本實(shí)用新型涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種SIM卡基座和終端設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著智能手機(jī)的不斷發(fā)展，終端朝著大電池容量、輕薄方向發(fā)展，越來越多的終端采用內(nèi)置電池的方案。內(nèi)置電池的結(jié)構(gòu)讓手機(jī)客戶更容易將客戶識別模塊(Subscriber Identity Module，以下簡稱SIM卡)從SIM卡座中拔出或插入。不管終端能否支持SIM卡熱插拔，用戶都有可能會在終端開機(jī)狀態(tài)下誤將SIM卡從SIM卡座中拔出或插入。

在SIM卡插入和彈出的行程中，SIM卡座的金屬觸點(diǎn)會搭在并滑行在SIM卡的金屬面上，由于SIM卡的電源和GND(地)的金屬pin腳之間距離小于SIM卡座的金屬觸點(diǎn)與SIM卡的接觸長度，SIM卡的電源和地在很短的距離上會通過卡座上的金屬觸點(diǎn)的搭接短接在一起。當(dāng)SIM卡的電源和GND短接時(shí)，就會發(fā)生短路發(fā)熱現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)會燒卡。

當(dāng)前，解決上述問題的方案是在SIM卡座上增加一個(gè)detect引腳，其具體工作原理如下所述。detect引腳有常開和常閉兩種方式，以市面上廠家基本都選用的常閉引腳為例，CPU等控制芯片識別detect引腳的邏輯高低電平來控制是否使能SIM卡電源。SIM卡插入前，detect引腳常閉連接到GND為低電平，CPU判定卡不存在，不使能SIM卡電源，SIM卡的電源VCC_SIM為低電平。SIM卡插入的過程中，當(dāng)SIM卡的電源和地通過SIM卡座的金屬觸點(diǎn)短接在一起時(shí)，SIM卡尚未把detect引腳連接的金屬彈片從GND上彈開，SIM卡未供電，所以此時(shí)不會發(fā)生短路，當(dāng)SIM卡繼續(xù)往卡座里推進(jìn)時(shí)，SIM卡才會將detect引腳連接的金屬彈片從GND的連接上彈開，detect引腳由于接上拉而變?yōu)楦唠娖?，CPU判定有SIM卡存在，使能SIM卡供電。當(dāng)拔出SIM卡時(shí)，detect引腳連接的彈片最先動(dòng)作，重新和GND短接，CPU判定SIM卡不存在，停止使能SIM卡供電，之后SIM卡才行進(jìn)到SIM卡的電源和地通過卡座VCC金屬觸點(diǎn)短接的位置，此時(shí)SIM卡也未供電，從而實(shí)現(xiàn)了插卡和拔卡時(shí)，在SIM卡電源和地短接時(shí)，SIM卡都未被供電，不會有短路發(fā)生。

但是，上述方案也同樣存在問題，插卡時(shí)，SIM卡上的電源VCC_SIM與GND(通過SIM卡座的金屬觸點(diǎn))短接的位置到SIM卡行進(jìn)到detect引腳的彈片從GND彈開時(shí)的位置，這兩個(gè)位置之間距離很短，約0.5～1mm，拔卡同樣道理，留給軟件處理SIM卡的電源上電或掉電的時(shí)間窗口很短?？紤]到不同廠家的卡座的略微不同，以及不同批次之間的誤差，不排除個(gè)別卡座時(shí)間窗口非常短，存在軟件來不及處理，而實(shí)際控制失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

再者，其一，頻繁插拔卡或長久次數(shù)插拔卡后，金屬疲勞特性導(dǎo)致detect引腳的金屬彈片的彈性逐漸減弱，從而動(dòng)作延遲越來越大和動(dòng)作擺幅能力越來越小。以拔卡舉例，控制SIM卡電源掉電的有效時(shí)間窗口會逐漸縮短，直到發(fā)展到控制時(shí)間窗口為零或不足。當(dāng)時(shí)間窗口不足，SIM卡的電源和地短接時(shí)，detect引腳的彈片仍未復(fù)原碰觸到GND，SIM卡會仍然在供電。其二，SIM卡座上的detect引腳的金屬彈片到達(dá)功能壽命極限后，detect引腳的金屬彈片基本失去彈性，插拔卡甚至無卡時(shí)，detect彈片都已經(jīng)不能彈回連接到GND，CPU會始終認(rèn)為卡存在，一直在給SIM卡供電，這種情況下，插卡和拔卡都存在短路情況。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種SIM卡基座和終端設(shè)備，以解決SIM卡在熱插拔過程中發(fā)生的SIM卡的電源和地之間的短路問題。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了一種SIM卡基座，用于將一SIM卡保持在一終端設(shè)備中，包括一基座主體，所述基座主體具有一容納所述SIM卡的容納空間，以及供所述SIM卡出入的開口端，在與所述開口端相對的第一端上具有一檢測端點(diǎn)和一第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，在靠近所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)的側(cè)壁上具有一第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，一彈性元件的一端連接于所述檢測端點(diǎn)，另一端接觸式連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，且可從所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)運(yùn)行至第一基準(zhǔn)端點(diǎn)。

優(yōu)選的，在上述的SIM卡基座中，所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)與所述第一端之間的距離小于其與所述開口端之間的距離。

優(yōu)選的，在上述的SIM卡基座中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)的電壓值相同。

優(yōu)選的，在上述的SIM卡基座中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)同時(shí)接地或同時(shí)連接于一第一工作電壓。

優(yōu)選的，在上述的SIM卡基座中，所述基座主體上還具有多個(gè)金屬觸點(diǎn)，用于電性連接于所述SIM卡。

優(yōu)選的，在上述的SIM卡基座中，所述基座主體還包括一卡止部，用于將所述SIM固定在所述容納空間中。

本實(shí)用新型還提供了一種終端設(shè)備，具有如上所述的SIM卡基座。

在本實(shí)用新型提供的SIM卡基座和終端設(shè)備中，在SIM卡基座中設(shè)置有一第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和一第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，當(dāng)SIM卡基座中的彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)時(shí)，終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電，當(dāng)所述SIM卡基座的彈性元件的另一端既不連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)又不連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，并且能夠持續(xù)一預(yù)定時(shí)間時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源供電。預(yù)定時(shí)間的引入，給所述終端設(shè)備上的軟件程序預(yù)留了足夠的處理時(shí)間，大大提高了熱拔卡時(shí)所述SIM卡的電源掉電的提前性和可靠性。進(jìn)一步的，由于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)位于所述SIM卡基座的第一端，所述彈性元件的另一端需要在外力的作用下才會連接于此，因此，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)為一永久性可接觸點(diǎn)，并不會因?yàn)樗鰪椥栽睦匣佑|不到，從而大大延長了所述SIM卡基座的使用壽命。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡基座的基座主體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中將SIM卡熱插入終端設(shè)備中的控制方法的流程圖；

圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的A點(diǎn)的示意圖；

圖3b為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的B點(diǎn)的示意圖；

圖3c為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的C點(diǎn)的示意圖；

圖3d為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的D點(diǎn)的示意圖；

圖4為圖2中步驟S6中所述終端設(shè)備判斷所述SIM卡是否為正確的卡的流程圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡熱插入所述SIM卡基座的過程中，第二基準(zhǔn)端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中將SIM卡熱拔出終端設(shè)備中的控制方法的流程圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡熱拔出所述SIM卡基座的過程中，第二基準(zhǔn)端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖；

圖中：100-基座主體；101-檢測端點(diǎn)；102-第一檢測端點(diǎn)；103-第二檢測端點(diǎn)；104-開口端；105-第一端；200-彈性元件。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種SIM卡基座，用于將一SIM卡保持在一終端設(shè)備中，所述SIM卡基座包括一基座主體100，如圖1所示，圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡基座的基座主體的結(jié)構(gòu)示意圖。所述基座主體100具有一容納所述SIM卡的容納空間，以及供所述SIM卡出入的開口端104。所述基座主體100還具有一第一端105，所述第一端105與所述開口端104相對，所述基座主體100在所述第一端105上具有一檢測端點(diǎn)101和一第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102，所述檢測端點(diǎn)101和第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102分別位于所述第一端105的兩端。在連接所述第一端105和開口端104的一個(gè)側(cè)壁上還具有一第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103，所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103所在的側(cè)壁更靠近所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102。

所述SIM卡基座還包括一彈性元件200，所述彈性元件200的一端連接于所述檢測端點(diǎn)101，另一端接觸式連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103。所述彈性元件200具有彈性，能夠從所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103運(yùn)行至所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102，并且在到達(dá)所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102后，能夠自動(dòng)彈回至所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103。也就是說，在沒有外力的作用下，所述彈性元件200的穩(wěn)態(tài)位置為其另一端連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103。

進(jìn)一步的，所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103與所述基座主體100的第一端105之間的距離小于其與所述開口端104之間的距離。也就是說，所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103更靠近所述第一端105設(shè)置。

同時(shí)，所述基座主體200上還具有多個(gè)金屬觸點(diǎn)(圖中未示出)，所述SIM卡基座通過所述多個(gè)金屬觸點(diǎn)與插入所述基座主體的容納空間的SIM卡進(jìn)行電性連接。所述基座主體200還包括一卡止部(圖中未示出)，用于將所述SIM卡固定在所述容納空間中。

在所述SIM卡準(zhǔn)備插入至所述基座主體100中時(shí)，所述彈性元件200的另一端連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)。所述SIM卡在外力的作用下從所述開口端進(jìn)入所述基座主體的過程中，所述多個(gè)金屬觸點(diǎn)在所述SIM卡上滑過。隨著所述SIM卡的推進(jìn)，所述SIM卡慢慢推動(dòng)所述彈性元件200，使其另一端離開所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103，并向所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102運(yùn)行，直至所述彈性元件200的另一端接觸所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102，釋放外力。所述SIM卡在所述彈性元件200的彈力作用下，向所述開口端104移動(dòng)，同時(shí)，所述彈性元件200的另一端將離開所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102，直至最后穩(wěn)定于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103之間。

所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103的電壓值相同，即，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103同時(shí)接地或者同時(shí)連接于一第一工作電壓。當(dāng)所述彈性元件200的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102時(shí)，所述檢測端點(diǎn)101的電壓與所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102的電壓相同。當(dāng)所述彈性元件200的另一端連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103時(shí)，所述檢測端點(diǎn)101的電壓與所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103的電壓相同。當(dāng)所述彈性元件200的另一端懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103之間時(shí)，所述檢測端點(diǎn)101的電壓被設(shè)定為其他值。

并且，所述終端設(shè)備中的CPU通過獲取所述檢測端點(diǎn)的電壓來判斷所述彈性元件與所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103的連接情況，進(jìn)而判定所述SIM卡在所述SIM卡基座中的位置。

具體而言，如果所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103被設(shè)計(jì)為同時(shí)接地，當(dāng)所述彈性元件200的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103時(shí)，所述檢測端點(diǎn)101與地端導(dǎo)通。此時(shí)，所述終端設(shè)備的CPU獲得的所述檢測端點(diǎn)101的電平為低電平，同時(shí)，將當(dāng)所述彈性元件200懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103之間時(shí)所述檢測端點(diǎn)的電平設(shè)定為高電平。同樣，如果所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103同時(shí)連接于一第一工作電壓，當(dāng)所述彈性元件200的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103時(shí)，所述檢測端點(diǎn)101與所述第一工作電壓導(dǎo)通。此時(shí)，所述終端設(shè)備的CPU獲得的所述檢測端點(diǎn)101的電平為高電平，相應(yīng)的，將當(dāng)所述彈性元件懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103之間時(shí)所述檢測端點(diǎn)的電平設(shè)定為低電平。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103同時(shí)接地，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)103還可以同時(shí)連接于所述第一工作電壓。所述第一工作電壓可以為所述終端設(shè)備中使用的任意一個(gè)工作電壓，只要其大于0V。

進(jìn)一步的，由于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102位于所述SIM卡基座的第一端105，所述彈性元件200的另一端需要在外力的作用下才會連接于此，因此，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102為一永久性可接觸點(diǎn)，并不會因?yàn)樗鰪椥栽?00的老化而接觸不到，從而大大延長了所述SIM卡基座的使用壽命。

進(jìn)一步的，當(dāng)所述彈性元件200的另一端在外力的作用下一直與所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)102連接時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電?？梢杂行У慕鉀Q當(dāng)前技術(shù)方案中，當(dāng)SIM卡在人為的情況下一直抵住所述SIM卡基座的第一端105而所述終端設(shè)備一直使能所述SIM卡的電源的問題。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種終端設(shè)備，所述終端設(shè)備上具有如上所說的SIM卡基座。即，一SIM卡通過上述的SIM卡基座保持在所述終端設(shè)備中。需要說明的是，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述終端設(shè)備包括但不限于：智能手機(jī)，PAD(Personal Access Device，個(gè)人超薄電腦)類產(chǎn)品，例如為IPAD等。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種將SIM卡熱插拔于上述終端設(shè)備中的控制方法，更進(jìn)一步的提高熱拔卡時(shí)所述SIM卡的電源掉電的提前性和可靠性。

具體的，該控制方法包括以下步驟：一終端設(shè)備判斷其SIM卡基座上的檢測端點(diǎn)是否連接于第一基準(zhǔn)端點(diǎn)后第二基準(zhǔn)端點(diǎn)；如果是，則所述終端設(shè)備控制插入其所述SIM卡基座中的SIM卡的電源不供電；如果不是，在一預(yù)定時(shí)間后繼續(xù)判斷所述檢測端點(diǎn)是否連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，如果是，則所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電，如果不是，則所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源供電。

進(jìn)一步的，當(dāng)所述SIM卡熱插拔于所述終端設(shè)備時(shí)，均包括上述步驟，也就是說，當(dāng)所述SIM卡熱插入所述終端設(shè)備中時(shí)，對所述SIM卡的電源的控制包括上述步驟。當(dāng)將所述SIM卡從所述終端設(shè)備中熱拔出時(shí)，對所述SIM卡的電源的控制也包括上述步驟。

具體而言，當(dāng)所述SIM卡熱插入所述終端設(shè)備中時(shí)，所述控制方法包括以下步驟。如圖2所示，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中將SIM卡熱插入所述終端設(shè)備中的控制方法的流程圖。

步驟S11：所述終端設(shè)備判斷其SIM卡基座上的檢測端點(diǎn)是否連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)同時(shí)接地。此時(shí)，所述終端設(shè)備需要判斷其所述檢測端點(diǎn)是否為高電平。如果所述檢測端點(diǎn)連接所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，則所述檢測端點(diǎn)為低電平，如果所述檢測端點(diǎn)懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間，則所述檢測端點(diǎn)為高電平，則跳轉(zhuǎn)至步驟S12。

所述SIM卡在外力作用下熱插入所述終端設(shè)備的過程，請參見圖3a、圖3b、圖3c以及圖3d。其中，圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的A點(diǎn)的示意圖，圖3b為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的B點(diǎn)的示意圖，圖3c為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的C點(diǎn)的示意圖，圖3d為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的D點(diǎn)的示意圖。

具體的，當(dāng)所述SIM卡在外力作用下熱插入所述終端設(shè)備的過程中時(shí)，開始時(shí)，所述彈性元件的另一端先連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，所述終端設(shè)備檢測到的所述檢測端點(diǎn)為低電平。隨著所述SIM卡繼續(xù)插入，所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的A點(diǎn)，此時(shí)，所述SIM卡上的電源VCC_SIM和SIM卡上的地端GND通過所述SIM卡基座上的金屬觸點(diǎn)短接，如圖3a所示。當(dāng)所述SIM卡到達(dá)A點(diǎn)時(shí)，所述檢測端點(diǎn)仍然為低電平。緊接著，所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的B點(diǎn)，此時(shí)，所述SIM卡推動(dòng)所述彈性元件的另一端離開所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，如圖3b所示。然后，所述SIM卡在外力作用下，推動(dòng)所述彈性元件的另一端向所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)運(yùn)行，直至所述SIM卡到達(dá)所述SIM卡基座中的C點(diǎn)，此時(shí)，所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，如圖3c所示。在所述彈性元件的另一端離開所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之后到連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)之前，即，所述SIM卡在從B點(diǎn)運(yùn)行到C點(diǎn)之間時(shí)，所述終端設(shè)備檢測到所述檢測端點(diǎn)為高電平，當(dāng)所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)時(shí)，所述終端設(shè)備檢測到所述檢測端點(diǎn)為低電平。

當(dāng)作用于所述SIM卡的外力消失，所述SIM卡在所述彈性元件的彈力作用下反彈，向所述SIM卡基座的開口端方向運(yùn)行直至其被所述卡止部卡住而固定于所述SIM卡基座上的容納空間中，即，所述SIM卡正常工作時(shí)，所述SIM卡位于所述SIM卡基座中的D點(diǎn)，如圖3d所示。此時(shí)，所述彈性元件的另一端離開所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)而懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間，所述終端設(shè)備檢測到所述檢測端點(diǎn)為高電平。

步驟S12：計(jì)時(shí)一預(yù)定時(shí)間。

根據(jù)上述的描述，所述SIM卡在熱插入所述終端設(shè)備中并穩(wěn)定保持在其中的過程中，所述檢測端點(diǎn)兩次從低電平跳轉(zhuǎn)至高電平。具體的，所述SIM卡從A點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)時(shí)，所述檢測端點(diǎn)第一次從低電平跳轉(zhuǎn)至高電平，在現(xiàn)有技術(shù)中，所述SIM卡運(yùn)行至B點(diǎn)時(shí)，所述終端設(shè)備使能所述SIM卡的電源，當(dāng)所述SIM卡從A點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)的時(shí)間非常短時(shí)，則就有可能導(dǎo)致所述SIM卡的電源與其GND短接，而造成短路發(fā)熱現(xiàn)象，嚴(yán)重時(shí)會發(fā)生燒卡現(xiàn)象，具有一定的危險(xiǎn)性。

為了保證在所述檢測端點(diǎn)第一次從低電平跳轉(zhuǎn)至高電平時(shí)，所述終端設(shè)備不使能所述SIM卡的電源，需要對所述檢測端點(diǎn)持續(xù)高電平的時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為高電平的時(shí)間達(dá)到所述預(yù)期時(shí)間時(shí)，所述終端設(shè)備才使能所述SIM卡的電源，從而避免所述SIM卡的電源VCC_SIM和其地端GND短接。

為了能夠給所述終端設(shè)備的軟件處理留出足夠的時(shí)間，以避免由于軟件處理時(shí)間不夠而導(dǎo)致的SIM卡的電源與地GND短接，所述預(yù)定時(shí)間大于等于500毫秒，更優(yōu)的，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述預(yù)定時(shí)間為1秒。當(dāng)然，在本實(shí)用新型的其他實(shí)施例中，所述預(yù)定時(shí)間還可以設(shè)定為550毫秒、600毫秒、650毫秒、700毫秒、750毫秒、800毫秒、900毫秒、1200毫秒以及1500毫秒等，在此并不以此為限。

步驟S13：再次判斷所述檢測端點(diǎn)是否連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)。

具體而言，再次判斷所述檢測端點(diǎn)是否為高電平。

步驟S14：當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為高電平，則，所述終端設(shè)備使能所述SIM卡的電源。

當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為高電平，則說明此時(shí)，所述彈性元件的另一端既沒有與所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)連接，也沒有與所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)連接，而是懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間。此時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源開始供電。

步驟S15：當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為低電平，則，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電。

當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為低電平，則說明，所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，即所述SIM卡位于C點(diǎn)，此時(shí)，所述終端設(shè)備不使能所述SIM卡的電源，即控制所述SIM卡的電源不供電。也就是收，當(dāng)所述SIM卡在外力的作用下一直頂住所述SIM卡基座的第一端時(shí)，所述終端設(shè)備不使能所述SIM卡的電源。

步驟S16：所述終端設(shè)備判斷所述SIM卡是否為正確的卡。

在上述步驟S14中，所述終端設(shè)備使能所述SIM卡的電源后，所述終端設(shè)備還需要判斷所述SIM卡是否為正確的SIM卡。例如，針對運(yùn)行商電信的智能手機(jī)中插入的卡是否為電信的SIM卡，針對運(yùn)營商移動(dòng)的智能手機(jī)中插入的卡是否為移動(dòng)的SIM卡等。

具體的，如圖4所示，圖4為步驟S6中所述終端設(shè)備判斷所述SIM卡是否為正確的卡的流程圖。包括以下的步驟：所述終端設(shè)備向所述SIM卡發(fā)送一復(fù)位請求，此為圖4中的步驟S1601。所述SIM卡在接收到所述復(fù)位請求后，向所述終端設(shè)備發(fā)送一請求返回信息ATR(Answer to Reset)，即為圖4中的步驟S1602。所述終端設(shè)備在接收到所述ATR后，對其判斷，即為圖4中的步驟S1603。當(dāng)所述ATR正確時(shí)，表明所述SIM卡為正確的卡，即為圖4中的步驟S1604。否則表明所述SIM卡為錯(cuò)誤的卡，即為圖4中的步驟S1605。即，當(dāng)所述ATR錯(cuò)誤或者所述終端設(shè)備未收到所述ATR時(shí)，均表明所述SIM卡為錯(cuò)誤的卡。

步驟S17：所述SIM卡為正確的卡，所述終端設(shè)備繼續(xù)使能所述SIM卡的電源。

即，當(dāng)所述SIM卡為正確的卡時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源繼續(xù)供電。

步驟S18：所述SIM卡為錯(cuò)誤的卡，所述終端設(shè)備不使能所述SIM卡的電源。

即，當(dāng)所述SIM卡為錯(cuò)誤的卡時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不再繼續(xù)供電。

引入ATR的機(jī)制，可以在錯(cuò)卡插入，反方向或反面插卡，所述檢測端點(diǎn)失效(常閉卡變?yōu)槌ｉ_)時(shí)，所述SIM卡的電源VCC_SIM沒有供電，從而徹底杜絕短路燒卡現(xiàn)象的發(fā)生。

所述SIM卡熱插入所述SIM卡基座的過程中，所述檢測端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖如圖5所示。圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡熱插入所述SIM卡基座的過程中，第二基準(zhǔn)端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖。

當(dāng)所述SIM卡熱拔出所述終端設(shè)備的SIM卡基座時(shí)，具體的過程如下：當(dāng)按壓所述SIM卡后，所述SIM卡離開D點(diǎn)，并運(yùn)行至C點(diǎn)，然后從C點(diǎn)開始，經(jīng)過D點(diǎn)，B點(diǎn)一級A點(diǎn)直至所述SIM卡被拔出所述終端設(shè)備的SIM卡基座。在所述SIM卡熱拔出所述終端設(shè)備的SIM卡基座的過程中，當(dāng)所述SIM卡從D點(diǎn)運(yùn)行至C點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端在所述SIM卡的推動(dòng)下，從懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間運(yùn)行至連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，所述檢測端點(diǎn)由高電平轉(zhuǎn)換為低電平，即當(dāng)所述SIM卡運(yùn)行至C點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，所述檢測端點(diǎn)為低電平。

接下來，當(dāng)所述SIM卡從C點(diǎn)再次運(yùn)行至所述D點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端從連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)的狀態(tài)轉(zhuǎn)換為懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)為高電平。也就是說，在這個(gè)過程中，所述檢測端點(diǎn)從低電平轉(zhuǎn)換為高電平。

當(dāng)所述SIM卡從D點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端從懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間變換為連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)為低電平。即在這個(gè)過程中，所述檢測端點(diǎn)從高電平轉(zhuǎn)換為低電平。

當(dāng)所述SIM卡繼續(xù)退出所述終端設(shè)備的SIM卡基座，即從B點(diǎn)運(yùn)行至A點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端一直連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)持續(xù)為低電平。

具體的，當(dāng)所述SIM卡從所述終端設(shè)備的SIM卡基座中熱拔出時(shí)，所述控制方法包括以下步驟。如圖6所示，圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中將SIM卡熱拔出終端設(shè)備中的控制方法的流程圖。

步驟S21：所述終端設(shè)備判斷所述檢測端點(diǎn)是否連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)。

步驟S22：當(dāng)所述檢測端點(diǎn)未連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)時(shí)，計(jì)時(shí)所述預(yù)定時(shí)間。

步驟S23：再次判斷所述檢測端點(diǎn)是否連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)。

步驟S24：當(dāng)所述檢測端點(diǎn)為高電平，則，所述終端設(shè)備使能所述SIM卡的電源；否則，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)同時(shí)接地，當(dāng)所述檢測端點(diǎn)通過所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)時(shí)，所述檢測端點(diǎn)為低電平。否則，所述檢測端點(diǎn)為高電平。

當(dāng)所述SIM卡從D點(diǎn)運(yùn)行至C點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)從高電平跳轉(zhuǎn)至低電平，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電，即，所述終端設(shè)備不使能所述SIM卡。

當(dāng)所述SIM卡離開C點(diǎn)并運(yùn)行至D點(diǎn)時(shí)，所述彈性元件的另一端離開所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，并懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)從低電平跳轉(zhuǎn)至高電平。

接著，所述SIM卡從D點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)，所述彈性元件的另一端從懸空于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和第二基準(zhǔn)端點(diǎn)之間運(yùn)行至連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，此時(shí)，所述檢測端點(diǎn)由高電平轉(zhuǎn)換為低電平。

需要說明的是，所述SIM卡從D點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)的過程中，所述檢測端點(diǎn)一直維持高電平，所述檢測端點(diǎn)保持高電平的時(shí)間即為所述SIM卡從C點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)的時(shí)間。由于所述SIM卡從C點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)所需要的時(shí)間遠(yuǎn)小于所述預(yù)定時(shí)間，在本實(shí)施例中，所述預(yù)定時(shí)間為1秒。因此，在所述SIM卡從C點(diǎn)運(yùn)行至B點(diǎn)的過程中，所述終端設(shè)備不使能SIM卡的電源，即所述SIM卡的電源不能供電。

所述SIM卡熱拔出所述終端設(shè)備的SIM卡基座的過程中，所述檢測端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖如圖7所示。圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中SIM卡熱拔出所述SIM卡基座的過程中，第二基準(zhǔn)端點(diǎn)和所述SIM卡的電源的時(shí)序圖。由圖7可知，從所述SIM卡離開C點(diǎn)開始，所述SIM卡的電源就不再供電，有效時(shí)間窗口為所述SIM卡從C點(diǎn)運(yùn)行至A點(diǎn)的時(shí)間，遠(yuǎn)大于當(dāng)前技術(shù)方案中從B點(diǎn)運(yùn)行至A點(diǎn)的時(shí)間窗口，大幅度的延長了軟件處理的時(shí)間，提提高了軟件處理的可靠性，徹底避免了所述SIM卡從B點(diǎn)運(yùn)行至A點(diǎn)的時(shí)間窗口小，而使軟件處理時(shí)間片段或時(shí)間不夠的風(fēng)險(xiǎn)。大大的提高了熱拔卡時(shí)所述SIM卡的電源掉電的提前性和可靠性。

進(jìn)一步的，所述彈性元件的另一端可以永久可靠的接觸所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)，也就是說，可以永久可靠的實(shí)現(xiàn)所述彈性元件連接至所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)而使所述檢測端點(diǎn)為低電平，從而避免了現(xiàn)有技術(shù)中，由于金屬彈性疲勞而導(dǎo)致的SIM卡座的壽命不長的問題。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述終端設(shè)備包括但不限于：智能手機(jī)，PAD(Personal Access Device，個(gè)人超薄電腦)類產(chǎn)品，例如為IPAD等。

綜上，在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的SIM卡基座和終端設(shè)備中，在SIM卡基座中設(shè)置有一第一基準(zhǔn)端點(diǎn)和一第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，當(dāng)SIM卡基座中的彈性元件的另一端連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)或第二基準(zhǔn)端點(diǎn)時(shí)，終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源不供電，當(dāng)所述SIM卡基座的彈性元件的另一端既不連接于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)又不連接于所述第二基準(zhǔn)端點(diǎn)，并且能夠持續(xù)一預(yù)定時(shí)間時(shí)，所述終端設(shè)備控制所述SIM卡的電源供電。預(yù)定時(shí)間的引入，給所述終端設(shè)備上的軟件程序預(yù)留了足夠的處理時(shí)間，大大提高了熱拔卡時(shí)所述SIM卡的電源掉電的提前性和可靠性。進(jìn)一步的，由于所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)位于所述SIM卡基座的第一端，所述彈性元件的另一端需要在外力的作用下才會連接于此，因此，所述第一基準(zhǔn)端點(diǎn)為一永久性可接觸點(diǎn)，并不會因?yàn)樗鰪椥栽睦匣佑|不到，從而大大延長了所述SIM卡基座的使用壽命。

上述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對本實(shí)用新型起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對本實(shí)用新型揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本實(shí)用新型的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。