專利名稱：硅麥克風(fēng)的制造方法
硅麥克風(fēng)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種麥克風(fēng)的制造方法，尤其涉及一種能適用于多數(shù)電子產(chǎn)品的硅麥克風(fēng)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著無線通訊的發(fā)展，全球移動電話用戶越來越多，用戶對移動電話的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動多媒體技術(shù)的發(fā)展，移動電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動電話的麥克風(fēng)作為移動電話的語音拾取裝置，其設(shè)計好壞直接影響通話質(zhì)量。而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mech anical-System Microphone)，又稱硅麥克風(fēng)。其封裝體積比傳統(tǒng)的駐極體麥克風(fēng)小，應(yīng)用越來越廣。硅麥克風(fēng)通常設(shè)有硅基底、受硅基底支撐的振膜、支撐層及與支撐層相連并與振膜相隔一定距離的背板，而相關(guān)技術(shù)的硅麥克風(fēng)的制造方法通常采用摻了雜質(zhì)的氧化硅 (例如磷硅玻璃)來作為支撐層的材料，如此方法不利于背板的成型，會使背板與支撐層連接的一端距離振膜很近，例如相關(guān)技術(shù)中的“橋式”背板結(jié)構(gòu)，這樣結(jié)構(gòu)，會加大振膜和背板間的寄生電容，從而降低絕緣電阻，影響麥克風(fēng)的性能。因此，有必要提供一種新的硅麥克風(fēng)用以改善或解決上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需解決的技術(shù)問題在于提供一種能降低寄生電容、提高絕緣電阻的硅麥克風(fēng)的制造方法。本發(fā)明通過這樣的技術(shù)方案解決上述的技術(shù)問題一種制造硅麥克風(fēng)的方法，其特征在于該方法包括如下步驟步驟1 提供一硅基底，硅基底表面上沉積第一絕緣層，在第一絕緣層上沉積振膜；步驟2 在第一絕緣層和振膜上沉積一定厚度的氧化硅以作為支撐層，在該支撐層上沉積第二絕緣層；步驟3 在所述第二絕緣層上沉積背板，在背板上刻蝕出貫穿背板的聲孔，在背板邊緣沉積金屬電極；步驟4 在硅基底底部刻蝕出背腔；步驟5 通過聲孔釋放與振膜振動部分相對的支撐層以形成振動空間。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述背板設(shè)有與振動空間相對的主體部、自主體部延伸而出并與支撐層固定連接的第一邊緣部及位于第一邊緣部外側(cè)的第二邊緣部，所述支撐層沉積的厚度使得第一邊緣部與主體部同處一個平面。作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，所述振膜和基底相互平行。
作為本發(fā)明的一種改進(jìn)，在支撐層上利用光刻形成若干凹槽，第二絕緣層沉積入凹槽并在朝向振膜的一側(cè)形成突起。本發(fā)明具有以下優(yōu)點由于用沒有摻雜的氧化硅來做支撐層，使得背板與支撐層連接的一端的高度升高，從而能降低背板與振膜、背板與硅基底之間的寄生電容，從而提高絕緣電阻。

圖1(a)至圖l(j)為本發(fā)明硅麥克風(fēng)制造方法的工藝流程圖。
具體實施方式下面結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1(a)至圖l(j)所示，為本發(fā)明硅麥克風(fēng)制造方法的工藝流程圖，該方法包括如下步驟步驟1 如圖1 (a)至圖1 (c)所示，提供一硅基底11，硅基底11表面上沉積第一絕緣層15，在第一絕緣15層上沉積振膜12，其中，振膜12與硅基底11剛好平行；步驟2 如圖1 (d)和圖1 (e)所示，在硅基底11和振膜12上沉積一定厚度的氧化硅以作為支撐層13，利用光刻技術(shù)在支撐層13上刻蝕出若干凹槽147，在刻蝕過凹槽147 的支撐層13上沉積第二絕緣層16 ；步驟3 如圖1 (f)至圖1 (h)所示，在所述第二絕緣層16上沉積背板14，在背板14 上刻蝕出貫穿背板14的若干聲孔145，其中，聲孔145與凹槽147間隔分布，在背板14邊緣沉積金屬電極18 ；步驟4 如圖l(i)所示，在硅基底11和第一絕緣層上刻蝕出貫穿二者的背腔110 ；步驟5 如圖1 (j)所示，通過聲孔145釋放與振膜12振動部分相對的支撐層13以形成振動空間124，其中，釋放溶液采用氟化酸及氟化銨的混合溶液。在本實施例中，背板14設(shè)有與振動空間IM相對的主體部140、自主體部140延伸而出并與支撐層13固定連接的第一邊緣141部及位于第一邊緣141部外側(cè)的第二邊緣部 142，作為本發(fā)明的一種較佳的實施方式，支撐層13沉積的厚度剛好使得第一邊緣部141與主體部140同處一個平面。由于凹槽147的存在，使得第二絕緣層16部分沉積入凹槽147并在朝向振膜12 的一側(cè)形成與凹槽147相對應(yīng)的突起148，以防止振膜12背板14在振動過程中吸附在背板 14上而造成短路；?？涛g聲孔145的同時可以刻蝕一部分氧化硅支撐層13，以便提高釋放支撐層13的速率。再使部分背板14沉積入凹孔148以在背板14上形成朝向振膜14的突起。以上所述的僅振膜是本發(fā)明的實施方式，在此應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出改進(jìn)，但這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造硅麥克風(fēng)的方法，其特征在于該方法包括如下步驟步驟1 提供一硅基底，硅基底表面上沉積第一絕緣層，在第一絕緣層上沉積振膜； 步驟2 在第一絕緣層和振膜上沉積一定厚度的氧化硅以作為支撐層，在該支撐層上沉積第二絕緣層；步驟3 在所述第二絕緣層上沉積背板，在背板上刻蝕出貫穿背板的聲孔；步驟4 在硅基底和第一絕緣層上刻蝕出貫穿二者的背腔；步驟5 通過聲孔釋放與振膜振動部分相對的支撐層以形成振動空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述背板設(shè)有與振動空間相對的主體部、自主體部延伸而出并與支撐層固定連接的第一邊緣部，所述支撐層沉積的厚度使得第一邊緣部與主體部同處一個平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于所述振膜和基底相互平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的硅麥克風(fēng)的制造方法，其特征在于在支撐層上利用光刻形成若干凹槽，第二絕緣層沉積入凹槽并在朝向振膜的一側(cè)形成突起。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種硅麥克風(fēng)的制造方法，該方法是采用氧化硅作為支撐層的材料，這樣可以把背板與支撐層固定連接的一端墊高，進(jìn)而降低產(chǎn)品的寄生電容、提高絕緣電阻。
文檔編號H04R31/00GK102196352SQ201110130688
公開日2011年9月21日 申請日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
發(fā)明者孟珍奎, 張小麟, 張睿, 楊斌, 王琳琳, 葛舟, 顏毅林 申請人:瑞聲聲學(xué)科技(深圳)有限公司, 瑞聲科技(新加坡)有限公司