基板結構的制造方法、基板結構以及金屬構件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基板結構的制造方法、基板結構以及金屬構件，且特別涉及一種具有保護層的基板結構的制造方法、基板結構以及金屬構件。
【背景技術】
[0002]對電路板以及天線應用(antenna applicat1n)而言,特定金屬化學鍛常用以在塑膠基板上形成金屬圖案。不過，塑膠基板本身常伴隨著設置有其他的金屬構件(metalcomponent),例如是金屬螺帽(metal nut)或是金屬嵌件(metal insert)等等。這些金屬構件具有活性金屬表面(active metal surface),因此在制作金屬圖案的化學鍛過程中，常會有金屬構件上附著額外金屬層的情形發(fā)生，造成化學鍍成本的增加以及短路的風險。舉例來說，當金屬螺帽的螺旋面上有額外金屬層，在將其他構件組裝至金屬螺帽上時，化學鍍上去的金屬層會受到擠壓而掉落，進而當成短路。而且，當非預定的區(qū)域上也形成金屬圖案時，將造成化學鍍液的用量增加，而且還會有外觀不良的問題產生。
[0003]目前已有一些方法被用來嘗試解決上述問題，例如，藉由電極施加正電荷至金屬構件上以排斥金屬離子，進而預防不必要的化學鍍發(fā)生。然而，隨著額外電荷的施加，化學鍛浴(plating bath)將變得不穩(wěn)定而且也增加了鍛出(plating out)的風險。此外,上述防鍍方法也需使用昂貴的治具才能進行。因此，方便又經濟的防鍍方法，成為本領域技術人員亟欲發(fā)展的目標。
[0004]因此，需要提供一種基板結構的制造方法、基板結構以及金屬構件來解決上述問題。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提供一種金屬構件、基板結構以及基板結構的制造方法，其中通過將保護層形成于金屬基底的表面上，以達到防鍍的功能。
[0006]本發(fā)明的一種基板結構的制造方法包括:對一金屬基底進行一化學表面處理以在該金屬基底的表面上形成一保護層；將該金屬基底組裝至一基板上；以及在該基板上形成一金屬圖案，該金屬圖案與該金屬基底彼此分離。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的對金屬基底進行化學表面處理的方法包括:將金屬基底浸泡至一硫醇化合物(th1l compound)溶液中。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的在基板上形成金屬圖案的方法包括化學鍍(electroless plating)。
[0009]本發(fā)明的一種基板結構包括:一基板、一金屬圖案、一金屬基底以及一保護層；該金屬圖案設置于該基板上；該金屬基底設置于該基板上；該保護層覆蓋該金屬基底的表面，且該保護層以化學鍵的方式結合至該金屬基底的表面。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護層完全覆蓋金屬基底的表面。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的金屬基底部分內埋于基板中，且保護層位于金屬基底與基板之間。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述的金屬基底包括一金屬螺帽或一金屬片材(metalsheet)ο
[0013]在本發(fā)明的一實施例中，上述的金屬圖案的材料包括銅、鎳、金或上述的任意組入口 O
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護層用烷硫基、芳硫基或芳烷硫基以化學鍵的方式結合至該金屬基底的表面。
[0015]本發(fā)明的一種金屬構件包括:一金屬基底以及一保護層；該保護層至少包覆該金屬基底的一部分表面，且該保護層以化學鍵的方式結合至該金屬基底。
[0016]在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護層完全覆蓋金屬基底的表面。
[0017]在本發(fā)明的一實施例中，上述的保護層用烷硫基、芳硫基或芳烷硫基以化學鍵的方式結合至金屬基底的表面。
[0018]基于上述，本發(fā)明基板結構的制作方法可通過浸泡的方法在金屬基底上形成保護層，因此制作方法簡單。通過保護層覆蓋金屬基底的表面，化學鍍時金屬基底表面上不會形成額外金屬層，因此可以減少化學鍍液的浪費，以及因額外的金屬層所造成的外觀不良問題。
[0019]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發(fā)明一實施例的基板結構的制作步驟流程圖。
[0021 ]圖2至圖6為圖1的基板結構的制作流程示意圖。
[0022]主要組件符號說明:
[0023]SlO ?S30步驟
[0024]10基板結構
[0025]10UOOa金屬構件
[0026]110、IlOa金屬基底
[0027]120硫醇化合物溶液
[0028]130保護層
[0029]200基板
[0030]300金屬圖案
[0031]310銅層
[0032]320鎳層
[0033]330金層
[0034]A-A ’剖線
【具體實施方式】
[0035]圖1為本發(fā)明一實施例的基板結構的制作步驟流程圖。圖2至圖6為圖1的基板結構的制作流程不意圖。圖4為圖3的首I]面TK意圖。圖6為圖5的首I]面TK意圖。首先，請參照圖1以及圖2，進行步驟S10，對一金屬基底110進行一化學表面處理。上述化學表面處理例如是將金屬基底I1浸泡在一硫醇化合物溶液120中，以在金屬基底110的表面上形成一保護層130。
[0036]金屬基底110可以是用于設置在基板(例如是機殼、電路板等等)上的金屬嵌件，其可以是鎖固裝置或是其他具有特定功能的裝置。舉例來說，金屬基底110可以是金屬螺帽或金屬片材等等。圖2中繪示金屬螺帽為例說明，其具有螺紋，適于讓螺釘固鎖于此。但本發(fā)明不以此為限。金屬基底110的材料例如是黃銅(brass)或鎳(nickel)。
[0037]硫醇化合物溶液120例如是將硫醇化合物溶于溶劑之中所形成，但本發(fā)明不排除硫醇化合物溶液120可以還包括其他成分。本實施例的硫醇化合物具有疏水性骨干(backbone),其例如是選自由辛葵硫醇、十八燒硫醇(Octadecaneth1l)、壬燒硫醇(Nonaneth1l)、1-十六燒硫醇(1-Hexadecaneth1l)、1-丁燒硫醇(1-Butaneth1l)、三級壬基硫醇(tert-Nonyl mercaptan)、節(jié)基硫醇(Benzyl mercaptan)以及硫酉分(Th1phenoI)所組成的群組。溶劑例如是酒精或是其他可溶解上述硫醇化合物的適當溶劑。
[0038]舉例而言，可將金屬基底110浸泡在辛葵硫醇溶液120°C中約10分鐘，溶液溫度約為40°C。接著，將金屬基底110取出以水潤洗后，在70°C下干燥20分鐘后，保護層130將覆蓋金屬基底110的表面，藉此形成一金屬構件100。金屬構件100包括金屬基底110以及位于金屬基底110表面上的保護層130。保護層130可以完全覆蓋金屬基底110的表面，或是僅覆蓋金屬基底110的一部分表面。本實施例是通過浸泡的方法在金屬基底110上形成保護層130，因此不需使用額外的治具也不需使用樹脂涂布于金屬基板110的表面上。
[0039]當金屬基底110浸泡在硫醇化合物溶液120中，