專利名稱：具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及硅微電容傳聲器領(lǐng)域，特別涉及一種具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片及其制備方法。
背景技術(shù)：
硅微電容傳聲器由形成硅微電容的硅芯片部分和外圍電路部分組成，其中硅芯片部分由硅基片及其上的穿孔(聲學(xué)孔)背板、空氣隙、隔離層、振動(dòng)膜、金屬膜及金屬電極組成。通常的硅微電容傳聲器由于受制作方式的限制，一般空氣隙、隔離層、振動(dòng)膜均為方形的，如Micro Electro Mechanical Systems(MEMS)，1998 IEEE11th International Workshop p580-585，由P.-C.Hsu，C.H.Mastrangelo，andK.D.Wise所著的《A HIGH SENSITIVITY POLYSILICON DIAPHRAGM CONDENSERMICROPHONE》一文中所述的。在制作該硅微電容傳聲器時(shí)，從硅片背面的體刻蝕只能產(chǎn)生方形背板，之后用氫氟酸腐蝕，氫氟酸通過該方形背板上幾何尺度較小的聲學(xué)孔腐蝕二氧化硅層，進(jìn)行二氧化硅的犧牲層釋放，二氧化硅同時(shí)作為犧牲層和方形隔離層，腐蝕掉的中間的犧牲層部分形成空氣隙，釋放犧牲層后剩余的部分二氧化硅層作為方形隔離層。在氫氟酸腐蝕二氧化硅較慢的情況下幾乎不可能腐蝕出圓形空氣隙區(qū)域，而且過長時(shí)間的腐蝕將導(dǎo)致氮化硅振動(dòng)膜被破壞。這樣，在犧牲層和隔離層呈方形的情況下，振動(dòng)膜的應(yīng)力較大，尤其是在尖角處的應(yīng)力更大，產(chǎn)生應(yīng)力集中，進(jìn)而導(dǎo)致傳聲器的靈敏度下降乃至?xí)r效破裂。采用上述制作工藝的話，即使制作圓形振動(dòng)膜，也必然與不規(guī)則(非圓形)的空氣隙區(qū)域形成應(yīng)力集中的尖角，同時(shí)完整的振動(dòng)膜也使得應(yīng)力保持較高的水平。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有制作工藝制成的方形振動(dòng)膜在尖角處的應(yīng)力較大，因此導(dǎo)致傳聲器的靈敏度下降乃至?xí)r效破裂的缺陷，從而提供一種具有圓環(huán)形隔離層和圓形空氣隙、同時(shí)在振動(dòng)膜邊緣上布有均勻的圓形微穿孔的、具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片及其制備方法。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明提供的一種具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，包括一n-型硅基片1，在硅基片1的正面擴(kuò)散硼形成p+型攙雜層3，在p+型攙雜層3上面沉積二氧化硅，光刻、腐蝕成隔離層4，隔離層4上附著一層氮化硅做的振動(dòng)膜層6，振動(dòng)膜層6之上沉積金屬鋁膜，并經(jīng)光刻、腐蝕成圓形鋁膜和方形鋁電極9(如圖4、5所示)；在硅基片1的背面有一層氮化硅保護(hù)膜11，從硅基片1的底面腐蝕出一梯形缺口，該梯形缺口的深度至p+型攙雜層3，在垂直于p+型攙雜層3的方向上腐蝕出聲學(xué)孔7形成穿孔背板，穿孔背板與氮化硅做的振動(dòng)膜層6之間為空氣隙8；其特征在于在所述的振動(dòng)膜層6和之上沉積的金屬鋁膜經(jīng)光刻、腐蝕成圓形鋁膜邊緣上，布有均勻的圓形微穿孔10；所述的圓形微穿孔10直徑1～20微米，其圓心位于直徑為圓形鋁膜直徑的70～98％的同心圓上，相鄰兩個(gè)微穿孔的圓心形成的圓心角為微穿孔與同心圓相交兩點(diǎn)形成的圓心角的1～10倍。
所述的隔離層4為圓環(huán)狀；其厚度為0.5～6微米，內(nèi)徑為500～3000微米，徑向?qū)挾葹?0～150微米。
所述的空氣隙8為圓形，其厚度為0.6～7微米，直徑為500～3000微米。
所述的振動(dòng)膜層6為圓形，其厚度為0.1～1微米，直徑600～3300微米。
所述的穿孔背板上腐蝕出的孔排列呈陣列式，除孔以外部位為p+型攙雜層3，硼擴(kuò)散深度為3～20微米。
本發(fā)明提供的一種具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片的制備方法，該方法包括以下步驟1取一n-型硅基片1經(jīng)過高溫氧化生長一厚度為0.5～2微米的二氧化硅，光刻后利用氫氟酸腐蝕高溫二氧化硅制成掩膜2，在硅片正面進(jìn)行深度硼擴(kuò)散，形成穿孔背板中除孔分布部位以外部位的p+型攙雜層3，硼擴(kuò)散深度為3～20微米；2氫氟酸去除高溫二氧化硅掩膜2，在硅片正面磁控濺射0.1～1微米的氧化鋅輔助犧牲層，光刻、磷酸腐蝕出圓形輔助犧牲層；淀積厚度為0.5～6微米的低溫二氧化硅4；在硅片雙面淀積厚度為0.1～1微米的氮化硅，其正面光刻后，氮化硅被刻蝕成圓形振動(dòng)膜，氮化硅之下的低溫二氧化硅也被刻蝕為同樣的圓形(此圓形的直徑大于圓形氧化鋅輔助犧牲層的直徑，其中對(duì)應(yīng)圓形氧化鋅輔助犧牲層的部分作為犧牲層，其余圓環(huán)形部分作為隔離層)，背面氮化硅光刻后被刻蝕成正方形硅體刻蝕的掩膜；3從硅片背面對(duì)硅基片1用氫氧化鉀進(jìn)行硅體刻蝕，當(dāng)氫氧化鉀腐蝕到p+型攙雜層3時(shí)，由于氫氧化鉀對(duì)未硼擴(kuò)散的穿孔區(qū)域的腐蝕速度遠(yuǎn)高于深度硼擴(kuò)散的穿孔背板區(qū)域，使穿孔背板孔分布部位被很快腐蝕掉，形成穿孔背板上的聲學(xué)孔7，該穿孔背板上腐蝕出的穿孔呈陣列式排列；然后，氫氧化鉀通過穿孔到達(dá)圓形氧化鋅輔助犧牲層5，將由氧化鋅構(gòu)成的輔助犧牲層5很快腐蝕完，形成一與圓形氧化鋅輔助犧牲層5形狀完全相同的圓形的氣隙；之后，用氫氟酸將圓形低溫二氧化硅犧牲層腐蝕釋放，從而形成圓形空氣隙8；4在硅片正面蒸鍍厚度為0.05～0.2微米的金屬鋁膜，并光刻、磷酸腐蝕出圓形鋁膜以及方形電極9；甩光刻膠后，光刻、磷酸腐蝕出圓形鋁膜上的圓形微穿孔10，再將鋁膜之下的氮化硅圓形振動(dòng)膜刻蝕出圓形微穿孔10。
所述的氧化鋅圓形輔助犧牲層的直徑為500～3000微米，厚度為0.1～1微米，所述氮化硅圓形振動(dòng)膜的直徑(等于圓形低溫二氧化硅層的直徑)為600～3300微米，其直徑比圓形輔助犧牲層的直徑大100～300微米；圓環(huán)形低溫二氧化硅層的厚度為0.5～6微米；采用較易腐蝕的氧化鋅作為輔助犧牲層，與較難腐蝕的低溫二氧化硅共同組成犧牲層；因此實(shí)際的空氣隙是由圓形氧化鋅輔助犧牲層被氫氧化鉀腐蝕后形成的空氣隙和位于氧化鋅之上的圓形低溫二氧化硅層被氫氟酸腐蝕后形成的空氣隙共同組成。
體刻蝕之后氫氧化鉀通過穿孔將圓形的氧化鋅薄膜很快去除，從而形成圓形的空氣隙區(qū)域；之后氫氟酸腐蝕圓形低溫二氧化硅犧牲層時(shí)，氫氟酸腐蝕液可以以整個(gè)圓形區(qū)域平面垂直向上進(jìn)行腐蝕。由于犧牲層垂直方向的幾何尺度(約1～6微米)遠(yuǎn)小于水平方向的幾何尺度(相鄰穿孔間隔的一半，約20～40微米)，使低溫二氧化硅犧牲層能夠以十倍左右的速度腐蝕完，同時(shí)保持與氧化鋅輔助犧牲層完全相同的形狀，氫氟酸釋放二氧化硅犧牲層時(shí)可以保持圓形的形狀。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明提供的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，采用了一種新的工藝方法，制成圓形結(jié)構(gòu)的氣隙層、隔離層和振動(dòng)膜，減小了振動(dòng)膜的應(yīng)力，大大提高了振動(dòng)膜的靈敏度，避免了時(shí)效破裂；同時(shí)，由于二氧化硅犧牲層二氧化硅的腐蝕方向不是以往尺度較大的水平方向，而是尺度較小的垂直方向，被腐蝕的速度較快，減小了以往氫氟酸釋放犧牲層的同時(shí)對(duì)氮化硅振動(dòng)膜較強(qiáng)的腐蝕。
本發(fā)明提供的芯片在所述的振動(dòng)膜層6和之上沉積的金屬鋁膜經(jīng)光刻、腐蝕成圓形鋁膜邊緣上，布有均勻的圓形微穿孔，該圓形微穿孔可以使氮化硅圓形振動(dòng)膜的應(yīng)力得到一定程度的釋放，同時(shí)穿孔的直徑足夠小，以保持較大的聲阻，大大提高了振動(dòng)膜的靈敏度，避免了時(shí)效的破裂。
圖面說明

圖1是本發(fā)明的制備方法在硅片正面進(jìn)行深度硼擴(kuò)散后形成的剖面示意2是本發(fā)明的制備方法中淀積、光刻、腐蝕出圓形輔助犧牲層，低溫二氧化硅，淀積、光刻、刻蝕出圓形振動(dòng)膜，刻蝕出圓形振動(dòng)膜之下的圓環(huán)形隔離層和圓形犧牲層，光刻、刻蝕出背面的正方形硅體刻蝕的掩膜后形成的剖面示意3是本發(fā)明的制備方法中體刻蝕硅片、腐蝕輔助犧牲層和釋放犧牲層形成圓形氣隙層后形成的剖面示意4是淀積、光刻出圓形金屬鋁膜，光刻并刻蝕出圓形微穿孔，完成本發(fā)明硅微電容傳聲器中的芯片的剖面示意5是本發(fā)明用于硅微電容傳聲器中的芯片的俯視6是本發(fā)明用于硅微電容傳聲器中的芯片的仰視7是本發(fā)明傳聲器芯片制備方法的流程圖附圖標(biāo)識(shí)1、n-(100)硅片 2、高溫二氧化硅 3、p+型攙雜層4、低溫二氧化硅層 5、輔助犧牲層(氧化鋅) 6、振動(dòng)膜層(氮化硅)7、聲學(xué)孔 8、空氣隙(釋放犧牲層后形成)9、鋁膜及電極 10、圓形微穿孔11、保護(hù)膜 1 n-(100)Si 2 高溫SiO23 p+摻雜Si 4 低溫SiO25 氧化鋅 6，11氮化硅 9 鋁膜及電極具體實(shí)施方式
參照附圖結(jié)合本發(fā)明的制備方法，將詳細(xì)敘述本發(fā)明的傳聲器芯片具體結(jié)構(gòu)實(shí)施例1
本實(shí)施例提供的一種本發(fā)明用于硅微電容傳聲器中的芯片，參見附圖4-6；該芯片包括一n-型硅基片1，在硅基片1的正面擴(kuò)散硼形成p+型攙雜層3，其厚度為3或20微米；在p+型攙雜層3沉積二氧化硅并光刻、腐蝕成圓環(huán)形隔離層4，該圓環(huán)形隔離層4的內(nèi)徑為500或3000微米，徑向?qū)挾葹?0或150微米；在隔離層4上附著一層氮化硅做的圓形振動(dòng)膜層6，振動(dòng)膜層6之上沉積并光刻、腐蝕成圓形金屬鋁膜和方形電極9，在振動(dòng)膜和圓形鋁膜邊緣上布有均勻的圓形微穿孔10；該圓形微穿孔10直徑為1～20微米；其圓心位于直徑為圓形鋁膜直徑的70～98％的同心圓上，相鄰兩個(gè)微穿孔的圓心形成的圓心角為微穿孔與同心圓相交兩點(diǎn)形成的圓心角的1～10倍。在硅基片1的反面有一層氮化硅保護(hù)膜11，從硅基片1的底面腐蝕出一梯形缺口，該梯形缺口的深度至p+型攙雜層3，垂直于p+型攙雜層3腐蝕出聲學(xué)孔7形成穿孔背板，穿孔背板與氮化硅做的振動(dòng)膜層6之間為空氣隙8；所述空氣隙8為圓形，其厚度為0.6或7微米，直徑為500或3000微米。穿孔背板上腐蝕出的孔排列呈陣列式，聲學(xué)孔7邊長為30微米，間隔為30微米。振動(dòng)膜層6厚度為0.1或1微米。
實(shí)施例2結(jié)合附圖7和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明1取一n-型硅基片1經(jīng)過高溫氧化生長一厚度為1.5微米的二氧化硅，光刻后利用氫氟酸腐蝕高溫二氧化硅制成掩膜2，并在硅片1正面進(jìn)行深度硼擴(kuò)散，形成穿孔背板中除孔分布部位以外部位的p+型攙雜層3，硼擴(kuò)散深度為10微米；2氫氟酸去除高溫二氧化硅掩膜后，在硅片正面磁控濺射0.5微米厚的氧化鋅輔助犧牲層，光刻、磷酸腐蝕出圓形輔助犧牲層5，該氧化鋅圓形輔助犧牲層的直徑為1000微米，厚度為0.5微米；在硅片1正面利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備(PECVD)淀積厚度為3微米的低溫二氧化硅4；再在硅片1雙面利用低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備(LPCVD)淀積厚度為0.5微米的氮化硅，其正面光刻后，氮化硅被等離子體刻蝕機(jī)(ICP)刻蝕成圓形振動(dòng)膜6，氮化硅之下的低溫二氧化硅也被ICP刻蝕為同樣的圓形(此圓形的直徑大于圓形氧化鋅輔助犧牲層，其中對(duì)應(yīng)圓形氧化鋅輔助犧牲層的部分作為犧牲層，其余圓環(huán)形部分作為隔離層4，其厚度為0.5～6微米，內(nèi)徑為500～3000微米，徑向?qū)挾葹?0～150微米)，其背面光刻后氮化硅被ICP刻蝕成正方形硅體刻蝕的掩膜；該氮化硅圓形振動(dòng)膜6的直徑(等于圓形低溫二氧化硅層的直徑)為1500微米，其直徑比圓形輔助犧牲層的直徑大500微米；其中所述的氧化鋅圓形輔助犧牲層的直徑為500～3000微米，厚度為0.1～1微米；所述氮化硅圓形振動(dòng)膜的直徑(等于圓形低溫二氧化硅層的直徑)為600～3300微米，其直徑比圓形輔助犧牲層的直徑大100～300微米；圓環(huán)形低溫二氧化硅層的厚度為0.5～6微米；3從硅片背面對(duì)硅基片1用氫氧化鉀進(jìn)行硅體刻蝕，當(dāng)氫氧化鉀腐蝕到p+型摻雜層3時(shí)，由于氫氧化鉀對(duì)未硼擴(kuò)散的穿孔區(qū)域的腐蝕速度遠(yuǎn)高于深度硼擴(kuò)散的穿孔背板區(qū)域，使穿孔背板孔分布部位被很快腐蝕掉，在垂直于穿孔背板上形成聲學(xué)孔7，該穿孔背板上腐蝕出的聲學(xué)孔7呈陣列式排列，該聲學(xué)孔(7)邊長為30～80微米，間隔為30～80微米；然后，氫氧化鉀通過穿孔到達(dá)圓形氧化鋅輔助犧牲層5，將由氧化鋅構(gòu)成的輔助犧牲層5腐蝕完，形成一與圓形氧化鋅輔助犧牲層5形狀完全相同的空氣隙8；之后，用氫氟酸將圓形低溫二氧化硅犧牲層(即二氧化硅層中位于圓形氧化鋅輔助犧牲層之上的部分)腐蝕釋放形成空氣隙，從而與前述的與圓形氧化鋅輔助犧牲層5形狀完全相同的空氣隙共同組成圓形空氣隙8；其中空氣隙8為圓形，其厚度是圓環(huán)形隔離層(4)和被腐蝕掉的氧化鋅層的厚度之和，為0.6～7微米，直徑為500～3000微米；4在硅片1正面蒸鍍厚度為0.1微米的金屬鋁膜，并光刻、磷酸腐蝕出圓形的金屬鋁膜以及方形電極9。甩光刻膠后，光刻、磷酸腐蝕出圓形鋁膜上的圓形微穿孔，再將鋁膜之下的氮化硅圓形振動(dòng)膜刻蝕出圓形微穿孔。圓形微穿孔10直徑2微米，其圓心位于直徑為圓形鋁膜直徑的95％的同心圓上，相鄰兩個(gè)微穿孔的圓心形成的圓心角為微穿孔與同心圓相交兩點(diǎn)形成的圓心角的3倍。
權(quán)利要求
1.一種具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片；包括一n-型硅基片(1)，在硅基片(1)的正面擴(kuò)散硼形成p+型攙雜層(3)，在p+型摻雜層(3)上面通過沉積二氧化硅和光刻、腐蝕成隔離層(4)，在其上附著一層氮化硅做的振動(dòng)膜層(6)，振動(dòng)膜層(6)之上沉積并光刻、腐蝕成圓形金屬鋁膜(9)和方形的金屬鋁電極(9)在硅基片(1)的背面有一層氮化硅保護(hù)膜(11)，從硅基片(1)的底面腐蝕出一梯形缺口，該梯形缺口的深度至p+型攙雜層(3)，并在垂直于p+型攙雜層(3)上腐蝕出聲學(xué)孔(7)形成一穿孔背板，穿孔背板與振動(dòng)膜層(6)之間為空氣隙(8)其特征在于在所述的振動(dòng)膜層6和之上沉積的金屬鋁膜經(jīng)光刻、腐蝕成圓形鋁膜邊緣上，布有均勻的圓形微穿孔10；該圓形微穿孔10直徑1～20微米，其圓心位于直徑為圓形鋁膜直徑的70～98％的同心圓上，相鄰兩個(gè)微穿孔的圓心形成的圓心角為微穿孔與同心圓相交兩點(diǎn)形成的圓心角的1～10倍。
2.按權(quán)利要求1所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，其特征在于所述的隔離層(4)為圓環(huán)狀；其厚度為0.5～6微米，內(nèi)徑為500～3000微米，徑向?qū)挾葹?0～150微米。
3.按權(quán)利要求1所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，其特征在于所述的空氣隙8為圓形，其厚度是圓環(huán)形隔離層(4)和被腐蝕掉的氧化鋅層的厚度之和，為0.6～7微米，直徑為500～3000微米。
4.按權(quán)利要求1所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，其特征在于所述的振動(dòng)膜層6為圓形，其厚度為0.1～1微米，直徑500～3300微米。
5.按權(quán)利要求1所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，其特征在于所述的穿孔背板上腐蝕出的聲學(xué)孔(7)排列呈陣列式，除孔以外部位為p+型攙雜層3，硼擴(kuò)散深度為3～20微米。
6.按權(quán)利要求1或5所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片，其特征在于所述的聲學(xué)孔(7)邊長為30～80微米，間隔為30～80微米。
7.一種權(quán)利要求1所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片的制備方法，該方法包括以下步驟1取一n-型硅基片(1)經(jīng)過常規(guī)高溫氧化生長一厚度為0.5～2微米的二氧化硅，光刻后利用氫氟酸腐蝕高溫二氧化硅制成掩膜(2)，并在硅片正面進(jìn)行深度硼擴(kuò)散，形成穿孔背板中除孔分布部位以外部位的p+型攙雜層(3)，硼擴(kuò)散深度為3～20微米；2用氫氟酸去除步驟1制備出的高溫二氧化硅掩膜(2)，然后在硅片正面淀積出厚度為0.1～1微米的氧化鋅輔助犧牲層，經(jīng)光刻、磷酸腐蝕出圓形輔助犧牲層；在硅片正面淀積厚度為0.5～6微米的低溫二氧化硅4；再在硅片雙面淀積厚度為0.1～1微米的氮化硅，其正面光刻后，氮化硅被等離子體刻蝕機(jī)(ICP)刻蝕成圓形振動(dòng)膜(6)，氮化硅之下的低溫二氧化硅也被ICP刻蝕為同樣的圓形，該圓形的直徑大于圓形氧化鋅輔助犧牲層(5)，其中對(duì)應(yīng)圓形氧化鋅輔助犧牲層的部分作為犧牲層，其余圓環(huán)形部分作為隔離層(4)，硅片背面光刻后氮化硅被ICP刻蝕成正方形硅體刻蝕的掩膜(10)；3從硅片背面對(duì)硅基片(1)用氫氧化鉀進(jìn)行硅體刻蝕，當(dāng)氫氧化鉀腐蝕到p+型攙雜層(3)時(shí)，由于氫氧化鉀對(duì)未硼擴(kuò)散的穿孔區(qū)域的腐蝕速度遠(yuǎn)高于深度硼擴(kuò)散的穿孔背板區(qū)域，使穿孔背板孔分布部位被很快腐蝕掉，在垂直于穿孔背板上形成聲學(xué)孔(7)，該穿孔背板上腐蝕出的聲學(xué)孔(7)呈陣列式排列；然后，氫氧化鉀通過穿孔到達(dá)圓形氧化鋅輔助犧牲層(5)，將由氧化鋅構(gòu)成的輔助犧牲層(5)腐蝕完，形成一與圓形氧化鋅輔助犧牲層(5)形狀完全相同的形狀；之后，用氫氟酸將圓形低溫二氧化硅犧牲層腐蝕釋放，從而形成圓形空氣隙(8)；4在硅片(1)正面蒸鍍厚度為0.05～0.2微米的金屬鋁膜，并光刻、磷酸腐蝕出圓形的金屬鋁膜以及方形電極(9)，甩光刻膠后，光刻、磷酸腐蝕出圓形鋁膜上的圓形微穿孔10，再將鋁膜之下的氮化硅圓形振動(dòng)膜刻蝕出圓形微穿孔10。
8.按權(quán)利要求7所述的具有高靈敏度的用于硅微電容傳聲器的芯片的制備方法，其特征在于所述的氧化鋅圓形輔助犧牲層的直徑為500～3000微米，厚度為0.1～1微米；所述氮化硅圓形振動(dòng)膜的直徑為600～3300微米，其直徑比圓形輔助犧牲層的直徑大100～300微米；圓環(huán)形低溫二氧化硅層的厚度為0.5～6微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于硅微電容傳聲器中的芯片及其制備方法。該芯片包括一n－型硅基片，在其正面擴(kuò)散硼形成p+型攙雜層，在該層上面沉積二氧化硅、刻蝕成隔離層，在其上附著一振動(dòng)膜層，振動(dòng)膜層之上沉積金屬鋁膜，并光刻、腐蝕成圓形鋁膜和方形鋁電極；在硅基片的背面有一層氮化硅保護(hù)膜，從硅基片的底面腐蝕出一梯形缺口，該梯形缺口的深度至p+型攙雜層，并垂直于p+型攙雜層地方向上腐蝕出聲學(xué)孔形成穿孔背板，穿孔背板與氮化硅做的振動(dòng)膜層之間為空氣隙。本發(fā)明采用的工藝方法，制成圓形結(jié)構(gòu)的氣隙層、振動(dòng)膜和圓環(huán)形隔離層，同時(shí)在振動(dòng)膜邊緣上布有均勻的圓形微穿孔，減小了振動(dòng)膜的應(yīng)力，大大提高了振動(dòng)膜的靈敏度，避免了時(shí)效的破裂。
文檔編號(hào)H04R31/00GK1630432SQ20031012143
公開日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2003年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者徐聯(lián), 汪承灝, 李曉東, 魏建輝, 黃歆 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院聲學(xué)研究所