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磁路系統(tǒng)及同心軸揚(yáng)聲器的制作方法

文檔序號(hào):12890418閱讀:353來源:國知局
磁路系統(tǒng)及同心軸揚(yáng)聲器的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種應(yīng)用于揚(yáng)聲器中的磁路系統(tǒng)及同心軸揚(yáng)聲器。



背景技術(shù):

如圖1所示,為現(xiàn)有技術(shù)中后置雙磁路對(duì)偶同軸結(jié)構(gòu)示意圖,其具有第一磁路系統(tǒng)10及第二磁路系統(tǒng)20,其中第一磁路系統(tǒng)10為高音磁路驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),第二磁路系統(tǒng)20為低音磁路驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),由于高頻聲源30及低頻聲源40具有初始相位誤差當(dāng)揚(yáng)聲器工作時(shí),其高音及低音傳達(dá)到預(yù)定距離存在延時(shí)現(xiàn)象。如圖2所示,為現(xiàn)有技術(shù)中前置雙磁路同軸結(jié)構(gòu)示意圖,其具有第三磁路系統(tǒng)10,及第四磁路驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)20,,其中第三磁路系統(tǒng)10,為低音磁路驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),第四磁路系統(tǒng)20,為高音磁路驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),由于高頻聲源30,及低頻聲源40,具有初始相位誤差當(dāng)揚(yáng)聲器工作時(shí),其高音及低音傳達(dá)到預(yù)定距離同樣存在延時(shí)現(xiàn)象。并且,圖1及2所示的磁路系統(tǒng)結(jié)構(gòu)中,磁場相互干擾。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供一種磁路系統(tǒng)及揚(yáng)聲器。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面,本發(fā)明公開的一種磁路系統(tǒng),包括:

底座,其具有導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁柱以及導(dǎo)磁壁;

第一磁鐵,其設(shè)置于導(dǎo)磁底板并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;以及

第一華斯,其設(shè)于第一磁鐵上并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;第一華斯具有靠近導(dǎo)磁柱外側(cè)壁的第一端面以及靠近導(dǎo)磁壁的第二端面;

第一端面與正對(duì)第一端面的導(dǎo)磁柱外側(cè)壁之間形成第一磁隙以及第二磁隙;第二端面與正對(duì)第二端面的導(dǎo)磁壁內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙及第四磁隙;第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙及第四磁隙的水平中心面共平面。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面,本發(fā)明公開的另一種磁路系統(tǒng),包括:

底座,其具有導(dǎo)磁底板以及導(dǎo)磁柱,導(dǎo)磁柱具有一頂部開口容納腔體;

第一磁鐵,其設(shè)于導(dǎo)磁底板并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;

第一華斯,其設(shè)于第一磁鐵并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;第一華斯具有靠近導(dǎo)磁柱外側(cè)壁的第一端面;

第二磁鐵,其設(shè)于容納腔體內(nèi);以及

第二華斯;其設(shè)于第二磁鐵上;第二華斯具有相對(duì)的第三端面及第四端面;

第一端面與正對(duì)第一端面的導(dǎo)磁柱的外側(cè)壁之間形成第一磁隙及第二磁隙;第三端面與正對(duì)第三端面的導(dǎo)磁柱內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙;第四端面與正對(duì)第四端面的導(dǎo)磁柱內(nèi)側(cè)壁之間形成第四磁隙;第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙及第四磁隙的水平中心面共平面。

根據(jù)本發(fā)明的第三方面,本發(fā)明公開的一種揚(yáng)聲器,包括磁路系統(tǒng),磁路系統(tǒng)包括:

底座,其具有導(dǎo)磁底板、導(dǎo)磁柱以及導(dǎo)磁壁;

第一磁鐵,其設(shè)置于導(dǎo)磁底板并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;以及

第一華斯,其設(shè)于第一磁鐵上并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;第一華斯具有靠近導(dǎo)磁柱外側(cè)壁的第一端面以及靠近導(dǎo)磁壁的第二端面;

第一端面與正對(duì)第一端面的導(dǎo)磁柱外側(cè)壁之間形成第一磁隙以及第二磁隙;第二端面與正對(duì)第二端面的導(dǎo)磁壁內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙及第四磁隙;第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙及第四磁隙的水平中心面共平面。

根據(jù)本發(fā)明的第四方面,本發(fā)明公開的另一種揚(yáng)聲器,包括磁路系統(tǒng),磁路系統(tǒng)包括:

底座,其具有導(dǎo)磁底板以及導(dǎo)磁柱,導(dǎo)磁柱具有一頂部開口容納腔體;

第一磁鐵,其設(shè)于導(dǎo)磁底板并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;

第一華斯,其設(shè)于第一磁鐵并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱外側(cè)壁;第一華斯具有靠近導(dǎo)磁柱外側(cè)壁的第一端面;

第二磁鐵,其設(shè)于容納腔體內(nèi);以及

第二華斯;其設(shè)于第二磁鐵上;第二華斯具有相對(duì)的第三端面及第四端面;

第一端面與正對(duì)第一端面的導(dǎo)磁柱的外側(cè)壁之間形成第一磁隙及第二磁隙;第三端面與正對(duì)第三端面的導(dǎo)磁柱內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙;第四端面與正對(duì)第四端面的導(dǎo)磁柱內(nèi)側(cè)壁之間形成第四磁隙;第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙及第四磁隙的水平中心面共平面。

本發(fā)明公開的磁路系統(tǒng)中,第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙以及第四磁隙的水平中心面共平面,高頻聲源及低頻聲源位置重合,共點(diǎn)發(fā)聲,其高音及低音傳達(dá)到預(yù)定距離不會(huì)存在延時(shí)現(xiàn)象;同時(shí),磁路系統(tǒng)中,共用同一底座,底座與第一華斯、第一磁鐵、第二磁鐵及第二華斯形成單磁路,不會(huì)存在磁路之間的干擾,影響音質(zhì)。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對(duì)本申請的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請的一部分,本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請,并不構(gòu)成對(duì)本申請的不當(dāng)限定。在附圖中:

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中后置雙磁路對(duì)偶同軸結(jié)構(gòu)剖面示意圖;

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中前置雙磁路同軸結(jié)構(gòu)剖面示意圖;

圖3為實(shí)施例中的其中一磁路系統(tǒng)的剖面結(jié)構(gòu)圖;

圖4為圖3中第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙以及第四磁隙的放大示意圖;

圖5為實(shí)施例中的另一磁路系統(tǒng)的剖面結(jié)構(gòu)圖;

圖6為圖5中第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙以及第四磁隙的放大示意圖;

圖7為實(shí)施例中的另一磁路系統(tǒng)的剖面結(jié)構(gòu)圖;

圖8為圖7中第一磁隙、第二磁隙、第三磁隙以及第四磁隙的放大示意圖。

具體實(shí)施方式

以下將以圖式揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式,為明確說明起見,許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而,應(yīng)了解到,這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說,在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中,這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡單的示意的方式繪示之。

需要說明,本發(fā)明實(shí)施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對(duì)位置關(guān)系、運(yùn)動(dòng)情況等,如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時(shí),則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。

另外,在本發(fā)明中如涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的,并非特別指稱次序或順位的意思,亦非用以限定本發(fā)明,其僅僅是為了區(qū)別以相同技術(shù)用語描述的組件或操作而已,而不能理解為指示或暗示其相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。另外,各個(gè)實(shí)施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。

本實(shí)施例提供一種磁路系統(tǒng)以及應(yīng)用磁路系統(tǒng)的同心軸揚(yáng)聲器,本實(shí)施例中的同心軸揚(yáng)聲器尤其適用于車載音響系統(tǒng)中。

如圖3所示,為本實(shí)施例中其中一種磁路系統(tǒng)的剖面示意圖,磁路系統(tǒng)包括底座1、第一磁鐵2以及第一華斯3。其中,底座1具有導(dǎo)磁底板11、導(dǎo)磁柱12以及導(dǎo)磁壁13,導(dǎo)磁底板11的形狀不限制,其可以為規(guī)則的長方體型,也可以為階梯狀結(jié)構(gòu),導(dǎo)磁柱12垂直設(shè)置于導(dǎo)磁底板11中心軸,導(dǎo)磁壁12垂直設(shè)于導(dǎo)磁底板11的邊緣。第一磁鐵2設(shè)于導(dǎo)磁底板11上,且環(huán)繞于導(dǎo)磁柱12的外側(cè)壁,第一華斯3設(shè)于第一磁鐵2上,且環(huán)繞于導(dǎo)磁柱12的外側(cè)壁。參閱圖4所示,其為本例中第一磁隙33、第二磁隙34、第三磁隙35及第四磁隙36放大示意圖,第一華斯2具有靠近導(dǎo)磁柱12外側(cè)壁的第一端面31以及靠近導(dǎo)磁壁13的第二端面32,其中,第一端面31與正對(duì)第一端面31的導(dǎo)磁柱12外側(cè)壁之間形成第一磁隙33以及第二磁隙34;第二端面32與正對(duì)第二端面32的導(dǎo)磁壁13內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙35及第四磁隙36;第一磁隙33、第二磁隙34、第三磁隙35及所述第四磁隙36的水平中心面37共平面。將本例中磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器中,形成一具有共點(diǎn)發(fā)聲特性的同心軸揚(yáng)聲器。

參見圖5-8所示,其為本例中兩種磁路系統(tǒng)的剖面結(jié)構(gòu)圖。本例中,磁路系統(tǒng)包括底座1、第一磁鐵2、第一華斯3、第二磁鐵4以及第二華斯5。底座1具有導(dǎo)磁底板11以及導(dǎo)磁柱12,同樣,導(dǎo)磁底板11形狀具體不作限制,可以為圖5所示的長方體狀,也可以為圖7中所示階梯狀結(jié)構(gòu),導(dǎo)磁柱12垂直設(shè)置于導(dǎo)磁底板11中心軸,導(dǎo)磁柱12具有一頂部開口容納腔體14。第一磁鐵2設(shè)于導(dǎo)磁底板11并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱12外側(cè)壁;第一華斯3設(shè)于第一磁鐵2上并環(huán)繞于導(dǎo)磁柱12外側(cè)壁;第一華斯3具有靠近導(dǎo)磁柱12外側(cè)壁的第一端面31;第二磁鐵4設(shè)于容納腔體14內(nèi);第二華斯5設(shè)于第二磁鐵4上,第二華斯5具有相對(duì)的第三端面51及第四端面52。參見圖6所示,其為本例中第一磁隙33、第二磁隙34、第三磁隙35及第四磁隙36的放大結(jié)構(gòu)圖,其中,第一端面31與正對(duì)第一端面31的導(dǎo)磁柱12的外側(cè)壁之間形成第一磁隙33及第二磁隙34;第三端面51與正對(duì)第三端面51的導(dǎo)磁柱12內(nèi)側(cè)壁之間形成第三磁隙34;第四端面52與正對(duì)第四端面52的導(dǎo)磁柱12內(nèi)側(cè)壁之間形成第四磁隙36;第一磁隙33、第二磁隙34、第三磁隙35及第四磁隙36的水平中心面37共平面。將本例中磁路系統(tǒng)應(yīng)用于揚(yáng)聲器中,同樣形成一具有共點(diǎn)發(fā)聲特性的同心軸揚(yáng)聲器。

另需要說明的是,本例中,磁路系統(tǒng)可以包括n個(gè)磁鐵及n個(gè)華斯,華斯個(gè)數(shù)與磁鐵個(gè)數(shù)相同,n大于等于3,當(dāng)磁路系統(tǒng)包括n個(gè)磁鐵及n個(gè)華斯時(shí),無論華斯及磁鐵相對(duì)于底座的位置關(guān)系如何設(shè)置,只需要保證n個(gè)華斯與底座之間形成的所有磁隙的水平中心面共平面,即可滿足共點(diǎn)發(fā)聲。

由于第一磁隙33、第二磁隙34、第三磁隙35以及第四磁隙36的水平中心面37共平面,高頻聲源及低頻聲源位置重合,形成共點(diǎn)聲源38,共點(diǎn)發(fā)聲,其高音及低音傳達(dá)到預(yù)定距離不會(huì)存在延時(shí)現(xiàn)象;同時(shí),磁路系統(tǒng)中,共用同一底座1,底座1與第一華斯3、第一磁鐵2、第二磁鐵4及第二華斯5形成單磁路,不會(huì)存在磁路之間的干擾,影響音質(zhì)。

上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式而已,并不用于限制本發(fā)明。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理的內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包括在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。

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