本申請涉及通信技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及分頻裝置與頻率發(fā)生器。

背景技術(shù)：

頻率發(fā)生器也稱為信號發(fā)生器，是一種能夠提供各種頻率、波形和輸出電平電信號的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種電信系統(tǒng)、電信設(shè)備以及雷達(dá)系統(tǒng)的測試任務(wù)，例如在測量振幅特性、頻率特性或傳輸特性等涉及電參數(shù)時用作測試的信號源或激勵源。頻率發(fā)生器能夠提供較寬范圍的頻率輸出波段，以支持不同應(yīng)用領(lǐng)域的測試設(shè)備。

在頻率發(fā)生器所發(fā)出的頻率波中，與高頻波段相比，由于低頻波段的抗干擾能力差，低頻波段的輸出信號的相噪水平往往偏高?，F(xiàn)有技術(shù)中通過減法混頻器來獲得低頻波段的輸出信號，但是減法混頻器對降低低頻波段的輸出信號的相噪水平?jīng)]有產(chǎn)生作用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供一種分頻裝置，用于降低頻率發(fā)生器所發(fā)出的頻率波中的低頻波段的相噪水平。

為達(dá)到上述問題，本實(shí)用新型采用了如下的技術(shù)方案：

一種分頻裝置，該裝置包括控制器，多級分頻通路以及多個開關(guān)，控制器與各開關(guān)的接觸端連接，用以控制各接觸端與觸點(diǎn)之間的連接，相鄰兩級分頻通路之間均設(shè)置有開關(guān)，且各分頻通路的輸出端均設(shè)置有開關(guān)，各分頻通路的輸出端的開關(guān)包括一個公共接觸端和與各分頻通路的輸出端一一對應(yīng)的多個觸點(diǎn)，相鄰兩級分頻通路之間的各開關(guān)均具有各自獨(dú)立的接觸端和觸點(diǎn)。

本實(shí)用新型提供的分頻裝置，采用多級分頻通路來獲得頻率發(fā)生器中的低頻波段的輸出信號，其中頻率發(fā)生器所產(chǎn)生的頻率信號的相噪水平在經(jīng)過每級分頻通路處理后能夠逐級降低，從而能夠降低頻率發(fā)生器所發(fā)出的頻率波中的在低頻波段的相噪水平。

其中各分頻通路均包括分頻器，且各分頻器的分頻比均可調(diào)。

可選地，分頻裝置還包括與多級分頻通路一一對應(yīng)的多個濾波器，各濾波器的輸入端與多級分頻通路的輸出端連接，其中，各分頻通路的輸出端對應(yīng)的開關(guān)位于各濾波器的輸入端與多級分頻通路的輸出端之間。

其中，濾波器包括封裝保護(hù)體、設(shè)于所述封裝保護(hù)體內(nèi)的內(nèi)導(dǎo)體及與所述內(nèi)導(dǎo)體電連接的引腳，所述內(nèi)導(dǎo)體包括電容，所述電容采用PCB板組件結(jié)構(gòu)，所述引腳延伸出至所述封裝保護(hù)體外。

可選地，所述內(nèi)導(dǎo)體還包括磁珠或電感，所述PCB板組件結(jié)構(gòu)固定在所述磁珠或電感的中間，且與所述磁珠或電感通過封裝膠粘合成一體。

可選地，所述引腳的個數(shù)是三個，三個引腳從所述封裝保護(hù)體的同一側(cè)延伸出來，分別作為信號輸入端、信號輸出端及接地端。

本實(shí)用新型還提供一種頻率發(fā)生器，該頻率發(fā)生器包括參考源、頻率合成器以及如上文所述的分頻裝置，其中參考源的輸出端與頻率合成器的輸入端連接，用于向頻率合成器提供頻率參考信號；頻率合成器的輸出端與分頻裝置的輸入端連接，用于接收頻率參考信號，并依據(jù)該頻率參考信號作頻率合成處理，以及將合成處理后的頻率信號發(fā)送到所述分頻裝置；分頻裝置用于接收合成處理后的頻率信號，并對該頻率信號作分頻處理，以及將分頻處理后的頻率信號輸出。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請中記載的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的分頻裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的分頻裝置的分頻處理的信號流示意圖；

圖3為根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的信號發(fā)生器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種分頻裝置，如圖1所示，分頻裝置包括控制器，多級分頻通路10以及多個開關(guān)，控制器與各開關(guān)的接觸端連接，用以控制各接觸端與觸點(diǎn)之間的連接，相鄰兩級分頻通路之間均設(shè)置有開關(guān)，且各分頻通路的輸出端均設(shè)置有開關(guān)，各分頻通路的輸出端的開關(guān)包括一個公共接觸端和與各分頻通路的輸出端一一對應(yīng)的多個觸點(diǎn)，相鄰兩級分頻通路之間的各開關(guān)均具有各自獨(dú)立的接觸端和觸點(diǎn)。示例性地，各分頻通路均包括分頻器，且各分頻器的分頻比均可調(diào)，從而可以使得本實(shí)用新型實(shí)施例中的分頻裝置的應(yīng)用范圍更廣泛。

作為舉例，設(shè)有輸入信號P1，其對應(yīng)的頻率范圍為6GHz～12GHz，將P1信號接入到分頻裝置的多級分頻通路10，然后由多個開關(guān)20聯(lián)動控制，使P1經(jīng)過多級分頻通路的對應(yīng)電路，以進(jìn)行相應(yīng)的分頻處理，從而輸出所需的頻率P2的范圍，例如1M～500M。

相噪的全稱為相位噪聲(Phase noise)，是指系統(tǒng)(例如各種射頻器件)在各種噪聲的作用下引起的系統(tǒng)輸出信號相位的隨機(jī)變化。它是衡量頻率標(biāo)準(zhǔn)源和高穩(wěn)晶振等的頻穩(wěn)質(zhì)量的重要指標(biāo)。

由于分頻處理可以降低射頻信號的相噪值，且經(jīng)分頻處理后的相噪值為20*lg^N，其中N為分頻處理后的輸出頻率值。故經(jīng)過多次分頻處理后，能夠有效降低輸出頻率的相噪水平。

本實(shí)用新型提供的分頻裝置，采用多級分頻通路來獲得頻率發(fā)生器中的低頻波段的輸出信號，其中頻率發(fā)生器所產(chǎn)生的頻率信號的相噪水平在經(jīng)過每級分頻通路處理后能夠逐級降低，從而能夠降低頻率發(fā)生器所發(fā)出的頻率波中的在低頻波段的相噪水平。

為了更好的說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，請繼續(xù)參看圖1：

在多級分頻通路10中，第一分頻通路包括第一分頻器101，第一分頻器101用于對輸入頻率信號進(jìn)行分頻處理，并輸出分頻處理后的頻率信號。為了接入外部頻率信號，在第一分頻通路上的第一分頻器101前設(shè)有第一開關(guān)，用于在需要時導(dǎo)通該第一分頻通路，以及在不需要時斷開該第一分頻通路，具體地，開關(guān)通過控制各接觸端與對應(yīng)觸點(diǎn)之間的連接來導(dǎo)通或斷開第一分頻通路。

此外，在各分頻通路上的分頻器后還設(shè)有第二開關(guān)201，用于使當(dāng)前分頻通路導(dǎo)通到下一級分頻通路。并列地，為了對各級分頻通路上的分頻器處理后的頻率信號進(jìn)行直接輸出，還設(shè)有第三開關(guān)203。參看圖1，第三開關(guān)203可以為多觸點(diǎn)開關(guān)。若需輸出其中一級分頻通路上的分頻器處理后的頻率信號時，將第三開關(guān)202的接觸端與該分頻通路所對應(yīng)的觸點(diǎn)連接。

作為舉例，設(shè)有輸入信號P3，其對應(yīng)的頻率范圍為6GHz～12GHz，將頻率信號P3接入到分頻裝置的多級分頻通路10，頻率信號P3將先經(jīng)過第一分頻器101進(jìn)行分頻處理，若該第一分頻器101對應(yīng)的分頻比為2:1，則第一分頻器101將輸出經(jīng)過分頻處理后的頻率信號P4，其對應(yīng)的頻率范圍為3GHz～6GHz。

若預(yù)設(shè)的目標(biāo)輸出頻率也為3GHz～6GHz，則使第三開關(guān)202控制直接輸出經(jīng)第一分頻器101處理后的頻率信號P4；若預(yù)設(shè)的目標(biāo)輸出頻率小于3GHz～6GHz，則使第二開關(guān)201控制使第一分頻通路導(dǎo)通到第二分頻通路，以繼續(xù)進(jìn)行下一級分頻處理。

類似的，若分頻裝置包括N級分頻通路，則在第N分頻通路上設(shè)有第N分頻器，第N分頻器用于對輸入頻率信號進(jìn)行分頻處理，并輸出分頻處理后的頻率信號，其中N為大于1的正整數(shù)。以及在第N分頻通路上的第N分頻器后僅設(shè)一個開關(guān)，用于控制輸出經(jīng)第N分頻器分頻處理后的頻率信號。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的分頻裝置的分頻處理的信號流示意圖。如圖2所示，外部輸入信號頻率范圍為6～12GHz，若不經(jīng)分頻處理，或者經(jīng)1倍分頻處理，惡意直接輸出頻率范圍為6～12GHz的信號；若經(jīng)2倍分頻處理后，可以直接輸出2倍分頻的處理后的頻率范圍為3～6GHz的信號，也可以繼續(xù)進(jìn)行下一級分頻處理，直到輸出所需的頻率范圍，例如最低輸出頻率可以為1M。這樣即能夠輸出低頻波段，還能夠保持較好的相噪水平。

可選地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的分頻裝置可以是分頻器芯片，包括芯片本體，其中芯片本體上集成有如上文所述的分頻裝置。具體的，所述開關(guān)可以與芯片的引腳接通，從而能夠通過外部的控制總線，來控制所述開關(guān)的導(dǎo)通與閉合，從而使分頻器芯片具有可變的分頻比。

為了進(jìn)一步降低提高分頻處理后的輸出信號的相噪水平，本實(shí)用新型實(shí)施例的分頻裝置還包括與多級分頻通路一一對應(yīng)的多個濾波器，各濾波器的輸入端與多級分頻通路的輸出端連接，其中，各分頻通路的輸出端對應(yīng)的開關(guān)位于各濾波器的輸入端與多級分頻通路的輸出端之間。

具體地，濾波器包括封裝保護(hù)該濾波器包括封裝保護(hù)體、設(shè)于封裝保護(hù)體內(nèi)的內(nèi)導(dǎo)體及與內(nèi)導(dǎo)體電連接的引腳。內(nèi)導(dǎo)體包括電容和磁珠。電容采用PCB板組件結(jié)構(gòu)，即將電容焊接在PCB板上，且電容通過回流焊的方式進(jìn)行焊接。通過回流焊工藝對電容進(jìn)行焊接，可以避免手工焊接對電容造成損傷，從而提高產(chǎn)品的可靠性。

其中，所述PCB板組件結(jié)構(gòu)固定在磁珠的中間，且與磁珠通過封裝膠粘合成一體以實(shí)現(xiàn)濾波器的一體化結(jié)構(gòu)。這樣，在滿足濾波器電性能的前提下，利用PCB板組件結(jié)構(gòu)力保護(hù)電容，避免電容因受到機(jī)械應(yīng)力及熱應(yīng)力而造成損傷，從而提高濾波器抗振動，抗沖擊能力，防止電容短路失效，提高濾波器的可靠性。

在一個實(shí)施例中，引腳的個數(shù)是三個，三個引腳從封裝保護(hù)體的同一側(cè)延伸出來?？梢岳斫?，在其他實(shí)施例中，三個引腳還可以分布在封裝保護(hù)體的不同面。具體地，三個引腳分別作為信號輸入端、接地端及信號輸出端。

上文所述的濾波器中的電容采用了PCB板組件結(jié)構(gòu)，通過利用PCB板組件結(jié)構(gòu)力對所述電容進(jìn)行保護(hù)，提高所述電容對機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力的承受能力，防止電容短路失效，提高濾波器的可靠性。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種頻率發(fā)生器，如圖3所示，該頻率發(fā)生器包括參考源301、頻率合成器302以及如上文所述的分頻裝置303，其中參考源301的輸出端與頻率合成器302的輸入端連接，用于向頻率合成器302提供頻率參考信號；頻率合成器302的輸出端與分頻裝置303的輸入端連接，用于接收頻率參考信號，并依據(jù)該頻率參考信號作頻率合成處理，以及將合成處理后的頻率信號發(fā)送到所述分頻裝置303；分頻裝置303用于接收合成處理后的頻率信號，并對該頻率信號作分頻處理，以及將分頻處理后的頻率信號輸出。

盡管已描述了本申請的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請范圍的所有變更和修改。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本申請進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。