本實(shí)用新型涉及一種LED驅(qū)動(dòng)電路的濾波電路，尤其涉及一種小電流去除工頻紋波的LED驅(qū)動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的不斷發(fā)展，LED照明越來(lái)越普遍了。隨之而來(lái)的LED照明問(wèn)題越來(lái)越多。其中對(duì)人危害最大的是頻閃，光對(duì)人體健康的危害影響是一個(gè)長(zhǎng)期作用、慢性累積的過(guò)程，世界上發(fā)達(dá)國(guó)家很早就開(kāi)始了相關(guān)的研究。根據(jù)光的閃爍頻率、光強(qiáng)變化幅度等不同因素，光對(duì)人體的危害程度也不相同。目前研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，頻閃效應(yīng)導(dǎo)致人體的不良生理反應(yīng)包括：（1）頭痛和眼疲勞；（2）光敏性癲癇??；（3）視力下降；（4）注意力分散；（5）自閉癥。
現(xiàn)在LED照明大多采用開(kāi)關(guān)電源，為了提高電能的利用率，基本上采用高率因數(shù)LED電源，PF大于0.95以上，在小功率照明燈上一般采用單極PFC矯正的拓?fù)浼軜?gòu)，由于單極功率因數(shù)矯正的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在輸入端不能采用大容量的電解電容濾波，只能用104大小的無(wú)極性電容，并做的CLC架構(gòu)的濾波方式。這樣到輸出端就會(huì)有很大的工頻紋波，雖然在輸出端有大的電解電容，但只能過(guò)濾大部分的工頻紋波，剩下殘余的紋波被LED吸收轉(zhuǎn)化為光能輻射，這樣LED發(fā)出來(lái)的光就帶有工頻紋波100Hz的頻閃。當(dāng)功率超過(guò)30W以上時(shí)大多都會(huì)采用主動(dòng)PFC兩級(jí)方案的LED電源方案，這種電源就不存在頻閃這個(gè)問(wèn)題。但相對(duì)來(lái)說(shuō)成本就會(huì)增加很多。對(duì)小功率的LED電源如采用這種30W電源方案，成本會(huì)很高，不利于LED電源的發(fā)展。采用低功率因數(shù)的電源方案，雖然能解決頻閃與成本的問(wèn)題，但由于PF小于0.5，無(wú)功功率增加，會(huì)使電力負(fù)載整大，電力線損耗加大的影響，不利于節(jié)能環(huán)保。因此也不建議采用這種方案。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種小電流去除工頻紋波的LED驅(qū)動(dòng)電路?？蛇^(guò)濾紋波電流，將紋波降至4%以下。
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種小電流去除工頻紋波的LED驅(qū)動(dòng)電路，包括串接于正、負(fù)輸入端上的RC濾波電路、串接在正輸入端上的MOS管，所述MOS管的柵極通過(guò)偏置電阻連接所述RC濾波電路的輸出端，所述MOS管的漏極與所述偏置電阻之間串接有提供偏壓的二極管與第一穩(wěn)壓二極管。
進(jìn)一步地，還包括并接于所述MOS管柵極與源極之間的第二穩(wěn)壓二極管。
更進(jìn)一步地，所述MOS管柵極與源極之間并接有放電電阻。
更進(jìn)一步地，還包括所述正、負(fù)輸入端上并接的第一濾波電容。
更進(jìn)一步地，還包括所述正、負(fù)輸出端上并接的第二濾波電容。
實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，具有如下有益效果：本實(shí)用新型通過(guò)在高功率因率電源方案后級(jí)的輸出端上設(shè)置了有源電子濾波器，有效過(guò)濾100Hz工頻紋波的直流電壓，將紋波降至4%以下，避免殘余的紋波被LED吸收轉(zhuǎn)化為光能輻射，提高了LED發(fā)光的質(zhì)量，具有成本低，效果顯著的優(yōu)點(diǎn)。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型的整體電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
參照?qǐng)D1所示的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
本實(shí)用新型實(shí)施例的一種小電流去除工頻紋波的LED驅(qū)動(dòng)電路，包括串接于正、負(fù)輸入端上的由電阻R1 、電容C2構(gòu)成的RC濾波電路、以及串接在正輸入端上的MOS管Q1，MOS管Q1的源極為輸出端。
MOS管Q1的柵極通過(guò)偏置電阻R2連接電容C2，且MOS管Q1的漏極與偏置電阻R2之間串接有為MOS管Q1提供偏置電壓的二極管D1、第一穩(wěn)壓二極管Z1。
更優(yōu)的是，為了保護(hù)MOS管Q1的，防止輸出電壓過(guò)高而損壞，MOS管Q1在柵極（G）與源極（S）之間設(shè)置了第二穩(wěn)壓二極Z2。
由于MOS管Q1柵極（G）與源極（S）之間存在寄生電容，放電電阻R3接在G、S之間是為了寄生電容的迅速放電，防止因寄生電容沒(méi)放電造成的寄生震蕩，影響MOS管的開(kāi)關(guān)速度。
更優(yōu)的是，本實(shí)用新型整體電路的正、負(fù)輸入端上并接的第一濾波電容C1，正負(fù)輸出端上并接第二濾波電容C3。
由于MOS管作為開(kāi)關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓VGS決定其工作狀態(tài)。MOS管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管)它是利用VGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí)，通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極電壓改變時(shí)，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。從而說(shuō)明了VGS電壓穩(wěn)定時(shí)，輸出電流也穩(wěn)定，也就是說(shuō)加在VGS上的電壓沒(méi)有紋波時(shí)，MOS管Q1輸出也不存在紋波的原因了。
當(dāng)然上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型主要技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)所做的修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。