本發(fā)明涉及電容式麥克風(fēng)的制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法。

背景技術(shù)：

隨著無線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來越多，用戶對移動(dòng)電話的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好壞直接影響通話質(zhì)量。

而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，簡稱MEMS麥克風(fēng))，現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)在制造時(shí)，硅基底上會(huì)沉積氧化層，但是沉積的氧化層的表面粗糙不平，需要進(jìn)行打磨?，F(xiàn)有的打磨方法是采用特定的化學(xué)機(jī)械平坦化工具((Chemical Mechanical Planarization)，簡稱CMP)對氧化層的粗糙表面進(jìn)行打磨，這種打磨方法不但需要用到化學(xué)方法還是用機(jī)械方法，工藝步驟繁瑣，生產(chǎn)成本高，打磨效率低下。

因此，有必要提供一種新的電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法以解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法，其工藝步驟簡單、生產(chǎn)成本低、打磨效率高。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法，包括如下步驟：

提供待加工的電容式麥克風(fēng)半成品，所述電容式麥克風(fēng)半成品包括具有粗糙表面的氧化層；

將所述電容式麥克風(fēng)半成品安置于工作臺(tái)上；

利用拋光機(jī)的磨片打磨所述氧化層的粗糙表面至粗糙表面平坦。

優(yōu)選的，在所述利用拋光機(jī)的磨片打磨所述氧化層的粗糙表面至粗糙表面平坦步驟之前，還包括：

在拋光機(jī)的磨片與所述氧化層的粗糙表面之間加入改善打磨性能的漿料。

優(yōu)選的，所述漿料為PH值3-5的酸性漿料。

優(yōu)選的，所述漿料包括直徑30nm-60nm的顆粒物。

優(yōu)選的，所述拋光機(jī)設(shè)有用于注入所述漿料的注入孔。

優(yōu)選的，所述磨片的硬度大于50度。

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法利用拋光機(jī)就能對氧化層的粗糙表面進(jìn)行平坦化打磨，使得生產(chǎn)成本更低，通過提供改善打磨性能的漿料和改變拋光機(jī)的參數(shù)來進(jìn)行打磨，不但工藝步驟簡單，而且打磨效率和質(zhì)量得到顯著提升。

【附圖說明】

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖，其中：

圖1為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品、工作臺(tái)及拋光機(jī)的位置關(guān)系示意圖；

圖3為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品的粗糙面平坦化后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明拋光機(jī)的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請參閱圖1和圖2，圖1為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法的流程圖，圖2為本發(fā)明電容式麥克風(fēng)半成品、工作臺(tái)及拋光機(jī)的位置關(guān)系示意圖。本發(fā)明提供了一種電容式麥克風(fēng)半成品的氧化層粗糙面平坦化的方法，其包括如下步驟：

S1、提供待加工的電容式麥克風(fēng)半成品2，所述電容式麥克風(fēng)半成品2包括具有粗糙表面200的氧化層20，具體如圖3所示；

在制造電容式麥克風(fēng)時(shí)，通過沉積所述氧化層20，必然會(huì)形成粗糙不平的所述粗糙表面200，需要對所述粗糙表面200進(jìn)行打磨至平坦，以便在平坦的所述氧化層20表面進(jìn)行沉積等進(jìn)一步工序。

S2、將所述待加工的電容式麥克風(fēng)半成品2安置于工作臺(tái)3上；

S3、在拋光機(jī)1的磨片10與所述氧化層20的所述粗糙表面200之間加入改善打磨性能的漿料；

請一并參閱圖5，圖5為本發(fā)明拋光機(jī)的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。所述拋光機(jī)1設(shè)有用于注入所述漿料的注入孔11，所述磨片10設(shè)有與所述注入孔11連接的開口100，所述漿料通過所述注入孔11到達(dá)所述開口100，從而使得漿料可以到達(dá)所述氧化層20的粗糙表面200上。所述磨片10的硬度大于50度。所述漿料為PH值3-5的酸性漿料，包括直徑30nm-60nm的顆粒物，從而用于增強(qiáng)打磨效率，提升打磨質(zhì)量。

S4、利用所述拋光機(jī)1的所述磨片10打磨所述氧化層20的粗糙表面200至粗糙表面平坦，具體如圖4所示，所述氧化層20的表面經(jīng)過打磨變得平坦。

通過調(diào)節(jié)所述磨片10的下降速度、所述磨片10的轉(zhuǎn)速、所述漿料的出料速度、所述磨片10的橫向移動(dòng)速度等參數(shù)來調(diào)節(jié)所述拋光機(jī)1的打磨性能。

值得一提的是，在整個(gè)電容式麥克風(fēng)制作過程中，只要有設(shè)置氧化層的步驟，均可對所述氧化層的粗糙表面采用本申請?zhí)峁┑钠教够椒ā?/p>

與相關(guān)技術(shù)相比，本發(fā)明提供的電容式麥克風(fēng)半成品2的氧化層粗糙面平坦化的方法利用拋光機(jī)1就能對氧化層的粗糙表面進(jìn)行平坦化打磨，使得生產(chǎn)成本更低，通過提供改善打磨性能的漿料和改變拋光機(jī)1的參數(shù)來進(jìn)行打磨，不但工藝步驟簡單，而且打磨效率和質(zhì)量得到顯著提升。

以上所述的僅是本發(fā)明的實(shí)施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。