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信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和測(cè)試裝置的制作方法

文檔序號(hào):40396263發(fā)布日期:2024-12-20 12:19閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二傳輸部(2)還包括第三導(dǎo)電圖案(22),所述第三導(dǎo)電圖案(22)包括第五電接觸區(qū)(221)和第六電接觸區(qū)(222),所述第五電接觸區(qū)(221)和第六電接觸區(qū)(222)分別設(shè)置于所述安裝板體(33)和所述連接板體(35)且均位于第一布設(shè)面(31)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)還包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述介質(zhì)板(3)還具有第三布設(shè)面(36),所述第三布設(shè)面(36)位于所述第一布設(shè)面(31)和所述第二布設(shè)面(32)之間;

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述隔離部(4)還包括第三金屬層(43),所述第三金屬層(43)布設(shè)于所述第二布設(shè)面(32)并與所述第二金屬層(42)電性連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述第二電接觸區(qū)(112)位于所述第二布設(shè)面(32);

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二金屬層(42)開設(shè)第四窗口(423),在所述介質(zhì)板(3)的厚度方向上,所述第一窗口(411)、所述第三窗口(431)和所述第四窗口(423)至少部分重合;

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述第二電接觸區(qū)(112)位于所述第一布設(shè)面(31);

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述介質(zhì)板(3)開設(shè)多個(gè)連接孔(37),所述連接孔(37)的一端延伸至所述第二布設(shè)面(32),另一端延伸至與所述第一布設(shè)面(31)或所述第三布設(shè)面(36);

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu),其特征在于,所述信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)還包括:

11.一種電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括:

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述主電路板(61)通過所述第一傳輸部(1)控制所述開關(guān)控制芯片(62)的使用狀態(tài);

13.一種測(cè)試裝置,其特征在于,所述測(cè)試裝置包括:

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述測(cè)試裝置還包括信號(hào)分析模塊(82);

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述測(cè)試裝置還包括開關(guān)控制模塊(83);


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)實(shí)施例公開了一種信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備和測(cè)試裝置,將第一電接觸區(qū)以及第三電接觸區(qū)和第四電接觸區(qū)設(shè)置于第一布設(shè)面。延伸板體連接于安裝板體和連接板體之間。將第一電接觸區(qū)和第三電接觸區(qū)以及第四電接觸區(qū)分別設(shè)置于安裝板體和連接板體。由此,當(dāng)?shù)诙娊佑|區(qū)設(shè)置于第二布設(shè)面以及安裝板體時(shí),將安裝板體安裝于主電路板和開關(guān)控制芯片之間,第一導(dǎo)電圖案可以在主電路板和開關(guān)控制芯片之間形成信號(hào)通路。當(dāng)?shù)诙娊佑|區(qū)設(shè)置于第一布設(shè)面和連接板體時(shí),操作人員同時(shí)控制開關(guān)控制芯片的使用狀態(tài)并向開關(guān)控制芯片饋入導(dǎo)行電磁波。從而,提高對(duì)電子設(shè)備內(nèi)輻射部性能測(cè)試的準(zhǔn)確性,還能進(jìn)一步評(píng)估出開關(guān)控制芯片對(duì)輻射部性能的影響。

技術(shù)研發(fā)人員:郭星宇,張鵬,付榮,何坤林
受保護(hù)的技術(shù)使用者:昆山聯(lián)滔電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240424
技術(shù)公布日:2024/12/19
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