專利名稱：電子器件的制作方法
電子器件，特別是采用聲學(xué)表面波工作的OFW器件，以及制造這種器件的方法。
本發(fā)明涉及一種電子器件，特別是采用聲學(xué)表面波工作的OFW器件，該器件的壓電襯底上具有一個芯片，在芯片上形成有導(dǎo)電構(gòu)件-數(shù)字轉(zhuǎn)換器、觸片和類似部件，該電子器件還包括一個底板，它帶有從外面與芯片上的導(dǎo)電構(gòu)件相接觸的外接觸元件，一個以不漏氣密封方式安裝在所述底板上的框架(4)，所述芯片放置在該框架內(nèi)，并且與所述框架間隔開。本發(fā)明還涉及一種制造這種電子器件的方法。
198 06 550.7號德國專利說明書中公開了如上所述的電子器件，根據(jù)該說明書的記載，在電子器件的芯片表面上布置的導(dǎo)電構(gòu)件帶有一層保護膜，申請人將其稱為PROTEC，其上形成從壓電襯底掉頭的表面電接觸件，該電接觸件與所述的保護膜完全接觸，和/或通過焊接球-焊劑塊-與芯片上的導(dǎo)電構(gòu)件聯(lián)接，該電接觸件同時還與底板上的外接觸件相互聯(lián)接。
上述電子器件的優(yōu)點是高度縮微化，并且其保護膜在物理上和化學(xué)上沒有產(chǎn)生破壞環(huán)境的負面作用，而是對于環(huán)境保護起到了很好的作用。
本發(fā)明的目的在于提供一種如上所述類型的進一步微形化的OFW器件，以及僅需很小開銷的制造這種器件的方法，同時能夠降低該器件的生產(chǎn)成本。
為實現(xiàn)本發(fā)明上述目的，在一個如上所述類型的電子器件的芯片和底板之間所形成的空間上氣密地覆蓋一層薄膜，例如塑料薄膜，而在框架和薄膜之間的空間區(qū)域內(nèi)填充了薄膜或灌注料，例如環(huán)氧樹脂，所述芯片以及灌注料和框架外面采用電鍍材料形成的外殼涂層例如銅鎳合金加以保護，保護涂層的邊緣緊靠在底板上并且進行不漏氣的密封處理。
這里建議采用如下的制造方法，將除了朝著底板轉(zhuǎn)向的側(cè)面之外的芯片與一個至少伸出至底板的薄膜模壓在一起，向在框架和薄膜之間形成的空間區(qū)域內(nèi)填充灌注料，接著利用例如等離子體蝕刻方法除去在無灌注料表面區(qū)域上的薄膜，最后在芯片和灌注料上形成一個由電鍍材料構(gòu)成的保護涂層。
根據(jù)本發(fā)明主題實現(xiàn)的其他特征的描述還可參見各從屬權(quán)利要求和說明書及其附圖的內(nèi)容。
省略掉保護膜，可以顯著降低制造成本，并且減小整個電子器件的尺寸，此外，這種器件的可靠性明顯提高，原因是在底板上進行焊接是采用倒裝工藝實現(xiàn)的，在這種情況下，液態(tài)的焊接球或焊劑塊能夠流入空腔或縫隙內(nèi)，就像用例如環(huán)氧樹脂灌注器件的情況，不會發(fā)生危險，而且在將電子器件焊接在用戶的電路中時，也不會發(fā)生危險。


圖1-3是本發(fā)明的一個電子器件的制造的局部剖視圖和示意圖。
這里制造指的是批量生產(chǎn)，首先在底板3上形成一個單獨的印刷電路板線路部件的襯底，尤其是陶瓷襯底板，從襯底板向上形成封閉的框架4，稱為焊接框架，所述芯片2放置在該框架內(nèi)，并且與所述框架間隔開，采用倒裝工藝將芯片上的導(dǎo)電構(gòu)件焊接到底板上的相應(yīng)的導(dǎo)電線路條上。
在本發(fā)明的第一個步驟中，將除了朝著底板轉(zhuǎn)向的側(cè)面之外的焊接的芯片2與一個至少伸出至底板3的塑料薄膜或金屬薄膜、膠粘薄膜模壓壓在一起，最好如圖所示，在框架4和芯片2之間的空腔內(nèi)的薄膜5覆蓋在底板3和焊接框架4的整個表面上。可能的話，如果加工工藝先進，可以使薄膜5在焊接框架4上構(gòu)成完全的包封層，并且其邊緣緊貼在底板3上。
在本發(fā)明的又一個方法步驟中，在焊接框架4和所述薄膜5之間的空間內(nèi)，如果必要的話，用灌注料6填充，例如用環(huán)氧樹脂作為灌注料，然后利用等離子體蝕刻除去在未灌注的表面上的薄膜5，接著在芯片2和灌注料6及框架4上用可電鍍的材料形成一個有效的起保護罩作用的涂層7。這里作為舉例，優(yōu)選采用銅鎳合金制成保護罩7，它的邊緣例如緊貼在底板3上，最后利用焊接技術(shù)進行不漏氣的密封處理。
圖1-3描述了一個OFB器件的各個制造步驟，不過其原理和方法步驟同樣適用于批量生產(chǎn)，并且也已經(jīng)在其他地方提及，例如可以用于制造在框架尤其是焊接框架內(nèi)成排布置的具有許多芯片的大面積底板(可利用率)。
權(quán)利要求
1.一種電子器件，特別是采用聲學(xué)表面波工作的OFW器件，該器件的壓電襯底上具有一個芯片，在芯片上形成有導(dǎo)電構(gòu)件-IDT轉(zhuǎn)換器、觸片和類似部件，該電子器件還包括一個底板，它帶有從外面與芯片上的導(dǎo)電構(gòu)件相接觸的外接觸元件，一個以不漏氣密封方式安裝在所述底板上的框架，所述芯片放置在該框架內(nèi)，并且與所述框架間隔開，其特征在于，在芯片(2)和底板(3)之間所形成的空間上氣密地覆蓋一層薄膜(5)，而在框架(4)和薄膜之間的空間區(qū)域內(nèi)填充灌注料(6)，所述芯片以及灌注料和框架外面采用可電鍍材料形成的外殼涂層(7)加以保護，該保護涂層的邊緣(8)緊貼在底板上。
2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，由框架(4)、底板(3)和芯片(2)之間所限定的空間中至少其壁面和底面被薄膜(5)所覆蓋。
3.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，框架(4)由可焊接材料制成，并且與形成在底板(3)上的一個可焊接層焊接聯(lián)結(jié)。
4.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，保護罩(7)由一種銅鎳合金制成。
5.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，灌注料(6)是環(huán)氧樹脂。
6.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，薄膜(5)是塑料薄膜。
7.一種制造如權(quán)利要求1-5所述的電子器件所述的方法，具有在一個框架(4)內(nèi)的形成在一個底板(3)上的芯片(2)，還具有被氣密覆蓋的在所述芯片和底板之間所形成的空間，其特征在于，將除了朝著底板(3)轉(zhuǎn)向的側(cè)面之外的芯片(2)與一個至少伸出至底板的薄膜(5)模壓在一起，向在框架(4)和薄膜(5)之間形成的空間區(qū)域內(nèi)填充灌注料(6)，接著除去在無灌注料表面區(qū)域上的薄膜(5)，最后在芯片(2)和灌注料(6)及框架(4)上形成一個由可電鍍材料構(gòu)成的保護罩(7)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，由框架(4)、底板(3)和芯片(2)之間所限定的空間的壁面和底面均被薄膜(5)所覆蓋。
9.如權(quán)利要求7和8所述的方法，其特征在于，利用等離子體蝕刻方法除去在未灌注的表面上的薄膜(5)。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，保護罩(7)是由銅鎳合金構(gòu)成的保護涂層。
11.如權(quán)利要求7和權(quán)利要求8-10中至少一項所述的方法，其特征在于，所述方法適用于制造其上成排布置有許多芯片的晶片(可利用率)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種表面波器件及其制造方法,包括一個在壓電襯底上形成的芯片(2),在所述芯片(IDT變換器及觸片等)上形成導(dǎo)電構(gòu)件,底板(3)帶有與芯片上的導(dǎo)電構(gòu)件相接觸的外接觸元件,一個以不漏氣密封方式安裝在所述底板上的框架(4),所述芯片放置在該框架內(nèi),并且與所述框架間隔開。在芯片(2)和底板(3)之間的區(qū)域封離有一個金箔(5),而在框架(4)和金箔(5)之間的區(qū)域填充了密封結(jié)合物(6),所述芯片(2)以及密封結(jié)合物(6)和框架(4)外面采用鍍鋅的外殼(7)或保護罩加以保護,保護罩的邊緣(8)緊靠在底板(3)上,并且進行不漏氣的密封處理。
文檔編號H03H3/08GK1298571SQ99805225
公開日2001年6月6日 申請日期1999年3月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月27日
發(fā)明者A·斯特爾茲爾, H·克呂格爾 申請人:埃普科斯股份有限公司