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一種八位d/a轉(zhuǎn)換器電路的制作方法

文檔序號:7533812閱讀:718來源:國知局
專利名稱:一種八位d/a轉(zhuǎn)換器電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種D/A轉(zhuǎn)換器電路,特別涉及一種能減少元器件數(shù)量,能以單片集成電路實現(xiàn)D/A轉(zhuǎn)換功能的八位D/A轉(zhuǎn)換器電路。
空間探測需要低功耗、高可靠、能適應(yīng)各種空間環(huán)境的器件。
在現(xiàn)有的用于空間環(huán)境科學的D/A轉(zhuǎn)換器器件,其都存在有結(jié)構(gòu)復(fù)雜,占用空間大的缺點。
本發(fā)明的目的在于,提供一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其具有使用的元器件少和占用空間小的優(yōu)點。
本發(fā)明一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其中包括效應(yīng)晶體管和非門,其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16,并同時分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級;非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級,M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連,M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref;M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間;M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間;M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間;M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間;M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間;M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間;M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間;M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級;M21、M20漏級相連,并同時與M18源級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M17、M18、M19的漏級接至Vdd,M19源級與M22漏級相連,M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連,M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連,M23、M24、M22的源級接地,M20柵級與C1另一端連接,為輸出端Q。
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實例進行詳細介紹。


圖1為本發(fā)明實施例的電路原理圖。
請參閱附圖所示,一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其中包括效應(yīng)晶體管和非門,其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16,并同時分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級;非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級,M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連,M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref;M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間;M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間;M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間;M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間;M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間;M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間;M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間;M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級;M21、M20漏級相連,并同時與M18源級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M17、M18、M19的漏級接至Vdd,M19源級與M22漏級相連,M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連,M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連,M23、M24、M22的源級接地,M20柵級與C1另一端連接,為輸出端Q。
本發(fā)明實例的工作原理是當d7d6d5d4d3d2d1d0=00000001時,只有模擬開關(guān)A接至Vref,而B-H全部接至公共端,自AA’端向右逐級化簡,則不難看出,每經(jīng)過一個節(jié)點,輸出電壓都要衰減1/2,因此加在A上的Vref在HH’端所提供的電壓只有Vref/28。同理,當Vref分別加在B、C、D、E、F、G、H上時,它們在HH’端所提供的電壓將各為Vref/27、Vref/26、Vref/25、Vref/24、Vref/23、Vref/22、Vref/21,而從HH’端向左看的內(nèi)阻永遠是R。所以Vout等于Vout=Vref28(d727+d626+d525+d424+d323+d222+d121+d020)]]>采用跟隨器輸出,使Q端輸出幅度與Vout端相同,并且其輸入電阻非常大,輸出電阻非常小,保證本發(fā)明的驅(qū)動能力,便于在實際使用中的長距離測試,大大提高了本發(fā)明一項實例的可靠性。
本發(fā)明由輸入控制電路、CMOS管模擬開關(guān)、八位T型電阻網(wǎng)絡(luò)及射隨器輸出四部分組成。輸入信號為八位數(shù)字量,輸出為模擬量0-5.0V。
本發(fā)明與以往D/A轉(zhuǎn)換器不同的是,采用CMOS管作為模擬開關(guān)電路,它較之雙極型D/A轉(zhuǎn)換器功耗低、受溫度及輻射等外界因素的影響小,因此適合在環(huán)境變化比較劇烈的情況下工作。
權(quán)利要求
1.一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其中包括效應(yīng)晶體管和非門,其特征在于,其中非門N1、N3、N5、N7、N9、N11、N13、N15八位輸出信號分別接至非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16,并同時分別接至場效應(yīng)晶體管M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的柵級;非門N2、N4、N6、N8、N10、N12、N14、N16的輸出端分別接至場效應(yīng)晶體管M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的柵級,M1、M3、M5、M7、M9、M11、M13、M15的源級及R1一端與Vss相連,M2、M4、M6、M8、M10、M12、M14、M16的源級接至Vref;M1與M2漏級相連并通過電阻R2接至電阻R1、R10之間;M3與M4漏級相連并通過電阻R3接至電阻R10、R11之間;M5與M6漏級相連并通過電阻R4接至電阻R11、R12之間;M7與M8漏級相連并通過電阻R5接至電阻R12、R13之間;M9與M10漏級相連并通過電阻R6接至電阻R13、R14之間;M11與M12漏級相連并通過電阻R7接至電阻R14、R15之間;M13與M14漏級相連并通過電阻R8接至電阻R15、R16之間;M15與M16漏級相連并通過電阻R9接至電阻R16的另一端再接至M21柵級;M21、M20漏級相連,并同時與M18源級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M18、M17柵級、源級以及M19柵級相連,M17、M18、M19的漏級接至Vdd,M19源級與M22漏級相連,M21源級與M24漏級、M22柵級以及C1相連,M24、M23柵級、M23漏級、M20源級相連,M23、M24、M22的源級接地,M20柵級與C1另一端連接,為輸出端Q。
全文摘要
本發(fā)明一種八位D/A轉(zhuǎn)換器電路,其中包括有:效應(yīng)晶體管和非門,輸入控制電路、CMOS管模擬開關(guān)、八位T型電阻網(wǎng)絡(luò)及射隨器輸出四部分組成。輸入信號為八位數(shù)字量,輸出為模擬量0—5.0V;本發(fā)明與以往D/A轉(zhuǎn)換器不同的是,采用CMOS管作為模擬開關(guān)電路,它較之雙極型D/A轉(zhuǎn)換器功耗低、受溫度及輻射等外界因素的影響小,因此適合在環(huán)境變化比較劇烈的情況下工作。
文檔編號H03M1/66GK1254991SQ9812494
公開日2000年5月31日 申請日期1998年11月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月19日
發(fā)明者朱光武, 梁金寶, 王世金, 翟應(yīng)應(yīng), 孫越強, 張微, 李宏, 黃紅錦, 吳洪鐘, 肖錫東, 張驊忠, 尹秋巖 申請人:中國科學院空間科學與應(yīng)用研究中心
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