專利名稱：半導體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體器件，其中例如麥克風芯片和壓力傳感器芯片的半導 體傳感器芯片布置在空腔內(nèi)。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)已知半導體器件均設計成以覆蓋件覆蓋具有芯片安裝表面的基底， 芯片，從而該半導體傳感器芯片布置在由基底和覆蓋件限定的空腔內(nèi)，所述半導體器件的示例在美國專利No.6781231和日本專利申請No.2004-537182 中公開。覆蓋件具有允許空腔與外部空間連通的開口；因此，在外部空間發(fā) 生的壓力變化經(jīng)由覆蓋件的開口傳遞到半導體傳感器芯片。覆蓋件的開口設 置為與半導體傳感器芯片相對并且通常形成為圓形。當覆蓋件的開口與布置在半導體器件的空腔內(nèi)的半導體傳感器芯片相 對時，半導體傳感器芯片必定經(jīng)由所述開口直接暴露于外部空間，并且因此 容易受到例如日光和灰塵的環(huán)境因素的影響。通常，在平面圖中形成為圓形的單個開口形成在覆蓋件的指定位置上， 該指定位置與半導體傳感器芯片的振動膜直接相對。為了將壓力變化充分引 入半導體器件的空腔中，必須充分增大開口面積；然而，當增大開口面積時， 將會相應地增大由于環(huán)境因素導致的負面影響(或負面效應)。當開口形成 為圓形時，缺點很可能發(fā)生，從而小于開口直徑的小的外來物質(zhì)可以被輕易 地引入半導體器件的空腔中。為了保護半導體傳感器芯片免受環(huán)境因素導致的負面影響， 一些常規(guī)公 知的半導體器件裝備有環(huán)境屏障以避免環(huán)境因素的滲入。然而，環(huán)境屏障使得在制造過程中生產(chǎn)半導體器件變得復雜。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個目的是提供一種半導體器件，其能夠減小環(huán)境因素對半導在本發(fā)明的第 一方面， 一種半導體器件包括用于4企測壓力變化的半導體 傳感器芯片，具有在其中布置半導體傳感器芯片的空腔的殼體，和包括多個 通孔的開口，所述多個通孔集中地形成在所述殼體不與半導體傳感器芯片相 對的指定區(qū)域中，其中所述開口允許空腔與外部空間連通。在上文中，在殼體的指定區(qū)域，例如頂板構(gòu)件的指定區(qū)域中，集中地布 置通孔從而以集中的形式互相毗鄰。可以采用一個細縫形通孔形成開口；可 選地，采用多個細縫形通孔形成開口。由于采用多個通孔形成開口，即使每個通孔減小了開口面積，也能夠確 保對應于通孔開口面積之和的足夠大的總開口面積。這允許諸如聲壓變化的 壓力變化被引入空腔內(nèi)以到達半導體傳感器芯片。由于多個通孔集中地布置 在殼體的指定區(qū)域內(nèi)，壓力變化能夠以期望的條件傳播到空腔中，所述期望 的條件與施加在單個大通孔上的壓力變化的傳播條件相似。當開口由細縫形通孔構(gòu)成時，即使減小通孔的寬度也能夠確保足夠大的 開口面積。這允許壓力變化可靠地經(jīng)由開口傳播到空腔中從而到達半導體傳 感器芯片。通過減小每個通孔的開口面積或通過減小通孔的寬度，能夠輕易地防止 灰塵進入殼體的空腔中。由于開口形成在殼體不與半導體傳感器芯片相對的 指定區(qū)域中，能夠輕易地防止日光被引入到空腔中從而到達半導體傳感器芯 片。也就是，能夠顯著地減小諸如灰塵和日光的環(huán)境因素對半導體傳感器芯 片的負面影響。當采用多個細縫形通孔形成開口時，通孔能夠相互靠近地布置使得殼體 的尺寸減小，由此縮小半導體器件的尺寸。由于形成多個通孔，每個所述通 孔都能減小開口面積，從而能夠進一步減小環(huán)境因素對半導體傳感器芯片的 負面影響。在本發(fā)明的第二方面中， 一種半導體器件包括用于檢測壓力變化的半導與基底結(jié)合以形成空腔的覆蓋件，在該空腔中布置該半導體傳感器芯片，其 中至少覆蓋件的指定部分由多孔材料構(gòu)成。多孔材料包括大量相互連通的小 孔，并通過這些小孔使空腔與外部空間連通。在上文中，經(jīng)由形成覆蓋件的多孔材料的小孔將壓力變化引入到空腔中以到達覆蓋件。由于覆蓋件由多孔材料構(gòu)成，能夠輕易地防止灰塵進入空腔 中，并能夠輕易地防止日光傳播到空腔中。這可以基本消除諸如灰塵和曰光 的環(huán)境因素對半導體傳感器芯片的負面影響。如上所述，本發(fā)明能夠顯著地減小諸如灰塵和日光的環(huán)境因素對半導體 傳感器芯片的負面影響而不使用獨立構(gòu)件作為環(huán)境屏障。


將參考附圖詳細描述本發(fā)明的上述和其它目的、方面和實施例，附圖中 圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體器件的構(gòu)造的縱向剖面圖；圖2為半導體器件的平面圖，在該半導體器件中具有振動膜的麥克風芯片相對于殼體的開口而設置；圖3為顯示采用細縫形通孔形成開口的平面圖；圖4為顯示采用兩個細縫形通孔形成開口的平面圖；圖5為顯示采用三個細縫形通孔形成開口的平面圖；圖6為顯示采用四個排成一條線的方形通孔形成開口的平面圖；圖7為顯示采用八個方形通孔形成開口的平面圖，所述八個方形通孔排 成靠近在一起的兩條線；圖8為顯示采用十二個圓通孔形成開口的平面圖，所述十二個圓通孔排 成靠近在一起的三條線；圖9為顯示采用四個小圓通孔和一個大圓通孔形成開口的平面圖，這些 通孔集中地靠近在一起；和圖10為顯示采用四個小圓通孔和四個扇形通孔形成開口的平面圖，這 些通孔集中地靠近在一起。
具體實施方式
將參考附圖以實例形式進一 步詳細描述本發(fā)明。將參考圖1和2描述依照本發(fā)明優(yōu)選實施例的半導體器件1。半導體器 件1基本地設計為形成麥克風封裝，該麥克風封裝包括空腔S和具有開口 3 的殼體5以及都布置在空腔S內(nèi)的麥克風芯片7和LSI芯片9，該開口 3允 許空腔S與外部空間連通。麥克風芯片7由硅構(gòu)成，并且裝備有振動膜13來覆蓋支撐件11的內(nèi)孔lla。振動膜13通過其振動檢測例如聲壓變化的壓力變化，使得麥克風芯片 7成為把振動膜13的振動轉(zhuǎn)換為電信號的聲壓傳感器芯片。LSI芯片9驅(qū)動并控制麥克風芯片7，并且由用于放大該麥克風芯片7 輸出的電信號的放大器、用于將電信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號的A/D轉(zhuǎn)換器、以及 數(shù)字信號處理器(DSP)構(gòu)成。殼體5由具有類似矩形平板形狀的基底15、具有類似矩形平板形狀的頂 板構(gòu)件17和側(cè)壁構(gòu)件19構(gòu)成，在基底15中麥克風芯片7和LSI芯片9安 裝在芯片安裝表面15a上，頂板構(gòu)件17平行于并垂直地遠離基底15的芯片 安裝表面15a，側(cè)壁構(gòu)件19的下端固定到基底15的芯片安裝表面15a的外 圍，并且其上端固定到頂板的內(nèi)壁17a(與芯片安裝表面15a相對)的外圍。 由鎳黃銅(nickel silver)構(gòu)成的頂板構(gòu)件17作為覆蓋件覆蓋安裝在基底15 的芯片安裝表面15a上的麥克風芯片7和LSI芯片9，由此與基底15和側(cè)壁 構(gòu)件19一起限定包圍麥克風芯片7和LSI芯片9的空腔S?；?5是在其中嵌入電布線(未顯示)的多層的布線基底。麥克風芯 片7經(jīng)由管芯焊接材料D1安裝在芯片安裝表面15a上，使得振動膜13經(jīng)由 支撐件11的內(nèi)孔lla與基底15的芯片安裝表面15a相對。與麥克風芯片7相似，LSI芯片9經(jīng)由管芯焊接材料D2安裝在基底15 的芯片安裝表面15a上從而靠近麥克風芯片7。麥克風芯片7和LSI芯片9經(jīng)由引線21電連接在一起。LSI芯片9經(jīng)由 引線(未示出)電連接到基底15的布線的指定部分，該指定部分暴露在芯 片安裝表面15a上。形成樹脂密封23以完全地密封LSI芯片9和部分地密封連接到LSI芯 片9的引線21。也就是，LSI芯片9不暴露于外部空間并由樹脂密封23保 護。優(yōu)選的是樹脂密封23由彈性模數(shù)相對低(產(chǎn)生相對小的應力)的樹脂 材料，例如硅樹脂構(gòu)成，其中將熔融的樹脂材料進行灌注(potting)，在該 灌注過程中熔融的樹脂材料在基底15的芯片安裝表面15a之上流動。采用通孔25形成允許空腔S與外部空間連通的開口 ，通孔25形成為在 頂板構(gòu)件17的厚度方向上貫穿頂板構(gòu)件17,其中通孔25形成在頂板構(gòu)件 17與LSI芯片9相對的指定區(qū)域中。具體地，如圖2所示，通孔25形成為 平面圖中的細縫形，其中在平面圖中通孔25的縱向基本上垂直于振動膜13 指向通孔25的徑向。此外，通孔25的縱向基本上垂直于麥克風芯片7和LSI芯片9的排列 方向。圖2中，通孔25形成為窄的矩形，但這不是限制。例如，通孔25可 以形成為具有圓角的細縫形。為了將壓力變化(例如，聲壓變化)充分地傳輸給布置在半導體器件1 的空腔S內(nèi)的麥克風芯片7，必須將開口 3的面積增大到等于或大于指定面 積(例如，近似0.785mm2)。與具有圓形開口的常規(guī)公知半導體器件比較， 在本實施例的半導體器件1中，通孔25形成為寬度減小的窄的矩形。例如，當開口 3的面積設定為0.785mm2時，常規(guī)公知的圓形開口設計 為直徑1.0mm，而窄矩形的通孔25設計為長度1.57mm和寬度0.5mm;即， 以預定的尺寸設計通孔25，其中長寬比大致設定為3: 1。這使得可以將矩 形開口 3的寬度減小為常規(guī)/>知圓形開口的直徑的一半。如圖3所示，可以修改采用細縫形通孔27形成的開口 3，其與圖2所示 的通孔25相比進一步減小了寬度。例如，當開口 3的面積設定為0.785mm2 時，通孔27設計為長度2.6mm和寬度0.3mm;即，以預定的尺寸設計通孔 27,其中長寬比大致設定為9: 1，其中通孔27的寬度減小到小于常規(guī)公知 圓形開口的直徑的一半。為了進一步增大采用通孔25或27形成的開口 3的面積，能夠僅增大長 度而不改變寬度。在其中采用細縫形通孔25或27形成開口 3的半導體器件1中，能夠充 分確保開口 3具有足夠大的面積同時減小通孔25或27的寬度。這使得壓力 變化能夠經(jīng)由開口 3可靠地傳遞到空腔S內(nèi)的麥克風芯片7。通過減小通孔25或27的寬度，能夠容易地防止灰塵進入空腔S。由于 開口 3不與麥克風芯片7直接相對，即使日光入射到開口 3上并接著被引入 空腔S內(nèi)時，也能夠可靠地防止日光照射到麥克風芯片7。也就是，能夠顯 著地減小例如日光和灰塵的環(huán)境因素對于麥克風芯片7的負面影響。由于通孔25或27的縱向基本上與振動膜13的該徑向垂直，能夠在偏 離麥克風芯片7的振動膜13的期望位置上形成開口 3而不增加殼體5的尺 寸，由此實現(xiàn)半導體器件1尺寸的縮小。設計半導體器件1使得采用單個通孔25或27形成開口 3;但不限制于 此。例如，如圖4和5所示，開口 3能分為多個通孔33，每個通孔都為細縫 形，它們相互平行地排列。在這里，優(yōu)選的是所有通孔33不面對麥克風芯片7。此外，優(yōu)選的是通孔33集中地形成在頂板構(gòu)件17與LSI芯片9相對 的指定區(qū)域或該區(qū)域的鄰近區(qū)域中。在圖4所示的半導體器件31中，在寬度方向上相互平行地布置兩個細 縫形通孔33從而形成開口 3。在圖5所示的半導體器件35中，在寬度方向 上相互平行地布置三個細縫形通孔33從而形成開口 3。優(yōu)選的是通孔33的 排列方向基本匹配振動膜13的徑向，即麥克風芯片7和LSI芯片9的排列 方向。優(yōu)選的是相互靠近的通孔33之間的距離盡量小。另外，振動膜13的 徑向限定為在平面圖中從振動膜13到通孔33的方向。在圖4和圖5所示的半導體器件31和35中，能夠進一步縮減通孔33 的寬度而不改變開口 3的總面積(即，通孔33的開口面積之和)。在圖4所 示的半導體器件31中，當開口 3的總面積設定為0.785mm2時，每個通孔33 設計為長度2.65mm (其與圖3所示的通孔27的長度相似)和寬度0.15mm (其小于通孔27的寬度)；即，以預定的尺寸設計每個通孔33，其中長寬比 大致設定為18: 1。在圖5所示的半導體器件35中，當每個通孔33設計為 前述的長度和寬度時，能夠?qū)㈤_口 33的總面積增大到1.17mm2。在圖4和圖5所示的半導體器件31和35中，即使當每個通孔33都減 小了其開口面積；也能夠適當?shù)拇_保開口 3的總開口面積。這允許壓力變化 (例如聲壓變化)從開口 3引入腔體S內(nèi)并可靠地到達麥克風芯片7。通過 在指定區(qū)域內(nèi)集中地布置多個通孔33,可以基本上確保與只形成通孔25和 27的前述實例相同的效果，以便可靠地將壓力變化引入腔體S。圖4和圖5所示的半導體器件31和35能展示出與前述半導體器件1實 現(xiàn)的效果相似的優(yōu)異效果。由于多個通孔33在寬度方向上緊密地布置成靠 近在一起，能夠?qū)⒂糜谛纬赏?3的頂板構(gòu)件17的指定區(qū)域最小化。換句 話說，能夠縮小殼體5的尺寸，由此縮小半導體器件31和35的尺寸。由于 每個通孔33減小了其開口面積，能夠進一步減小環(huán)境因素對麥克風芯片7 的負面影響。前述細縫形通孔不必要在長度上有所限制，而其寬度應當優(yōu)選地設置為 0.3mm或者更短，更優(yōu)選地，其寬度應當設置為0.2mm或者更短。開口 3不必分成多個細縫形通孔33。例如，如圖6和圖7所示，開口 3 能夠分成多個方形通孔39?？蛇x地，開口 3可以分成多個圓形通孔43，如 圖8所示。在圖6的情況下，多個方形通孔39形成在頂板構(gòu)件17的指定區(qū)域中并 且排列成一條直線，該直線方向垂直于麥克風芯片7和LSI芯片9的排列方 向。在圖7的情況下，多個方形通孔39排列成相互靠近的兩條直線。在圖8 的情況下，多個圓形通孔43排列成相互靠近的三條直線。雖然圖8所示的每個通孔43都是相似于常規(guī)公知開口的圓形，與常規(guī) 公知開口的直徑相比每個通孔43都具有非常小的直徑。假設采用兩個圓形 通孔43形成開口 3,開口 3的總面積設定為0.78mm2。在此情況下，每個通 孔43的直徑設定為大約0.71mm。當采用四個通孔43形成開口 3時，每個 通孔43的直徑i殳定為0.5mm。不必要采用如圖4至8所示的開口面積相同的多個通孔33、 39和43形 成殼體5的開口3。例如，如圖9所示，能夠采用開口面積互不相同的通孔 45和47形成開口3。具體地，四個相對小直徑的圓形通孔47布置在單個相 對大直徑的圓形通孔45的周圍區(qū)域中，由此形成開口 3。不必要采用形狀相同的多個通孔33、 39、 43、 45和47形成殼體5的開 口 3;因此，能采用具有不同形狀的不同類型的通孔結(jié)合在一起形成開口 3。 例如，如圖10所示，四個圓形通孔布置在四個扇形通孔的周圍區(qū)域中，所 述四個扇形通孔在圓形區(qū)域中靠近在 一起。圖6至10所示的半導體器件能展示出與圖4和圖5所示的前述半導體 器件31和35所實現(xiàn)的效果相似的優(yōu)異效果。在本實施例和它的變化中，開口 3形成在頂板構(gòu)件17與LSI芯片7相 對的指定位置上；但是不限制于此。僅僅要求殼體5中開口 3不直接與麥克 風芯片7相對。也就是，開口 3能形成在側(cè)壁構(gòu)件19中，或形成在基底15 的芯片安裝表面15a的指定區(qū)域中，在該區(qū)域中沒有布置麥克風芯片7和 LSI芯片9。在上文中，優(yōu)選的是在殼體5的指定區(qū)域中形成多個通孔，由此形成開 口 3。在這里，優(yōu)選的是以其間具有小間距的集中的形式集中地布置多個通孔。在本實施例和它的變化中，殼體5由三部分構(gòu)成，即，基底15、頂板構(gòu) 件17和側(cè)壁構(gòu)件19;但不限制于此。僅僅要求殼體5包括空腔S、允許空 腔與外部空間連通的開口 3、以及用于安裝麥克風芯片7和LSI芯片9的芯 片安裝表面15a。例如，側(cè)壁構(gòu)件19能以側(cè)壁構(gòu)件19與基底15 —起形成多層布線基底的形式，與基底15—體地形成?？蛇x地，側(cè)壁構(gòu)件19能以側(cè)壁構(gòu)件19與頂板構(gòu)件17 —起形成覆蓋基底15的芯片安裝表面15a的覆蓋件 的形式，與頂板構(gòu)件17—體地形成。殼體5不必要設計成具有開口 3。僅僅要求殼體5形成希望的結(jié)構(gòu)以減 小諸如日光和灰塵的環(huán)境因素對麥克風芯片7的負面影響。取代形成開口 3， 全部采用多孔材料形成構(gòu)成覆蓋件的頂板構(gòu)件17和側(cè)壁構(gòu)件19;或部分地 采用多孔材料形成它們。多孔材料包括大量相互連通的小孔，并且通過這些小孔使殼體5的空腔 S與外部空間連通。能夠列舉樹脂材料和陶瓷以及它們的復合材料作為多孔 材料。在由多孔材料構(gòu)成覆蓋件的半導體器件中，發(fā)生在殼體5外部的例如聲 壓變化的壓力變化傳播通過包括在"多孔"覆蓋件中的小孔，接著被引入空 腔S以到達麥克風芯片7。為了將壓力變化平穩(wěn)地引入殼體5的空腔S中， 優(yōu)選的是每個小孔的直徑范圍在l(im至5fim。由于覆蓋件由多孔材料構(gòu)成，能夠輕易地防止灰塵進入殼體5的空腔S 中，并能夠輕易地防止日光傳播到殼體5的空腔S中。這基本上可以消除環(huán) 境因素對麥克風芯片7的負面影響。在本實施例和它的變化中，LSI芯片9布置在殼體5內(nèi)；但不限制于此。 僅僅要求至少麥克風芯片7布置在殼體5內(nèi)。也就是，LSI芯片9能獨立地 安裝在用于安裝半導體器件1的另一電路板(未示出)上。本實施例的半導體器件1包括麥克風芯片7作為半導體傳感器芯片；然 而，這并不是對本發(fā)明的限制。在不同附圖中說明的前述開口可以適用于任 何類型的半導體封裝，所述任何類型的半導體封裝包括用于感應比音頻高的 高頻率的半導體傳感器芯片。也就是說，例如，能夠使用超聲波傳感器作為 半導體傳感器芯片。在此情況下，多個開口形成在半導體封裝中以便防止灰 塵不期望地進入其中，并增大亥姆霍茲(Helmholtz)共振頻率；由此，能夠現(xiàn)在將說明亥姆霍茲共振器。通常，使用封閉的空間(例如，本實施例 的空腔S)和短管(例如，開口 )形成亥姆霍茲共振器。這能夠以下述方式 應用于本實施例的半導體封裝使用具有體積V的半導體封裝的空腔S形成 封閉空間；由每個半徑都為r的多個圓形開口構(gòu)成的短管形成在具有厚度Tb的頂板中;開口的總截面面積設定為Sb;半導體封裝的空腔S經(jīng)由開口與 外部空間連通。當聲壓從夕卜部空間施力口到開口的入口時，開口的介質(zhì)(例如，空氣)經(jīng) 受整體運動從而引起空腔S的介質(zhì)(例如，空氣)中的壓力變化。此現(xiàn)象可 以解釋為質(zhì)量彈簧動態(tài)模型，其中將質(zhì)量點(或材料點)視為開口的空氣， 將彈簧視為由于空腔S中空氣的體積變化而引起的壓力變化，其中在特定頻 率(稱為亥姆霍茲共振頻率Fh(Hz))下發(fā)生共振(或共鳴)。在上文中，亥姆霍茲共振頻率Fh (Hz)可以以下面的方程(1)的形式 表達，在其中聲速C設定為340000( mm/s )，且長度的單位設定為毫米(mm )。前述的方程(1)證明能夠通過改變多個開口的總截面面積Sb、每個開 口的半徑r、頂板的厚度Tb、以及半導體封裝的空腔S的體積V,改變亥姆 霍茲共振頻率Fh。另一方面，通過縮小半導體封裝的尺寸(由此縮小空腔S的體積V和頂 板的厚度Tb)而改變亥姆霍茲共振頻率Fh存在著技術(shù)限制。為了進一步增 大亥姆霍茲共振頻率Fh，需要縮小每個開口的半徑r但增大開口的總截面面 積Sb。依照本發(fā)明的麥克風封裝是小尺寸半導體封裝，能夠通過提供多個開口 并增大多個開口的總截面面積Sb而將亥姆霍茲共振頻率Fh增大到高于音 頻；由此，能夠建立關(guān)于敏感度的均勻性。也就是說，能夠提供具有感應高 頻率的良好敏感度的麥克風封裝。需要將亥姆霍茲共振頻率增大到高于超聲波傳感器的可感頻帶，該超聲波傳 感器用于感應高于音頻的高頻率。與前述麥克風封裝的開口相比這需要進一 步增大開口。由于影響半導體傳感器芯片的例如灰塵和陽光的環(huán)境因素，所 以提供大開口可能引起負面影響。為了解決這個缺點，具有多個開口的本實 施例的前述半導體封裝應用于超聲波傳感器，從而將亥姆霍茲共振頻率增大 到高于超聲波傳感器的可感頻帶，同時避免環(huán)境因素導致的負面影響。因此， 能夠建立關(guān)于敏感度的均勻性；并且能夠提供具有感應高頻超聲波的良好敏 感度的超聲傳感器封裝。最后，本發(fā)明不必要限制于本實施例和它的變化，本實施例和它的變化 能夠在所附權(quán)利要求限定的發(fā)明的范圍內(nèi)以各種形式進一步修改。豐_申i青要求日本—專利申if No.2007 _ 36294的《尤,先扭-，在j比 j入其內(nèi)容 作為參考。
權(quán)利要求
1.一種半導體器件，包括用于檢測壓力變化的半導體傳感器芯片；具有空腔的殼體，所述半導體傳感器芯片布置在所述空腔中；和包括多個通孔的開口，所述多個通孔集中形成在不與所述半導體傳感器芯片相對的所述殼體的指定區(qū)域中，其中所述開口允許所述空腔與外部空間連通。
2. —種半導體器件，包括 用于檢測壓力變化的半導體傳感器芯片；具有空腔的殼體，所述半導體傳感器芯片布置在所述空腔中；和 包括至少一個細縫形通孔的開口 ，形成在不與所述半導體傳感器芯片相 對的所述殼體的指定區(qū)域中，其中所述開口允許所述空腔與外部空間連通。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述開口包括多個細縫形通 孔，所述多個細縫形通孔排列為在寬度方向上靠近在一起。
4. 如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述通孔的長度大于所述通孔的寬度的三倍或者更多。
5. 如權(quán)利要求2所述的半導體器件，其中所述通孔的寬度為0.3mm或 者更短。
6. —種半導體器件，包括用于檢測壓力變化的半導體傳感器芯片；與所述基底結(jié)合從而形成空腔的覆蓋件，所述半導體傳感器芯片布置在 所述空腔中，其中，所述覆蓋件的至少指定部分由多孔材料構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體器件，裝備有檢測壓力變化的半導體傳感器芯片，布置在殼體的空腔內(nèi)部，其中開口形成在殼體不與半導體傳感器芯片相對的指定區(qū)域中，從而允許空腔與外部空間連通。采用至少一個細縫形通孔形成開口?？蛇x地，采用具有諸如細縫形、圓形和扇形的期望形狀的多個通孔形成開口。因此，能夠減小諸如灰塵和日光的環(huán)境因素對半導體傳感器芯片的負面影響。
文檔編號H04R19/04GK101247676SQ200810074309
公開日2008年8月20日 申請日期2008年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者白坂健一, 鈴木幸俊 申請人:雅馬哈株式會社