本實(shí)用新型涉及一種開發(fā)板，尤其涉及一種小型化的GSM/GPRS/BT開發(fā)板，能夠通過GSM、GPRS、BT來進(jìn)行無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備。

背景技術(shù)：

GSM/GPRS/BT開發(fā)板能夠通過GSM、GPRS、BT來進(jìn)行無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備。當(dāng)外部控制器與開發(fā)板連接好后，通過發(fā)送相應(yīng)的指令就可以控制其完成無線數(shù)據(jù)的傳輸。此款產(chǎn)品類似一部簡易手機(jī)，需要通過一只SIM卡來實(shí)現(xiàn)GSM和GPRS功能。另外產(chǎn)品需要與控制器配合，通過控制器發(fā)送相應(yīng)的指令來實(shí)現(xiàn)對應(yīng)的功能。

傳統(tǒng)的此類開發(fā)板集成率低，要完成GSM、GPRS和BT三種功能合一，所需的空間一般是很大的；傳統(tǒng)的此類開發(fā)板電源電路設(shè)計(jì)穩(wěn)定性不強(qiáng)，需要選擇一款大電流的穩(wěn)壓芯片，同時(shí)在電源入口處增加大容量的電容；傳統(tǒng)的此類開發(fā)板對SIM卡兼容性不強(qiáng)、SIM卡抗干擾性不一；現(xiàn)有此類開發(fā)板使用的SIM卡卡座多為大卡卡座，而現(xiàn)在大眾使用的SIM卡幾乎都為MICRO型或更小的SIM卡，影響開發(fā)板的推廣；傳統(tǒng)的此類開發(fā)板通信接口多為TTL電平的串行接口，但實(shí)際應(yīng)用中還需要RS232接口；傳統(tǒng)的此類開發(fā)板通信接口多為TTL電平的串行接口，且只能與3.3V電平的控制器，而市面上大部分的控制器的電平為5V。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種在芯片選用與電路組成上功能更廣泛的，而且設(shè)計(jì)更優(yōu)化，電流穩(wěn)定性更強(qiáng)、體積更小、兼容性更好的小型化的GSM/GPRS/BT開發(fā)板。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的：小型化的GSM/GPRS/BT開發(fā)板，包含主芯片模塊(1)、電源模塊(2)、SIM卡模塊(3)、外部通信模塊(4)、天線模塊(5)。電源模塊(2)為整個(gè)模塊供電，外部通信模塊(3)與主芯片模塊(1)實(shí)現(xiàn)雙向通信，SIM卡模塊(4)實(shí)現(xiàn)與主芯片模塊(4)互傳通信協(xié)議，天線模塊(5)為主芯片模塊(1)提供信號。其中，所述電源模塊(2)采用MP1482芯片(6)，并在SIM卡模塊(3)電源入口處設(shè)置兩個(gè)220UF的非極性電容C₁(8)與C₂(11)，用于抑制電流促發(fā)時(shí)的電壓跌落；所述SIM卡模塊(3)包含卡座MICRO-SIM6(21)、SMF05(22)，兩根通信線分別與22Ω的電阻R₆(26)、R₇(27)串接，用于限流，并增設(shè)33PF非極性電容C₈(28)、C₉(29)用于濾出干擾；所述外部通信模塊(4)中的TTL電平電路包含三極管I(30)、三極管II(34)。

進(jìn)一步地，所述電源模塊(2)還包含接線端子(7)、電解質(zhì)電容I(9)、電阻R₁(10)、非極性電容C₃(12)、電感(13)、電阻R₂(14)、非極性電容C₄(15)、電阻R₃(16)、電阻R₄(17)、非極性電容C₅(18)、電解質(zhì)電容II(19)、二極管(20)。

進(jìn)一步地，所述SIM卡模塊(3)還包含電阻R₅(23)、非極性電容C₆(24)、非極性電容C₇(25)。

進(jìn)一步地，所述外部通信模塊(4)中的TTL電平發(fā)送電路包含電阻R₈(31)、電阻R₉(32)、電阻R₁₀(33)；所述外部通信模塊(4)中的TTL電平接收電路包含電阻R₁₁(35)、電阻R₁₂(36)、電阻R₁₃(37)。

本實(shí)用新型具有的技術(shù)效果是：本實(shí)用新型提供了小型化的GSM/GPRS/BT開發(fā)板，通過合理的布局、緊湊的布線以及將不常用的語音接口與電源接口用排針代替，實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型體積的最小化，便于集成到其他裝置中；通過對電源電路以及SIM卡模塊電路的優(yōu)化改進(jìn)，使得電源供電更加穩(wěn)定，減小通信時(shí)的干擾；SIM卡模塊電路使用卡座MICRO-SIM6(21)，更適合市場上卡型較多的MICRO型卡；通過使用SMF05(22)有效降低了插拔SIM卡時(shí)靜電對SIM卡和學(xué)習(xí)板的損傷；并且本實(shí)用新型的TTL電平能兼容現(xiàn)有的各種電平系統(tǒng)。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型電源模塊電路圖；

圖3是本實(shí)用新型SIM卡模塊電路圖；

圖4是本實(shí)用新型TTL電平發(fā)送電路圖；

圖5是本實(shí)用新型TTL電平接收電路圖。

圖中各標(biāo)號：1.主芯片模塊，2.電源模塊，3.SIM卡模塊，4.外部通信模塊，5.天線模塊，6.MP1482卡座，7.接線端子，8.非極性電容C₁，9.電解質(zhì)電容I，10.電阻R₁，11.非極性電容C₂(11)，12.非極性電容C₃，13.電感，14.電阻R₂，15.非極性電容C₄，16.電阻R₃，17.電阻R₄，18.非極性電容C₅，19.電解質(zhì)電容II，20.二極管，21.MICRO-SIM6卡座，22.SMF05，23.電阻R₅，24.非極性電容C₆，25.非極性電容C₇，26.電阻R₆，27.電阻R₇，28.非極性電容C₈，29.非極性電容C₉，30.三極管I，31.電阻R₈，32.電阻R₉，33.電阻R₁₀，34.三極管II，35.電阻R₁₁，36.電阻R₁₂，37.電阻R₁₃，38.供電端口I，39.供電端口II，40.供電端口III，41.供電端口IV。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)布局合理，如圖1所示，整體分為5個(gè)模塊：主芯片模塊(1)、電源模塊(2)、SIM卡模塊(3)、外部通信模塊(4)、天線模塊(5)。本實(shí)用新型在外形設(shè)計(jì)上盡量縮小體積，主要在以下幾個(gè)方面做了改進(jìn)：整個(gè)開發(fā)板布線更加密集，布局緊湊、合理；去掉了語音接口與電源接口，增加用2.54MM間距的排針代替；本實(shí)用新型器件外形幾乎都為貼片型。經(jīng)過以上方法改進(jìn)之后，本實(shí)用新型體積僅為24mmx24mmx3mm，便于集成到其他裝置中。

如圖2所示，電源電路中電源芯片采用MP1482芯片(6)，供電范圍支持5-18V。SIM卡模塊(4)電源入口處增加兩個(gè)220UF的大容量非極性電容C₁(8)與C₂(11)，有效抑制電流促發(fā)時(shí)的電壓跌落。

整個(gè)電路還包含接線端子(7)、電解質(zhì)電容I(9)、電阻R₁(10)、非極性電容C₃(12)、電感(13)、電阻R₂(14)、非極性電容C₄(15)、電阻R₃(16)、電阻R₄(17)、非極性電容C₅(18)、電解質(zhì)電容II(19)、二極管(20)。整個(gè)電路設(shè)計(jì)使得電源供電更加穩(wěn)定。

如圖3所示，SIM卡模塊電路使用卡座MICRO-SIM6(21)，更適合市場上卡型較多的MICRO型卡。通信的每根信號線串接22歐姆的電阻R₆(26)、R₇(27)，用于限流。布線盡可能短且粗，并增加兩個(gè)33PF非極性電容C₈(28)、C₉(29)，用于濾出干擾。電路中SMF05(22)用于抑制插拔SIM卡時(shí)，靜電對SIM卡和學(xué)習(xí)板的損傷。此外，整個(gè)SIM卡電路還包含電阻R₅(23)、非極性電容C₆(24)、非極性電容C₇(25)。

如圖4所示為TTL電平發(fā)送電路，電路由三極管I(30)、電阻R8(31)、電阻R₉(32)、電阻R₁₀(33)組成。SIMCOM模塊(3)提供2.8V電壓，從供電端口38進(jìn)入；供電端口39為其他電壓值，由外部控制器提供。

如圖5所示為TTL電平接收電路，由三極管II(34)、電阻R11(35)、電阻R₁₂(36)、電阻R₁₃(37)組成。SIMCOM模塊(3)提供2.8V電壓，從端口40進(jìn)入；供電端口41為其他電壓值，由外部控制器提供。本實(shí)用新型TTL電平可以兼容各種電平系統(tǒng)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。