硫醇化合物中的硫醇將與金屬基底110的表面的金屬原子產(chǎn)生反應(yīng)，而以烷硫基、芳硫基或是芳烷硫基的形式以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至金屬基底110的表面，其中硫原子將與金屬原子產(chǎn)生以化學(xué)鍵的方式結(jié)合。艮P，保護(hù)層130以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至金屬基底110的表面。如此一來，硫醇化合物可在金屬基底110的表面形成細(xì)致的一保護(hù)層130，保護(hù)層130為電性絕緣且具有疏水性質(zhì)。保護(hù)層130具有良好的耐化學(xué)性(chemical resistant)以及耐熱性(thermal resistant)。保護(hù)層130的厚度例如是0.1至5納米(nm)。由于保護(hù)層130的厚度相當(dāng)?shù)谋?，?dāng)金屬基底110為金屬螺帽時(shí)，皆著在螺紋上的保護(hù)層130也不易影響到螺紋的尺寸大小，因此后續(xù)將螺釘與螺帽組裝時(shí)，也不易發(fā)生螺釘與螺帽尺寸不合的現(xiàn)象。此外，保護(hù)層130是電性絕緣的，因此就算是保護(hù)層130在鎖固的過程中發(fā)生碎屑掉落的情形，也不會(huì)在電子裝置中發(fā)生短路的現(xiàn)象。
[0040]請(qǐng)參照?qǐng)D1、圖3以及圖4，進(jìn)行步驟S20，將金屬構(gòu)件100 (即已配置有保護(hù)層130的金屬基底110)組裝至一基板200上?；?00的材料例如是塑膠?？赏ㄟ^熱熔法(hotmelting method)或是通過模內(nèi)射出成型法(insert mold method)將金屬構(gòu)件100部分內(nèi)埋至基板200中。其中，通過模內(nèi)射出成型法組裝時(shí)，可以進(jìn)一步減少熱熔法所可能產(chǎn)生的基板200變形的可能性并增加金屬構(gòu)件與基板的結(jié)合性?；?00暴露出金屬構(gòu)件100的一部分表面。保護(hù)層130至少覆蓋基板200所暴露出的金屬基底110的表面。在本實(shí)施例中，保護(hù)層130例如是完全覆蓋金屬基底110的表面，因此保護(hù)層130可位于基板200與金屬基底110之間，使基板200不與金屬基底110接觸。但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，保護(hù)層130也僅可以覆蓋基板200所暴露出的金屬基底110的表面，因此內(nèi)埋在基板200中的金屬基底110例如是與基板200接觸的。換言之，在前一步驟中，金屬基底110可以僅針對(duì)被基板200暴露出的表面進(jìn)行化學(xué)表面處理。如圖3與圖4所示，金屬構(gòu)件100可以是覆蓋有保護(hù)層130的金屬螺帽，或者基板200上也可以配置有金屬構(gòu)件100a，其例如是以金屬片材作為金屬基底110a，且金屬基底IlOa的表面上覆蓋有保護(hù)層130。
[0041]接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5以及圖6，進(jìn)行步驟S30，在基板200上形成一金屬圖案300，金屬圖案300與金屬基底110彼此分離。金屬圖案300例如是天線、接點(diǎn)(pad)或其他由金屬層所構(gòu)成的電子組件。金屬圖案300的材料包括銅、鎳、金、銀或上述的任意組合。形成金屬圖案300的方法包括化學(xué)鍍。在本實(shí)施例中，可通過化學(xué)鍍?cè)诨?00上形成金屬圖案。本實(shí)施例的金屬圖案300例如是天線，其包括多層導(dǎo)電層。首先，可在基板200上形成銅層310，其具有良好的導(dǎo)電性。接著，在銅層310上形成鎳層320，其具有良好的抗刮性。接著，在鎳層320上形成金層330，其可以減少鎳層320的氧化。但本發(fā)明不限于此。金屬圖案300也可以是只包括單層導(dǎo)電層。
[0042]具體而言，可將基板200浸至化學(xué)鍍液中進(jìn)行化學(xué)電鍍，以在基板200形成金屬圖案300。此時(shí)，由于保護(hù)層130覆蓋在金屬基板110的表面上,而金屬圖案300不會(huì)形成于保護(hù)層130上，因此金屬圖案300不會(huì)鍍?cè)诮饘倩咨?10而達(dá)到防鍍的功能。換言之，金屬圖案300只會(huì)形成在預(yù)定形成的位置上，而不會(huì)形成在金屬基底110上。如此一來，不會(huì)浪費(fèi)化學(xué)鍍液的用量，可以進(jìn)一步節(jié)省成本，并避免因額外金屬層造成外觀上的影響。再者，本實(shí)施例是先將金屬構(gòu)件100與基板200組裝后，再進(jìn)行化學(xué)鍍金屬圖案300的工藝。若是金屬構(gòu)件100與基板200的組裝過程不順利時(shí)，失敗品上尚未電鍍上金屬，因此可以減少組裝失敗時(shí)所需負(fù)擔(dān)的制作成本。
[0043]至此，可大致完成基板結(jié)構(gòu)10的制作。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D5以及圖6，基板結(jié)構(gòu)10包括一基板200、一金屬圖案300、一金屬基底110以及一保護(hù)層130。金屬圖案300設(shè)置于基板200上。金屬基底110設(shè)置于基板200上。保護(hù)層130覆蓋金屬基底110的表面，且保護(hù)層130以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至金屬基底110的表面。
[0044]綜上所述，本發(fā)明基板結(jié)構(gòu)的制作方法可通過浸泡的方法在金屬基底上形成保護(hù)層，不需使用額外的治具也不需額外涂布樹脂，因此制作方法簡單。以化學(xué)鍍法形成金屬圖案時(shí)，通過保護(hù)層覆蓋金屬基底的表面，金屬基底表面上不會(huì)形成額外的金屬層，因此可以減少化鍍液的浪費(fèi)，以節(jié)省成本，并避免因額外金屬層造成外觀上的影響。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板結(jié)構(gòu)的制造方法，該基板結(jié)構(gòu)的制造方法包括: 對(duì)一金屬基底進(jìn)行一化學(xué)表面處理以在該金屬基底的表面上形成一保護(hù)層； 將該金屬基底組裝至一基板上；以及 在該基板上形成一金屬圖案，該金屬圖案與該金屬基底彼此分離。2.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其中對(duì)該金屬基底進(jìn)行該化學(xué)表面處理的方法包括: 將該金屬基底浸泡至一硫醇化合物溶液中。3.如權(quán)利要求1所述的基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在該基板上形成該金屬圖案的方法包括化學(xué)鍍。4.一種基板結(jié)構(gòu)，該基板結(jié)構(gòu)包括: 一基板； 一金屬圖案，該金屬圖案設(shè)置于該基板上； 一金屬基底，該金屬基底設(shè)置于該基板上；以及 一保護(hù)層，該保護(hù)層覆蓋該金屬基底的表面，且該保護(hù)層以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至該金屬基底的表面。5.如權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層完全覆蓋該金屬基底的表面。6.如權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該金屬基底部分內(nèi)埋于該基板中，且該保護(hù)層位于該金屬基底與該基板之間。7.如權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該金屬基底包括一金屬螺帽或一金屬片材。8.如權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該金屬圖案的材料包括銅、鎳、金或上述的任意組合。9.如權(quán)利要求4所述的基板結(jié)構(gòu)，其中該保護(hù)層用烷硫基、芳硫基或芳烷硫基以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至該金屬基底的表面。10.一種金屬構(gòu)件，該金屬構(gòu)件包括: 一金屬基底；以及 一保護(hù)層，該保護(hù)層至少包覆該金屬基底的一部分表面，且該保護(hù)層以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至該金屬基底。11.如權(quán)利要求10所述的金屬構(gòu)件，其中該保護(hù)層完全覆蓋該金屬基底的表面。12.如權(quán)利要求10所述的金屬構(gòu)件，其中該保護(hù)層用烷硫基、芳硫基或芳烷硫基以化學(xué)鍵的方式結(jié)合至該金屬基底的表面。
【專利摘要】本發(fā)明提出一種基板結(jié)構(gòu)的制造方法、基板結(jié)構(gòu)以及金屬構(gòu)件。該基板結(jié)構(gòu)的制造方法包括：對(duì)一金屬基底進(jìn)行一化學(xué)表面處理以在該金屬基底的表面上形成一保護(hù)層；將該金屬基底組裝至一基板上；以及在該基板上形成一金屬圖案，該金屬圖案與該金屬基底彼此分離。本發(fā)明也提出一種基板結(jié)構(gòu)以及金屬構(gòu)件。本發(fā)明制作方法簡單，并且可以減少化學(xué)鍍液的浪費(fèi)，以及因額外的金屬層所造成的外觀不良問題。
【IPC分類】H05K1/02, H01Q1/38, H01Q1/22, H05K3/28
【公開號(hào)】CN105307378
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410344661
【發(fā)明人】莊子文, 羅昱凱, 陳世宏, 陳群霖
【申請(qǐng)人】啟碁科技股份有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2014年7月18日