專(zhuān)利名稱(chēng)：麥克風(fēng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種麥克風(fēng)，具體涉及一種電容性麥克風(fēng)。
背景技術(shù)：
圖1示意性示出了已知電容性麥克風(fēng)的操作原理。由于隔膜10上的壓力差，聲壓 波1使隔膜10振動(dòng)。這改變了隔膜10與后板11之間的氣隙間隔。對(duì)于良好的全向性能， 隔膜的背面面對(duì)聲學(xué)上封閉的后腔室12。需要后腔室中的小孔14來(lái)補(bǔ)償大氣壓的緩慢變 化。為了檢測(cè)隔膜的移動(dòng)，將隔膜放置在平行板電容器裝置中。為此，隔膜具有導(dǎo)電表 面，背板也是導(dǎo)電的，被放置為產(chǎn)生氣隙。由于聲壓差對(duì)氣隙的調(diào)制，與聲壓成比例的電可 檢測(cè)信號(hào)是可用的。隔膜和后板通常是以硅MEMS工藝制造的，而后腔室通常由器件封裝來(lái)限定。對(duì)于需要小型化的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，例如，對(duì)于移動(dòng)電話(huà)或者對(duì)于其他手持設(shè)備中的PCB 安裝，MEMS麥克風(fēng)是尤為感興趣的。這些問(wèn)題沒(méi)有解決的一個(gè)問(wèn)題是“體噪聲(body noise)”抑制。由于機(jī)械振動(dòng)，麥克風(fēng)電容器的兩個(gè)平行板將會(huì)有相對(duì)移動(dòng)，這導(dǎo)致檢測(cè)到不期 望的電信號(hào)。在麥克風(fēng)上引起電輸出的機(jī)械振動(dòng)的這種干擾效應(yīng)稱(chēng)作“體噪聲”。體噪聲主 要由隔膜的撓曲(deflection)引起；后板響應(yīng)于機(jī)械振動(dòng)的撓曲要小得多。體噪聲的一個(gè)示例是移動(dòng)電話(huà)自身的揚(yáng)聲器(或接收機(jī))向麥克風(fēng)中的串?dāng)_。這 種效應(yīng)具有非線(xiàn)性傳遞函數(shù)，因此無(wú)法通過(guò)對(duì)麥克風(fēng)輸出信號(hào)自己進(jìn)行信號(hào)處理來(lái)補(bǔ)償這 種效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種麥克風(fēng)，包括襯底管芯(die)24 ；以及從襯底管芯形成的麥克風(fēng)20和加速度計(jì)22，其中，加速度 計(jì)適于提供用于對(duì)襯底管芯的機(jī)械振動(dòng)加以補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。因此，實(shí)施例提供了與麥克風(fēng)在同一管芯上的加速度計(jì)，使得可以經(jīng)由電信號(hào)減 去來(lái)消除聲音信號(hào)中的機(jī)械振動(dòng)。此外，加速度計(jì)使得為麥克風(fēng)模塊提供了加速度計(jì)的設(shè) 備具有新功能。例如，可以通過(guò)晃動(dòng)設(shè)備來(lái)終止設(shè)備的現(xiàn)用功能，和/或可以通過(guò)翻轉(zhuǎn)設(shè)備 來(lái)啟用/禁用設(shè)備的功能?？梢圆捎门c制造麥克風(fēng)所使用的工藝相同的工藝來(lái)制造加速度計(jì)，使得不需要附 加的工藝步驟。此外，可以將加速度計(jì)定位在靠近MEMS麥克風(fēng)的地方，而不改變MEMS麥克風(fēng)管芯 的物理尺寸，使得不需要附加的硅面積。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造麥克風(fēng)的方法，包括提供襯底管芯；以 及從襯底管芯新城麥克風(fēng)和加速度計(jì)，其中，加速度計(jì)適于提供用于對(duì)襯底管芯的機(jī)械振動(dòng)加以補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。形成步驟可以包括形成MEMS電容性麥克風(fēng)，所述MEMS電容性麥克風(fēng)包括通過(guò)氣 隙與傳感器隔膜分開(kāi)的后板；以及形成包括懸浮質(zhì)量塊(suspended mass)的MEMS電容性 加速度計(jì)。


現(xiàn)在將參考附圖來(lái)描述本發(fā)明的示例，其中圖1示意性地示出了已知電容性麥克風(fēng)的操作原理；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的示例性管芯布局的平面圖；圖3A至3G示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造MEMS麥克風(fēng)的方法；圖4A-4F是根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的管芯布局的示意性平面圖；以及圖5A-5D示出了根據(jù)本發(fā)明不同實(shí)施例的加速度計(jì)配置。
具體實(shí)施例方式附圖不是按比例繪制的，一些尺寸可能已被放大(例如，厚度尺寸)以使附圖更清 楚地示出不同組件。圖2示出了根據(jù)實(shí)施例的示例性管芯布局的平面圖，其中，將MEMS電容性麥克風(fēng) 20和電容性加速度計(jì)22組合在單個(gè)襯底管芯M上。與制造傳統(tǒng)MEMS麥克風(fēng)相比，不需 要附加的掩模來(lái)實(shí)現(xiàn)伴隨的電容性加速度計(jì)22。因此，可以將電容性加速度計(jì)22添加到 MEMS麥克風(fēng)傳感器20中，而沒(méi)有任何附加的制造成本。麥克風(fēng)模塊中的加速度計(jì)還提供了對(duì)于還沒(méi)有包括加速度計(jì)的器件有利的附加 功能性。因此，加速度計(jì)22與麥克風(fēng)20經(jīng)歷相同的機(jī)械振動(dòng)，優(yōu)選地將加速度計(jì)22定位 在相同管芯M上靠近麥克風(fēng)的地方。對(duì)于信號(hào)處理，如果加速度計(jì)22的懸浮質(zhì)量塊對(duì)機(jī) 械振動(dòng)的頻率響應(yīng)與麥克風(fēng)類(lèi)似，其中所述麥克風(fēng)在可聽(tīng)頻率范圍(高達(dá)20kHz)內(nèi)具有線(xiàn) 性響應(yīng)，則這種布置也是方便的。圖2中所示的示例的加速度計(jì)22是質(zhì)量彈簧系統(tǒng)，所述質(zhì)量彈簧系統(tǒng)通過(guò)表面微 機(jī)械加工被制造在麥克風(fēng)傳感器層堆疊中。這提供了若干選項(xiàng)，其中的一些示例如下(i)可以將加速度計(jì)質(zhì)量彈簧系統(tǒng)全部制造在麥克風(fēng)后板層中。那么加速度計(jì)的 剛性反電極是由硅制成的，麥克風(fēng)隔膜也是由硅制成的，此外與麥克風(fēng)傳感器的間隙類(lèi)似 地在電極之間制造間隙。以下將參考圖3A-3G來(lái)更詳細(xì)地描述該特定示例。(ii)可以將加速度計(jì)質(zhì)量彈簧系統(tǒng)制造在麥克風(fēng)后板、“犧牲”氧化物和隔膜層一 起的組合中。在這種情況下，僅在麥克風(fēng)中而不在加速度計(jì)中蝕刻“犧牲”氧化物。那么加 速度計(jì)的剛性反電極由SOI晶片的硅襯底來(lái)提供，蝕刻SOI晶片的掩埋式氧化物以在電極 之間形成間隙。(iii)與以上選項(xiàng)(ii)類(lèi)似，不同之處在于，當(dāng)加速度計(jì)質(zhì)量塊在上述三層中時(shí)， 這些層中只有一層或兩層用于加速度計(jì)彈簧?，F(xiàn)在參考圖3A-3G，將描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造MEMS麥克風(fēng)的方法，其中，將 加速度計(jì)質(zhì)量彈簧系統(tǒng)全部制造在麥克風(fēng)后板層中(根據(jù)上述選項(xiàng)(i))。
首先，如圖3A所示，過(guò)程以提供絕緣體上硅(SOI)晶片襯底30為開(kāi)始。本文中， SOI晶片襯底30包括夾在上部硅層(Si) 34與下部硅層36之間的二氧化硅層(SiO2) 32。接下來(lái)，將上部Si層34圖案化，以便提供如圖:3B所示的第一部分3 和第二部 分34b。Si層34的第一部分3 將成為麥克風(fēng)隔膜，Si層34的第二部分34b將成為加速 度計(jì)的固定電極。SOI晶片30確保了該層的應(yīng)力是低張力的，以便產(chǎn)生靈敏的麥克風(fēng)，這是 因?yàn)辂溈孙L(fēng)靈敏度是由隔膜中的(張力)應(yīng)力來(lái)確定的。如圖3C所示，在圖案化的上部層34上沉積附加的二氧化硅(SiO2)(例如，TEOS或 LPCVD)層38，隨后以多晶硅層40來(lái)覆蓋二氧化硅層38。如稍后示出的，多晶硅層40中在 Si層34的第一部分3 上方的區(qū)域?qū)⑿纬甥溈孙L(fēng)的后板，多晶硅層40中在Si層34的第 二部分34b上方的區(qū)域?qū)⑿纬杉铀俣扔?jì)的懸浮質(zhì)量塊。然后如圖3D所示，在多晶硅層40中(使用例如活性離子蝕刻(reactive ion etching)工藝)蝕刻孔42。這些孔42是為后續(xù)的犧牲層蝕刻工藝而提供的。此外，這些 孔42還用于制造麥克風(fēng)的聲學(xué)上透明的后板。接下來(lái)，如圖3E所示，使用深度活性離子蝕刻(DRIE，Deep Reactive Ion Kching)，或備選地使用KOH或TMAH中的濕各向異性蝕刻，蝕刻掉下部硅(Si)層36的一 部分，以便在麥克風(fēng)的位置處形成空腔44。然后如圖3F所示，通過(guò)孔42來(lái)進(jìn)行犧牲層蝕刻工藝，以去除Si02層38的一部分。 這Si層34的第一部分3 與多晶硅層40在該第一部分3 上方的區(qū)域脫節(jié)，從而從Si 層34的第一部分3 形成隔膜部分46，并從多晶硅層40在該第一部分3 上方的區(qū)域形 成后板48。此外，多晶硅層40在Si層34的第二部分34b上方的區(qū)域與Si層34脫節(jié)，以 便形成加速度計(jì)的懸浮質(zhì)量塊50。因此，圖3G所示的最終結(jié)構(gòu)包括MEMS電容性麥克風(fēng)(在左側(cè))和MEMS電容性加 速度計(jì)(在右側(cè))。在隔膜46與后板48的導(dǎo)電表面之間的電容Csoimd提供了對(duì)入射聲音 信號(hào)和器件的機(jī)械振動(dòng)的測(cè)量。類(lèi)似地，在懸浮質(zhì)量塊50與Si層34的第二部分34b的導(dǎo) 電表面之間的電容Cacc提供了麥克風(fēng)的機(jī)械振動(dòng)(由標(biāo)記為“a”的箭頭指示)的測(cè)量。將意識(shí)到，與僅制造MEMS麥克風(fēng)相比，上述制造工藝不需要附加的掩模。優(yōu)選地，將形成適合與麥克風(fēng)安裝在相同管芯上并靠近麥克風(fēng)的加速度計(jì)，以便 限制所需的附加空間的量。現(xiàn)在參考圖4A-4F，本發(fā)明的實(shí)施例包括被定位在硅管芯51的中心的圓形麥克風(fēng) 后板48。圍繞麥克風(fēng)隔膜部分46提供四個(gè)接合焊盤(pán)52a-52d。提供四個(gè)接合焊盤(pán)52a_52d以操作麥克風(fēng)和加速度計(jì)兩者。第一接合焊盤(pán)5 提 供與麥克風(fēng)隔膜部分46的電連接，第二接合焊盤(pán)52b提供與麥克風(fēng)后板48觸點(diǎn)的電連接， 第三接合焊盤(pán)52c提供體接觸，第四接合焊盤(pán)52d提供與加速度計(jì)質(zhì)量塊50的電連接。如果在頂部硅層的圖案化階段，麥克風(fēng)隔膜沒(méi)有與固定的加速度計(jì)電極分開(kāi)，則 麥克風(fēng)隔膜層中的固定加速度計(jì)電極(Si層34的第二部分34b的導(dǎo)電表面)可以被形成 為與麥克風(fēng)的公共電極(與圖3B所示不同)。在這種情況下，固定的加速度計(jì)電極不需要 分開(kāi)的接合焊盤(pán)。相應(yīng)地，備選實(shí)施例可以包括少于4個(gè)的焊盤(pán)。此外，其他備選方案甚至 可以包括多于四個(gè)的焊盤(pán)，以便使麥克風(fēng)和加速度計(jì)電容的讀出更容易。與僅有麥克風(fēng)的管芯相比，圖4A-4F所示的實(shí)施例并不需要附加的硅面積。還可以認(rèn)為提高管芯尺寸使得可以將更大尺寸的加速度計(jì)與麥克風(fēng)集成在相同管芯上。還可以 在與管芯布局相關(guān)聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)和與附加硅成本相關(guān)聯(lián)的缺點(diǎn)之間進(jìn)行權(quán)衡。在存在麥克風(fēng)和四個(gè)接合焊盤(pán)52a_52d的情況下，可以將加速度計(jì)定位在管芯的 拐角處或沿著管芯的邊緣。圖4A-4F示出了若干示例性配置。在圖4A-4F的所有實(shí)施例中，加速度計(jì)是彈性地懸浮的質(zhì)量塊。加速度計(jì)可以是 圓盤(pán)(如麥克風(fēng)隔膜一樣)，但是加速度計(jì)也可以是矩形(或方形)形狀、多邊形形式或部 分環(huán)形的。加速度計(jì)可以沿著其整個(gè)邊緣懸浮(如麥克風(fēng)隔膜一樣)，或者僅沿著特定的邊 緣懸浮(例如，如同在相對(duì)邊緣處鉗住的梁一樣)。如圖4F所示，還可以希望在管芯上提供多于一個(gè)加速度計(jì)。從而加速度計(jì)質(zhì)量塊 的層(麥克風(fēng)后板層)中形成的電接觸可以使得相同的接合焊盤(pán)52c用于多個(gè)加速度計(jì)。 然而，為了提高性能，優(yōu)選地兩個(gè)加速度計(jì)可以是實(shí)質(zhì)上相同的。除了上述內(nèi)容之外，加速度計(jì)還將優(yōu)選地被形成為對(duì)結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向上(S卩，與 層的平面垂直)的機(jī)械振動(dòng)靈敏(因?yàn)辂溈孙L(fēng)主要對(duì)該方向上的振動(dòng)靈敏)，而對(duì)聲音不靈 敏。為了實(shí)現(xiàn)僅在與層結(jié)構(gòu)垂直的方向上的靈敏度，優(yōu)選地加速度計(jì)懸浮被設(shè) 計(jì)為在結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向上可彎曲(flexible)，而對(duì)于平面內(nèi)機(jī)械振動(dòng)而言不可彎曲 (inflexible)(即，不靈敏)?？梢酝ㄟ^(guò)設(shè)計(jì)一種彈性懸浮，使得該彈性懸浮僅在期望的方 向上可彎曲(高柔度，低彈簧常數(shù))，而在其他方向上堅(jiān)硬(低柔度，高彈簧常數(shù))，來(lái)滿(mǎn)足 這種需求。通過(guò)將加速度計(jì)的質(zhì)量塊設(shè)計(jì)為具有比麥克風(fēng)隔膜的面積小的面積，可以使加速 度計(jì)比麥克風(fēng)對(duì)聲音更不靈敏。較小的面積降低了對(duì)聲壓的靈敏度，通過(guò)對(duì)加速度計(jì)質(zhì)量 塊打孔(使加速度計(jì)質(zhì)量塊脫節(jié)的犧牲層蝕刻也需要對(duì)加速度計(jì)質(zhì)量塊打孔)，甚至可以 使質(zhì)量塊實(shí)質(zhì)上聲學(xué)透明。還可以有利的是形成加速度計(jì)，使得加速度計(jì)具有在麥克風(fēng)預(yù)期聲音帶寬(典型 地20kHz)以上的諧振頻率。這在可聽(tīng)頻率范圍內(nèi)提供了線(xiàn)性響應(yīng)。此外，由于較高的諧振 頻率提供了對(duì)加速度/振動(dòng)的較低靈敏度，所以可以限制諧振頻率。因此，加速度計(jì)的諧振 頻率的優(yōu)選范圍可以是在25kHz和IOOkHz之間的范圍。質(zhì)量彈簧系統(tǒng)的基礎(chǔ)諧振頻率由質(zhì)量彈簧系統(tǒng)的質(zhì)量和彈簧常數(shù)來(lái)確定。如果 在麥克風(fēng)后板層中形成加速度計(jì)質(zhì)量塊，則材料密度和層厚度不能用作設(shè)計(jì)參數(shù)。因此， 質(zhì)量塊僅可以由該質(zhì)量塊的面積來(lái)調(diào)整(如在第一需求中闡述的，可以由管芯上的間隔 (space)來(lái)限制)。彈簧常數(shù)取決于彈性懸浮的幾何結(jié)構(gòu)和層中的應(yīng)力。再次地，材料密度 和層厚度可以由麥克風(fēng)隔膜制造工藝來(lái)限定，從而將調(diào)整限于懸浮的平面內(nèi)幾何結(jié)構(gòu)。在圖5A-5D中，示出了若干示例性加速度計(jì)配置，利用這些加速度計(jì)配置可以實(shí) 現(xiàn)頻率匹配。所有的配置都基于梁狀結(jié)構(gòu)陽(yáng)，所述梁狀結(jié)構(gòu)陽(yáng)被定位為沿著硅管芯的邊緣 鄰近麥克風(fēng)(如同圖4c所示的配置一樣)。如上所述，梁的長(zhǎng)度和寬度可以被選擇為使得 加速度計(jì)具有預(yù)定的質(zhì)量。用于犧牲層蝕刻工藝并且用于使加速度計(jì)聲學(xué)透明的加速度計(jì) 質(zhì)量塊打孔，被示意性地示為在梁狀結(jié)構(gòu)陽(yáng)中形成的多個(gè)孔/孔徑58。在圖5A中，四個(gè)直梁59 (兩對(duì)梁59在質(zhì)量塊的相對(duì)端部)使質(zhì)量塊58懸浮。因 此，彈性懸浮僅在期望的方向上(與圖平面垂直)可彎曲，而在其他方向上堅(jiān)硬，梁55的寬7度比層厚度大?？紤]層中的應(yīng)力，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)剡x擇梁寬度和長(zhǎng)度以及梁的數(shù)目來(lái)實(shí)現(xiàn)期望的 基礎(chǔ)相應(yīng)頻率(如圖5B所示)。圖5C和5D示出了配置，對(duì)于這些配置，由于用于釋放應(yīng)力的懸浮的幾何結(jié)構(gòu)，諧 振頻率對(duì)層中的應(yīng)力的依賴(lài)性更小。已得到分析模型，以預(yù)測(cè)圖5A所示的加速度計(jì)設(shè)計(jì)的靈敏度和諧振頻率。設(shè)計(jì)參 數(shù)描述了中心質(zhì)量塊(長(zhǎng)度為L(zhǎng)mass,寬度為Wmass)和四個(gè)懸浮的梁，每個(gè)懸浮的梁具有長(zhǎng)度 Lteam和寬度Wb_。為了驗(yàn)證分析模型的可應(yīng)用性，針對(duì)相同的配置將分析結(jié)果與有限元計(jì) 算相比較。由于加速度計(jì)被制造在麥克風(fēng)后板層中，所以對(duì)于后板層而言已知的已知規(guī)范 被用作如下3 μ m厚的多晶硅層，其中初始平面內(nèi)應(yīng)力為180MPa。穿孔占中心質(zhì)量塊面積 的 30%。以下表1詳細(xì)描述了(對(duì)于圖5A的示例)靈敏度和諧振頻率f0對(duì)加速度計(jì)幾何結(jié)構(gòu)的相依性的估計(jì)結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種麥克風(fēng)，包括襯底管芯04)；以及從襯底管芯形成的麥克風(fēng)OO)和加速度計(jì)(22)，其中，加速度計(jì)適于提供用于對(duì)襯底 管芯的機(jī)械振動(dòng)加以補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的麥克風(fēng)，其中，加速度計(jì)0 是包括懸浮質(zhì)量塊(50)的MEMS 電容性加速度計(jì)，麥克風(fēng)OO)是包括后板08)的MEMS電容性麥克風(fēng)，所f述后板G8)通過(guò) 氣隙與傳感器隔膜G6)分開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的麥克風(fēng)，其中，加速度計(jì)02)適于具有實(shí)質(zhì)上與麥克風(fēng) (20)對(duì)機(jī)械振動(dòng)的頻率響應(yīng)相等的頻率響應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的麥克風(fēng)，其中，襯底管芯04)包括多個(gè)層，麥克風(fēng)OO) 的至少一部分和加速度計(jì)02)的至少一部分是從襯底管芯的至少一個(gè)層形成的。
5.根據(jù)引用權(quán)利要求2的權(quán)利要求4所述的麥克風(fēng)，其中，懸浮質(zhì)量塊(50)和后板 (46)是從相同層形成的。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的麥克風(fēng)，其中，襯底管芯04)包括多晶 硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求2至6中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的麥克風(fēng)，其中，懸浮質(zhì)量塊(50)的面 積比傳感器隔膜G6)的面積小。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的麥克風(fēng)，其中，懸浮質(zhì)量塊(50)被穿 孔以便實(shí)質(zhì)上聲學(xué)透明。
9.一種制造麥克風(fēng)的方法，包括提供襯底管芯；從襯底管芯形成麥克風(fēng)和加速度計(jì)，其中，加速度計(jì)適于提供用于對(duì)襯底管芯的機(jī)械振動(dòng)加以補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成步驟包括形成包括通過(guò)氣隙與傳感器隔 膜G6)分開(kāi)的后板08)的MEMS電容性麥克風(fēng)，以及形成包括懸浮質(zhì)量塊(50)的MEMS電 容性加速度計(jì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，襯底管芯04)包括多個(gè)層，麥克風(fēng)OO)的至 少一部分和加速度計(jì)02)的至少一部分是從襯底管芯的至少一層形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成麥克風(fēng)和加速度計(jì)的步驟包括將多層襯底管芯的上部層(34)圖案化，以限定上部層(34)的第一部分(34a)和第二 部分(34b)；在上部襯底層(34)上沉積犧牲層(38)和后板層00)；蝕刻后板層GO)以在上部襯底層(34)的第一部分(34a)和第二部分(34b)上方限定 開(kāi)口 (42)；去除犧牲層(38)在上部襯底層(34)的第一部分(34a)和第二部分(34b)上方的部分， 從而從上部襯底層(34)的第二部分(34b)上方的后板層00)形成懸浮質(zhì)量塊(50)；以及去除多層襯底(30)的下部層(3 在上部襯底層(34)的第一部分(34a)下方的部分 (44)，從而從上部襯底層(34)的第一部分(34a)形成傳感器隔膜(46)，并從上部襯底層 (34)的第一部分(34a)上方的后板層00)形成后板08)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的方法，其中，襯底管芯04)包括多晶硅層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種麥克風(fēng)以及一種制造這種麥克風(fēng)的方法。麥克風(fēng)包括襯底管芯(24)；以及從襯底管芯形成的麥克風(fēng)(20)和加速度計(jì)(22)。加速度計(jì)適于提供用于對(duì)襯底管芯的機(jī)械振動(dòng)加以補(bǔ)償?shù)男盘?hào)。
文檔編號(hào)H04R1/08GK102045615SQ20101051834
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2010年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月23日
發(fā)明者伊麗絲·博尼馬-西爾金斯, 海爾特·倫格瑞斯, 特溫·范利龐, 西瑪·塔拉松, 雷姆科·皮亞恩伯格 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司