Ab類放大器的制造方法
【專利說(shuō)明】AB類放大器
[0001]分案申請(qǐng)說(shuō)明
[0002]本申請(qǐng)是于2011年3月9日提交的、于2012年10月18日進(jìn)入中國(guó)國(guó)家階段的、申請(qǐng)?zhí)枮?01180019828.6、名稱為“AB類放大器”的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
[0003]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0004]本申請(qǐng)要求對(duì)2011年3月9日提交的第13/044，183號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)和2010年3月9日提交的第61/312，167號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。上述申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)整體引用而結(jié)合于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0005]本公開(kāi)內(nèi)容涉及放大器并且更具體地涉及AB放大器。
【背景技術(shù)】
[0006]這里提供的【背景技術(shù)】描述是出于總體呈現(xiàn)公開(kāi)內(nèi)容的上下文的目的。當(dāng)前具名的發(fā)明人的工作在這一【背景技術(shù)】部分中描述該工作的程度上以及該描述的可能在提交時(shí)原本不具有作為現(xiàn)有技術(shù)的洗個(gè)的方面既不明示地也不暗示地承認(rèn)為相對(duì)于本公開(kāi)內(nèi)容的現(xiàn)有技術(shù)。
[0007]A類放大器在輸入信號(hào)的整個(gè)周期內(nèi)操作。輸出信號(hào)是輸入信號(hào)的按比例增加的復(fù)制。A類放大器在電感輸出耦合時(shí)具有約50%的最大效率并且在電容輸出耦合時(shí)具有約25%的最大效率。
[0008]在A類放大器中，偏置晶體管從而使得晶體管總是導(dǎo)通。在晶體管的傳送特征的線性部分內(nèi)操作晶體管。由于晶體管總是導(dǎo)通，所以即使當(dāng)不存在輸入時(shí)仍然從電源汲取功率。如果需要高輸出功率，則功率消耗(和附帶熱量)可能變得明顯。
[0009]B類放大器在輸入周期的一半期間放大。因而，B類放大器往往增加失真，但是具有比A類放大器更高的效率。B類放大器具有在75%以上的最大效率。晶體管在一半時(shí)間關(guān)斷并且在這時(shí)不耗散功率。
[0010]B類放大器可以使用互補(bǔ)晶體管對(duì)(“推挽(push-pull) ”晶體管布置)?；パa(bǔ)器件放大輸入信號(hào)的相反的兩半。不匹配或者交叉失真可能在重新結(jié)合信號(hào)的兩半時(shí)出現(xiàn)。一種對(duì)不匹配問(wèn)題的解決方案涉及到將晶體管偏置成恰好接通而不是在未使用時(shí)完全關(guān)斷。這一偏置方式被稱為AB類操作。換言之，AB類放大器件可以包括偏置成使得兩個(gè)晶體管在交叉點(diǎn)周圍導(dǎo)通的B類輸出級(jí)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]—種AB類放大器，包括:第一電感器，具有與電壓源端子連通的第一端子。第一晶體管具有與第一電感器的第二端子連通的漏極端子。第二晶體管具有與第一晶體管的源極端子連通的源極端子。第二電感器具有與第二晶體管的漏極端子連通的第一端子和與參考電勢(shì)連通的第二端子。第一晶體管的漏極端子和第二晶體管的漏極端子電容地耦合在一起。
[0012]在其它特征中，第一電容具有與第一晶體管的源極端子和第二晶體管的源極端子連通的第一端子。第一電容的第二端子與向AB類放大器的電壓輸入連通。
[0013]在其它特征中，第一電容具有與第一晶體管的柵極端子和第二晶體管的柵極端子連通的第一端子。第一電容的第二端子與向AB類放大器的電壓輸入連通。
[0014]在其它特征中，第一可變電容與第一電感器并聯(lián)連接。第二可變電容與第二電感器并聯(lián)連接。第一電容具有與第一晶體管的漏極端子連通的第一端子和與第二晶體管的漏極端子連通的第二端子。
[0015]在其它特征中，N個(gè)電容具有與第一晶體管的漏極端子連通的第一端子。N個(gè)電阻具有與N個(gè)電容中的相應(yīng)電容的第二端子連通的第一端子并且具有與第二晶體管的漏極端子連通的第二端子，其中N是大于零的整數(shù)。
[0016]在其它特征中，第三電感器具有與電壓源端子連通的第一端子。第三晶體管具有與第三電感器的第二端子連通的漏極端子。第四晶體管具有與第三晶體管的源極端子連通的源極端子。第四電感器具有與第四晶體管的漏極端子連通的第一端子和與參考電勢(shì)連通的第二端子。電容地耦合第三晶體管的漏極端子和第四晶體管的漏極端子。
[0017]在其它特征中，第一電容和第二電容相互串聯(lián)連接并且分別與第一晶體管的漏極端子和第二晶體管的漏極端子并聯(lián)連接。第三電容和第四電容相互串聯(lián)連接并且分別與第三晶體管的漏極端子和第四晶體管的漏極端子并聯(lián)連接。
[0018]在其它特征中，第五電容具有連接于第一電容與第二電容之間并且與第一晶體管的源極端子和第二晶體管的源極端子連接的第一端子。第五電容具有連接于第三電容與第四電容之間并且與第三晶體管的源極端子和第四晶體管的源極端子連接的第二端子。第六電容具有與第一電容的第一端子和第二電容的第一端子連通的一端。第七電容具有與第三電容的第一端子和第四電容的第一端子連通的一端。
[0019]在其它特征中，輸入驅(qū)動(dòng)器包括:第三晶體管，具有與輸入信號(hào)連通的柵極端子；儲(chǔ)能電路(tank circuit)，與第三晶體管的端子連通；以及匹配網(wǎng)絡(luò)，與第三晶體管的端子以及第一晶體管的源極端子和第二晶體管的源極端子連通。
[0020]在其它特征中，第一電容具有與第一晶體管的源極端子和第二晶體管的源極端子連通的第一端子。第二電容具有與第三晶體管的源極端子和第四晶體管的源極端子連通的第一端子。第五電感器與第一電容的第二端子和第二電容的第二端子連通。
[0021]在其它特征中，第五晶體管具有與差分輸入信號(hào)的第一極性連通的柵極端子和與第一電容的第二端子連通的第一端子。第六晶體管具有與差分輸入信號(hào)的第二極性連通的柵極端子和與第二電容的第二端子連通的第一端子。
[0022]在其它特征中，功率組合器包括分別耦合到第一電感器、第二電感器、第三電感器和第四電感器的第五電感器、第六電感器、第七電感器和第八電感器。天線連接到功率組合器。第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管以及第一電感器、第二電感器、第三電感器和第四電感器連接于第一回路中。第五電感器、第六電感器、第七電感器和第八電感器連接于在第一回路以內(nèi)或者以外布置的第二回路中。
[0023]在其它特征中，第一電容具有與第一晶體管的源極端子和第二晶體管的源極端子連通的第一端子。第二電容具有與第三晶體管的源極端子和第四晶體管的源極端子連通的第一端子。第五電感器與第一電容的第二端子和第二電容的第二端子連通。第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管和第四晶體管以及第一電感器、第二電感器、第三電感器和第四電感器連接于第一回路中。第五電感器、第六電感器、第七電感器和第八電感器連接于在第一回路以內(nèi)或者以外布置的第二回路中。第五電感器布置成數(shù)字“8”形狀。第五電感器位于第一回路和第二回路以內(nèi)。
[0024]在其它特征中，第一電容和第二電容以及第五電容器在AB類放大器的中心頻率具有第一阻抗并且分別在AB類放大器的第二諧波頻率和第三諧波頻率具有第二阻抗和第三阻抗。第二阻抗和第三阻抗大于第一阻抗。第一晶體管是NMOS晶體管并且第二晶體管是PMOS晶體管。
[0025]—種AB類放大器，包括:第一電感器，具有與電壓源端子連通的第一端子。第一晶體管具有與第一電感器的第二端子連通的漏極端子。第二晶體管具有與第一晶體管的源極端子連通的源極端子。第二電感器具有與第二晶體管的漏極端子連通的第一端子和與參考電勢(shì)連通的第二端子。第三電感器具有與電壓源端子連通的第一端子。第三晶體管具有與第三電感器的第二端子連通的漏極端子。第四晶體管具有與第三晶體管的源極端子連通的源極端子。第四電感器具有與第四晶體管的漏極端子連通的第一端子和與參考電勢(shì)連通的第二端子。電容地耦合第一晶體管的漏極端子和第三晶體管的漏極端子。電容地耦合第二晶體管的漏極端子和第四晶體管的漏極端子。向第一晶體管的柵極和第三晶體管的柵極輸入差分信號(hào)的第一極性，并且向第二晶體管的柵極和第四晶體管的柵極輸入差分信號(hào)的第二極性。
[0026]