一種mems傳聲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開提出一種MEMS傳聲器，其包括外殼、PCB板以及位于外殼內(nèi)部且設(shè)置于PCB板上的ASIC芯片與MEMS振動(dòng)膜片；所述外殼設(shè)置有多個(gè)聲孔且底面開口，PCB板將該底面開口密封；所述MEMS振動(dòng)膜片包括基膜、附著于基膜一側(cè)表面的上電極層以及附著于基膜另一側(cè)表面的下電極層：所述基膜由氮化硅制成，厚度為5-15μm；所述上電極層為鋁金屬層，厚度為0.03-0.05μm；所述下電極層厚度為0.3-0.7μm；所述下電極層的組分及重量百分比為：Al:10%-15%；Cr:5%-8%；Nb:0.2%-1.5%；Ni:2.5%-5%；Pt:7%-10%；余量為Ti。本發(fā)明的MEMS傳聲器具有靈敏度高、結(jié)構(gòu)簡單、失真小的有益效果。
【專利說明】—種MEMS傳聲器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳聲器設(shè)備領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS傳聲器。
【背景技術(shù)】
[0002]MEMS (Micro Electro Mechanical Systems)傳聲器是指利用 MEMS 技術(shù)加工的傳聲器產(chǎn)品。現(xiàn)有的MEMS傳聲器的結(jié)構(gòu)圖如圖1所示，現(xiàn)有的MEMS傳聲器包括PCB底板1，框架2，PCB頂板5 ；PCB底板1，框架2，PCB頂板5構(gòu)成中空殼體；設(shè)置于PCB底板I上的 ASIC (Application Specific Integrated Circuits)(專用 IC)芯片 4 以及振動(dòng)膜 3。PCB底板I上設(shè)置有進(jìn)聲孔6，聲音通過進(jìn)聲孔6進(jìn)入殼體I內(nèi)部引起振動(dòng)膜3振動(dòng)從而使得振動(dòng)膜的電容發(fā)生變化，ASIC芯片檢測該電容變化并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)傳遞給相關(guān)處理器件，例如配套的前置放大器或音頻輸入接口等。
[0003]MEMS傳聲器中，振動(dòng)膜是整個(gè)MEMS傳聲器的核心器件?，F(xiàn)有的MEMS傳聲器中的振動(dòng)膜的材料一般為氮化硅、二氧化硅、多晶硅、聚酰亞胺等材料，也有采用其他材料制成，例如
【發(fā)明者】黃恩光 申請人:寧波鑫豐泰電器有限公司