?30d、30h相比其剛性較高，從而能提高多層樹脂布線基板30的剛性。因此，能提高高頻模塊3的彎曲強(qiáng)度，并能補(bǔ)償安裝于多層樹脂布線基板30的RFIC31、內(nèi)置的安全加密性IC33的機(jī)械強(qiáng)度。
[0063]另外，RFIC31與安全加密性IC33之間配置有磁性體層30e?30g，因此能夠防止因RF信號(hào)引起的來(lái)自RFIC31的輻射噪聲對(duì)于安全加密性IC33帶來(lái)的影響，該安全加密性IC33用于對(duì)所輸入的RF信號(hào)經(jīng)過(guò)RFIC31解調(diào)后而得到的基帶信號(hào)進(jìn)行處理。
[0064]另外，安全加密性IC33內(nèi)置于多層樹脂布線基板30，因此能力圖使高頻模塊3小型化。
[0065]另外，兩個(gè)線圈圖案32a、32b在層向上相鄰配置于磁性體層30e?30g，并以規(guī)定的互感M進(jìn)行親合，由于能以更少的匝數(shù)來(lái)形成電感元件L1、L2，因此能使電感元件L1、L2小型化，并能降低從電感元件L1、L2福射出的磁場(chǎng)噪聲。
[0066](實(shí)施方式2)
[0067]參照?qǐng)D7及圖8對(duì)搭載有本實(shí)用新型的實(shí)施方式2所涉及的高頻模塊的通信終端裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖7是表示本實(shí)用新型的實(shí)施方式2所涉及的高頻模塊的剖視圖。圖8是表示設(shè)置于圖7的高頻模塊所具備的布線基板的電感元件的配置關(guān)系的圖。本實(shí)施方式與上述實(shí)施方式I的不同之處在于，如圖7所示，磁性體層30e?30g的一個(gè)主面?zhèn)鹊亩鄬訕渲季€基板30表面的表面端子301設(shè)有安全加密性IC33，磁性體層30e?30g的另一個(gè)主面?zhèn)鹊碾娊橘|(zhì)層30b、30c內(nèi)置有RFIC31。另外，線圈圖案32a、32b以至少其彼此的螺旋狀的卷繞軸不重疊的方式相鄰配置于磁性體層30e?30g的面方向，從而形成各電感元件L1、L2。此外，如圖8所示，磁性體層30e?30g內(nèi)，配置有各電感元件L1、L2，使得通過(guò)兩個(gè)線圈圖案32a、32b產(chǎn)生的磁場(chǎng)MF形成閉合磁路。其它結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)相同，因此標(biāo)注相同標(biāo)號(hào)并省略對(duì)其結(jié)構(gòu)的說(shuō)明。
[0068]在本實(shí)施方式中，RFIC31具備再布線層，該再布線層具有與設(shè)置于Si或GaAs等半導(dǎo)體基板31a上的集成電路相連接的柱電極31b以及覆蓋柱電極31b的側(cè)面而形成的樹脂密封層31c，形成為所謂的CSP，將從樹脂密封層31c露出的柱電極31b的端面直接與層間導(dǎo)體圖案304相連接。另外，RFIC31的與半導(dǎo)體基板31a的集成電路形成面相反側(cè)的面上連接有散熱用的層間導(dǎo)體圖案304a，將RFIC31的熱量散熱至多層樹脂基板30的外部。
[0069]另外，各磁性體層30e?30g上，分別在面方向上相鄰地地形成有線圈圖案32a、32bο此外，分別利用層間導(dǎo)體圖案304將形成于各磁性體層30e?30g的各線圈圖案32a、32b相連接，從而形成螺旋狀的電感元件L1、L2。
[0070]若采用上述結(jié)構(gòu)，則能起到與上述實(shí)施方式I相同的效果，并也能起到下述效果。也就是說(shuō)，形成各電感元件L1、L2的兩個(gè)線圈圖案32a、32b配置成至少彼此的螺旋狀的卷繞軸不重疊，在磁性體層30e?30g內(nèi)形成由磁場(chǎng)MF所產(chǎn)生的閉合磁路，該磁場(chǎng)MF在兩個(gè)線圈圖案32a、32b中生成，因此能降低從電感元件L1、L2輻射出的磁場(chǎng)噪聲。
[0071]另外，與各電感元件L1、L2—起形成匹配電路32的無(wú)源元件即電容元件Cl、C2(電容元件32c、32d)、與RFIC31配置成將磁性體層30e?30g夾持在中間，因此能防止因RF信號(hào)引起的來(lái)自RFIC31的輻射噪聲對(duì)電容元件Cl、C2的影響而使得匹配電路32的特性發(fā)生變化。
[0072]此外，本實(shí)用新型并不局限于上述各實(shí)施方式，可以在不脫離其技術(shù)思想的范圍內(nèi)，在上述實(shí)施方式之外進(jìn)行各種改變。例如，在上述實(shí)施方式中，以將構(gòu)成RFID系統(tǒng)的高頻模塊作為高頻模塊3為例進(jìn)行了說(shuō)明，但本實(shí)用新型所適用的高頻模塊并不局限于此。
[0073]另外，RFIC31及安全加密性IC33中的某一個(gè)并不一定要內(nèi)置于多層樹脂基板30，RFIC31與安全加密性IC33配置成夾持磁性體層30e?30g即可。另外，也可以僅以磁性體層形成布線基板，該情況下，在磁性體層的某一個(gè)面上配置RFIC31，在另一個(gè)面上配置安全加密性IC33即可。
[0074]工業(yè)上的實(shí)用性
[0075]本實(shí)用新型可以廣泛適用于具備設(shè)置于布線基板的、處理高頻信號(hào)的電子元器件即RFIC、匹配電路、以及其它電子元器件的高頻模塊。
[0076]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0077]3，3a高頻模塊
[0078]4天線元件
[0079]30多層樹脂布線基板(布線基板)
[0080]30e?30g磁性體層
[0081]31 RFIC
[0082]32匹配電路
[0083]33安全加密性IC (其它電子元器件)
[0084]LI, L2電感元件
[0085]Cl, C2電容元件(無(wú)源元件)
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種高頻模塊，具備設(shè)置在布線基板的、處理高頻信號(hào)的電子元器件即RFIC、匹配電路、以及其它電子元器件，其特征在于， 所述布線基板具備磁性體層， 所述RFIC設(shè)置于所述磁性體層的一個(gè)主面?zhèn)?，所述其它電子元器件設(shè)置于所述磁性體層的另一個(gè)主面?zhèn)龋? 形成所述匹配電路的電感元件設(shè)置于所述磁性體層。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其特征在于， 所述RFIC具有將所輸入的所述高頻信號(hào)解調(diào)成基帶信號(hào)，并將所述基帶信號(hào)調(diào)制成所述高頻信號(hào)的功能， 所述其它電子元器件是處理所述基帶信號(hào)的1C。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述其它電子元器件是與所述電感元件一起形成所述匹配電路的無(wú)源元件。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述RFIC及所述其它電子元器件中的某一個(gè)內(nèi)置于所述布線基板。
5.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述電感元件具備在所述磁性體層的厚度方向形成為螺旋狀的兩個(gè)線圈圖案， 所述兩個(gè)線圈圖案相鄰配置，并以規(guī)定的互感進(jìn)行耦合。
6.如權(quán)利要求5所述的高頻模塊，其特征在于， 所述兩個(gè)線圈圖案相鄰配置成至少彼此的螺旋狀的卷繞軸互不重疊，在所述磁性體層內(nèi)形成由所述兩個(gè)線圈圖案中產(chǎn)生的磁場(chǎng)而生成的閉合磁路。
7.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述匹配電路與所述RFIC相連接， 從天線元件輸入的所述高頻信號(hào)經(jīng)由所述匹配電路輸入至所述RFIC中，以及/或者從所述RFIC輸出的高頻信號(hào)經(jīng)由所述匹配電路從天線元件輻射出。
8.如權(quán)利要求1或2所述的高頻模塊，其特征在于， 所述RFIC是RFID用1C。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種高頻模塊，能夠降低來(lái)自處理高頻信號(hào)的電子元器件即RFIC的輻射噪聲對(duì)其它電子元器件的影響，并能實(shí)現(xiàn)模塊的小型化。由于在處理RF信號(hào)的電子元器件即RFIC(31)與安全加密性IC(33)之間配置有磁性體層(30e～30g)，因此由于RF信號(hào)引起的來(lái)自RFIC(31)的輻射噪聲(電磁波)通過(guò)磁性體層(30e～30g)，從而發(fā)熱并產(chǎn)生損耗，因此能降低來(lái)自RFIC(31)的輻射噪聲對(duì)安全加密性IC(33)等其它電子元器件的影響。另外，形成匹配電路(32)的各電感元件(L1、L2)設(shè)置于磁性體層(30e～30g)，由于各電感元件(L1、L2)的電感值增大，因此能使各電感元件(L1、L2)小型化，由此能力圖使高頻模塊(3)小型化。
【IPC分類】H05K3-46, H05K1-16, H01F17-00
【公開號(hào)】CN204316869
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201290001126
【發(fā)明人】鄉(xiāng)地直樹, 池本伸郎, 用水邦明
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社村田制作所
【公開日】2015年5月6日
【申請(qǐng)日】2012年12月17日
【公告號(hào)】WO2013105397A1