銅箔、包含該銅箔的電氣部件以及電池的制作方法【專利摘要】本發(fā)明公開一種銅箔，其粗糙度低且粘接強(qiáng)度優(yōu)良。所公開的一種銅箔，在至少一個(gè)表面形成有凹凸，并在表面形成有微細(xì)粒子層，其中，位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多?！緦＠f明】銅菊、包含該銅菊的電氣部件從及電池
技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本發(fā)明設(shè)及一種銅錐、包含該銅錐的電氣部件W及電池，尤其設(shè)及一種粗糖度低且粘接強(qiáng)度優(yōu)良的銅錐?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]電子工業(yè)中使用的印刷電路板(PCB;p;rintedcircuitboard)用層疊板將酪樹月旨、環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂浸泡在玻璃織布kloth)、牛皮紙、玻璃纖維無紡布等，并將所述樹脂半固化而制備預(yù)浸料，并在預(yù)浸料的單面或雙面層疊銅錐而制造。而且，多層印刷電路板將電路形成于覆銅層疊板(copper-cladlaminate)的雙面而形成內(nèi)層材料，并將預(yù)浸料作為媒介而將銅錐層疊于內(nèi)層材料的雙面而制造。[0003]當(dāng)在預(yù)浸料的單面或雙面層疊銅錐時(shí)，由于材料之間的互異性，使粘接率不足，從而可能在后續(xù)工序中使銅錐從預(yù)浸料分離而導(dǎo)致產(chǎn)品不良。因此，在銅錐上執(zhí)行施加預(yù)浸料之類的旨在提高與樹脂之間的粘接性的表面處理。[0004]使用于印刷電路板的制造的銅錐被執(zhí)行粗糖化處理，該粗糖化處理通過在銅錐的一個(gè)表面貼附微細(xì)的銅粒子等而形成凹凸。當(dāng)執(zhí)行與預(yù)浸料等樹脂之間的接合時(shí)，粗糖化處理的銅錐的凹凸形狀被埋設(shè)于基材樹脂內(nèi)，從而提供錯(cuò)固效應(yīng)(anchoringeffect),據(jù)此使銅錐與基材樹脂之間的密合性提高。[0005]近來受到內(nèi)置印刷電路板的電子裝置的輕薄短小化、高功能化的影響，對(duì)印刷電路板的布線密度的要求也與日俱增。因?yàn)楫a(chǎn)品的品質(zhì)需要提高，而且通過蝕刻而形成的電路的形狀也趨于高質(zhì)化，所W需要一種可完全執(zhí)行阻抗控制的水平的電路蝕刻因素。[0006]當(dāng)如上所述的銅錐的表面處理得到執(zhí)行時(shí)，銅錐的表面粗糖度增加，而且銅錐與基材樹脂之間的密合性提高，然而針對(duì)微電路的蝕刻性卻可能降低。因此，需要開發(fā)出一種慮及蝕刻性而既可W維持銅錐的表面粗糖度又能夠提高密合性的技術(shù)?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0007]技術(shù)問題[000引本發(fā)明是為了解決如上所述的技術(shù)問題而提出的，其目的在于提供一種粗糖度低且粘接強(qiáng)度優(yōu)良的銅錐。[0009]技術(shù)方案[0010]為了達(dá)到如上所述之目的，根據(jù)本發(fā)明的一方面的銅錐，在至少一個(gè)表面形成有凹凸，所述表面形成有微細(xì)粒子層，其中，位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。[0011]上部微細(xì)粒子的數(shù)量與下部微細(xì)粒子的數(shù)量之比可W是80:20至100:0。[0012]上部微細(xì)粒子的中屯、線連接形狀可W是Ξ角形。[OOU]微細(xì)粒子的直徑可從是1至3皿。[0014]微細(xì)粒子可W是包括銅(Cu)、鐵(Fe)、鋼(Mo)W及鉆(Co)中的至少一種金屬的金屬粒子或銅合金粒子。[0015]銅錐的剝離強(qiáng)度可W是1.28至1.33kgf/cm，表面粗糖度Rz可W是5.2至6.5皿，表面粗糖度Rmax可W是6.5至7.7皿。[0016]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種電氣部件，包括:絕緣性基材;如上所述的銅錐，貼附于絕緣性基材的一個(gè)表面。[0017]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種包括如上所述的銅錐的電池。[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種銅錐的表面處理方法，包括如下步驟:銅錐制備步驟，所述銅錐在至少一個(gè)表面形成有凹凸；微細(xì)粒子層形成步驟，在形成有凹凸的表面形成微細(xì)粒子層，并W如下方式形成微細(xì)粒子層:使位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。[0019]形成微細(xì)粒子層的步驟W如下方式執(zhí)行:將銅錐浸泡在表面處理液并進(jìn)行電解，從而在形成有凹凸的表面形成微細(xì)粒子層，所述表面處理液包含硫酸銅、硫酸W及金屬，所述金屬包括鐵(Fe)、鋼(Mo)W及鉆(Co)。[0020]鐵的含量可W是10至30g，鋼的含量可W是0.5至lOg，鉆的含量可W是1至15g?？稍?0至eOAAlm2的條件下執(zhí)行為期1至5秒的用于形成微細(xì)粒子層的電解鍛覆工序。[0021]有益效果[0022]根據(jù)本發(fā)明的銅錐具有如下技術(shù)效果:粗糖度低且粘接強(qiáng)度優(yōu)良。因此，用于形成微電路基板的蝕刻性得到保障，與此同時(shí)粘接強(qiáng)度優(yōu)良，從而可W提高與樹脂等之間的密合性，于是在制造利用到銅錐的產(chǎn)品時(shí)使產(chǎn)品可靠性得到提高?！靖綀D說明】[0023]圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的銅錐的表面的圖。[0024]圖2為表示圖1中除去微細(xì)粒子的銅錐的表面的圖。[0025]圖3為表示圖1中的銅錐表面的局部的圖。[0026]圖4為關(guān)于實(shí)施例1中得到表面處理的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡（scanningelectronmicroscopy;SEM)圖像。[0027]圖5為關(guān)于實(shí)施例2的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0028]圖6為關(guān)于實(shí)施例3的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0029]圖7為關(guān)于實(shí)施例4的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0030]圖8為關(guān)于比較例1的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0031]圖9為關(guān)于比較例2的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0032]圖10為關(guān)于比較例3的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡圖像。[0033]最優(yōu)實(shí)施形態(tài)[0034]根據(jù)本發(fā)明之一方面的銅錐，在至少一個(gè)表面形成有凹凸，并在表面形成有微細(xì)粒子層，其中，位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。【具體實(shí)施方式】[0035]W下，對(duì)基于優(yōu)選實(shí)現(xiàn)例的銅錐、包含銅錐的電氣部件及電池、W及銅錐的表面處理方法進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。[0036]圖1為表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的銅錐的表面的圖，圖2為表示圖1中除去微細(xì)粒子的銅錐的表面的圖，圖3為表示圖1中的銅錐表面的局部的圖。根據(jù)本實(shí)施例的銅錐在表面形成有凹凸，并在表面形成有微細(xì)粒子層，其中，位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。[0037]根據(jù)本發(fā)明的銅錐在表面形成有凹凸。銅錐制造工藝通常分類為制錐工序和表面處理工序，該制錐工序即為制造銅錐本身的工序，該表面處理工序則是對(duì)制造出的銅錐的表面進(jìn)行處理的工序。通過制錐工序制造出的銅錐因工藝而具有不同量值的表面粗糖度。良P，在粗糖度較高的情況下，表面包含有較大的凹凸，而在粗糖度較低的情況下，表面包含有較小的凹凸。[0038]針對(duì)運(yùn)種包含凹凸的表面，根據(jù)需要而多種執(zhí)行表面處理工藝，并在后續(xù)的工序中賦予必要特性。例如，當(dāng)使用于FPCB時(shí)或者使用為二次電池的陰極集電體時(shí)，為了提高與樹脂或活性物質(zhì)等之間的密合性，可對(duì)表面進(jìn)行粗糖化處理而提高粗糖度，并可為了防止銅粒子向其他層的擴(kuò)散而執(zhí)行阻隔處理，且可W執(zhí)行防誘處理或表面處理，所述防誘處理用于防止表面氧化，所述表面處理通過在最外輪廓應(yīng)用借助于硅烷偶聯(lián)劑的表面處理而加強(qiáng)粘接力。[0039]其中，為了提高與銅錐、樹脂或活性物質(zhì)等之間的密合性，執(zhí)行旨在提高表面粗糖度的粗糖化處理，作為粗糖化處理可在即將與樹脂或活性物質(zhì)接觸的銅錐的表面形成微細(xì)粒子層。[0040]參考圖1，銅錐100在銅錐層110的表面形成有凹凸120,凹凸120處由微細(xì)粒子131形成微細(xì)粒子層130。一并參考圖2,可將基于銅錐210的凹凸220的平均高度的平均線(m)作為基準(zhǔn)而分類微細(xì)粒子。即，將位于平均線(m)上方的微細(xì)粒子稱為上部微細(xì)粒子，并將位于平均線(m)下方的微細(xì)粒子稱為下部微細(xì)粒子。[0041]對(duì)于根據(jù)本發(fā)明的銅錐100而言，上部微細(xì)粒子多于下部微細(xì)粒子。上部微細(xì)粒子位于凹凸120的峰部，下部微細(xì)粒子位于凹凸120的谷部。對(duì)于如本發(fā)明的銅錐100那樣上部微細(xì)粒子多于下部微細(xì)粒子或者不存在下部微細(xì)粒子的銅錐而言，在凹凸120的谷部存在較少的微細(xì)粒子或者不存在微細(xì)粒子。因此，在凹凸120的谷部形成有空余空間，而且孔隙率增加。在運(yùn)樣的空余空間中，例如在銅錐100與樹脂或活性物質(zhì)接觸的情況下，樹脂或活性物質(zhì)填充空余空間，從而使密合性提高。[0042]對(duì)銅錐的表面進(jìn)行粗糖化處理的理由是為了使因粗糖化處理而加劇了凹凸化現(xiàn)象的銅錐的表面被埋設(shè)于樹脂等而提供錯(cuò)固效應(yīng)，從而提高密合性。然而，對(duì)于本發(fā)明的另一種銅錐而言，在此基礎(chǔ)上使凹凸的峰與峰之間的谷中少形成微細(xì)粒子，從而形成空余空間，并在其上部形成微細(xì)粒子，W使填充于空余空間的樹脂提供錯(cuò)固效應(yīng)，從而將會(huì)提高密合性。[0043]為此，優(yōu)選使微細(xì)粒子位于銅錐210的平均線(m)的上方部分，并使微細(xì)粒子少位于下方部分，從而最大限度地確?？紫堵省＠?，上部微細(xì)粒子的數(shù)量與下部微細(xì)粒子的數(shù)量之比可W是80:20至100:0。[0044]并且，為了極大化錯(cuò)固效應(yīng)，上部微細(xì)粒子中屯、點(diǎn)的連接形狀可W呈現(xiàn)出Ξ角形。參考圖3,凹凸320中形成有Ξ個(gè)上部微細(xì)粒子331、332、333，連接其中屯、點(diǎn)口1、口2、口3的中屯、形狀340為Ξ角形。[0045]微細(xì)粒子的直徑可W是1至3μπι。如果微細(xì)粒子的直徑太小，則可能滲透到凹凸的谷部而使下部微細(xì)粒子的比例增加，如果微細(xì)粒子的直徑過大，則導(dǎo)致整體的凹凸增大，從而將會(huì)提高銅錐的表面粗糖度，因此對(duì)蝕刻性不利。[0046]微細(xì)粒子可W是包括銅(Cu)、鐵(Fe)、鋼(Mo)W及鉆(Co)中的至少一種金屬的金屬粒子或者銅合金粒子。[0047]銅錐的剝離強(qiáng)度可W是1.28至1.33kgf/cm，表面粗糖度Rz可W是5.2至6.5皿，表面粗糖度Rmax可W是6.5至7.7。根據(jù)本發(fā)明的銅錐中形成于凹凸部分的微細(xì)粒子側(cè)重于峰部而形成，從而使表面粗糖度降低，并使剝離強(qiáng)度得到提高，因此密合性提高。[0048]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種電氣部件，包括:絕緣性基材;銅錐，貼附于絕緣性基材的一個(gè)表面。包含于電氣部件的銅錐包括通過對(duì)銅錐進(jìn)行蝕刻而形成的電路。[0049]作為運(yùn)樣的電氣部件，例如包括TAB帶、印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路板(FPC;FlexiblePCB)等，然而并不局限于此，只要是本
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中可用于將銅錐貼附在絕緣性基材上而使用的電氣部件就都適用。[0050]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種包含前述銅錐的電池。銅錐可被使用為電池的陰極集電體，然而并不局限于此而也可W應(yīng)用為電池中使用的其他構(gòu)成要素。電池并不特別受限而一應(yīng)包含一次電池、二次電池，只要是本
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中可使用的如下電池即可:將銅錐使用為集電體的電池，如裡離子電池、裡聚合物電池、裡空氣電池等。[0051]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種銅錐的表面處理方法，包括如下步驟:銅錐制備步驟，所述銅錐在至少一個(gè)表面形成有凹凸；微細(xì)粒子層形成步驟，在形成有所述凹凸的表面形成微細(xì)粒子層，并W如下方式形成微細(xì)粒子層:使位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。[0052]在根據(jù)本發(fā)明的銅錐的表面處理方法中，將所述銅錐浸泡在表面處理液并進(jìn)行電解，從而在形成有所述凹凸的銅錐的至少一個(gè)表面形成微細(xì)粒子層，所述表面處理液包含硫酸銅、硫酸W及金屬，所述金屬包括鐵(Fe)、鋼(Mo)W及鉆(Co)。[0化3]表面處理液中鐵包含10至30g，鋼包含0.5至lOg，鉆包含1至15g。如果表面處理液中包含的金屬的含量過低，則銅合金的形成并不充分，因此難W調(diào)節(jié)上部微細(xì)粒子與下部微細(xì)粒子的比例，如果金屬的含量過高，則微細(xì)粒子過多地形成，從而使表面粗糖度提高，因此可能對(duì)蝕刻性方面不利。[0054]用于形成微細(xì)粒子層的電解鍛覆工序可在20至60A/dm2的條件下執(zhí)行1至5秒時(shí)間。[0055]根據(jù)本發(fā)明的銅錐可被額外執(zhí)行表面處理。例如，可包括耐熱性處理、耐化學(xué)性處理、銘酸鹽處理、硅烷偶聯(lián)處理中的一種或者其組合方式的處理，究竟實(shí)施哪種表面處理則可W根據(jù)后續(xù)工序而適當(dāng)?shù)剡x定。[0056]耐熱性及耐化學(xué)性處理例如可通過將儀、錫、鋒、銘、鋼、鉆等金屬中的至少一種或者其合金應(yīng)用瓣射、電鍛或無電解鍛覆而W薄膜形態(tài)形成于金屬錐上。在成本方面優(yōu)選電鍛方式。為了使金屬離子的析出變得容易，可將巧樣酸鹽、酒石酸鹽、氨基橫酸鹽等絡(luò)合劑添加必要量。[0057]在銘酸鹽處理中，利用包含6價(jià)至3價(jià)銘離子的水溶液。銘酸鹽處理固然可W采用單純的浸泡方式，然而優(yōu)選W陰極處理方式執(zhí)行。優(yōu)選在0.1至70g/L的重銘酸鋼、1至13的pH、15至60°C的浴溫度、0.1至5AAlm2的電流密度、0.1至100秒的電解時(shí)間條件下執(zhí)行。也可W用銘酸或重銘酸鐘取代重銘酸鋼而執(zhí)行所述處理。而且，銘酸鹽處理優(yōu)選在防誘處理之上實(shí)施，據(jù)此可進(jìn)一步提高耐濕性及耐熱性。[0058]作為用于硅烷偶聯(lián)處理的硅烷偶聯(lián)劑，例如可W使用如下物質(zhì):環(huán)氧官能硅烷，例如3-環(huán)氧丙基二甲氧基硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基二甲氧基硅烷等;氨基官能硅烷，例如3-氨丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷等;締控官能硅烷，例如乙締基Ξ甲氧基硅烷、乙締基苯基Ξ甲氧基娃燒、乙締基Ξ(2-甲氧基乙氧基)硅烷等;丙締酸官能硅烷，例如3-丙締酷氧基丙基Ξ甲氧基硅烷等；甲基丙締酸醋官能硅烷，例如3-甲基丙締酷氧基丙基Ξ甲氧基硅烷等;琉官能娃燒，例如3-琉丙基Ξ甲氧基硅烷等。運(yùn)些官能硅烷既可W單獨(dú)應(yīng)用，也可W將多個(gè)官能硅烷混合應(yīng)用。[0059]運(yùn)種偶聯(lián)劑可在水等溶劑中W0.1至15g/L的濃度溶解并在室溫至70°C的溫度下涂布在金屬錐，或者進(jìn)行電吸附。所述硅烷偶聯(lián)劑通過與金屬錐表面的防誘處理金屬的氨氧基縮合結(jié)合而形成被覆膜。在硅烷偶聯(lián)處理過后，通過加熱、紫外線照射等而形成穩(wěn)定的結(jié)合。加熱則在100至200°C的溫度下干燥處理2至60秒。紫外線照射則在200至400皿、200至2500mJ/cm2的范圍內(nèi)執(zhí)行。而且，硅烷偶聯(lián)處理優(yōu)選對(duì)銅錐的最外層執(zhí)行，據(jù)此可進(jìn)一步改善耐濕性W及絕緣樹脂組成物與金屬錐之間的密合性。[0060]W下，列舉優(yōu)選實(shí)施例而更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，然而本發(fā)明并不局限于此。[0061][銅錐的制造][0062]為了通過電解制造銅錐，采用了能夠W20L/min進(jìn)行循環(huán)的化容量的電解槽系統(tǒng)，銅電解液的溫度維持為45°C的恒定水平。陽(yáng)極采用了厚度為5mm且大小為10X10cm2的DSE(尺寸定常電極;DimentionallyStableElectrode)極板，陰極采用了大小及厚度與陽(yáng)極相同的鐵極板。[006；3]為了使Cu2+離子的移動(dòng)順楊，電流密度設(shè)定為35A/dm2并實(shí)施鍛覆，并制造出1祉m厚度的銅錐。[0064]*銅電解液的基本組成如下。[00化]CuS〇4·5出0:250~400g/L[0066]出S04:80~150g/L[0067]在銅電解液中添加了氯離子和添加劑。[006引（實(shí)施例1)[0069]對(duì)制造出的銅錐應(yīng)用如下的銅電解液而在35A/dm2條件下執(zhí)行1至5秒的電解，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于根據(jù)實(shí)施例1而形成微細(xì)粒子層的銅錐的表面的掃描電子顯微鏡（scanningelectronmicroscopy;SEM)圖像如圖4所示。[0070]CuS〇4·5出0:85g/L[0071]出S〇4:125g/L[0072]Fe:19g/L[0073]Mo:l.lg/L[0074]Co：8g/L[0075](實(shí)施例2)[0076]除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖5中。[0077]CuS〇4·5出0:85g/L[007引出S04:125g/L[0079]Fe：25g/L[0080]Mo:l.lg/L[0081]Co：8g/L[0082](實(shí)施例3)[0083]除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖6中。[0084]CuS〇4·5出0:85g/L[00化]出S〇4:125g/L[0086]Fe:19g/L[0087]Mo:0.7g/L[008引Co:8g/L[0089](實(shí)施例4)[0090]*除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖7中。[0091]CuS〇4·5出0:85g/L[0092]出S〇4:125g/L[0093]Fe:19g/L[0094]Mo:l.lg/L[0095]Co：10g/L[0096](比較例1)[0097]除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖8中。[009引CuS04·5出0:70g/L[0099]出S〇4:165g/L[0100]Mo:0.57g/L[0101]W:10g/L[0102](比較例2)[0103]除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖9中。[0104]CuS〇4·5出0:70g/L[0105]出S〇4:165g/L[0106]Mn：lg/L[0107](比較例3)[0108]除了如下所述的內(nèi)容，W與實(shí)施例1相同的方式對(duì)銅錐表面執(zhí)行電解鍛覆，從而形成了微細(xì)粒子層。關(guān)于形成有微細(xì)粒子層的銅錐表面的SEM圖像被示于圖10中。[0109]CuS〇4·5出0:70g/L[0110]出S〇4:165g/L[0111]Ga：lg/L[0112]針對(duì)實(shí)施例1至實(shí)施例4、比較例1至比較例3的銅錐中得到表面處理的面，測(cè)量出表面粗糖度(Rz、Rmax)和剝離強(qiáng)度，并示于表1中。表面粗糖度Rz、Rmax基于JISB0601-1994規(guī)范而得到測(cè)定，剝離強(qiáng)度則W如下方式得到測(cè)定：將制備于無面預(yù)浸料化alogen-freepr邱regs)的試片WlOXlOOmm的尺寸貼附，并在210°C下實(shí)施了為期30分鐘的熱社沖壓加工，從而制備出剝離強(qiáng)度測(cè)量試片，并將制備的試片投用于U.T.Μ設(shè)備而W每分鐘50mm的速率進(jìn)行了測(cè)量。表面粗糖度的值越低，意味著凹凸越小。[0113][表1][0114]____[0115]圖4至圖7為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至實(shí)施例4的銅錐的表面圖像。參考圖4可W確認(rèn)，微細(xì)粒子集中在銅錐表面的凹凸的峰部。圖5至圖7也與圖1類似地可供確認(rèn)，微細(xì)粒子稠密地位于銅錐表面的凹凸的峰部，谷部處的粒子少于峰部。[0116]與之相比，由作為比較例1至比較例3的銅錐表面圖像的圖8至圖10則可W確認(rèn)，微細(xì)粒子均勻地分布于凹凸的峰部和谷部。在比較例1至比較例3的銅錐中，微細(xì)粒子覆蓋了銅錐的整個(gè)表面。[0117]在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至實(shí)施例4的銅錐表面處，位于凹凸的平均線上方的上部微細(xì)粒子比下部微細(xì)粒子更眾多地存在，下部微細(xì)粒子存在得較少，運(yùn)將會(huì)使樹脂或活性物質(zhì)滲透到谷部的可能性提高，從而預(yù)計(jì)提高密合性。[0118]據(jù)此，由表1可知，實(shí)施例1的銅錐的表面粗糖度低于比較例1的表面粗糖度，然而剝離強(qiáng)度卻更高，因此在隨后的工序中與即將接觸的樹脂或活性物質(zhì)之類的其他物質(zhì)之間的密合性較高。尤其，具有更低下的表面粗糖度而非相同表面粗糖度的實(shí)施例1的銅錐的剝離強(qiáng)度高于比較例1，由運(yùn)一評(píng)估結(jié)果可推定出實(shí)施例1的微細(xì)粒子的位置表現(xiàn)出偏重性。實(shí)施例2至實(shí)施例4的銅錐雖然也存在表面粗糖度值的偏差，然而小于或相近于比較例1至比較例3的表面粗糖度值，反觀剝離強(qiáng)度卻分別達(dá)到1.30kgf/cmW上，其表現(xiàn)出高于比較例1至比較例3的剝離強(qiáng)度的值。[0119]因此，如果采用根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至實(shí)施例4的銅錐，則在產(chǎn)品制造時(shí)與樹脂或活性物質(zhì)等其他物質(zhì)之間的密合性較高，因此工藝中的不良率低，且收率提高，并由于表面粗糖度較低而具有優(yōu)良的蝕刻性，從而還可W用于形成微電路圖案，因此產(chǎn)品可靠性得到提局。[0120]本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施形態(tài)及其附圖，而應(yīng)當(dāng)根據(jù)權(quán)利要求書進(jìn)行解釋。并且，能夠在不脫離權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍內(nèi)對(duì)本發(fā)明實(shí)施多樣的形態(tài)的置換、變形及變更，運(yùn)對(duì)于本發(fā)明所屬的
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中具有基本知識(shí)的人員而言是顯而易見的?！局鳈?quán)項(xiàng)】1.一種銅箱，在至少一個(gè)表面形成有凹凸，所述表面形成有微細(xì)粒子層，其中，位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。2.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，所述上部微細(xì)粒子的數(shù)量與所述下部微細(xì)粒子的數(shù)量之比為80:20至100:0。3.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，所述上部微細(xì)粒子的中心線連接形狀為三角形。4.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，所述微細(xì)粒子的直徑為1至3μπι。5.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，所述微細(xì)粒子為包括銅、鐵、鉬以及鈷中的至少一種金屬的金屬粒子。6.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，剝離強(qiáng)度為1.28至1.33kgf/cm。7.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，表面粗糙度Rz為5.2至6.5μπι。8.如權(quán)利要求1所述的銅箱，其中，表面粗糙度Rmax為6.5至7.7μπι。9.一種電氣部件，包括：絕緣性基材；以及如權(quán)利要求1至8中的任意一項(xiàng)所述的銅箱，貼附于所述絕緣性基材的一個(gè)表面。10.-種電池，包括：如權(quán)利要求1至8中的任意一項(xiàng)所述的銅箱。11.一種銅箱的表面處理方法，包括如下步驟：銅箱制備步驟，所述銅箱在至少一個(gè)表面形成有凹凸；以及微細(xì)粒子層形成步驟，在形成有所述凹凸的表面形成微細(xì)粒子層，并以如下方式形成微細(xì)粒子層:使位于基于表面平均高度的平均線上方的上部微細(xì)粒子比位于所述平均線下方的下部微細(xì)粒子更多。12.如權(quán)利要求11所述的銅箱的表面處理方法，其中，形成所述微細(xì)粒子層的步驟為如下的步驟：將所述銅箱浸泡在表面處理液并進(jìn)行電解，從而在形成有所述凹凸的表面形成微細(xì)粒子層，所述表面處理液包含硫酸銅、硫酸以及金屬，所述金屬包括鐵、鉬以及鈷。13.如權(quán)利要求12所述的銅箱的表面處理方法，其中，所述鐵的含量為10至30g。14.如權(quán)利要求12所述的銅箱的表面處理方法，其中，所述鉬的含量為0.5至10g。15.如權(quán)利要求12所述的銅箱的表面處理方法，其中，所述鈷的含量為1至15g。16.如權(quán)利要求12所述的銅箱的表面處理方法，其中，在20至60A/dm2的條件下將所述電解執(zhí)行1至5秒。【文檔編號(hào)】H05K1/09GK105874891SQ201480071903【公開日】2016年8月17日【申請(qǐng)日】2014年12月26日【發(fā)明人】崔恩實(shí),范元辰,宋基德【申請(qǐng)人】日進(jìn)材料股份有限公司