4個(gè))的天線用貫通孔12分別由保持電感耦合型天線41的兩端部42、43的多個(gè)(圖示為4個(gè))天線保持部80堵塞，以保持處理腔室1內(nèi)的密閉性。
[0096]天線保持部80是圓盤狀的構(gòu)件。天線保持部80以使電感耦合型天線41從處理腔室1的頂板11向處理空間VI突出的方式，相對(duì)于頂板11保持各電感耦合型天線41。另夕卜，多個(gè)天線保持部80以多個(gè)電感耦合型天線41沿著預(yù)定的假想軸K排成一列的方式，保持多個(gè)電感耦合型天線41，該假想軸K沿著頂板11延伸。此外，在處理腔室1具有一個(gè)電感耦合型天線41的情況下，天線用貫通孔12以及天線保持部80也分別具有一個(gè)。
[0097]天線保持部80是以電感親合電感親合能夠在與該電感親合型天線41的突出方向交叉的面內(nèi)、更優(yōu)選與該突出方向垂直的面內(nèi)改變使多個(gè)電感耦合型天線41中的對(duì)應(yīng)的電感耦合型天線41的兩端部42、43連接的線段L的朝向的方式，在該電感耦合型天線41的兩端部42、43保持該電感耦合型天線41的構(gòu)件。更詳細(xì)地說，多個(gè)天線保持部80以能夠分別獨(dú)立變更線段L的朝向的方式保持多個(gè)電感耦合型天線。
[0098]通過使天線保持部80變更電感耦合型天線41的朝向，能夠改變由該電感耦合型天線41產(chǎn)生的等離子體離子密度的分布。由此，能夠提高處理空間VI內(nèi)的等離子體離子密度的均勻性。關(guān)于用于將天線保持部80安裝在頂板11中的對(duì)應(yīng)的天線用貫通孔12的周邊部上的安裝結(jié)構(gòu)，在后面敘述。
[0099]<結(jié)構(gòu)部5>
[0100]結(jié)構(gòu)部5以與基板9的搬送路徑相向的方式固定在頂板11上。結(jié)構(gòu)部5具有相互相向的一對(duì)側(cè)屏蔽件51和相互相向的一對(duì)屏蔽構(gòu)件55。一對(duì)側(cè)屏蔽件51和一對(duì)屏蔽構(gòu)件55分別被接地。
[0101]—對(duì)側(cè)屏蔽件51各自是在橫穿基板9的搬送路徑的方向(X方向)上延伸的板狀的構(gòu)件，各自的在X軸上的兩端部延伸到處理腔室1的在X軸上的兩端的壁部附近。一對(duì)側(cè)屏蔽件51的主面的法線方向?yàn)榛?的搬送方向(Y方向)，一對(duì)側(cè)屏蔽件51是與搬送路徑垂直的板狀體。在一對(duì)側(cè)屏蔽件51的各自的頂端形成有凸緣部。各凸緣部的主面的法線方向是Z方向，各凸緣部是與XY平面平行的板狀體。
[0102]一對(duì)側(cè)屏蔽件51的頂端的高度設(shè)定為，分別比電感耦合型天線41的頂端(U字形狀的底部)44高且相互大致相等的高度。一對(duì)側(cè)屏蔽件51例如由鋁制成。
[0103]—對(duì)屏蔽構(gòu)件55是以隔著排列為一列的多個(gè)電感親合型天線41相互相向的方式，從處理腔室1的頂板11豎立設(shè)置的板狀的構(gòu)件。
[0104]—對(duì)屏蔽構(gòu)件55各自具有:平板狀的底座56，安裝為能夠沿著頂板11的下表面Ill在X方向上移動(dòng)；平板狀的固定板57，基端被固定在底座56的端緣，從該端緣向下方豎立設(shè)置；平板狀的可動(dòng)板58，能夠相對(duì)于固定板57在鉛垂方向上移動(dòng)。底座56以能夠沿著頂板11的下表面111在多個(gè)電感耦合型天線41的配列方向、即假想軸K的方向移動(dòng)的方式安裝在頂板11上。
[0105]在頂板11上形成有沿著多個(gè)電感耦合型天線41的排列方向、即假想軸K的方向排列的多個(gè)盲孔。在各盲孔的內(nèi)周面形成有與螺栓螺合的內(nèi)螺紋。另外，在底座56上形成有用于使該螺栓貫通的貫通孔。由此，底座56在沿著多個(gè)電感耦合型天線41的排列方向的多個(gè)位置，固定在頂板11上。
[0106]另外，在固定板57上，形成有貫通固定板57并在鉛垂方向上延伸的2個(gè)長(zhǎng)孔。另夕卜，在可動(dòng)板58上設(shè)置有隔著該2個(gè)長(zhǎng)孔彼此之間的間隔而形成的2個(gè)貫通螺栓孔。在各貫通螺栓孔的內(nèi)周面形成有能夠與貫通固定板57的長(zhǎng)孔的螺栓相螺合的內(nèi)螺紋。通過使用該螺栓，可動(dòng)板58以能夠改變沿著鉛垂方向的位置的方式固定在固定板57上。
[0107]電感耦合型天線41突出的三維空間中的等離子體離子密度在使呈U字形狀的電感耦合型天線41中的圓弧狀部分的兩端連接的線段的中心點(diǎn)處最高。等離子體離子密度隨著從該中心點(diǎn)向三次元空間中的各方向遠(yuǎn)離而衰減。在以電感耦合型天線41為中心擴(kuò)展的等離子體離子密度分布之中，插入屏蔽構(gòu)件55的情況下，抑制該等離子體離子密度的衰減。更具體地說，在插入屏蔽構(gòu)件55的情況下，等離子體離子密度與未插入屏蔽構(gòu)件55的情況相比緩緩下降，在屏蔽構(gòu)件55附近急劇下降。在屏蔽構(gòu)件55的壁面，等離子體消失。由插入屏蔽構(gòu)件55引起的等離子體離子密度的下降方向在以后述的圖8為例的情況下，為紙面上下方向。
[0108]因此，當(dāng)屏蔽構(gòu)件55距下表面111的高度變高時(shí)，能夠提高基板9的附近空間的等離子體離子密度。另外，即使通過使屏蔽構(gòu)件55沿著多個(gè)電感耦合型天線41的配列方向接近多個(gè)電感耦合型天線41的端部的天線，也能夠提高基板9的附近空間的等離子體離子密度。沿著多個(gè)電感耦合型天線41的配列方向改變屏蔽構(gòu)件55的位置，相比改變屏蔽構(gòu)件55距頂板11的高度的情況，能夠使等離子體離子密度的變動(dòng)幅度變大。這樣，通過改變屏蔽構(gòu)件55的位置和高度中的一個(gè)，能夠調(diào)節(jié)等離子體離子密度的分布。此外，如果無需改變由接近一對(duì)屏蔽構(gòu)件55中的一個(gè)屏蔽構(gòu)件55的電感耦合型天線41引起的等離子體離子密度的分布，則可以取代該一個(gè)屏蔽構(gòu)件55，而將具有無法改變相對(duì)于頂板11的位置的結(jié)構(gòu)的屏蔽構(gòu)件安裝在頂板11上。另外，在即使不設(shè)置一對(duì)屏蔽構(gòu)件55，由兩端電感耦合型天線41帶來的等離子體離子密度分布與由其他電感耦合型天線41帶來的等離子體離子密度分布之差也在容許范圍內(nèi)的情況下，無需設(shè)置一對(duì)屏蔽構(gòu)件55。
[0109]這樣，一對(duì)側(cè)屏蔽件51、一對(duì)屏蔽構(gòu)件55和頂板11的下表面111為包圍處理空間VI的壁面。
[0110]〈氣體供給部61>
[0111]—對(duì)氣體供給部61各自具有:原料氣體的供給源611 ;多個(gè)(圖示為4個(gè))噴嘴615，將原料氣體向處理空間VI供給；配管612，使供給源611和多個(gè)噴嘴615連接；閥613，設(shè)置在配管612的路徑途中。多個(gè)噴嘴615分別與各多個(gè)電感耦合型天線41對(duì)應(yīng)設(shè)置。
[0112]氣體供給部61向處理空間VI供給原料氣體。具體地說，從各噴嘴615供給作為原料氣體的例如硅烷(SiH4)氣體等。運(yùn)載原料氣體的非活性氣體可以作為運(yùn)載氣體與原料氣體一起從氣體供給部61供給。
[0113]閥613優(yōu)選是能夠自動(dòng)調(diào)整在配管612流動(dòng)的氣體的流量的閥，具體地說，優(yōu)選包括例如質(zhì)量流量控制器等。
[0114]〈排氣部7>
[0115]排氣部7是高真空排氣系統(tǒng)，具體地說，例如具有真空栗71、排氣配管72和排氣閥73。排氣配管72的一端與真空栗71連接，另一端與處理空間VI連通連接。另外，排氣閥73設(shè)置在排氣配管72的路徑途中。具體地說，排氣閥73是例如包括APC(自動(dòng)壓力控制器:Auto pressure controller)等，并能夠?qū)υ谂艢馀涔?2流動(dòng)的氣體的流量自動(dòng)調(diào)整的閥。在該結(jié)構(gòu)中，在真空栗71動(dòng)作的狀態(tài)下打開排氣閥73時(shí)，對(duì)處理空間VI進(jìn)行排氣。
[0116]〈控制部8>
[0117]控制部8與等離子體處理裝置100所具有的各結(jié)構(gòu)構(gòu)件電連接(在圖1中簡(jiǎn)略圖示)，對(duì)這些各構(gòu)件進(jìn)行控制。具體地說，控制部8例如由通常的計(jì)算機(jī)構(gòu)成，在該計(jì)算機(jī)中，進(jìn)行各種運(yùn)算處理的CPU、存儲(chǔ)程序等的R0M、成為運(yùn)算處理的作業(yè)區(qū)域的RAM、存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)文件等的硬盤、具有經(jīng)由LAN等的數(shù)據(jù)通信功能的數(shù)據(jù)通信部等由總線等相互連接。另外，控制部8與由進(jìn)行各種顯示的顯示器、鍵盤以及鼠標(biāo)等構(gòu)成的輸入部等連接。在等離子體處理裝置100中，在控制部8的控制下，對(duì)基板9執(zhí)行規(guī)定的處理。
[0118]<天線保持部80向頂板11的安裝結(jié)構(gòu)>
[0119]圖4是示意性地表示等離子體處理裝置100的天線保持部80和其周邊部的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是圖4的天線保持部80的B-B剖視圖。圖6是圖4的天線保持部80的C-C剖視圖。
[0120]各天線保持部80是能夠保持對(duì)應(yīng)的電感耦合型天線41的例如圓板形狀等的板狀構(gòu)件。如上所述，在處理腔室1的頂板11上形成有能夠插入各天線保持部80所保持的各電感耦合型天線41的多個(gè)(圖示為4個(gè))天線用貫通孔12。各天線用貫通孔12具有以能夠由對(duì)應(yīng)的天線保持部80關(guān)閉的方式與天線保持部80對(duì)應(yīng)的形狀。更具地說，天線用貫通孔12的尺寸小于天線保持部80的尺寸。另外，如果天線保持部80為圓形(圓板狀)，則優(yōu)選天線用貫通孔12的形狀也為圓形。如果在天線保持部80完全堵塞天線用貫通孔12的狀態(tài)下，天線保持部80的周緣部和頂板11中的天線用貫通孔12的周邊部具有能夠相互固定的寬度來重合，則天線保持部80和天線用貫通孔12的形狀也可以不同。具體地說，天線保持部80和天線用貫通孔12中的一個(gè)的形狀例如可以為正八邊形，另一個(gè)的形狀例如為圓。
[0121]在天線保持部80的周緣部和頂板11中的天線用貫通孔12的周邊部，分別設(shè)置有安裝結(jié)構(gòu)830、130，在天線保持部80沿著天線用貫通孔12的周向分別處于多個(gè)旋轉(zhuǎn)角度時(shí)，安裝結(jié)構(gòu)830、130以使天線保持部80堵塞天線用貫通孔12的方式將天線保持部80的周緣部能夠裝卸地安裝在天線用貫通孔12的周邊部上。在保持電感耦合型天線41的天線保持部80使電感耦合型天線41向處理腔室1內(nèi)突出并關(guān)閉天線用貫通孔12的狀態(tài)下，天線保持部80的周緣部和天線用貫通孔12的周邊部相互安裝在一起。
[0122]具體地說，在天線保持部80的周緣部設(shè)置的安裝結(jié)構(gòu)830是多個(gè)(在圖示的例子中，為每隔旋轉(zhuǎn)角度30°設(shè)置的12個(gè))的螺栓用貫通孔83，多個(gè)螺栓用貫通孔83形成于以使天線保持部80所保持的電感耦合型天線41的