一種硬件延時(shí)復(fù)位電路及電子產(chǎn)品的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于硬件電路技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，是涉及一種硬件延時(shí)復(fù)位電路以及采用所述硬件延時(shí)復(fù)位電路設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品。
【背景技術(shù)】
[0002]目前的電子產(chǎn)品，大部分功能都要依賴主控芯片的控制，當(dāng)主控芯片出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，電子產(chǎn)品就無(wú)法使用，因此在電子產(chǎn)品中通常會(huì)設(shè)計(jì)有硬件復(fù)位電路，可以使得主控芯片重啟。但是現(xiàn)有的硬件復(fù)位電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本較高，提高了電子產(chǎn)品的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型提供了一種硬件延時(shí)復(fù)位電路，降低了成本。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0005]一種硬件延時(shí)復(fù)位電路，包括直流電源、復(fù)位開(kāi)關(guān)、二極管、電容、NMOS管，所述直流電源通過(guò)所述復(fù)位開(kāi)關(guān)連接所述二極管的陰極，所述二極管的陽(yáng)極連接所述電容的一端，所述電容的另一端接地，所述電容的一端連接所述NMOS管的柵極，所述NMOS管的源極接地，所述NMOS管的漏極通過(guò)限流電阻連接所述直流電源，所述NMOS管的漏極連接控制器的復(fù)位引腳。
[0006]進(jìn)一步的，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路還包括放電電阻，所述放電電阻的一端連接所述二極管的陰極，所述放電電阻的另一端接地。
[0007]又進(jìn)一步的，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路還包括濾波電容，所述直流電源通過(guò)所述濾波電容接地。
[0008]再進(jìn)一步的，所述直流電源的電壓值為3.3V或3V。
[0009]基于上述硬件延時(shí)復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型還提出了一種采用所述硬件延時(shí)復(fù)位電路設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品，包括控制器和所述的硬件延時(shí)復(fù)位電路，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路包括直流電源、復(fù)位開(kāi)關(guān)、二極管、電容、NMOS管，所述直流電源通過(guò)所述復(fù)位開(kāi)關(guān)連接所述二極管的陰極，所述二極管的陽(yáng)極連接所述電容的一端，所述電容的另一端接地，所述電容的一端連接所述NMOS管的柵極，所述NMOS管的源極接地，所述NMOS管的漏極通過(guò)限流電阻連接所述直流電源，所述NMOS管的漏極連接控制器的復(fù)位引腳。
[0010]一種硬件延時(shí)復(fù)位電路，包括直流電源、復(fù)位開(kāi)關(guān)、二極管、電容、NPN型三極管，所述直流電源通過(guò)所述復(fù)位開(kāi)關(guān)連接所述二極管的陰極，所述二極管的陽(yáng)極連接所述電容的一端，所述電容的另一端接地，所述電容的一端連接所述NPN型三極管的基極，所述NPN型三極管的發(fā)射極接地，所述NPN型三極管的集電極通過(guò)限流電阻連接所述直流電源，所述NPN型三極管的集電極連接控制器的復(fù)位引腳。
[0011]進(jìn)一步的，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路還包括放電電阻，所述放電電阻的一端連接所述二極管的陰極，所述放電電阻的另一端接地。
[0012]又進(jìn)一步的，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路還包括濾波電容，所述直流電源通過(guò)所述濾波電容接地。
[0013]再進(jìn)一步的，所述直流電源的電壓值為3.3V或3V。
[0014]基于上述硬件延時(shí)復(fù)位電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型還提出了一種采用所述硬件延時(shí)復(fù)位電路設(shè)計(jì)的電子產(chǎn)品，包括控制器和所述的硬件延時(shí)復(fù)位電路，所述硬件延時(shí)復(fù)位電路包括直流電源、復(fù)位開(kāi)關(guān)、二極管、電容、NPN型三極管，所述直流電源通過(guò)所述復(fù)位開(kāi)關(guān)連接所述二極管的陰極，所述二極管的陽(yáng)極連接所述電容的一端，所述電容的另一端接地，所述電容的一端連接所述NPN型三極管的基極，所述NPN型三極管的發(fā)射極接地，所述NPN型三極管的集電極通過(guò)限流電阻連接所述直流電源，所述NPN型三極管的集電極連接控制器的復(fù)位引腳。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本實(shí)用新型的硬件延時(shí)復(fù)位電路電路結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單、所用元器件較少，從而減少了布板面積，降低了成本。將所述硬件延時(shí)復(fù)位電路應(yīng)用在電子產(chǎn)品中，降低了電子產(chǎn)品的成本，提高了電子產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
[0016]結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型實(shí)施方式的詳細(xì)描述后，本實(shí)用新型的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型所提出的硬件延時(shí)復(fù)位電路的一種實(shí)施例的電路原理圖；
[0018]圖2是本實(shí)用新型所提出的硬件延時(shí)復(fù)位電路的一種實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。
[0020]實(shí)施例一、本實(shí)施例的硬件延時(shí)復(fù)位電路主要包括直流電源VCC、復(fù)位開(kāi)關(guān)SW、二極管D1、電容C2，NMOS管Ql等，參見(jiàn)圖1所示，直流電源VCC通過(guò)復(fù)位開(kāi)關(guān)SW連接二極管Dl的陰極，二極管Dl的陽(yáng)極連接電容C2的一端，電容C2的另一端接地，電容C2的一端連接NMOS管Ql的柵極，NMOS管Ql的源極接地，NMOS管Ql的漏極通過(guò)限流電阻R2連接直流電源VCC，NMOS管Ql的漏極連接控制器MCU的復(fù)位引腳RESET，向控制器MCU的復(fù)位引腳RESET發(fā)送復(fù)位信號(hào)。
[0021 ] 在本實(shí)施例中，直流電源VCC的電壓值可以為3.3V或3V。
[0022]在硬件延時(shí)復(fù)位電路中還設(shè)置有放電電阻R1，放電電阻Rl的一端連接二極管Dl的陰極，放電電阻Rl的另一端接地。
[0023]當(dāng)控制器MCU不需要復(fù)位時(shí)，復(fù)位開(kāi)關(guān)SW處于斷開(kāi)狀態(tài)，NMOS管Ql的柵極電壓被拉低，NMOS管Ql處于關(guān)斷狀態(tài)，NMOS管Ql的漏極電壓為直流電源VCC的電壓值，也就是說(shuō)，NMOS管Ql的漏極電壓為高電平，NMOS管Ql的漏極向控制器MCU的復(fù)位引腳RESET發(fā)送高電平的復(fù)位信號(hào)，將復(fù)位引腳RESET拉為高電平，控制器MCU不復(fù)位。
[0024]當(dāng)控制器MCU需要復(fù)位時(shí)，閉合復(fù)位開(kāi)關(guān)SW，直流電源VCC通過(guò)二極管Dl的漏電流給電容C2充電，電容C2兩端的電壓逐漸升高，即NMOS管Ql的柵極電壓逐漸升高，當(dāng)滿足NMOS管Ql的導(dǎo)通條件時(shí)，NMOS管Ql導(dǎo)通，直流電源VCC提供的電流通過(guò)限流電阻R2、NMOS管Ql的漏極、NMOS管Ql的源極流入地，即NMOS管Ql的漏極電壓被拉為低電平，NMOS管Ql的漏極向控制器MCU的復(fù)位引腳RESET發(fā)送低電平的復(fù)位信號(hào)，將復(fù)位引腳RESET拉為低電平，控制器MCU復(fù)位。復(fù)位后，斷開(kāi)復(fù)位開(kāi)關(guān)SW，通過(guò)二極管Dl、放電電阻Rl將電容C2內(nèi)的電荷放掉；隨著電容C2兩端的電壓逐漸降低，NMOS管Ql的柵極電壓逐漸降低，當(dāng)不滿足NMOS管Ql的導(dǎo)通條件時(shí)，NMOS管Ql關(guān)斷。
[0025]為了濾除高頻雜波，在硬件延時(shí)復(fù)位電路中還設(shè)置有濾波電容Cl，直流電源VCC通過(guò)濾波電容Cl接地，從而濾除直流電源輸出的高頻雜波，避免損壞電路中的其他元器件。
[0026]本實(shí)施例的硬件延時(shí)復(fù)位電路通過(guò)二極管Dl的漏電流為電容C2充電，通過(guò)電容C2兩端的電壓控制NMOS管Ql的通斷，從而控制NMOS管Ql漏極電壓的電平高低，從而控制復(fù)位信號(hào)的電平高低，進(jìn)而控制控制器MCU的復(fù)位與否；控制方式比較簡(jiǎn)單，而且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所用元器件