1.一種殼體，其特征在于，所述殼體包括：
基體；及
形成在所述基體上的光學膜層，所述光學膜層燒結在所述基體上以調整所述基體的外觀表現(xiàn)色。
2.如權利要求1所述的殼體，其特征在于，所述光學膜層由高折射率膜層及低折射率膜層堆疊形成，或由所述光學膜層由高折射率膜層及低折射率膜層融合形成。
3.如權利要求1所述的殼體，其特征在于，所述基體包括陶瓷、玻璃、不銹鋼、鈦合金、鋯合金中的任意一種。
4.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，所述殼體還包括顏色層，所述顏色層形成在所述基體上，所述顏色層位于所述基體與所述高折射率膜層/所述低折射率膜層之間。
5.如權利要求4所述的殼體，其特征在于，所述顏色層包括白色層、黑色層、金色層、玫瑰金層、藍色層中的任意一種。
6.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，所述高折射率膜層的材料包括硫化鋅、二氧化鈦、氧化鋯、及氧化鉭中的任意一種。
7.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，所述低折射率膜層的材料包括氟化鎂、一氧化硅及二氧化硅中的任意一種。
8.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，在遠離所述基體的方向上，所述高折射率膜層與所述低折射率膜層依序設置在所述基體上。
9.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述基體為陶瓷，所述高折射率膜層的材料為二氧化鋯，所述高折射率膜層的厚度為20nm～40nm，所述低折射率膜層的材料為二氧化硅，所述低折射率膜層的厚度為50nm～100nm。
10.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，在遠離所述基體的方向上，所述低折射率膜層與所述高折射率膜層依序設置在所述基體上。
11.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，所述低折射率膜層為多層，所述高折射率膜層為多層，多層所述高折射率膜層與多層所述低折射率膜層交替堆疊形成在所述基體上。
12.如權利要求11所述的殼體，其特征在于，多層所述高折射率膜層的材料包括硫化鋅、二氧化鈦、氧化鋯、及氧化鉭中的任意兩種，多層所述低折射率膜層包括氟化鎂、一氧化硅及二氧化硅中的任意兩種。
13.如權利要求11所述的殼體，其特征在于，多層所述高折射率膜層的材料相同，多層所述低折射率膜層的材料相同。
14.如權利要求2所述的殼體，其特征在于，所述高折射率膜層與所述低折射率膜層形成后采用200攝氏度～1000攝氏度的溫度進行燒結以加強附著在所述基體上。
15.一種殼體，其特征在于，所述殼體包括：
基體；及
形成在所述基體上的膜堆，所述膜堆形成后進行燒結以加強附著在所述基體上，所述膜堆用于控制反射特定波長的光線以給使用者帶來視覺上不同顏色的感觀。
16.一種制造方法，用于制造如權利要求1-15任意一項所述的殼體，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：
提供一個基體；
在所述基體上形成光學膜層；及
加熱所述光學膜層以及所述基體以使所述光學膜層結合至所述基體上。
17.如權利要求16所述的制造方法，其特征在于，所述加熱所述光學膜層以及所述基體以使所述光學膜層結合至所述基體上的步驟包括：
加熱所述光學膜層以及所述基體以使所述光學膜層燒結至所述基體上。
18.如權利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基體上形成光學膜層的步驟包括：
對所述基體進行表面預處理；
將二氧化鋯膜層形成在所述基體表面；和
將二氧化硅膜層形成在所述二氧化鋯膜層表面。
19.如權利要求18所述的制造方法，其特征在于，將所述二氧化鋯膜層形成在所述基體的表面，包括：將所述二氧化鋯膜層印刷、噴涂、蒸鍍或者電泳的方式形成在所屬基體的表面；和/或
將二氧化硅膜層形成在所述二氧化鋯膜層表面，包括：將所述二氧化鋯膜層印刷、噴涂、蒸鍍或者電泳的方式形成在所屬基體的表面。
20.如權利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基體上形成光學膜層的步驟包括：
對所述基體進行表面預處理；
將二氧化硅膜層形成在所述基體表面；和
將二氧化鋯膜層形成在所述二氧化硅膜層表面。
21.如權利要求20所述的制造方法，其特征在于，將二氧化硅膜層形成在所述基體表面，包括：將所述二氧化鋯膜層印刷、噴涂、蒸鍍或者電泳的方式形成在所屬基體的表面；和/或
將二氧化鋯膜層形成在所述二氧化硅膜層表面，包括：將所述二氧化鋯膜層印刷、噴涂、蒸鍍或者電泳的方式形成在所屬基體的表面。
22.如權利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述燒結所溫度范圍為200攝氏度～1000攝氏度。
23.一種制造方法，用于制造如權利要求1-15任意一項所述的殼體，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：
提供一個基體；
形成一種包含高折射率膜層與低折射率膜層的膜堆；
固定所述膜堆在所述基體的表面上；及
燒結所述高折射率膜層與所述低折射率膜層。
24.一種制造方法，用于制造殼體，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：
提供一個陶瓷基體；
將二氧化鋯鍍至所述陶瓷表面形成二氧化鋯膜層；
將二氧化硅鍍至所述二氧化鋯膜層表面形成二氧化硅膜層；
燒結所述陶瓷基體、所述二氧化鋯膜層及所述二氧化硅膜層。
25.一種移動終端，其特征在于，包括如權利要求1-15任一項所述的殼體。