后，第一 MOS管為列公共電路提供偏置電流，從而實現(xiàn)每個像素電路中的像素公共電路的偏置和每個列處理電路中的列公共電路的偏置相對獨立。因此，每個列公共電路和每個像素電路的鏡像精度，不會因為像素陣列規(guī)模的擴(kuò)展和電源和地走線的壓降而受到影響，從而在像素陣列比較大或者針對極微弱信號的開環(huán)放大的應(yīng)用中，有效減小了電源和地走線壓降對像素陣列之間的鏡像電流匹配精度造成的影響，保證不同像素信號放大輸出獲得良好的均勻性，適用于不斷擴(kuò)大的電路陣列。
[0045]參照圖5，本發(fā)明還公開了一種圖像傳感器，包括:上述的圖像傳感器的信號處理電路I和行譯碼器2。其中，行譯碼器2分別與圖像傳感器的信號處理電路I中M個開關(guān)模塊103相連，行譯碼器2控制M個開關(guān)模塊103以分時復(fù)用方式進(jìn)行工作。
[0046]進(jìn)一步地，在本發(fā)明的一個實施例中，參照圖5，圖像傳感器還可以包括列譯碼器
3、邏輯處理器4和輸出緩沖放大器5。其中，列譯碼器3與圖像傳感器的信號處理電路I中M個列處理電路Al分別相連，列譯碼器3控制每個列處理電路Al逐個輸出處理后的像素信號。邏輯處理器4與行譯碼器2和列譯碼器3分別相連。輸出緩沖放大器5與M個列處理電路Al分別相連。
[0047]與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明實施例的圖像傳感器包括以下優(yōu)點:
[0048]通過圖像傳感器的信號處理電路，實現(xiàn)每個像素電路中的像素公共電路的偏置和每個列處理電路中的列公共電路的偏置相對獨立。從而每個列公共電路和每個像素電路的鏡像精度，不會因為像素陣列規(guī)模的擴(kuò)展和電源和地走線的壓降而受到影響，尤其在像素陣列比較大或者針對極微弱信號的開環(huán)放大的應(yīng)用中，有效減小了電源和地走線壓降對像素陣列之間的鏡像電流匹配精度造成的影響以及開環(huán)放大器性能的逐漸惡化，保證不同像素信號放大輸出獲得良好的均勻性，適用于不斷擴(kuò)大的電路陣列。
[0049]對于圖像傳感器的實施例而言，相關(guān)之處參見圖像傳感器的信號處理電路實施例的部分說明即可。
[0050]本說明書中的各個實施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。
[0051]盡管已描述了本發(fā)明實施例的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明實施例范圍的所有變更和修改。
[0052]最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者終端設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者終端設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0053]以上對本發(fā)明所提供的一種圖像傳感器的信號處理電路和一種圖像傳感器，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進(jìn)行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項】
1.一種圖像傳感器的信號處理電路，其特征在于，包括: M個信號處理模塊，每個所述信號處理模塊包括一列處理電路和分別與所述列處理電路相連的N個像素電路，M和N為大于零的整數(shù)，其中， 所述列處理電路包括: 參考電流源，所述參考電流源與第一公共端相連； 第一 MOS管，所述第一 MOS管的源極與所述第一公共端相連，所述第一 MOS管的柵極和漏極相連； 列公共電路，所述列公共電路與所述第一 MOS管的柵極相連；每個所述像素電路包括:開關(guān)模塊，所述開關(guān)模塊的一端與所述參考電流源、所述第一 MOS管的漏極和所述列公共電路分別相連； 第二 MOS管，所述第二 MOS管的漏極和柵極相連，所述第二 MOS管的漏極與所述開關(guān)模塊的另一端相連，所述第二 MOS管的源極與第二公共端相連； 第三MOS管，所述第三MOS管的漏極與所述開關(guān)模塊的另一端相連，所述第三MOS管的柵極與所述第二 MOS管的柵極相連，所述第三MOS管的源極與所述第二公共端相連； 像素公共電路，所述像素公共電路與所述第二 MOS管的柵極和所述開關(guān)模塊的另一端分別相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理電路，其特征在于，所述開關(guān)模塊包括: 第一開關(guān)，所述第一開關(guān)的一端與所述參考電流源相連，所述第一開關(guān)的另一端與所述第二 MOS管的漏極相連； 第二開關(guān)，所述第二開關(guān)的一端與所述第一 MOS管的漏極相連，所述第二開關(guān)的另一端與所述第三MOS管的漏極相連； 第三開關(guān)和第四開關(guān)，所述第三開關(guān)的一端和所述第四開關(guān)的一端分別與所述列公共電路相連，所述第三開關(guān)的另一端和所述第四開關(guān)的另一端分別與所述像素公共電路相連。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理電路，其特征在于，所述第一MOS管為NMOS管，所述第二 MOS管和所述第三MOS管為PMOS管。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號處理電路，其特征在于，所述第一公共端為地，所述第二公共端為電源提供端。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理電路，其特征在于，所述第一MOS管為PMOS管，所述第二 MOS管和所述第三MOS管為NMOS管。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號處理電路，其特征在于，所述第一公共端為電源提供端，所述第二公共端為地。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號處理電路，其特征在于，M個所述開關(guān)模塊分別與圖像傳感器的行譯碼器相連，所述行譯碼器控制所述M個開關(guān)模塊以分時復(fù)用方式進(jìn)行工作。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號處理電路，其特征在于，所述列公共電路包括: 第四MOS管，所述第四MOS管的源極與所述第一公共端相連，所述第四MOS管的漏極與所述第三開關(guān)的一端相連； 第五MOS管，所述第五MOS管的源極與所述第一公共端相連，所述第五MOS管的漏極與所述第四開關(guān)的一端相連，所述第五MOS管的柵極分別與所述第四MOS管的柵極和所述第一 MOS管的柵極相連。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的信號處理電路，其特征在于，所述像素公共電路包括: 第六MOS管，所述第六MOS管的柵極與所述第二 MOS管的柵極相連，所述第六MOS管的源極與所述第二公共端相連； 第七M(jìn)OS管，所述第七M(jìn)OS管的漏極與所述第三開關(guān)的另一端相連，所述第七M(jìn)OS管的源極與所述第六MOS管的漏極相連； 第八MOS管，所述第八MOS管的漏極與所述第四開關(guān)的另一端相連，所述第八MOS管的源極與所述第六MOS管的漏極相連。10.一種圖像傳感器，其特征在于，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項所述的圖像傳感器的信號處理電路； 分別與所述圖像傳感器的信號處理電路中M個開關(guān)模塊相連的行譯碼器，所述行譯碼器控制所述M個開關(guān)模塊以分時復(fù)用方式進(jìn)行工作。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種圖像傳感器及其信號處理電路，電路包括：M個信號處理模塊，每個模塊包括列處理電路和分別與列處理電路相連的N個像素電路，列處理電路包括：參考電流源與第一公共端相連；第一MOS管的源極與第一公共端相連，柵極和漏極相連；列公共電路與第一MOS管的柵極相連；每個像素電路包括：開關(guān)模塊一端與參考電流源、第一MOS管的漏極和列公共電路分別相連；第二MOS管的漏極和柵極相連，漏極與開關(guān)模塊另一端相連，源極與第二公共端相連；第三MOS管的漏極與開關(guān)模塊另一端相連，柵極與第二MOS管的柵極相連，源極與第二公共端相連；像素公共電路與第二MOS管的柵極和開關(guān)模塊另一端分別相連。本發(fā)明均勻性好，串?dāng)_小。
【IPC分類】H04N5/369, H04N5/374
【公開號】CN104967795
【申請?zhí)枴緾N201510428776
【發(fā)明人】劉曉磊, 羅木昌, 于?？? 榮磊
【申請人】北京立博信榮科技有限公司, 中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
【公開日】2015年10月7日
【申請日】2015年7月20日