專利名稱:用于發(fā)送和接收裝置的振幅鍵控的調(diào)制裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種用于發(fā)送和接收裝置的振幅鍵控的調(diào)制裝置及 用于振幅鍵控的方法。
技術(shù)背景在一些系統(tǒng)中,在一個或多個基站或者閱讀設(shè)備與一個或多個所 謂應答器(Tmnspcmder)、電子數(shù)據(jù)載體之間無線或無接觸地傳輸數(shù) 據(jù),這些系統(tǒng)被用作無接觸識別系統(tǒng)或所謂的RFID系統(tǒng)。在應答器 上也可集成傳感器,例如用于溫度測量的傳感器。這種應答器也被稱 為遙感器。應答器或其發(fā)送及接收裝置通常不具有用于向基站傳送數(shù) 據(jù)的有源發(fā)送器。這種非有源系統(tǒng),當它們不具有本身的能量供給時 被稱為無源系統(tǒng);當它們具有本身的能量供給,則被稱為半無源系統(tǒng), 在這種系統(tǒng)中,對于在明顯大于1米的距離上與UHF (超高頻)或微 波相聯(lián)系的數(shù)據(jù)傳輸通常使用所謂的背向散射或反向散射耦合。為此 將從基站發(fā)射電磁波,這些電磁波由應答器的發(fā)送及接收裝置根據(jù)待 向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)用一種調(diào)制方法調(diào)制及反射。這通常通過發(fā)送及接 收裝置的輸入阻抗的改變來產(chǎn)生,它引起與它連接的天線的反射特性 的變化。對此已公開了不同的方法。在例如被描述在EP 1 211 635 A2中的第一方法類型中,通過一個 基本上為歐姆電阻的負載的開與關(guān)來改變輸入阻抗的實數(shù)部分,由此
主要引起反射波的幅值改變或調(diào)幅。該調(diào)制方法被稱為振幅鍵控(ASK)。該歐姆電阻負載作為附加耗電器加載應答器的供給電壓, 由此使應答器與基站之間的最大可傳輸距離-尤其在無自己能源的 無源應答器上-顯著地減小。在第二方法類型中,通過發(fā)送和接收裝置的輸入部分中一個電容 器電容量的改變來影響輸入阻抗的虛數(shù)部分,由此主要引起反射波的 相位改變或相位調(diào)制。該調(diào)制方法被稱為移相鍵控(PSK)。這種方法 例如被描述在本申請人的在先德國專利申請10158442.3中。與ASK 相比,該調(diào)制方法實際上不影響工作電壓,由此可實現(xiàn)應答器的高效 率及使應答器與基站之間的最大傳輸距離增大。然而,當應答器與基 站之間的距離變小時,由應答器反射的功率下降。當距離非常小時可 出現(xiàn)這樣的情況基站不再能檢測到由應答器反射的相位調(diào)制信號。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所基于的技術(shù)問題是,提供一種方法, 一種所屬的發(fā)送和 接收裝置以及調(diào)制裝置,它們可實現(xiàn)譬如在基站與無源或半無源應答 器之間從相對小的距離直到相對大的距離的寬廣距離范圍中的可靠 數(shù)據(jù)傳輸。該任務(wù)通過以下技術(shù)方案解決,艮P,本發(fā)明提出了一種用于發(fā)送和接收裝置的振幅鍵控的調(diào)制裝置, 它根據(jù)待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)調(diào)制由基站發(fā)射的電磁波,及具有一個整 流器,它包括一個多級倍壓電路,其中該多級倍壓電路的一個級的 一個節(jié)點、尤其是一個輸出節(jié)點與一個開關(guān)裝置相連接,該開關(guān)裝置 根據(jù)一個控制信號使所述節(jié)點與一個參考電位相連接。本發(fā)明提出了一種用于振幅鍵控的方法,其中,干預一個倍壓電 路以進行振幅鍵控。本發(fā)明還提出了一種用于在基站與一個發(fā)送和接收裝置、尤其是 一個應答器的發(fā)送和接收裝置之間無線傳輸數(shù)據(jù)的方法,其中基站發(fā) 射電磁波及由該發(fā)送和接收裝置接收這些電磁波,及根據(jù)待向基站傳 送的數(shù)據(jù)用第一調(diào)制方法調(diào)制及反射這些電磁波,其中根據(jù)在該發(fā) 送和接收裝置上接收的電磁波的場強,對第一調(diào)制方法附加地或替代 它地用第二調(diào)制方法對所述電磁波進行調(diào)制及反射。本發(fā)明還提出了一種發(fā)送和接收裝置,尤其是用于應答器,具有 第一調(diào)制裝置,它根據(jù)待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)調(diào)制由基站發(fā)射的電磁 波,其中設(shè)有一個第二調(diào)制裝置,該第二調(diào)制裝置根據(jù)在所述發(fā)送 和接收裝置上接收的場強可對第一調(diào)制裝置附加地或替代地啟動。在根據(jù)本發(fā)明的方法中,根據(jù)在發(fā)送和接收裝置上接收的電磁波 的場強,對第一調(diào)制方法附加地或替代它地使用第二調(diào)制方法。這可 實現(xiàn)發(fā)送和接收裝置在一個寬廣的距離范圍上可靠的工作,因為兩種 調(diào)制方法可如此地組合,以致對任何距離可調(diào)節(jié)足夠的調(diào)制功率。在上述方法的一個進一步構(gòu)型中,當超過一個可調(diào)節(jié)的閾值場強 時使用或啟動第二調(diào)制方法。這種啟動提高了基站與發(fā)送和接收裝置 之間可達到的距離,因為在大距離及由此場強小時僅是一種調(diào)制方法 有效,該調(diào)制方法可設(shè)計成專門用于該距離范圍,并當閾值場強被超 過時同時可改善大場強情況下近區(qū)域中的工作可靠性,因為這里可提 供足夠的輻射功率,以使另一調(diào)制方法工作。在所述方法的一個進一步構(gòu)型中,借助一個參考電壓和/或參考電 流來檢測閾值場強的超過。在此,附加調(diào)制方法的啟動可簡單地、例 如借助一個比較器實現(xiàn)。在本發(fā)明的一個進一步構(gòu)型中,第一調(diào)制方法是移相鍵控和/或第 二調(diào)制方法是振幅鍵控。借助移相鍵控可實現(xiàn)基站與發(fā)送和接收裝置 之間的大距離及它在電路技術(shù)上可簡單地移置。振幅調(diào)制尤其在近區(qū) 域中體現(xiàn)為一種可靠的傳輸方法。
在所述方法的一個進一步構(gòu)型中,根據(jù)接收的場強調(diào)節(jié)第二調(diào)制 方法的調(diào)制度。這可實現(xiàn)調(diào)制功率的最佳調(diào)節(jié)及由此避免不必要的電 流損耗。在所述方法一個進一步構(gòu)型中,為了振幅鍵控改變一個調(diào)節(jié)器的 給定值。該調(diào)節(jié)器可以是任意的調(diào)節(jié)器類型,尤其是電壓或電流調(diào)節(jié) 器。在所述方法的一個進一步構(gòu)型中,為了振幅鍵控改變一個限幅電路(Begrenzerschaltung)的工作點和/或?qū)Ρ秹弘娐愤M行千預。這兩種 措施可簡單地實施及在電路技術(shù)上也可簡單地實現(xiàn)。當對倍壓電路進 行干預時可實現(xiàn)高效率,因為通常設(shè)置在整流器后面的平波電容器或 負載電容器不通過調(diào)制裝置加載。所述發(fā)送和接收裝置適于實施根據(jù)本發(fā)明的方法。為此它除第一 調(diào)制裝置外還設(shè)有第二調(diào)制裝置,根據(jù)接收的場強可對第一調(diào)制裝置 附加地或替代地啟動該第二調(diào)制裝置。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,第二調(diào)制裝置被連 接在一個整流器的輸出側(cè)。由此可避免第二調(diào)制裝置的元件在高頻 范圍中的寄生特性對輸入側(cè)、即對天線輸入端產(chǎn)生影響。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,第二調(diào)制裝置包括 一個調(diào)節(jié)器、尤其是一個電壓調(diào)節(jié)器及包括一個參考裝置、尤其是帶 有不同齊納電壓的齊納二極管,其中參考裝置用于調(diào)節(jié)器的給定值調(diào) 節(jié)。此外,借助調(diào)節(jié)器可調(diào)節(jié)振幅鍵控的作用。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,第二調(diào)制裝置包 括具有多個二極管的限幅電路,這些二極管以導通方向串聯(lián)在供電 電壓與參考電位之間,及一個可控的開關(guān)裝置,它被連接在兩個二極 管的連接點與參考電位之間,及具有一個控制輸入端,該輸入端由一 個調(diào)制控制信號加載。這種開關(guān)裝置可簡單及成本合適地制造及可簡 單地與第一調(diào)制裝置組合。當超過一個限壓電路的限壓值時才進行振 幅鍵控及借助開關(guān)裝置與調(diào)制控制信號同步地通過限幅電路的工作 點的改變起作用。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,第二調(diào)制裝置包 括二極管的一個串聯(lián)電路,這些二極管以導通方向串聯(lián)在供電電壓 與參考電位之間, 一個可控開關(guān)裝置,它被連接在供電電壓與參考電 位之間,及一個邏輯門。該適當連接的邏輯門用于根據(jù)場強來觸發(fā)開 關(guān)裝置。由此可保證在可調(diào)節(jié)場強以下,即在小輻射功率時不進行 振幅鍵控。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,開關(guān)裝置被連接在 一個倍壓電路的一個級的節(jié)點與參考電位之間。這里也是從一個可調(diào) 節(jié)的閾值場強開始通過對倍壓電路的干預來實現(xiàn)振幅鍵控。在所述發(fā)送和接收裝置的一個進一步構(gòu)型中,應答器是無源的或 半無源的。根據(jù)本發(fā)明的至少兩個可分開啟動的調(diào)制裝置的組合對于 無源應答器尤其有利,因為在基站附近區(qū)域中輻射功率足夠的情況下 保證了高的調(diào)制功率,及在遠程區(qū)域中輻射功率小的情況下僅可使用 節(jié)能的調(diào)制方案。在所述用于振幅鍵控的調(diào)制裝置中,多級倍壓電路一個級的一個 節(jié)點與一個開關(guān)裝置相連接,該開關(guān)裝置根據(jù)一個控制信號使該節(jié)點 與一個參考電位相連接。這可實現(xiàn)高效的振幅鍵控,其中調(diào)制裝置的 元件在高頻范圍中的寄生特性對輸入側(cè)不產(chǎn)生影響。同時, 一個可能 有的、用于濾平倍壓電路輸出電壓所使用的電容器僅很少地受到與調(diào) 制相關(guān)的開關(guān)過程的負載。
在附圖中示出本發(fā)明的有利實施形式及將在下面描述。附圖表
圖l:根據(jù)本發(fā)明的第一個發(fā)送和接收裝置的概要電路圖,其中 借助一個電壓調(diào)節(jié)器實現(xiàn)振幅鍵控,圖2:根據(jù)本發(fā)明的第二個發(fā)送和接收裝置的概要電路圖,其中 借助一個其工作點可調(diào)節(jié)的限幅電路實現(xiàn)振幅鍵控,圖3:根據(jù)本發(fā)明的第三個發(fā)送和接收裝置的概要電路圖,其中 使用產(chǎn)生用于釋放振幅鍵控的參考電壓的二極管支路,圖4:根據(jù)本發(fā)明的第四個發(fā)送和接收裝置的概要電路圖,其中 為了振幅鍵控在一個整流器內(nèi)結(jié)合了一個多級的倍壓電路,及圖5:根據(jù)圖4的、具有調(diào)制干預的倍壓電路的概要電路圖。
具體實施方式
圖l表示用于與一個未示出的基站雙向通信的一個無源或半無源 應答器的發(fā)送和接收裝置,基站可以是一個任意的、與應答器通信的 單元。第一調(diào)制裝置M1用于執(zhí)行移相鍵控形式的第一調(diào)制方法。它 包括 一個第一電容器C1, 一個可電壓控制的、MOS可變電抗器形式的第二電容器C2, 一個第三電容器C3及一個用于控制電容器C2 的控制單元SE。 一個用于執(zhí)行第二調(diào)制方法的、振幅鍵控形式的第二 調(diào)制裝置M2包括一個電壓調(diào)節(jié)器SR,該電壓調(diào)節(jié)器具有兩個帶有不 同齊納電壓的齊納二極管Dl及D2形式的參考元件。此外設(shè)有一個整 流器GL,它的內(nèi)部可由多級構(gòu)成。 一個容性負載CL及一個歐姆電阻 負載RL代表該應答器的后繼電路部分的相應負載元件,該后繼電路 部分不是本發(fā)明所感興趣的及未詳細示出,其中容性負載CL用于對 整流器GL的輸出電壓平波。 一個未示出的天線與輸入插口 EB及參 考電位GND相連接。 一個調(diào)制控制信號MCS用于對控制單元SE及 電壓調(diào)節(jié)器SR進行控制?;景l(fā)射電磁波、例如UHF范圍中的電磁波,這些電磁波將被 天線接收。電磁波功率的一部分用于應答器的供電及另一部分被根據(jù)
待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)調(diào)制及反射。在輸入插口 EB與參考電位GND之 間的輸入部分上施加的交變電壓信號借助整流器GL整流及輸送到電 壓調(diào)節(jié)器SR。在電壓調(diào)節(jié)器SR的輸出端上連接著容性及歐姆電阻負 載CL及RL。第一調(diào)制裝置Ml的電容器Cl, C2及C3串聯(lián)地連接在輸入插 口 EB與參考電位GND之間。電壓可控的電容器C2的兩個端子各與 控制單元SE的一個輸出端相連接。控制單元SE被加載控制信號MCS 及將一個與控制信號MSC相關(guān)的控制電壓輸出到電容器C2上。電容 器C2的電容量將根據(jù)控制電壓被調(diào)節(jié)。因此,控制信號MCS的變化 將引起輸入插口 EB與參考電位GND之間的發(fā)送和接收裝置輸入阻抗 的改變,其中基本上僅是輸入阻抗的虛數(shù)部分被影響。該阻抗變化導 致了天線反射特性的變化及由此導致由天線反射的電磁波的相位變 化或相位調(diào)制。控制信號MCS的變化曲線代表一個待傳輸?shù)臄?shù)據(jù)序 列或位串。電容器Cl和C3起到使加在電容器C2上的控制電壓相對 天線的反射特性的DC去耦合的作用,因為控制信號MCS的頻率小 于電磁波的頻率。第一調(diào)制裝置M1是有效的并與接收的電磁波場強無關(guān),條件是 對于應答器的工作總能提供足夠功率。第二調(diào)制裝置M2從超過由齊 納二極管Dl或D2的齊納電壓確定的閾值場強開始才投入調(diào)制。有利 地,這樣地確定齊納電壓的值在基站附近區(qū)域中高場強的情況下, 移相鍵控的調(diào)制功率的下降將通過用于振幅鍵控的第二調(diào)制裝置的 調(diào)制功率至少被補償。由此引起的、在附近區(qū)域中歐姆電阻負載的損 耗功率的上升是不重要的,因為對于應答器的供電提供了足夠的輻射 功率。調(diào)制控制信號MCS用于在電壓調(diào)節(jié)器SR中在作為分別被激活 用于電壓給定值預給定的元件的齊納二極管Dl與D2之間轉(zhuǎn)換,即在
齊納二極管Dl及D2上降落的電壓被電壓調(diào)節(jié)器SR用作給定值的預 給定。當整流器GL上的輸出電壓大于齊納二極管Dl及D2上的兩個 齊納電壓時,它們分別在激活時導通,因此所述給定值及由此電壓調(diào) 節(jié)器SR的輸出電壓在相應的齊納電壓之間變換。由于該輸出電壓變 化及所連接的負載RL及CL,基本上輸入阻抗的實數(shù)部分改變,由此 引起反射波的振幅鍵控。兩種調(diào)制方法是有效的及彼此重疊。
當?shù)陀谝粋€閾值場強和低于由此產(chǎn)生的整流器GL后面的閾值電 壓時,相反地兩個齊納二極管Dl及D2中任何一個不導通。在它們上 存在的電壓在激活時對于這兩個齊納二極管D1及D2來說約等于整流 器GL輸出端上存在的電壓。因此給定值及由此電壓調(diào)節(jié)器SR的輸 出電壓與調(diào)制控制信號MCS無關(guān)地約等于整流器GL的輸出電壓。將 不發(fā)生振幅鍵控。
在整流器GL的輸出電壓位于大于具有小齊納電壓的二極管的齊 納電壓但小于具有大齊納電壓的二極管的齊納電壓的中間電壓區(qū)域 中,所述給定值及由此電壓調(diào)節(jié)器SR的輸出電壓將在小齊納電壓與 整流器GL的輸出電壓之間變換。這將引起具有降低的調(diào)制度的振幅 鍵控。
圖2表示第二個發(fā)送和接收裝置,其中借助限幅電路進行振幅鍵 控,該限幅電路的工作點被調(diào)節(jié)。這里所示的裝置與圖1中所示裝置 的區(qū)別僅在于用于振幅鍵控的第二調(diào)制裝置M2的實施形式,這里第 二調(diào)制裝置被稱為M2A。該第二調(diào)制裝置M2A包括二極管D3至D6, 它們作為串聯(lián)電路在導通方向上連接在供電電壓、即整流器GL的輸 出端與接地參考電位GND之間,及包括一個MOS晶體管T1,該晶 體管用其漏極-源極通道的一個端子和二極管D5與二極管D6之間的 連接點Nl相連接,及用其漏極-源極通道的另一個端子連接到GND 上。晶體管T1的控制輸入端由調(diào)制控制信號MCS加載。
這里第二調(diào)制裝置M2A也是從超過整流器GL的輸出端上的閾 值電壓開始才投入調(diào)制。當輸出電壓低于二極管D3至D6導通電壓的 總和,二極管支路不導通,因此對晶體管T1加載調(diào)制控制信號MCS 將不產(chǎn)生作用。當輸出電壓大于所述導通電壓的總和時,在晶體管T1 導通的情況下將使二極管D6旁路,這將引起輸出電壓約減小二極管 D6的導通電壓值。 一個交變的調(diào)制控制信號MCS則起到在整流器 GL輸出側(cè)上電壓交替地改變,改變量為二極管D6的導通電壓值。如 根據(jù)圖l所述的,這將導致輸入阻抗實數(shù)部分的變化,由此引起反射 信號振幅鍵控。在該工作范圍中兩種調(diào)制方法是有效的及彼此重疊。
圖3表示第三個發(fā)送和接收裝置,其中使用了用于產(chǎn)生一個參考 電壓的二極管支路,該參考電壓用于允許振幅鍵控。這里所示的裝置 與以上所述裝置的區(qū)別僅在于用于振幅鍵控的第二調(diào)制裝置M2的實 施形式,這里第二調(diào)制裝置被稱為M2B。該第二調(diào)制裝置M2B包括 二極管D7至D10,它們?nèi)鐖D2地連接;還包括一個M0S晶體管T2, 該晶體管用其漏極-源極通道的一個端子和供電電壓相連接,及用其漏 極-源極通道的另一個端子連接到GND上;及包括一個與門Gl。該 與門Gl的第一輸入端由調(diào)制控制信號MCS加載及其第二輸入端和二 極管D8與二極管D9之間的連接點N2相連接。晶體管T2的控制輸 入端和該與門Gl的輸出端相連接。
在節(jié)點N2上出現(xiàn)的參考電壓用作振幅鍵控的允許信號。當整流 器GL的輸出電壓不足以使二極管支路導通時,在與該節(jié)點N2相連 接的與門Gl的輸入端上出現(xiàn)邏輯"O"。因此,與門Gl的輸出端為處 于"O"上,即晶體管T2被阻斷。第二調(diào)制裝置M2B保持無效,盡 管它受到調(diào)制控制信號MCS的控制。僅從整流器GL的輸出端上有足 夠大的電壓電平時起-它僅在相應高的場強時得到-才發(fā)生允許、 即調(diào)制啟動。
當對于啟動具有足夠的電壓電平時,與門Gl的輸出信號相應于 調(diào)制控制信號MCS,由此晶體管T2與調(diào)制控制信號MCS同步地引 起整流器GL的輸出端上的負載調(diào)制。該負載調(diào)制造成振幅鍵控。
圖4表示圖3中所示電路裝置的變型,其中振幅鍵控由一個特征 化設(shè)計的、根據(jù)本發(fā)明的調(diào)制電路起作用,在該調(diào)制電路中整流器 GL包括一個多級的倍壓電路,其中將通過一個開關(guān)裝置來干預。這 里該用于振幅鍵控的調(diào)制裝置被稱為M2C。與圖3的區(qū)別在于,作為 該開關(guān)裝置工作的晶體管T2用其漏極-源極通道連接在整流器GL內(nèi) 倍壓電路的一個級與地之間。
圖5表示具有調(diào)制干預的倍壓電路的電路圖。該倍壓電路示范地 由三級S1至S3組成,它們串聯(lián)地設(shè)置在倍壓電路的輸入端與輸出端 之間,其中例如可根據(jù)所需的輸出電壓連接任意數(shù)目的這種級。輸入 電壓UE被連接在一個輸入極A1與一個參考電位、通常為地或GND 之間。輸出電壓UA可從輸出極A2取出。前一級的輸出端總是與后
一級的輸入端相連接。
第一級S1包括兩個電容器C21及C22和兩個二極管D21及D22。 電容器C21的一個端子與輸入極Al相連接,另一端子與二極管D21 的陰極并且與二極管D22的陽極相連接。二極管D21的陽極及電容器 C22的一個端子與所述參考電位相連接。電容器C22的另一端子與二 極管D22的陰極相互連接并與所述參考電位一起構(gòu)成第一級Sl的輸 出端。
第二級S2包括兩個電容器C23及C24和兩個二極管D23及D24。 二極管D23的陽極與第一級S1的輸出極相連接。二極管D23及D24 以導通方向串聯(lián)在第二級S2的輸入極與輸出極之間。電容器C24連 接在所述輸出極與所述參考電位之間。第一級Sl與第二級S2還附加 地通過電容器C23耦合,該電容器的一個端子與輸入極Al相連接及
其另一端子與二極管D23的陰極及與二極管D24的陽極相連接。
第三級S3包括兩個電容器C25及C26和兩個二極管D25及D26。
它以與第二級S2相同的方式構(gòu)成。
為了振幅鍵控,第二級S2的輸出端與一個開關(guān)裝置SM、例如圖
4中的晶體管T2相連接。該開關(guān)裝置SM與一個控制信號、如圖4中
調(diào)制控制信號MCS同步地將所述輸出端與一個參考電位、如地連接,
這起到改變反射波的幅值的作用。
在多級整流器的一個級中的這種調(diào)制干預與一個連接在整流器
后面的負載相比具有其優(yōu)點,即容性負載CL通過開關(guān)控制過程不被
附加地負載。
也可使用德隆/格萊納赫(Delon/Greinacher)電路中的級和/或維 拉特(Villard)電路中的級來代替所示的級Sl至S3,其中一個級的 輸出端將與開關(guān)裝置SM相連接。
如從以上對一些示范實施例的描述中可明顯看到的,本發(fā)明提供 一種方法及所屬的電路裝置,它可實現(xiàn)在基站與無源應答器之間從相 對小的距離直到相對大的距離的寬廣距離范圍中的可靠數(shù)據(jù)傳輸。該 電路裝置可簡單地集成在應答器的設(shè)計方案中。
權(quán)利要求
1.用于發(fā)送和接收裝置的振幅鍵控的調(diào)制裝置(M2C),該調(diào)制裝置根據(jù)待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)調(diào)制由基站發(fā)射的電磁波,及具有一個整流器(GL),它包括一個多級倍壓電路,其特征在于該多級倍壓電路的一個級(S2)的一個節(jié)點(N3)與一個開關(guān)裝置(T2,SM)相連接,該開關(guān)裝置根據(jù)一個控制信號(MCS)使所述節(jié)點(N3)與一個參考電位相連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的調(diào)制裝置,其特征在于所述節(jié)點是該多級 倍壓電路的所述級(S2)的輸出節(jié)點(N3)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的調(diào)制裝置,其特征在于設(shè)有-二極管(D7, D8, D9, D10)的一個串聯(lián)電路,這些二極管以 導通方向連接在供電電壓與參考電位之間,- 一個可控開關(guān)裝置(T2),它被連接在該多級倍壓電路的所述級 (S2)的節(jié)點(N3)與所述參考電位之間,及- 一個邏輯門(Gl),它的一個輸出端與開關(guān)裝置(T2)的一個 控制輸入端相連接,它的一個輸入端與兩個二極管(D8, D9)的連接 點(N2)相連接及另一輸入端被加載調(diào)制控制信號(MCS)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3的調(diào)制裝置,其特征在于該邏輯門是一個與 門(Gl)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的調(diào)制裝置,其特征在于所述調(diào)制裝置 是一無源或半無源的應答器的發(fā)送和接收裝置的一部分。
6. 用于振幅鍵控的方法,其特征在于干預一個倍壓電路以進行 振幅鍵控。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于發(fā)送和接收裝置的振幅鍵控的調(diào)制裝置,該調(diào)制裝置根據(jù)待向基站傳輸?shù)臄?shù)據(jù)調(diào)制由基站發(fā)射的電磁波,及具有一個整流器,它包括一個多級倍壓電路,其中該多級倍壓電路的一個級的一個節(jié)點與一個開關(guān)裝置相連接,該開關(guān)裝置根據(jù)一個控制信號使所述節(jié)點與一個參考電位相連接。
文檔編號H04B1/59GK101165703SQ20071019287
公開日2008年4月23日 申請日期2004年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月10日
發(fā)明者烏爾里?!じダ锏吕锟? 梅爾廷·菲舍爾 申請人:Atmel德國有限公司