò)紫外線照射使光硬化性樹(shù)脂硬化，將有機(jī)EL元件密封在基板1和對(duì)置基板之間。
此外，作為比較例，按以上順序形成上部電極時(shí)，通過(guò)真空蒸鍍法形成1nm膜厚的由LiO2構(gòu)成的電子注入導(dǎo)電層后，以12nm的膜厚形成由MgAg(10∶2vol比)構(gòu)成的上部導(dǎo)電層，由此制作具有層疊結(jié)構(gòu)的上部電極的顯示裝置。假設(shè)兩者的有機(jī)層的總膜厚相同時(shí)，電極的光學(xué)特性因AgLi和MgAg而不同，因此，由于微諧振腔而最后得到的發(fā)射光的色度在兩者中是不同的。因此，為了使兩者的發(fā)射光的色度一致而比較特性，適當(dāng)調(diào)整比較例的有機(jī)層的膜厚。
初期特性評(píng)價(jià)對(duì)如上制作的實(shí)施例和比較例的顯示裝置，在下部電極和上部電極之間施加直流電壓并評(píng)價(jià)其初期特性。其結(jié)果是，在得到1130cd/m2的亮度的情況下，在實(shí)施例中，通過(guò)施加7.6V，量子效率是7.3cd/A，在比較例中，通過(guò)施加7.0V，量子效率是6.5cd/A。兩者的色度一致。
從該結(jié)果可以確認(rèn)，即使是通過(guò)濺射法形成上部電極時(shí)，也不在有機(jī)層上設(shè)置緩沖層，可得到通過(guò)真空蒸鍍法形成上部電極時(shí)同程度的驅(qū)動(dòng)電壓以及量子效率發(fā)光的顯示裝置。
連續(xù)照明壽命和電壓上升評(píng)價(jià)對(duì)如上制作的實(shí)施例和比較例的顯示裝置評(píng)價(jià)以一定電流連續(xù)照明時(shí)的亮度變差。圖5中，示出了此時(shí)的照明時(shí)間和亮度的關(guān)系。通過(guò)該曲線可見(jiàn)，實(shí)施例的顯示裝置比比較例的顯示裝置的照明壽命長(zhǎng)。進(jìn)行連續(xù)照明的驅(qū)動(dòng)電壓的測(cè)定，驅(qū)動(dòng)電壓的上升為相同程度。
由此，從長(zhǎng)期可靠性的觀點(diǎn)看，即使在通過(guò)濺射法形成上部電極時(shí)，也可不在有機(jī)層上設(shè)置緩沖層，而保證得到和通過(guò)真空蒸鍍法形成上部電極時(shí)相同程度性能的顯示裝置。
發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的制造方法和顯示裝置，由于具有通過(guò)濺射法形成作為發(fā)射光提取側(cè)的含Li的上部電極的結(jié)構(gòu)，所以，盡管使用濺射法，也可不設(shè)置緩沖層，而抑制對(duì)有機(jī)層的損壞總量、形成上部電極。其結(jié)果，可保證高產(chǎn)量地制造長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)越的顯示裝置。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，所述顯示裝置是將下部電極、含有發(fā)光層的有機(jī)層以及上部電極依次層疊在基板上，從該上部電極側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，在基板上形成下部電極，在該下部電極上形成含發(fā)光層的有機(jī)層之后，通過(guò)濺射法在該有機(jī)層上形成含鋰的上部電極作為陰極。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述上部電極以銀為主要成分含有鋰，鋰的重量組成比為0.3％～1.9％。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，通過(guò)所述濺射法形成上部電極是以50nm/min以下的成膜速度進(jìn)行的。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，以7nm～21nm左右的膜厚形成所述上部電極。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于，所述上部電極的550nm波長(zhǎng)的光的透過(guò)率在30％以上。
6.一種顯示裝置，是將下部電極、含有發(fā)光層的有機(jī)層以及上部電極依次層疊在基板上而構(gòu)成的，從該上部電極側(cè)提取發(fā)射光的上面發(fā)光型顯示裝置，其特征在于，所述上部電極含鋰并用作陰極。
7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述上部電極以銀為主要成分含有鋰，鋰的重量組成比為0.3％～1.9％。
8.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述上部電極具備7nm～21nm的膜厚。
9.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述上部電極的550nm波長(zhǎng)的光的透過(guò)率在30％以上。
全文摘要
一種生產(chǎn)率優(yōu)越、且可防止對(duì)有機(jī)層損壞、形成上部電極而長(zhǎng)期可靠性?xún)?yōu)越的顯示裝置的制造方法。該方法是在基板2上把下部電極4、含發(fā)光層有機(jī)層5以及上部電極6依次層疊，從上部電極側(cè)6提取發(fā)射光的上面發(fā)光型的顯示裝置1的制造方法，在基板2上形成下部電極4，在下部電極4上形成含發(fā)光層的有機(jī)層5后，通過(guò)濺射法以7nm～21nm的膜厚在有機(jī)層5上形成含有鋰的上部電極6作為陰極。上部電極6的鋰重量組成比是0.1％～1.9％。通過(guò)濺射法形成上部電極6是以50nm/min以下的成膜速度進(jìn)行。
文檔編號(hào)H05B33/10GK1431852SQ0215424
公開(kāi)日2003年7月23日 申請(qǐng)日期2002年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月18日
發(fā)明者芝崎孝宜, 平野貴之, 森敬郎, 山田二郎 申請(qǐng)人:索尼公司