電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容，包括硅襯底；所述硅襯底的最上層為一層第一硅氧化物；所述硅襯底上表面由豎直方向開(kāi)設(shè)有溝槽；溝槽的側(cè)面為傾斜狀；由溝槽的開(kāi)口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來(lái)越?。粶喜鄣母叨却笥跍喜鄣膶挾茸顚捥?；沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s硅；重?fù)诫s硅之外為一層第二硅氧化物；第二硅氧化物的上表面與溝槽開(kāi)口處的第一硅氧化物的內(nèi)表面對(duì)齊；在第二硅氧化物的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶硅。在相同的溝槽深度下，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中的電容面積大于現(xiàn)有技術(shù)，由基本的電路的原理中的電容定義可知，本發(fā)明的電容數(shù)值更大。
【專利說(shuō)明】
電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容。
【背景技術(shù)】
[0002]在集成電路中，為了進(jìn)一步減小芯片的體積，要盡量將電路中所有的原件，都集成在硅片上。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的硅電容的結(jié)構(gòu)，在圖1中，硅襯底中的溝槽是垂直方向的，如何進(jìn)一步增大電容數(shù)值，是一個(gè)問(wèn)題，增大電容數(shù)值可以增大電容面積，但是在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于硅襯底的刻蝕技術(shù)是有限的，使得硅襯底的溝槽的深度增加是十分困難的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開(kāi)了一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0005]—種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容，包括硅襯底;所述硅襯底的最上層為一層第一娃氧化物;所述娃襯底上表面由豎直方向開(kāi)設(shè)有溝槽;溝槽的側(cè)面為傾斜狀；由溝槽的開(kāi)口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來(lái)越小;溝槽的高度大于溝槽的寬度最寬處;沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s硅;重?fù)诫s硅之外為一層第二硅氧化物;第二硅氧化物的上表面與溝槽開(kāi)口處的第一硅氧化物的內(nèi)表面對(duì)齊;在第二硅氧化物的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶娃。
[0006]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0007]在相同的溝槽深度下，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中的電容面積大于現(xiàn)有技術(shù)，由基本的電路的原理中的電容定義可知，本發(fā)明的電容數(shù)值更大。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)圖。
[0009]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖。
[0010]圖3是步驟2的示意圖。
[0011]圖4是步驟3結(jié)束之后的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)圖。如圖2所示，本發(fā)明包括硅襯底1硅襯底I的最上層為一層第一硅氧化物2。硅襯底I上表面由豎直方向開(kāi)設(shè)有溝槽。溝槽的側(cè)面為傾斜狀。由溝槽的開(kāi)口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來(lái)越小。溝槽的高度大于溝槽的寬度最寬處。沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s硅3。重?fù)诫s硅3之外為一層第二硅氧化物4。第二硅氧化物4的上表面與溝槽開(kāi)口處的第一硅氧化物2的內(nèi)表面對(duì)齊。在第二硅氧化物4的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶娃5。
[0013]在本發(fā)明的結(jié)構(gòu)中，重?fù)诫s硅3和多晶硅5為導(dǎo)體，相當(dāng)于電容中的兩個(gè)相對(duì)的極板，而第二硅氧化物4為絕緣體，相當(dāng)于電容中的介質(zhì)。顯而易見(jiàn)，圖2與圖1相比，在同樣的高度下，顯然圖2中的斜面面積更大，所以圖2中的電容數(shù)值更大。而電容的性能與電容的形狀并無(wú)關(guān)系，所以本發(fā)明改變了電容的形狀，可增加電容的數(shù)值，但是并不影響電容性能。
[0014]本發(fā)明的制作流程為:
[0015]步驟1、在硅襯底上表面生長(zhǎng)一層第一硅氧化物2;
[0016]步驟2、在第一硅氧化物2上表面覆蓋一層光刻膠21;之后進(jìn)行光刻過(guò)程，在光刻膠21上刻蝕出電容溝槽的開(kāi)口；圖3是步驟2的示意圖。
[0017]步驟3、使用濕法刻蝕的方法進(jìn)行刻蝕過(guò)程，濕法刻蝕的溶液為HF。由于在濕法刻蝕中，位于上層溶液與溝槽的接觸面積大，所以反應(yīng)速度快，所以在濕法刻蝕的過(guò)程中，溝槽自然會(huì)形成上部截面面積大，下部截面面積小的斜面。之后去除光刻膠。圖4是步驟3結(jié)束之后的不意圖。
[0018]步驟4、對(duì)溝槽進(jìn)行重?fù)诫s過(guò)程，形成重?fù)诫s硅3;
[0019]步驟5、在重?fù)诫s硅3上生長(zhǎng)第二硅氧化物4;
[0020]步驟6、在第二硅氧化物4之上、溝槽中，生長(zhǎng)多晶硅5。
[0021]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例?？梢岳斫猓绢I(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電容數(shù)值更大的深溝槽硅電容，其特征在于，包括硅襯底(I);所述硅襯底(I)的最上層為一層第一硅氧化物(2);所述硅襯底(I)上表面由豎直方向開(kāi)設(shè)有溝槽;溝槽的側(cè)面為傾斜狀；由溝槽的開(kāi)口處到溝槽底端，溝槽的橫截面越來(lái)越小;溝槽的高度大于溝槽的寬度最寬處；沿溝槽最內(nèi)層為一層重?fù)诫s娃(3)；重?fù)诫s娃(3)之外為一層第二娃氧化物(4)；第二娃氧化物(4)的上表面與溝槽開(kāi)口處的第一娃氧化物(2)的內(nèi)表面對(duì)齊;在第二娃氧化物(4)的上表面之上、溝槽內(nèi)部，填充有多晶硅(5)。
【文檔編號(hào)】H01L23/64GK106024765SQ201610576164
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年7月20日
【發(fā)明人】呂耀安
【申請(qǐng)人】無(wú)錫宏納科技有限公司