本實(shí)用新型涉及一種平膜揚(yáng)聲器單元，尤其涉及一種平膜揚(yáng)聲器單元的振膜部分。

背景技術(shù)：

自1924年出現(xiàn)帶式揚(yáng)聲器，1930年巴特霍勒爾發(fā)明大功率帶式揚(yáng)聲器以后，歷史上曾出現(xiàn)多種款式的帶式揚(yáng)聲器。1923年，西門子的里格發(fā)明的等電動(dòng)式平面揚(yáng)聲器，1958年以色列的R.R.Gamzon和E.Frei發(fā)明了現(xiàn)代意義上的平膜揚(yáng)聲器，以后，有許多局部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同的平膜揚(yáng)聲器出現(xiàn)。

平膜揚(yáng)聲器主要用于高聲頻段的重放，由振膜、磁路及輔助部分構(gòu)成。音圈為金屬箔，厚度為幾微米，通常由銅、鋁制成，用印刷電路光刻腐蝕法附著在振膜上，振膜通常由導(dǎo)電金屬（鋁、鈹、鈦）箔制成，因此振膜既是發(fā)聲振動(dòng)的振膜，又是通過音頻電流的音圈。為得到高的靈敏度和優(yōu)良的瞬態(tài)響應(yīng)，要求振膜重量輕，所以振膜材料很薄，一般為幾微米至十幾微米，也因此，振膜很容易發(fā)生變形。當(dāng)音頻增加時(shí)，振膜本身很容易發(fā)生撓曲或在其固有頻率或其諧波共振。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述問題，本實(shí)用新型提出一種平膜揚(yáng)聲器，包括外殼，置于外殼內(nèi)的磁路系統(tǒng)，位于磁路系統(tǒng)上方的振膜以及支撐所述振膜的載體，所述振膜上表面具有由金屬線圈環(huán)繞沉積而成的音圈，所述振膜下表面與所述磁路系統(tǒng)之間設(shè)置有用于吸收聲輻射的第一吸收盤。

進(jìn)一步地，所述第一吸收盤位于所述振膜下表面的中心位置。

進(jìn)一步地，所述振膜上表面的中心位置具有用于吸收聲輻射的第二吸收環(huán)，所述第二吸收環(huán)的外徑小于所述音圈的內(nèi)徑。

進(jìn)一步地，所述載體上設(shè)置有至少一個(gè)用于吸收聲輻射的第三吸收盤。

進(jìn)一步地，所述載體上方設(shè)置有用于吸收聲輻射的第四吸收環(huán)，所述第四吸收環(huán)的內(nèi)徑大于所述音圈的外徑，且與所述振膜外圍部分重合。

進(jìn)一步地，所述第一吸收盤、第三吸收盤、第二吸收環(huán)和第四吸收環(huán)分別為多個(gè)盤或環(huán)堆疊而成。

進(jìn)一步地，所述第一吸收盤為毛氈類材料。

進(jìn)一步地，所述第二吸收環(huán)、第三吸收盤和第四吸收環(huán)為氨基甲酸乙酯或橡膠類材料。

進(jìn)一步地，所述第二吸收環(huán)通過粘合劑固定于所述振膜上。

進(jìn)一步地，所述振膜上表面還具有保護(hù)屏，所述第二吸收環(huán)置于所述振膜上表面與所述保護(hù)屏之間。

本實(shí)用新型的平面揚(yáng)聲器通過設(shè)置多個(gè)吸收盤或吸收環(huán)，用以吸收聲輻射，可以減少振膜的自共振，確保振膜的諧振模式為高頻段或更高的人耳非可聽頻段。

上述說明僅是本技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的平膜揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型的平膜揚(yáng)聲器的振膜部分俯視圖。

1、外殼；2、磁路系統(tǒng)；3、振膜；31、音圈；4、載體；51、第一吸收盤；52、第二吸收環(huán)； 53、第三吸收盤；54、第四吸收環(huán)；6、保護(hù)屏。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合圖1、圖2和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

本實(shí)施例的平膜揚(yáng)聲器，包括外殼1，置于外殼1內(nèi)的磁路系統(tǒng)2，位于磁路系統(tǒng)2上方的振膜3以及支撐所述振膜3的載體4。磁路系統(tǒng)2為公知技術(shù)，在此不再贅述。音圈31為金屬線圈，厚度為幾微米，通常由銅、鋁制成，用印刷電路光刻腐蝕法沉積于振膜3的上表面。振膜3通常由導(dǎo)電金屬（鋁、鈹、鈦）箔制成，一般為幾微米至十幾微米。在振膜3的下表面與磁路系統(tǒng)2之間設(shè)置有用于吸收聲輻射的第一吸收盤51，優(yōu)選地，第一吸收盤51位于振膜3下表面的中心位置。第一吸收盤51向磁路系統(tǒng)方向吸收聲輻射，以減少振膜3自共振，確保振膜3的諧振模式為高頻段或更高的人耳非可聽頻段。同時(shí)，第一吸收盤51還可以起到進(jìn)一步支撐振膜3的作用。第一吸收盤51優(yōu)選毛氈類或其相似材料。

進(jìn)一步地，振膜3上表面的中心位置具有用于吸收聲輻射的第二吸收環(huán)52，其外徑小于音圈31的內(nèi)徑，第二吸收環(huán)52可以通過粘合劑固定于振膜3上。載體4上設(shè)置有用于吸收聲輻射的第三吸收盤53，可以設(shè)置多個(gè)第三吸收盤53。載體4上方設(shè)置有用于吸收聲輻射的第四吸收環(huán)54，其內(nèi)徑大于所述音圈31的外徑，且與振膜3外圍部分重合。

優(yōu)選地，第一吸收盤51和第三吸收盤51分別為多個(gè)盤堆疊而成；第二吸收環(huán)52和第四吸收環(huán)54分別為多個(gè)環(huán)堆疊而成，比如，第二吸收環(huán)52為上層第二吸收環(huán)和下層第二吸收環(huán)堆疊而成。

第二吸收環(huán)52、第三吸收盤53和第四吸收環(huán)54的設(shè)置可以進(jìn)一步減少振膜3的自共振。優(yōu)選地，第二吸收環(huán)52、第三吸收盤53和第四吸收環(huán)54為氨基甲酸乙酯或橡膠類材料。

進(jìn)一步地，所述振膜上表面還具有保護(hù)屏，所述第二吸收環(huán)置于所述振膜上表面與所述保護(hù)屏之間。

本實(shí)施例的平面揚(yáng)聲器通過設(shè)置多個(gè)吸收盤或吸收環(huán)，用以吸收聲輻射，以減少振膜的自共振，確保振膜的諧振模式為高頻段或更高的人耳非可聽頻段。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。