1.一種基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，包括：電源模塊、至少一個(gè)電荷泵與旁路開關(guān)模塊、至少一個(gè)降壓模塊、至少一個(gè)氮化鎵GaN射頻功率放大器以及數(shù)字處理單元；
其中，所述電源模塊用于向所述基站發(fā)射系統(tǒng)提供電壓；
所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊與所述電源模塊相連，用于對(duì)所述電源模塊提供的電壓進(jìn)行倍增處理；
所述降壓模塊與所述電荷泵和旁路開關(guān)模塊相連，用于對(duì)所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊輸出的電壓進(jìn)行降壓處理；
所述GaN射頻功率放大器與所述降壓模塊相連，所述降壓模塊還用于根據(jù)所述GaN射頻功率放大器的輸出功率向所述GaN射頻功率放大器提供動(dòng)態(tài)變化的電壓；
所述數(shù)字處理單元分別與所述電源模塊、所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊、所述降壓模塊和所述GaN射頻功率放大器相連，用于根據(jù)所述GaN射頻功率放大器的輸出功率，調(diào)節(jié)所述電源模塊的輸出電壓、所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊的倍增系數(shù)以及所述降壓模塊的降壓范圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述GaN射頻功率放大器包括：
GaN線性功率放大器、GaN數(shù)字開關(guān)功率放大器以及GaN寬帶功率放大器中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊包括電荷泵模塊和旁路開關(guān)模塊；
所述電荷泵模塊用于對(duì)所述電源模塊提供的電壓進(jìn)行倍增處理，其中，所述電荷泵模塊為多相電荷泵，所述多相電荷泵的倍增系數(shù)可調(diào)；
所述旁路開關(guān)模塊用于控制所述電荷泵模塊形成直通狀態(tài)，將所述電源模塊提供的電壓直接供給所述降壓模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述降壓模塊還用于將所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊輸出的電壓直接供給所述GaN射頻功率放大器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述降壓模塊包括：
降壓式變換電路和低壓差線性穩(wěn)壓器電路中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述降壓模塊輸出的最大電壓，大于或等于所述GaN射頻功率放大器的最大工作電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊為GaN電荷泵與旁路開關(guān)模塊，所述降壓模塊為GaN降壓模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，還包括：發(fā)射機(jī)和天線；
所述發(fā)射機(jī)分別與所述GaN射頻功率放大器和所述數(shù)字處理單元相連，用于向所述GaN射頻功率放大器提供通信信號(hào)；所述天線與所述GaN射頻功率放大器相連，用于將所述GaN射頻功率放大器放大輸出的通信信號(hào)進(jìn)行輻射傳播。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述GaN射頻功率放大器的個(gè)數(shù)為多個(gè)；
其中，多個(gè)所述GaN射頻功率放大器并行設(shè)置，并且每個(gè)所述GaN射頻功率放大器均與所述降壓模塊相連，每個(gè)所述GaN射頻功率放大器均與所述數(shù)字處理單元相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
射頻開關(guān)，與多個(gè)所述GaN射頻功率放大器相連，用于切換多個(gè)所述GaN射頻功率放大器在所述基站發(fā)射系統(tǒng)中的接入狀態(tài)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，還包括：
濾波器，與所述射頻開關(guān)相連，用于對(duì)所述GaN射頻功率放大器的輸出信號(hào)進(jìn)行濾波處理。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述GaN射頻功率放大器、所述射頻開關(guān)和所述濾波器組成GaN集成放大器模塊或者GaN單片微波集成電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊和降壓模塊個(gè)數(shù)為多個(gè)；
其中，多個(gè)所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊并行設(shè)置，多個(gè)所述降壓模塊并行設(shè)置，且每個(gè)所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊均獨(dú)立連接一個(gè)對(duì)應(yīng)的所述降壓模塊，形成并行輸出；
每個(gè)所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊均與所述電源模塊相連，每個(gè)所述降壓模塊均與所述GaN射頻功率放大器相連，且每個(gè)所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊和所述降壓模塊均與所述數(shù)字處理單元相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的基站發(fā)射系統(tǒng)，其特征在于，所述降壓模塊個(gè)數(shù)為多個(gè)；
其中，多個(gè)所述降壓模塊并行設(shè)置，且每個(gè)所述降壓模塊均與所述電荷泵與旁路開關(guān)模塊相連，形成并行輸出；
每個(gè)所述降壓模塊均與所述GaN射頻功率放大器相連，且每個(gè)所述降壓模塊均與所述數(shù)字處理單元相連。