本發(fā)明涉及ic卡載帶生產(chǎn)，具體涉及環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法。

背景技術：

1、目前對于ic卡載帶導通的制備過程中，多采用沉銅技術。具體地說，傳統(tǒng)的工藝步驟如下：沖壓：使用自帶膠層的基材進行沖壓，得到通孔。貼銅：使用貼銅設備將銅箔貼覆于基材上，銅箔厚度至少為35μm。烘烤：將貼覆好銅箔的基材放入烤箱進行烘烤，使產(chǎn)品的膠層完全固化。沉銅：使用沉銅技術對產(chǎn)品的焊接孔內(nèi)進行鍍銅，此過程會使用大量的有毒藥水。而且沉銅的結合力已經(jīng)機械強度較差。清洗：對銅箔面進行清洗微蝕，去除銅箔表面的氧化層。壓干膜：對產(chǎn)品上下兩面進行壓干膜處理。曝光：對產(chǎn)品上下兩面同時進行曝光作業(yè)。顯影：利用弱堿性溶液將產(chǎn)品的非圖形區(qū)域的干膜溶解。蝕刻：將非圖形區(qū)域的銅蝕刻掉。退膜：使用強堿性溶液將干膜溶解。電鍍：對產(chǎn)品進行鍍金處理。分切：將產(chǎn)品進行分切作業(yè)。如公開號為cn110739225a公開的一種導通型雙界面ic智能卡載帶的生產(chǎn)工藝，在進行沖孔后也是采用國內(nèi)普通銅箔覆蓋在基材表面。目前，現(xiàn)有技術其存在如下問題：

2、第一：現(xiàn)有ic卡載帶導通產(chǎn)品的生產(chǎn)需使用沉銅技術進行導通，會使用大量的有毒藥水，藥水的使用和排放給生產(chǎn)和環(huán)境帶來巨大負擔，而且對工作人員的健康造成影響；

3、第二：使用沉銅技術生產(chǎn)的ic卡載帶導通產(chǎn)品需使用帶膠層的基材先貼銅箔，然后將此基材進行固化，使銅箔和基材緊密結合；

4、第三：使用沉銅技術生產(chǎn)的ic卡載帶導通產(chǎn)品在蝕刻過程中有大量的銅會被蝕刻掉，銅的利用率只有30%~40%，造成了資源的浪費；

5、第四：使用沉銅技術生產(chǎn)的ic卡載帶導通產(chǎn)品通孔中的銅層和基材的結合力較差，在0.6n/mm水平，使用此工藝制作成的卡片機械性能不好，三輪以及機械彎曲失效率為20%左右。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明要解決的技術問題是：克服現(xiàn)有技術的不足，提供了環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法。

2、本發(fā)明為解決其技術問題所采用的技術方案為：環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法包括如下步驟：

3、沖壓：對基材進行沖孔，得到通孔；

4、濺射銅：將基材表面及通孔進行濺射銅處理；

5、壓干膜：對產(chǎn)品上下兩面進行壓干膜處理；

6、曝光：對產(chǎn)品上下兩面同時進行曝光作業(yè)；

7、顯影：利用弱堿性溶液將產(chǎn)品的圖形區(qū)域的干膜溶解，露出圖形；

8、電鍍銅：在圖形區(qū)域進行電鍍工藝；

9、退膜：對已曝光的干膜進行退膜處理；

10、微蝕：將非圖形區(qū)域的濺射銅微蝕掉；

11、電鍍：進行鍍金處理；

12、分切：將產(chǎn)品進行分切作業(yè)。

13、所述沖壓中，使用沖壓設備對基材進行沖孔，得到通孔，沖壓速度為235spm~260spm，氣壓為4kg/cm2~6kg/cm2。

14、所述濺射銅中將基材放入濺射真空室內(nèi)，真空壓力范圍為0.4pa~0.7pa，以氮氣為反應氣體，以氬氣為濺射氣體，對載帶基材表面、通孔進行濺射銅層，銅靶電源功率范圍為10kw～25kw，濺射時間范圍為10~30min；濺射完成后，待真空室內(nèi)壓力和大氣壓力平衡，并將真空室溫度降至25℃～50℃。

15、濺射銅厚度范圍為5μm~10μm。

16、所述壓干膜中對產(chǎn)品上下兩面進行壓干膜處理，使用壓干膜機將上下干膜貼覆到載帶產(chǎn)品接觸面和壓焊面，壓干膜溫度95℃~120℃，壓力范圍為0.1mpa~0.5mpa，壓干膜速度為4m/min~10m/min。

17、所述曝光中在曝光機內(nèi)，底片和產(chǎn)品精確對位以后，通過吸真空、紫外線照射，把底片上的圖案照射在產(chǎn)品上。對產(chǎn)品上下兩面同時進行曝光，（曝光部分為非圖形區(qū)域），曝光能量采用41格曝光尺計量，上曝光燈能量15~25格，曝光速度為1m/min~3m/min。

18、所述顯影中利用碳酸鈉水溶液的弱堿性將未經(jīng)紫外線照射位置（圖形區(qū)域）的干膜溶解，漏出圖形，保留經(jīng)過紫外線照射位置（非圖形區(qū)域）的干膜；

19、碳酸鈉溶液濃度5g/l~15g/l，顯影溫度25℃~35℃，顯影速度為4m/min~6m/min。

20、所述電鍍銅中利用電鍍技術在產(chǎn)品的圖形區(qū)域進行電鍍銅工藝，電鍍液為硫酸銅溶液，濃度范圍為60g/l~80g/l，液體溫度范圍為20℃~35℃，電流范圍為1asd~6asd，時間范圍為30min~50min，電鍍銅厚度范圍為25μm~35μm。

21、所述退膜中利用氫氧化鈉堿性溶液將已曝光的干膜褪掉，濃度范圍25g/l~40g/l，退膜溫度范圍為50℃~60℃，退膜速度范圍為4m/min~6m/min。

22、所述微蝕中使用微蝕液稀硫酸對產(chǎn)品進行微蝕，將非圖形位置的濺射銅微蝕掉，微蝕速度為5m/min~7m/min，微蝕液濃度范圍為20ml/l~40ml/l。

23、所述電鍍中對產(chǎn)品接觸面進行鍍金處理，鍍液使用得力中性鍍金液或其他成品電鍍液，加熱至40℃~50℃，使用0.1asd~0.3asd電流密度電鍍3s~8s；對壓焊面進行軟金電鍍，鍍液使用得力中性鍍金液或其他成品電鍍液，使產(chǎn)品接通直流電源陰極，鉑金鈦網(wǎng)作為陽極對產(chǎn)品壓焊面進行電鍍，加熱至60℃~70℃，使用2asd~6asd電流密度電鍍8s~15s。

24、使用分切設備將產(chǎn)品分切為寬度為35cm的成品。

25、與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

26、本申請避免了沉銅藥水的使用和排放，不會對水資源以及土壤資源造成危害，不會對人員健康造成影響，有利于環(huán)保；

27、生產(chǎn)過程中使用無膠基材即可，省去了貼銅以及固化工藝，既減少了能源的浪費和溫室氣體的排放，又可簡化工藝流程，提高生產(chǎn)效率。

28、本申請中對于銅的利用率可達到95%以上，而使用沉銅技術生產(chǎn)的通孔產(chǎn)品銅的利用率只有40%，實現(xiàn)了資源的節(jié)約減少了資源的浪費，有利于環(huán)保。

29、由于使用濺射銅工藝，通孔中銅層和基材的結合力相對于沉銅工藝會有大幅提升，結合力能達到1.2n/mm，與原沉銅工藝相比接力提升了50%。

30、使用本申請生產(chǎn)的載帶制卡后卡片機械性能三輪以及扭彎測試失效率為2%，與沉銅工藝相比失效率降低10倍。

技術特征：

1.環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述沖壓中，使用沖壓設備對基材進行沖孔，得到通孔，沖壓速度為235spm~260spm，氣壓為4kg/cm2~6kg/cm2。

3.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述濺射銅中將基材放入濺射真空室內(nèi)，真空壓力范圍為0.4pa~0.7pa，以氮氣為反應氣體，以氬氣為濺射氣體，對基材表面、通孔進行濺射銅層，銅靶電源功率范圍為10kw～25kw，濺射時間范圍為10min~30min；濺射完成后，待真空室內(nèi)壓力和大氣壓力平衡，并將真空室溫度降至25℃～50℃。

4.根據(jù)權利要求1或3所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，濺射銅厚度范圍為5μm~10μm。

5.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述壓干膜中對產(chǎn)品上下兩面進行壓干膜處理，使用壓干膜機將上下干膜貼覆到產(chǎn)品接觸面和壓焊面，壓干膜溫度95℃~120℃，壓力范圍為0.1mpa~0.5mpa，壓干膜速度為4m/min~10m/min。

6.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述曝光中在曝光機內(nèi)，底片和產(chǎn)品精確對位以后，通過吸真空、紫外線照射，把底片上的圖案照射在產(chǎn)品上。

7.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述顯影中利用碳酸鈉水溶液的弱堿性將未經(jīng)紫外線照射位置的干膜溶解，漏出圖形，保留經(jīng)過紫外線照射位置的干膜；

8.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述電鍍銅中利用電鍍技術在產(chǎn)品的圖形區(qū)域進行電鍍銅工藝，電鍍液為硫酸銅溶液，濃度范圍為60g/l~80g/l，液體溫度范圍為20℃~35℃，電流范圍為1asd~6asd，時間范圍為30min~50min，電鍍銅厚度范圍為25μm~35μm。

9.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述退膜中利用氫氧化鈉堿性溶液將已曝光的干膜褪掉，濃度范圍25g/l~40g/l，退膜溫度范圍為50℃~60℃，退膜速度范圍為4m/min~6m/min。

10.根據(jù)權利要求1所述的環(huán)保型ic載帶導通產(chǎn)品的制作方法，其特征在于，所述微蝕中使用微蝕液稀硫酸對產(chǎn)品進行微蝕，將非圖形位置的濺射銅微蝕掉，微蝕速度為5m/min~7m/min，微蝕液濃度范圍為20ml/l~40ml/l。

技術總結
本發(fā)明涉及IC卡載帶生產(chǎn)技術領域，具體涉及環(huán)保型IC載帶導通產(chǎn)品的制作方法，包括如下步驟：沖壓、濺射銅、壓干膜、曝光、顯影、電鍍銅、退膜、微蝕、電鍍、分切，本申請避免了沉銅藥水的使用和排放，不會對水資源以及土壤資源造成危害，不會對人員健康造成影響，有利于環(huán)保。

技術研發(fā)人員：張成彬,朱林,陳長軍,邵漢文,張嚴,王婷,劉愷,趙麗榮
受保護的技術使用者：新恒匯電子股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19