本實(shí)用新型涉及電子器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種MEMS芯片振膜。還涉及一種包含該MEMS芯片振膜的MEMS麥克風(fēng)芯片和MEMS麥克風(fēng)。

背景技術(shù)：

MEMS的英文全稱為Micro-Electro-Mechanical System，中文名稱為微機(jī)電系統(tǒng)，是指尺寸在幾毫米甚至更小的高科技裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)，是一個(gè)獨(dú)立的智能系統(tǒng)。MEMS技術(shù)因具有微型化、智能化、高度集成化和可批量生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于電子、醫(yī)學(xué)、工業(yè)、汽車和航空航天系統(tǒng)等領(lǐng)域。

MEMS麥克風(fēng)是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng)，而MEMS麥克風(fēng)芯片是MEMS麥克風(fēng)的關(guān)鍵部件，MEMS麥克風(fēng)芯片通常由基底、振膜、絕緣層和背極層根據(jù)特定設(shè)計(jì)需要疊加而成，現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)芯片的振膜通常為單一厚度的全膜結(jié)構(gòu)。由于振膜具有一定的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，能夠滿足一定的性能要求，如機(jī)械沖擊、吹氣、跌落等。但是，現(xiàn)有的全膜結(jié)構(gòu)振膜在突然收到大氣壓沖擊時(shí)，容易造成振膜破損。

綜上所述，如何解決現(xiàn)有振膜收到大氣壓沖擊容易破損的問題，成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種MEMS芯片振膜，以有效降低振膜受大氣壓沖擊而破損的幾率。

本實(shí)用新型的另一個(gè)目的在于提供一種包含該MEMS芯片振膜的MEMS麥克風(fēng)芯片和MEMS麥克風(fēng)，提高其產(chǎn)品質(zhì)量。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案：

一種MEMS芯片振膜，包括振膜本體，所述振膜本體上開設(shè)有可啟閉的線形泄氣孔，所述線形泄氣孔在所述振膜本體受到大氣壓沖擊膨脹時(shí)打開。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，所述線形泄氣孔為直線型泄氣孔、開口相對(duì)的雙C型泄氣孔和/或W型泄氣孔。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，所述線形泄氣孔的數(shù)量為多個(gè)，且所述線形泄氣孔呈矩陣布置于所述振膜本體上。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，所述線形泄氣孔為多個(gè)直線型泄氣孔，且全部所述直線型泄氣孔布置于所述振膜本體的中心點(diǎn)周圍且相對(duì)所述振膜本體的中心點(diǎn)呈中心矩陣布置。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，全部所述直線型泄氣孔沿徑向輻射布置。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，全部所述直線型泄氣孔平行于所述振膜本體的徑向，且所述直線型泄氣孔與所述振膜本體的徑向之間存在間距。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，所述線形泄氣孔為一個(gè)經(jīng)過所述振膜本體的中心的直線型泄氣孔。

優(yōu)選的，在上述的MEMS芯片振膜中，所述直線型泄氣孔的長(zhǎng)度相等。

本實(shí)用新型還提供了一種MEMS麥克風(fēng)芯片，包括振膜，所述振膜為上述任一項(xiàng)所述的MEMS芯片振膜。

本實(shí)用新型還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)芯片，所述麥克風(fēng)芯片為上述的MEMS麥克風(fēng)芯片。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

本實(shí)用新型中的MEMS芯片振膜的振膜本體上開設(shè)有可啟閉的線形泄氣孔，平時(shí)正常工作時(shí)，線形泄氣孔閉合，線形泄氣孔在振膜本體下方受到大氣壓沖擊膨脹時(shí)打開，大氣壓通過線形泄氣孔泄壓，從而保護(hù)了振膜不受大氣壓的沖擊而破損。

本實(shí)用新型中的MEMS麥克風(fēng)芯片和MEMS麥克風(fēng)均采用了本申請(qǐng)中的MEMS芯片振膜，因此，提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，使用可靠性得到提高。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種MEMS芯片振膜的線形泄氣孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二種線形泄氣孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第三種線形泄氣孔的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種MEMS芯片振膜的直線型泄氣孔的布置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第二種MEMS芯片振膜的直線型泄氣孔的布置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的第三種MEMS芯片振膜的直線型泄氣孔的布置結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的MEMS芯片振膜的工作原理示意圖。

其中，1為振膜本體、2為直線型泄氣孔、3為雙C型泄氣孔、4為W型泄氣孔、01為線形泄氣孔。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型的核心是提供了一種MEMS芯片振膜，有效降低了振膜受大氣壓沖擊而破損的幾率。

本實(shí)用新型還提供一種包含該MEMS芯片振膜的MEMS麥克風(fēng)芯片和MEMS麥克風(fēng)，提高了其產(chǎn)品質(zhì)量。

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參考圖1-圖7所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種MEMS芯片振膜，包括振膜本體1，振膜本體1上開設(shè)有線形泄氣孔01，線形泄氣孔01能夠開啟和閉合，在MEMS芯片振膜正常使用時(shí)，線形泄氣孔01閉合，在振膜本體1受到下方的大氣壓沖擊時(shí)，振膜本體1膨脹變形，從而使線形泄氣孔01打開，氣壓從線形泄氣孔01泄出。從而保護(hù)了振膜本體1在突然收到大氣壓沖擊時(shí)不受損壞。

線形泄氣孔01包括多種結(jié)構(gòu)形式，如圖1所示，本實(shí)施例提供了第一種線形泄氣孔01，為直線型泄氣孔2；如圖2所示，本實(shí)施例提供了第二種線形泄氣孔01，為開口相對(duì)的雙C型泄氣孔3；如圖3所示，本實(shí)施例提供了第三種線形泄氣孔01，為W型泄氣孔4。一個(gè)振膜本體1上可以只設(shè)置一種形式的線形泄氣孔01，或者是多種線形泄氣孔01的任意組合。當(dāng)然，線形泄聲孔還可以為其它形狀，如曲線型泄聲孔，只要能夠閉合和開啟，在受到大氣壓沖擊時(shí)打開即可。

為了提高泄氣速度，在本實(shí)施例中，線形泄氣孔01的數(shù)量為多個(gè)，且呈矩陣排列于振膜本體1上。矩陣排列包括中心矩陣、矩形矩陣等多種形式，只要能夠便于加快泄氣即可。

具體地，對(duì)于直線型泄氣孔2，其布置形式有多種，當(dāng)直線型泄氣孔2有多個(gè)時(shí)，優(yōu)選地，這些直線型泄氣孔2布置于振膜本體1的中心點(diǎn)周圍，且相對(duì)振膜本體1的中心點(diǎn)呈中心矩陣布置。從而使泄氣更加均勻、快速。當(dāng)然，直線型泄氣孔2還可以在振膜本體1的任意位置布置。

進(jìn)一步地，在直線型泄氣孔2呈中心矩陣布置的基礎(chǔ)上，如圖4所示，在本實(shí)施例中，全部直線型泄氣孔2沿振膜本體1的徑向輻射布置。對(duì)于圓形的振膜本體1，如此設(shè)置使振膜本體1受力更加均勻。

或者如圖5所示，在本實(shí)施例中，全部直線型泄氣孔2平行于振膜本體1的徑向，且直線型泄氣孔2與振膜本體1的徑向之間存在間距，效果和圖4中的相同。

更優(yōu)選地，直線型泄氣孔2的長(zhǎng)度相等，泄氣均勻。當(dāng)然，直線型泄氣孔2的長(zhǎng)度還可以不相同。

如圖6所示，本實(shí)施例提供了另一種直線型泄氣孔2的布置形式，直線型泄氣孔2為一個(gè)長(zhǎng)條形泄氣孔，且經(jīng)過振膜本體1的中心，這樣可以使直線型泄氣孔2的開啟和閉合效果更佳。

在以上實(shí)施例的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型本實(shí)施例還提供了一種MEMS麥克風(fēng)芯片，包括振膜，其中，振膜為以上全部實(shí)施例所描述的MEMS芯片振膜。由于MEMS芯片振膜能夠在受到大氣壓沖擊下進(jìn)行泄氣，保護(hù)振膜不受破損，因此，提高了MEMS麥克風(fēng)芯片的使用質(zhì)量和可靠性。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，包括麥克風(fēng)芯片，其中，麥克風(fēng)芯片為上述的MEMS麥克風(fēng)芯片，由于同樣采用了MEMS芯片振膜，因此，提高了MEMS麥克風(fēng)的質(zhì)量和可靠性。

本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。