專利名稱：基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光纖通信技術(shù)領(lǐng)域的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置，具體是一種基于模式分 裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置。
背景技術(shù)：
在波分復(fù)用系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)交匯和分支的節(jié)點(diǎn)部分，具有相同接收地址，也就是說(shuō) 相同波長(zhǎng)的光信號(hào)有可能產(chǎn)生"沖突"。為避免這種沖突，需要將其中一種光信 號(hào)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換成另一個(gè)波長(zhǎng)上。雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換是全光交換網(wǎng)絡(luò)的一項(xiàng)關(guān)鍵技 術(shù)，它將一個(gè)通道的數(shù)據(jù)信息轉(zhuǎn)換到另外兩個(gè)不同的通道。特別地，采用微納米 波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的片上雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)能應(yīng)用于集成光路中。近年來(lái)興起的絕緣體 上硅結(jié)構(gòu)技術(shù)為光電集成器件提供了一個(gè)良好的平臺(tái)，該結(jié)構(gòu)的制作工藝與CMOS 集成電路工藝完全兼容，制作的器件結(jié)構(gòu)緊湊，尺寸為亞微米級(jí)。因此在集成的 絕緣體上硅結(jié)構(gòu)上設(shè)計(jì)用于全光信號(hào)處理功能的器件是近來(lái)一個(gè)研究熱點(diǎn)。
已有的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，集中在利用半導(dǎo)體光放大器材料，但尚未見(jiàn)到基于 模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。
經(jīng)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的文獻(xiàn)檢索發(fā)現(xiàn)，H. S. Chung等在《Electronics Letters》 (《電子快報(bào)》)2005年第41期第432-433頁(yè)上發(fā)表的"All-optical multi-wavelength conversion of 10 Gbit/s NRZ/RZ signals based on SOA-MZI for WDM multicasting"(用于波分復(fù)用系統(tǒng)的基于半導(dǎo)體放大器-馬赫曾德結(jié)構(gòu) 的10 Gbit/s非歸零/歸零數(shù)據(jù)的全光多通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換)，該文中提出利用半導(dǎo)體 光放大器進(jìn)行雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，其原理是交叉相位調(diào)制，具體為先將多束探測(cè) 光分為兩束相干光，泵浦光利用交叉相位調(diào)制對(duì)其中一束進(jìn)行調(diào)制，使此束光相 位隨泵浦光而變化，然后利用干涉儀使兩束光發(fā)生相干，干涉光強(qiáng)度隨相位變化， 從而達(dá)到實(shí)現(xiàn)多通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換目的。其不足在于半導(dǎo)體光放大器尺寸一般有毫米

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種基于模式分裂硅基微環(huán) 的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置，該技術(shù)利用具有模式分裂的硅基微環(huán)諧振腔中的載流 子非線性效應(yīng)實(shí)現(xiàn)雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，將強(qiáng)的泵浦信號(hào)和兩束弱的探測(cè)信號(hào)注入諧 振腔中，兩束探測(cè)信號(hào)分別位于具有模式分裂的兩個(gè)諧振位置。泵浦信號(hào)通過(guò)雙 光子吸收效應(yīng)產(chǎn)生自由載流子，產(chǎn)生的載流子將通過(guò)載流子色散效應(yīng)導(dǎo)致折射率 發(fā)生變化，從而使諧振峰往高頻方向移動(dòng)，將幅度調(diào)制信號(hào)轉(zhuǎn)換到兩束探測(cè)光上， 從而實(shí)現(xiàn)雙通道的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，這種裝置具有體積小、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模集成 的優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明基于硅基微環(huán)的尺寸則為微米量級(jí)。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
本發(fā)明包括探測(cè)信號(hào)發(fā)生器、泵浦信號(hào)發(fā)生器、硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)、雙 通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)。探測(cè)信號(hào)發(fā)生器和泵浦信號(hào)發(fā)生器的輸出同時(shí)與硅基微 環(huán)諧振系統(tǒng)的輸入相連，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)的 輸入相連。
所述的探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，包括第一可調(diào)激光器、第二可調(diào)激光器、第一偏 振控制器、第二偏振控制器、第一耦合器、第一光放大器，其中第一可調(diào)激光器 和第二可調(diào)激光器均產(chǎn)生連續(xù)的激光，波長(zhǎng)分別對(duì)應(yīng)具有模式分裂的兩個(gè)諧振
峰，第一可調(diào)激光器的輸出與第一偏振控制器的輸入相連，第二可調(diào)激光器的輸 出與第二偏振控制器的輸入相連，第一偏振控制器和第二偏振控制器分別控制進(jìn)
入波導(dǎo)的兩束探測(cè)信號(hào)的偏振態(tài)，兩偏振控制器的輸出與第一耦合器的輸入相 連，第一耦合器的輸出與第一光放大器的輸入相連。
所述的泵浦信號(hào)發(fā)生器，包括第三可調(diào)激光器、電信號(hào)發(fā)生器、電光調(diào)制 器、第二光放大器、第三偏振控制器。其中第三可調(diào)激光器產(chǎn)生連續(xù)的激光， 波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)環(huán)形諧振腔中的另外一個(gè)諧振位置，其輸出端口與電光調(diào)制器的輸入端 口相連，電信號(hào)發(fā)生器輸出端口與電光調(diào)制器的電信號(hào)輸入端口相連，電光調(diào)制 器負(fù)責(zé)將電信號(hào)調(diào)制到光上，產(chǎn)生非歸零格式的光信號(hào)，并用第二光放大器將光 信號(hào)放大以作為泵浦光，第二光放大器的輸出與第三偏振控制器的輸入相連。
所述的硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，包括硅基微環(huán)、直波導(dǎo)、第二耦合器、功分器、 功率監(jiān)控器。第一光放大器和第三偏振控制器的輸出與第二耦合器的輸入相連，第二耦合器的輸出與直波導(dǎo)的輸入相連，硅基微環(huán)和直波導(dǎo)的距離為幾十到幾百 納米，直波導(dǎo)的輸出與功分器相連，通過(guò)功分器將功率分成兩部分，其中功率大 的部分輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)相連，功率小的部分輸出與功率監(jiān)控器相 連。其中硅基微環(huán)的制備采用電子束曝光技術(shù)，在微環(huán)的側(cè)壁產(chǎn)生周期性的光柵 結(jié)構(gòu)，光柵對(duì)通過(guò)直波導(dǎo)進(jìn)入微環(huán)的光進(jìn)行反射，使環(huán)形諧振腔的諧振峰發(fā)生分 裂，形成兩個(gè)靠得很近的諧振峰(間距小于一個(gè)納米)。
所述的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)，包括第三光放大器、可調(diào)光帶通濾波器 和示波器。第三光放大器的輸入為硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的輸出，第三光放大器的 輸出與可調(diào)光帶通濾波器的輸入相連，可調(diào)光帶通濾波器的帶寬小于或者等于 0.3nm，用來(lái)濾出一個(gè)探測(cè)信號(hào)通道，可調(diào)光帶通濾波器的輸出與示波器的輸入 相連，通過(guò)示波器測(cè)量波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換波形。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果本發(fā)明使用硅基微環(huán)諧振腔作 為雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置，相比現(xiàn)有技術(shù)而言體積小(半徑只有幾微米至幾十微 米)，而現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體光放大器尺寸一般有毫米量級(jí)，非線性光纖尺寸一般 為米量級(jí)，電吸收調(diào)制器一般為毫米量級(jí)，鈮酸鋰晶體一般為毫米量級(jí)。同時(shí)由 于絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的制作工藝與超大規(guī)模集成電路完全相同，因此易于大規(guī)模光 電集成。


圖l為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置圖和器件結(jié)構(gòu)圖； 其中圖2(a)是實(shí)施例進(jìn)行雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置圖；圖2(b-i)為硅基微 環(huán)的俯視圖；圖2(b-ii)為硅基微環(huán)的橫截面示意圖。 圖3為本發(fā)明實(shí)施例測(cè)試結(jié)果其中圖3(a)是實(shí)施例硅基微環(huán)的諧振光譜圖；圖3(b)是實(shí)施例雙通道波
長(zhǎng)轉(zhuǎn)換波形圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)施例在以本發(fā)明技術(shù)方案 為前提下進(jìn)行實(shí)施，給出了詳細(xì)的實(shí)施方式和具體的操作過(guò)程，但本發(fā)明的保護(hù) 范圍不限于下述的實(shí)施例。如圖1所示，本實(shí)施例包括探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，泵浦信號(hào)發(fā)生器，硅基微 環(huán)諧振系統(tǒng)，雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)。其中泵浦信號(hào)發(fā)生器和探測(cè)信號(hào)發(fā)生器 的輸出同時(shí)與硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸入相連，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸出與雙通道 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)的輸入相連。
所述的探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，包括第一可調(diào)激光器、第二可調(diào)激光器、第一偏 振控制器、第二偏振控制器、第一耦合器、第一光放大器，其中第一可調(diào)激光器 和第二可調(diào)激光器均產(chǎn)生連續(xù)的激光，波長(zhǎng)分別對(duì)應(yīng)具有模式分裂的兩個(gè)諧振
峰，第一可調(diào)激光器的輸出與第一偏振控制器的輸入相連，第二可調(diào)激光器的輸 出與第二偏振控制器的輸入相連，第一偏振控制器和第二偏振控制器分別控制進(jìn)
入波導(dǎo)的兩束探測(cè)信號(hào)的偏振態(tài)，兩偏振控制器的輸出與第一耦合器的輸入相 連，第一耦合器的輸出與第一光放大器的輸入相連。
所述的泵浦信號(hào)發(fā)生器，包括第三可調(diào)激光器、電信號(hào)發(fā)生器、電光調(diào)制 器、第二光放大器、第三偏振控制器。其中第三可調(diào)激光器產(chǎn)生連續(xù)的激光， 波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)環(huán)形諧振腔中的另外一個(gè)諧振位置，其輸出端口與電光調(diào)制器的輸入端 口相連，電信號(hào)發(fā)生器輸出端口與電光調(diào)制器的電信號(hào)輸入端口相連，電光調(diào)制 器負(fù)責(zé)將電信號(hào)調(diào)制到光上，產(chǎn)生非歸零格式的光信號(hào)，并用第二光放大器將光 信號(hào)放大以作為泵浦光，第二光放大器的輸出與第三偏振控制器的輸入相連。
所述的硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，包括硅基微環(huán)、直波導(dǎo)、第二耦合器、功分器、 功率監(jiān)控器。第一光放大器和第三偏振控制器的輸出與第二耦合器的輸入相連， 第二耦合器的輸出與直波導(dǎo)的輸入相連，硅基微環(huán)和直波導(dǎo)的距離為幾十到幾百 納米，直波導(dǎo)的輸出與功分器相連，通過(guò)功分器將功率分成兩部分，其中功率較 大部分輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)相連，功率較小部分輸出與功率監(jiān)控器相 連。其中硅基微環(huán)的制備采用電子束曝光技術(shù)，在微環(huán)的側(cè)壁產(chǎn)生周期性的光柵 結(jié)構(gòu)，光柵對(duì)通過(guò)直波導(dǎo)進(jìn)入微環(huán)的光進(jìn)行反射，使環(huán)形諧振腔的諧振峰發(fā)生分 裂，形成兩個(gè)靠得很近的諧振峰(間距小于一個(gè)納米)。
所述的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)，包括第三光放大器、可調(diào)光帶通濾波器 和示波器。第三光放大器的輸入為硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的輸出，第三光放大器的 輸出與可調(diào)光帶通濾波器的輸入相連，可調(diào)光帶通濾波器的帶寬小于或者等于 0.3nm，用來(lái)濾出一個(gè)探測(cè)信號(hào)通道，可調(diào)光帶通濾波器的輸出與示波器的輸入相連，通過(guò)示波器測(cè)量波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換波形。
如圖2所示，為實(shí)施例進(jìn)行雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置圖和器件結(jié)構(gòu)圖。圖2(a)
是裝置圖。在探測(cè)信號(hào)發(fā)生器支路，第一可調(diào)激光器和第二可調(diào)激光器分別產(chǎn)生
兩束連續(xù)的信號(hào)光，當(dāng)兩束光波長(zhǎng)位于分裂的兩個(gè)諧振位置(1552.54nm和 1552.95nm)時(shí)，可以獲得非反向雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，當(dāng)兩束光波長(zhǎng)位于分裂的兩 個(gè)諧振左側(cè)(1552. 50nm和1552. 90nm)時(shí)，可以獲得反向雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，第 一偏振控制器和第二偏振控制器分別控制進(jìn)入波導(dǎo)的探測(cè)信號(hào)的偏振態(tài)。兩束探 測(cè)信號(hào)經(jīng)第一 3dB耦合器耦合，然后經(jīng)第一摻鉺光纖放大器放大。
在泵浦信號(hào)發(fā)生器支路，波長(zhǎng)約為1560. 5nm的第三可調(diào)光源輸出的光載波進(jìn) 入馬赫曾德調(diào)制器。馬赫曾德調(diào)制器的偏置電壓約為3.1V。電信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生 1Gb/s，長(zhǎng)度為27-1的偽隨機(jī)序列，經(jīng)電放大器放大后，驅(qū)動(dòng)馬赫曾德調(diào)制器產(chǎn) 生幅度調(diào)制的光信號(hào)。馬赫曾德調(diào)制器的輸出經(jīng)過(guò)第二摻鉺光纖放大器放大后與 第三偏振控制器相連。
探測(cè)光和信號(hào)光通過(guò)第二3dB耦合器耦合進(jìn)入硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，經(jīng)過(guò)硅基 微環(huán)諧振腔后的光信號(hào)用95:5的功分器分成兩部分。其中95%部分的光作為雙通 道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)試系統(tǒng)的輸入，另外5%部分用于功率監(jiān)控。
在雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)試系統(tǒng)中，第三摻鉺光纖放大器用于放大輸出信號(hào)，提 高信噪比，其后的可調(diào)光帶通濾波器，帶寬為0.3nm，用以將一個(gè)通道的波長(zhǎng)轉(zhuǎn) 換信號(hào)濾出，濾波后的信號(hào)用示波器記錄其波形。
圖2(b-i)為硅基微環(huán)的俯視圖。硅基微環(huán)半徑為10微米，微環(huán)和直波導(dǎo)寬都 為450納米，直波導(dǎo)和環(huán)之間的空氣間隙為120納米。圖2(b-ii)為硅基微環(huán)的橫 截面示意圖。用來(lái)制作硅基微環(huán)的絕緣體上的硅結(jié)構(gòu)最上方為250納米厚的單晶 硅，中間是3微米厚的二氧化硅緩沖層，最下面是525微米厚的硅襯底。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例測(cè)試結(jié)果圖。圖3(a)為測(cè)得的硅基環(huán)形諧振腔在 1552.75nm附近具有模式分裂的諧振峰。具有模式分裂的兩諧振峰分別位于 1552. 54nm和1552. 95nm處，相隔O. 41nm。左邊諧振峰深度約為13. 2dB， 3dB帶寬 約為0.09nm;右邊諧振峰深度約為12. 4dB， 3dB帶寬約為0. 07nm。當(dāng)兩探測(cè)信號(hào) 分別為入1和入2時(shí)，可以獲得非反向雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，當(dāng)兩探測(cè)信號(hào)分別為X3 和入4時(shí)，可以獲得反向的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換。圖3(b-i)為泵浦信號(hào)的波形，圖3(b-ii)和(b-iii)分別為非反向通道l和通道2經(jīng)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換后的波形，圖3(b-iv) 和(b-v)分別為反向通道l和通道2經(jīng)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換后的波形，驗(yàn)證了雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 裝置的可行性。
權(quán)利要求
1.一種基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置，包括探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，泵浦信號(hào)發(fā)生器，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于，泵浦信號(hào)發(fā)生器和探測(cè)信號(hào)發(fā)生器的輸出同時(shí)與硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸入相連，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)的輸入相連，其中所述的硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，包括硅基微環(huán)、直波導(dǎo)、第二耦合器、功分器、功率監(jiān)控器，第二耦合器的輸出與直波導(dǎo)的輸入相連，硅基微環(huán)和直波導(dǎo)的距離為幾十到幾百納米，直波導(dǎo)的輸出與功分器相連，通過(guò)功分器將功率分成兩部分，其中功率大的部分輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)相連，功率小的部分輸出與功率監(jiān)控器相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置， 其特征是，所述的探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，包括第一可調(diào)激光器、第二可調(diào)激光器、第 一偏振控制器、第二偏振控制器、第一耦合器、第一光放大器，其中第一可調(diào)激 光器和第二可調(diào)激光器均產(chǎn)生連續(xù)的激光，波長(zhǎng)分別對(duì)應(yīng)具有模式分裂的兩個(gè)諧 振峰，第一可調(diào)激光器的輸出與第一偏振控制器的輸入相連，第二可調(diào)激光器的 輸出與第二偏振控制器的輸入相連，第一偏振控制器和第二偏振控制器分別控制 進(jìn)入波導(dǎo)的兩束探測(cè)信號(hào)的偏振態(tài)，兩偏振控制器的輸出與第一耦合器的輸入相 連，第一耦合器的輸出與第一光放大器的輸入相連。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置， 其特征是，所述的泵浦信號(hào)發(fā)生器，包括第三可調(diào)激光器、電信號(hào)發(fā)生器、電光 調(diào)制器、第二光放大器、第三偏振控制器，其中第三可調(diào)激光器產(chǎn)生連續(xù)的激 光，波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)環(huán)形諧振腔中的另外一個(gè)諧振位置，其輸出端口與電光調(diào)制器的輸 入端口相連，電信號(hào)發(fā)生器輸出端口與電光調(diào)制器的電信號(hào)輸入端口相連，電光 調(diào)制器負(fù)責(zé)將電信號(hào)調(diào)制到光上，產(chǎn)生非歸零格式的光信號(hào)，并用第二光放大器 將光信號(hào)放大以作為泵浦光，第二光放大器的輸出與第三偏振控制器的輸入相 連。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置，其特征是，所述硅基微環(huán)的側(cè)壁有周期性的光柵結(jié)構(gòu)，光柵對(duì)通過(guò)直波導(dǎo)進(jìn)入微 環(huán)的光進(jìn)行反射，形成兩個(gè)靠得很近的諧振峰，其間距小于一個(gè)納米。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置， 其特征是，所述的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)，包括第三光放大器、可調(diào)光帶通濾 波器和示波器，第三光放大器的輸入為硅基微環(huán)諧振腔系統(tǒng)的輸出，第三光放大 器的輸出與可調(diào)光帶通濾波器的輸入相連，可調(diào)光帶通濾波器的輸出與示波器的 輸入相連，通過(guò)示波器測(cè)量波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換波形。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置， 其特征是，所述的可調(diào)光帶通濾波器的帶寬小于或者等于0. 3nm。
全文摘要
一種基于模式分裂硅基微環(huán)的雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換的裝置，屬于光纖通信技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括探測(cè)信號(hào)發(fā)生器，泵浦信號(hào)發(fā)生器，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)，雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)，泵浦信號(hào)發(fā)生器和探測(cè)信號(hào)發(fā)生器的輸出同時(shí)與硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸入相連，硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)的輸出與雙通道波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)輸入相連，其中所述的硅基微環(huán)諧振系統(tǒng)包括硅基微環(huán)、直波導(dǎo)、第二耦合器、功分器、功率監(jiān)控器，硅基微環(huán)和直波導(dǎo)的距離為幾十到幾百納米，硅基環(huán)形諧振腔的輸出用功分器分成兩部分，其中功率大的輸出與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換測(cè)量系統(tǒng)相連，功率小的輸出與功率監(jiān)控器相連。本發(fā)明裝置具有體積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于大規(guī)模集成的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H04J14/02GK101299650SQ200810039559
公開(kāi)日2008年11月5日 申請(qǐng)日期2008年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月26日
發(fā)明者旻 仇, 劉芳菲, 強(qiáng) 李, 蘇翼凱 申請(qǐng)人:上海交通大學(xué)