本發(fā)明屬于電聲換能技術(shù)領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種發(fā)聲裝置模組。

背景技術(shù)：

近年來，電子產(chǎn)品的發(fā)展迅速，平板電腦、智能手機已成為人們?nèi)粘Ｉ畹谋匦杵?。電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代速度快，產(chǎn)品的性能逐漸提升。發(fā)聲裝置是電子產(chǎn)品中的一種重要部件，用于聲音信號與聲音之間的轉(zhuǎn)換。本領(lǐng)域技術(shù)人員也對發(fā)聲裝置的性能進行不斷的改進，以適應電子產(chǎn)品的發(fā)展。

發(fā)聲裝置通?？梢杂啥鄠€殼體組合裝配構(gòu)成，在現(xiàn)有技術(shù)中，為了提高殼體之間的連接可靠性，本領(lǐng)域技術(shù)人員常常采用超聲熔接的方式將殼體接觸裝配的位置熔融焊接，形成穩(wěn)定的固定連接。但是，超聲熔接對外殼的材料、結(jié)構(gòu)以及加工工藝都具有較高的要求，容易出現(xiàn)局部不熔的情況。雖然殼體的對接處出現(xiàn)局部不熔、未連接的情況并不會對殼體整體的連接可靠性造成影響，但是，這種缺陷會影響發(fā)聲裝置的氣密性，進而有可能影響發(fā)聲裝置的聲學性能。另一方面，在進行超聲熔接加工時，發(fā)聲裝置整體會產(chǎn)生高頻振動，殼體中的注塑嵌件以及發(fā)聲裝置的其它部件有可能受到震動損傷。

綜上所述，有必要對發(fā)聲裝置的結(jié)構(gòu)或者殼體的裝配工藝進行改進，提高發(fā)聲裝置的氣密性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是提供一種發(fā)聲裝置模組的新技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種發(fā)聲裝置模組，包括模組殼體、環(huán)形加熱絲以及發(fā)聲裝置單體，所述模組殼體包括第一殼體和能與第一殼體扣合的第二殼體，所述第一殼體的邊緣處具有環(huán)形熔接凸棱，所述環(huán)形加熱絲設置在所述模組殼體中與所述環(huán)形熔接凸棱對應的位置，當所述第一殼體與第二殼體扣合時，所述環(huán)形熔接凸棱與所述第二殼體接觸，所述環(huán)形熔接凸棱配置為能在所述環(huán)形加熱絲的加熱作用下全部或部分融化，以在所述第一殼體和第二殼體之間形成密封連接，所述發(fā)聲裝置單體設置在所述模組殼體中。

可選地，所述環(huán)形加熱絲的兩端分別連接有接線柱，兩支所述接線柱的位置相比鄰，所述接線柱配置為用于接收加熱電能。

可選地，所述第二殼體上與所述接線柱對應的位置處具有凹槽，所述凹槽配置為用于容納環(huán)形熔接凸棱未融化的部分區(qū)域。

可選地，所述模組殼體上與所述凹槽對應的位置處具有封膠口，所述封膠口配置為能使粘接劑粘接密封在所述凹槽處；

或者，所述模組殼體上與所述凹槽對應的位置處具有貼封位，所述貼封位配置為用于承載密封件以使所述凹槽密封。

可選地，所述環(huán)形加熱絲設置在所述環(huán)形熔接凸棱內(nèi)。

可選地，所述第一殼體呈蓋板結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形熔接凸棱位于所述第一殼體的一側(cè)表面上。

可選地，所述第二殼體的邊緣處設置有擋墻，所述第一殼體扣合在所述第二殼體上時，所述第一殼體的邊緣位于所述擋墻內(nèi)側(cè)。

可選地，所述第二殼體的邊緣處具有臺階面，所述第一殼體扣合在所述第二殼體上時，所述環(huán)形熔接凸棱與所述臺階面接觸。

可選地，所述臺階面上具有環(huán)形槽，所述環(huán)形熔接凸棱配置為能嵌在所述環(huán)形槽中。

可選地，所述環(huán)形加熱絲注塑固定在所述第一殼體內(nèi)，兩個所述接線柱從所述第一殼體的外表面露出。

本發(fā)明的一個技術(shù)效果是，所述環(huán)形加熱絲通過加熱作用能夠使第一殼體與第二殼體之間形成良好的密封效果。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是本發(fā)明提供的發(fā)聲裝置模組的爆炸圖；

圖2是本發(fā)明提供第一殼體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明提供的環(huán)形加熱絲的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明提供的發(fā)聲裝置模組的局部剖面示意圖；

圖5是圖4的局部放大圖；

圖6是圖2的局部放大圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應注意到：除非另外具體說明，否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設備可能不作詳細討論，但在適當情況下，所述技術(shù)、方法和設備應當被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

應注意到：相似的標號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進行進一步討論。

本發(fā)明提供了一種改進的發(fā)聲裝置模組，該模組中配置了環(huán)形熔接凸棱和與凸棱位置對應的環(huán)形加熱絲。所述環(huán)形加熱絲能夠?qū)Νh(huán)形熔接凸棱起到良好的加熱熔融作用，以使第一殼體與第二殼體之間形成穩(wěn)定、可靠的密封連接，提高發(fā)聲裝置模組的密封可靠性和聲學性能。

如圖1所示，所述發(fā)聲裝置模組包括模組殼體、環(huán)形加熱絲2以及發(fā)聲裝置單體。所述模組殼體包括第一殼體11和第二殼體12，所述第一殼體11配置為能與第二殼體12扣合固定。如圖1、2所示，所述第一殼體11的邊緣處具有環(huán)形熔接凸棱111，所述環(huán)形熔接凸棱111配置為當所述第一殼體11與第二殼體12扣合時，所述環(huán)形熔接凸棱111能夠與所述第二殼體12的表面相抵觸。所述環(huán)形加熱絲2固定設置在所述模組殼體中，特別地，至少在所述第一殼體11與第二殼體12扣合的情況下，所述環(huán)形加熱絲2分布的位置與所述環(huán)形熔接凸棱111的位置相對應，環(huán)形加熱絲2與環(huán)形熔接凸棱111的分布位置基本重合。這一特征保證了當環(huán)形加熱絲2加熱時，能夠使環(huán)形熔接凸棱111的大部分或全部區(qū)域都融化，用于在第一殼體11與第二殼體12之間實現(xiàn)熔融密封連接，形成環(huán)形的密封線。所述發(fā)聲裝置則設置在所述模組殼體中，用于接收外部聲音信號轉(zhuǎn)化成聲音振動。

本發(fā)明提供的發(fā)聲裝置模組能夠有效提高環(huán)形熔接凸棱的熔接、密封連接的可靠性。相對于現(xiàn)有技術(shù)中，超聲焊接容易出現(xiàn)的殼體未熔融連接的現(xiàn)象在本發(fā)明中不會出現(xiàn)。根據(jù)發(fā)聲裝置模組的具體結(jié)構(gòu)，只要在環(huán)形熔接凸棱分布的區(qū)域?qū)植加协h(huán)形加熱絲，則該區(qū)域的環(huán)形熔接凸棱能夠保證受到加熱而融化，與第二殼體形成熔融密封連接。另一方面，本發(fā)明的發(fā)聲裝置模組的裝配工藝更簡單，無需采用超聲焊接，在進行密封連接是只需對環(huán)形加熱絲通電、壓合第一殼體與第二殼體即可。避免了超聲焊接對模組中各部件可能造成的損壞。

可選地，如圖3所示，所述環(huán)形加熱絲2的兩端可以分別連接有接線柱21。所述接線柱21配置為用于向環(huán)形加熱絲2中通電。在進行密封連接的裝配步驟時，外部設備可以與所述接線柱21對接，以對環(huán)形加熱絲2通電。優(yōu)選地，兩支所述接線柱21的位置相比鄰，如圖3所示，這種結(jié)構(gòu)設計能夠使環(huán)形加熱絲2繞成基本完整的環(huán)形，僅有兩支所述接線柱21之間的區(qū)域未分布有環(huán)形加熱絲2。使得環(huán)形熔接凸棱111的更多區(qū)域能夠受熱融化。本發(fā)明并不限制必須在所述環(huán)形加熱絲上設置接線柱，也可以采用其它結(jié)構(gòu)作為環(huán)形加熱絲通電的部件。另外，在設置有接線柱的實施方式中，也可以將兩個接線柱錯開設置，使環(huán)形加熱絲繞成完整的環(huán)狀。

進一步可選地，如圖4、5所示，所述第二殼體12上可以設置有凹槽121，所述凹槽121與所述接線柱21的位置相對應。當所述第一殼體11扣合在第二殼體12上并進行加熱連接操作時，所述環(huán)形熔接凸棱111位于兩個所述接線柱21之間的區(qū)域有可能不融化或融化的量較少，該區(qū)域的環(huán)形熔接凸棱111在加熱連接操作之后可能還保持原有的凸出形狀。所述凹槽121可以設置在所述第二殼體12與所述環(huán)形熔接凸棱111接觸的表面上，用于容納未融化變形的部分環(huán)形熔接凸棱111，如圖5所示。未融化的環(huán)形熔接凸棱111可以下陷到凹槽121中，其它融化了的環(huán)形熔接凸棱111則會使第一殼體11的表面直接與第二殼體12接觸相抵，第一殼體11能夠與第二殼體12形成良好的貼合關(guān)系，不會由于未融化的環(huán)形熔接凸棱111引起第一殼體11的傾斜、不平整等問題。

優(yōu)選地，在上述實施方式的基礎上，所述模組殼體上還可以設置有封膠口，所述封膠口與所述凹槽的位置相對應。例如，在圖5所示的實施方式中，所述封膠口13設置在所述第二殼體12上，位于所述凹槽121旁邊；在其它實施方式中，所述封膠口13也可以設置在所述第一殼體上，本發(fā)明不對此進行限制。所述封膠口13使所述凹槽121與外界連通，所述封膠口13配置為在模組殼體裝配后用于向所述凹槽121處填充粘接劑。所述封膠口13設計的目的是提高所述第一殼體11與第二殼體12在與所述接線柱21和凹槽121的位置處的密封效果。在完成第一殼體11與第二殼體12的加熱密封工藝后，向所述封膠口13中填充粘接劑，使粘接劑粘接密封在所述凹槽121處，從而密封住所述凹槽121處可能存在的縫隙、漏氣點。

或者，所述模組殼體上也可以設置有貼封位，所述貼封位與所述凹槽的位置相對應。所述貼封位的設計目的與所述封膠口相同，所述貼封位用于承載密封件。在完成第一殼體與第二殼體的加熱密封工藝后，可以在所述貼封位上貼覆密封件，以密封所述凹槽處可能存在的縫隙和漏氣點。

優(yōu)選地，如圖2、6所示，所述環(huán)形加熱絲2可以直接設置在所述環(huán)形熔接凸棱111內(nèi)。所述環(huán)形熔接凸棱111和所述第一殼體11可以一體注塑成型，形成一個整體部件。在注塑成型時，可以將所述環(huán)形加熱絲2直接注塑在所述環(huán)形熔接凸棱111內(nèi)，也即注塑固定在所述第一殼體11內(nèi)。這種結(jié)構(gòu)設計既保證了環(huán)形加熱絲2與環(huán)形熔接凸棱的位置分布一致，又簡化了加工工藝。采用其它方式將環(huán)形加熱絲設置在環(huán)形熔接凸棱內(nèi)也屬于本發(fā)明的實施方式，例如可以是卡接固定在所述環(huán)形熔接凸棱內(nèi)?？蛇x地，在所述環(huán)形加熱絲2上連接有接線柱21的實施方式中，所述接線柱21可以從所述第一殼體11的外表面上露出，如圖5所示。

可選地，如圖1所示，所述第一殼體11可以呈蓋板結(jié)構(gòu)，所述第二殼體12具有側(cè)壁部分，所述第一殼體11可以扣合在所述第二殼體12上。所述環(huán)形熔接凸棱111位于所述第一殼體11的一側(cè)表面上，兩殼體扣合時該表面朝向第二殼體12內(nèi)，環(huán)形熔接凸棱111與第二殼體12接觸。所述環(huán)形熔接凸棱111優(yōu)選為與所述第一殼體11的邊緣位置，相應地，環(huán)形熔接凸棱111也與第二殼體12的邊緣位置相接處。在其它實施方式中，所述第一殼體也可以是具有側(cè)壁或其它結(jié)構(gòu)的殼體，所述環(huán)形熔接凸棱可以設置在第一殼體的側(cè)壁端面上。當?shù)谝粴んw與第二殼體扣合時，環(huán)形熔接凸棱可以與第二殼體的平面或側(cè)壁的端面接觸相抵。

可選地，如圖4、5所示，所述第二殼體12的邊緣處可以設置有擋墻122，所述擋墻122配置為用于限定所述第一殼體11與第二殼體12的相對位置。當所述第一殼體11與第二殼體12扣合時，所述第一殼體11的邊緣可以位于所述擋墻122的內(nèi)側(cè)，所述擋墻122卡接限定第一殼體11的位置。圖4、5示出了第一殼體11呈蓋板結(jié)構(gòu)的實施方式，在其它實施方式中，也可以在第二殼體上設置擋墻以達到相同的效果。可選地，所述擋也可以配置為用于限制所述環(huán)形熔接凸棱的位置，進而起到限制第一殼體的位置的作用。

可選地，如圖1、4、5所示，所述第二殼體12的邊緣處可以設置有臺階面123，當所述第二殼體12上設置有擋墻122時，所述臺階面123位于所述擋墻122的內(nèi)側(cè)。所述臺階面123配置為用于與所述第一殼體11以及環(huán)形熔接凸棱111接觸。進一步可選地，所述臺階面上還可以設置有環(huán)形槽，當?shù)谝粴んw與第二殼體扣合時，所述環(huán)形熔接凸棱可以嵌在所述環(huán)形槽中，所述環(huán)形槽的分布位置與所述環(huán)形熔接凸棱的位置相對應。所述環(huán)形槽一方面可以起到對第一殼體和第二殼體進行相對定位的作用，另一方面也可以起到提高密封連接可靠性的作用。

雖然已經(jīng)通過例子對本發(fā)明的一些特定實施例進行了詳細說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應該理解，以上例子僅是為了進行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對以上實施例進行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。