技術(shù)特征：

1.一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，包括：第一電容陣列(1)、第二電容陣列(2)、第一輸入端vip、第二輸入端vin以及比較器(5)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述陣列一dummy電容組包括并行連接的電容cp1以及電容cp2，所述電容cp1以及電容cp2的容值均為1/2c。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述陣列二dummy電容組包括并行連接的電容cn1以及電容cn2，所述電容cn1以及電容cn2的容值均為1/2c。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述陣列一第i電容組包括電容cpi1以及電容cpi2，所述電容cpi1以及電容cpi2的容值均為2n-3c，其中n＝i，3≤i≤8。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述陣列二第j電容組包括電容cpj1以及電容cpj2，所述電容cpj1以及電容cpj2的容值均為2n-3c，其中n＝j(luò)，3≤j≤8。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路中還包括第一開(kāi)關(guān)組(3)，所述陣列一第一電容組、陣列一第二電容組、……、陣列一第j電容組以及陣列一dummy電容組的下極板通過(guò)所述第一開(kāi)關(guān)組(3)與所述vref和/或gnd可通斷連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路中還包括第二開(kāi)關(guān)組(4)，所述陣列二第一電容組、陣列二第二電容組、……、陣列二第j電容組以及陣列二dummy電容組的下極板通過(guò)所述第二開(kāi)關(guān)組(4)與所述vref和/或gnd可通斷連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路還包括sar邏輯電路(6)；所述sar邏輯電路(6)的輸入端與所述比較器(5)的輸出端電連接，所述sar邏輯電路(6)與第一開(kāi)關(guān)組(3)以及第二開(kāi)關(guān)組(4)通訊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路，其特征在于，所述i＝j(luò)＝8。

10.一種vcm-based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序方法，其特征在于，采樣時(shí)，陣列一第一電容組、陣列一第二電容組、……陣列一第j電容組以及陣列一dummy電容組中一個(gè)電容的下極板均與vref連接，另一個(gè)均與gnd連接；

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)一種Vcm?based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序電路及方法，該開(kāi)關(guān)時(shí)序電路中所述陣列一第一電容組、陣列一第二電容組、……陣列一第i電容組、陣列二第一電容組、陣列二第二電容組、……陣列二第j電容組、陣列一dummy電容組以及陣列二dummy電容組均包括并行連接的兩個(gè)容值相等的電容，改進(jìn)型的電容陣列結(jié)構(gòu)將每位電容一分為二，形成兩個(gè)相等的電容，這兩個(gè)相等的電容可以通過(guò)下極板接不同的電位實(shí)現(xiàn)三種不同的電壓接法，分別為Vref、1/2Vref和GND，其等效電路結(jié)構(gòu)與Vcm?based基本一致，但是，通過(guò)兩個(gè)相等電容的設(shè)置，使得Vcm＝1/2Vref，即該改進(jìn)型的Vcm?based電容開(kāi)關(guān)時(shí)序不需要額外的電路來(lái)產(chǎn)生共模電平Vcm，不需要復(fù)雜的自舉開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，降低了功耗和面積，適用于低電壓的SAR?ADC設(shè)計(jì)。

技術(shù)研發(fā)人員：王斌,王蒙,高利軍,王澤淵,岳紅菊,李海松,李婷,楊靚
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安微電子技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19