技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提出一種平膜揚(yáng)聲器，包括外殼，置于外殼內(nèi)的磁路系統(tǒng)，位于磁路系統(tǒng)上方的振膜以及支撐所述振膜的載體，所述振膜上表面具有由金屬線圈環(huán)繞沉積而成的音圈，所述振膜下表面與所述磁路系統(tǒng)之間設(shè)置有用于吸收聲輻射的第一吸收盤。本實(shí)用新型的平面揚(yáng)聲器通過設(shè)置多個(gè)吸收盤或吸收環(huán)，用以吸收聲輻射，可以減少振膜的自共振，確保振膜的諧振模式為高頻段或更高的人耳非可聽頻段。

技術(shù)研發(fā)人員：董建兵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京愛德發(fā)科技有限公司
文檔號碼：201620842324
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.05
技術(shù)公布日：2017.02.22