本公開(kāi)涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、有機(jī)發(fā)光器件(oled，organic?light-emitting?diode)的有機(jī)功能薄膜層的制作方法分為真空熱蒸鍍(vacuum?thermal?deposition)與溶液成膜法(solution-castingmethod)。溶液成膜法又細(xì)分為旋涂法(spin?coating)、噴墨打印(ink-jet?printing)、絲網(wǎng)印刷(screen?printing)等方法。

2、噴墨打印法是使用溶劑將oled有機(jī)材料融化，然后將材料直接噴印在襯底基板表面形成發(fā)光功能層。然而，受到打印技術(shù)自身特性的約束，形成的發(fā)光功能層會(huì)由于咖啡環(huán)效應(yīng)等，影響成膜質(zhì)量，并導(dǎo)致發(fā)光不均勻。

3、所述背景技術(shù)部分公開(kāi)的上述信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開(kāi)的背景的理解，因此它可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的目的在于提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置，改善咖啡環(huán)效應(yīng)。

2、為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本公開(kāi)采用如下技術(shù)方案：

3、根據(jù)本公開(kāi)的第一個(gè)方面，提供一種顯示面板，包括：

4、襯底基板；

5、晶體管器件層，設(shè)于所述襯底基板的一側(cè)；

6、至少一層金屬層，設(shè)于所述晶體管器件層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，包括沿第一方向延伸的多條金屬走線(xiàn)；

7、第一絕緣層，設(shè)于所述至少一層金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面；

8、第一電極層，設(shè)于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面，所述第一電極層包括多個(gè)第一電極塊；

9、像素定義層，包括沿所述第一方向延伸的多個(gè)第一限定壩和沿第二方向延伸的多個(gè)第二限定壩，所述多個(gè)第一限定壩和所述多個(gè)第二限定壩相互交叉界定出多個(gè)像素開(kāi)口，在垂直于所述襯底基板方向上，所述像素開(kāi)口與所述第一電極塊一一對(duì)應(yīng)；

10、其中，所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影位于所述第一限定壩在所述襯底基板上的正投影之內(nèi)；

11、所述至少一層金屬層中至少有一層金屬層的厚度大于所述第一絕緣層的厚度，且該金屬層的厚度比所述第一絕緣層的厚度至少大0.5μm。

12、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述金屬走線(xiàn)具有靠近所述襯底基板的第一表面和遠(yuǎn)離所述襯底基板的第二表面，以及連接第一表面和第二表面的側(cè)壁，所述金屬走線(xiàn)的側(cè)壁與所述金屬走線(xiàn)的第一表面之間形成第一夾角，所述多條金屬走線(xiàn)中至少部分所述金屬走線(xiàn)的第一夾角為70°-90°。

13、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層包括：

14、第一金屬層，設(shè)于所述晶體管器件層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述多條金屬走線(xiàn)分布于所述第一金屬層；

15、分布于所述第一金屬層中的所述金屬走線(xiàn)的第一夾角為70°-90°。

16、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層包括：

17、第一金屬層，設(shè)于所述晶體管器件層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述多條金屬走線(xiàn)中至少部分所述金屬走線(xiàn)分布于所述第一金屬層；

18、第二金屬層，設(shè)于所述第一金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，所述多條金屬走線(xiàn)中至少部分所述金屬走線(xiàn)分布于所述第二金屬層；

19、分布于所述第一金屬層中的所述金屬走線(xiàn)的第一夾角為70°-90°或/和分布于所述第二金屬層中的所述金屬走線(xiàn)的第一夾角為70°-90°。

20、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，分布于所述第一金屬層的所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影與分布于所述第二金屬層的所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影不交疊。

21、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層中至少有一層金屬層的厚度不小于0.7μm。

22、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層中的單層金屬層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板方向?qū)盈B設(shè)置的第一子金屬層和第二子金屬層；

23、所述第一子金屬層的厚度大于所述第二子金屬層的厚度，所述第一子金屬層的厚度不小于0.5μm。

24、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層中的單層金屬層還包括第三子金屬層，所述第三子金屬層設(shè)于所述第一子金屬層靠近所述襯底基板的一側(cè)；

25、所述第一子金屬層的厚度大于所述第三子金屬層的厚度。

26、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一絕緣層的厚度不大于0.2μm。

27、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述多條金屬走線(xiàn)包括目標(biāo)金屬走線(xiàn)，所述目標(biāo)金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影的邊緣與對(duì)應(yīng)的所述第一限定壩在所述襯底基板上的正投影的邊緣之間的最短距離不大于2μm；

28、所述目標(biāo)金屬走線(xiàn)的第一夾角為70°-90°，且目標(biāo)金屬走線(xiàn)的厚度不小于0.7μm。

29、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述襯底基板包括顯示區(qū)和位于所述顯示區(qū)外圍的虛擬區(qū)；

30、所述多個(gè)第一電極塊包括位于所述顯示區(qū)的多個(gè)正常電極和位于所述虛擬區(qū)的多個(gè)虛擬電極，所述正常電極與所述晶體管器件層電連接，所述虛擬電極與所述晶體管器件層電絕緣；

31、分布于所述第二金屬層的所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影位于所述虛擬區(qū)。

32、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層和所述第一電極層之間不包括有機(jī)材料層。

33、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示面板還包括：

34、發(fā)光功能層，設(shè)于所述第一電極層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，且所述發(fā)光功能層至少部分位于所述像素開(kāi)口內(nèi)；

35、第二電極層，設(shè)于所述像素定義層和所述發(fā)光功能層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面；

36、其中，所述第二電極層與所述至少一層金屬層中最靠近所述第二電極層的金屬層通過(guò)所述第二限定壩內(nèi)的第一過(guò)孔連接。

37、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，位于所述至少一層金屬層中最靠近所述第二電極層的金屬層為第三金屬層；

38、分布于所述第三金屬層中的金屬走線(xiàn)具有連接塊，所述連接塊位于所述第一限定壩和所述第二限定壩的交接處；

39、所述連接塊在所述第二方向上尺寸大于金屬走線(xiàn)的其他區(qū)域在所述第二方向上的尺寸；

40、所述連接塊在所述襯底基板上的正投影位于所述第一過(guò)孔在所述襯底基板上的正投影之內(nèi)。

41、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第三金屬層的厚度不小于0.7μm。

42、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第三金屬層包括沿遠(yuǎn)離所述襯底基板方向?qū)盈B設(shè)置的第一子金屬層和第二子金屬層；

43、所述第一子金屬層的厚度大于所述第二子金屬層的厚度，所述第一子金屬層的厚度不小于0.5μm。

44、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述第一子金屬層的硬度小于所述第二子金屬層的硬度。

45、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述至少一層金屬層中金屬層的數(shù)量為多層，其中，位于所述第三金屬層靠近所襯底基板的一側(cè)且最靠近所述第三金屬層的金屬層為第四金屬層；

46、分布于所述第三金屬層中的金屬走線(xiàn)與分布于所述第四金屬層中的金屬走線(xiàn)過(guò)孔連接。

47、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述顯示面板包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素，所述紅色子像素、所述綠色子像素和所述藍(lán)色子像素沿所述第一方向依次排列；

48、所述連接塊位于所述紅色子像素和所述綠色子像素之間，或位于所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素之間。

49、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，位于所述紅色子像素和所述綠色子像素之間的所述第二限定壩，以及位于所述藍(lán)色子像素和所述綠色子像素之間的所述第二限定壩在所述第一方向上的尺寸均大于位于所述紅色子像素和所述藍(lán)色子像素之間的所述第二限定壩在所述第一方向上的尺寸。

50、在本公開(kāi)的一種示例性實(shí)施例中，所述多個(gè)第一限定壩包括多個(gè)第一子限定壩和多個(gè)第二子限定壩，所述第一子限定壩和所述第二子限定壩均沿第一方向延伸，所述第二子限定壩沿第二方向位于所述第一子限定壩的一側(cè)，所述第一子限定壩和所述第二子限定壩均具有靠近所述襯底基板的底端和遠(yuǎn)離所述襯底基板的頂端，所述第一子限定壩的底端與頂端之間的距離小于所述第二子限定壩的底端與頂端之間的距離；

51、所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影位于所述第二子限定壩在所述襯底基板上的正投影之內(nèi)。

52、根據(jù)本公開(kāi)第二個(gè)方面，提供一種顯示面板的制作方法，包括：

53、提供襯底基板；

54、于所述襯底基板的一側(cè)形成晶體管器件層；

55、于所述晶體管器件層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)形成至少一層金屬層，所述至少一層金屬層包括沿第一方向延伸的多條金屬走線(xiàn)；

56、于所述至少一層金屬層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面形成第一絕緣層；

57、于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)表面形成第一電極層，所述第一電極層包括多個(gè)第一電極塊；

58、形成像素定義層，所述像素定義層包括沿所述第一方向延伸的多個(gè)第一限定壩和沿第二方向延伸的多個(gè)第二限定壩，所述多個(gè)第一限定壩和所述多個(gè)第二限定壩相互交叉界定出多個(gè)像素開(kāi)口，在垂直于所述襯底基板方向上，所述像素開(kāi)口與所述第一電極塊一一對(duì)應(yīng)；

59、其中，所述金屬走線(xiàn)在所述襯底基板上的正投影位于所述第一限定壩在所述襯底基板上的正投影之內(nèi)；

60、所述至少一層金屬層中至少有一層金屬層的厚度大于所述第一絕緣層的厚度，且該金屬層的厚度比所述第一絕緣層的厚度至少大0.5μm。

61、根據(jù)本公開(kāi)第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，包括如第一方面所述的顯示面板。

62、本公開(kāi)提供的顯示面板，包括襯底基板、晶體管器件層、至少一層金屬層、第一絕緣層、第一電極層和像素定義層，其中，至少一層金屬層包括多條沿第一方向延伸的金屬走線(xiàn)，像素定義層包括沿第一方向延伸的第一限定壩，金屬走線(xiàn)在襯底基板上的正投影位于第一限定壩在襯底基板上的正投影之內(nèi)，且至少一層金屬層中至少有一層金屬層的厚度比第一絕緣層的厚度至少大0.5μm。如此，具有較厚厚度的金屬走線(xiàn)有助于形成較大的坡度角，搭配較薄的第一絕緣層，可使第一限定壩也形成較大的坡度角，從而有助于減緩墨水的爬坡現(xiàn)象，改善咖啡環(huán)效應(yīng)，提升顯示面板的顯示質(zhì)量。