本發(fā)明涉及屏蔽膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電磁屏蔽膜及電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)：

目前常見屏蔽膜結(jié)構(gòu)多為一層或多層絕緣層，再加一層或多層電磁屏蔽層，如圖一所示。

其中電磁屏蔽層主要結(jié)構(gòu)為一層或多層金屬層和導(dǎo)電膠粘層，而其中一層或多層金屬層為磁控濺射層，再加一層電鍍增厚層、一層磁控層或蒸發(fā)金屬層，然后在此類型電磁屏蔽層外再加一層導(dǎo)電膠粘層，形成電磁屏蔽膜材料，即emi；而針對上述電磁屏蔽膜材料存在以下缺點(diǎn)：

第一種：電磁屏蔽層主要結(jié)構(gòu)為一層或多層磁控濺射層，外加一層電鍍增厚層，然后再加一層導(dǎo)電膠粘層，此工藝方案時(shí)間周期過長，生產(chǎn)效率低，且電鍍增厚層表面易存在氧化等不良外觀。

第二種：電磁屏蔽層主要結(jié)構(gòu)為一層或多層磁控濺射層，外加一層磁控層，然后再加一層導(dǎo)電膠粘層，此工藝生產(chǎn)效率低，速度慢，無法放量生產(chǎn)。

第三種：電磁屏蔽層主要結(jié)構(gòu)為一層或多層磁控濺射層，外加一層蒸發(fā)金屬層，存在電磁屏蔽效果偏低，需提高導(dǎo)電膠粘層中的金屬電導(dǎo)材料的含量，因此成本較高。

公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明的總體背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一目的在于提供一種電磁屏蔽膜，解決了現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電屏蔽性能差的問題。

本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜，包括電磁屏蔽層和覆于所述電磁屏蔽層表面的絕緣層；

所述電磁屏蔽層包括復(fù)合金屬層和第一導(dǎo)電粘結(jié)層；

所述復(fù)合金屬層上表面與所述絕緣層粘結(jié)；

所述復(fù)合金屬層下表面與所述第一導(dǎo)電粘結(jié)層粘結(jié)。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述復(fù)合金屬層包括金屬層和與所述金屬層粘結(jié)的第二導(dǎo)電粘結(jié)層。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述金屬層與所述絕緣層粘結(jié)，所述第二導(dǎo)電粘結(jié)層與所述第一導(dǎo)電粘結(jié)層粘結(jié)。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述金屬層與所述第一導(dǎo)電粘結(jié)層粘結(jié)，所述第二導(dǎo)電粘結(jié)層與所述絕緣層粘結(jié)。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述第二導(dǎo)電粘結(jié)層設(shè)置為高分子導(dǎo)電層。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述復(fù)合金屬層設(shè)置為一層或多層。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，所述金屬層和所述第二導(dǎo)電粘結(jié)層均設(shè)置為至少一層。

本發(fā)明的第二目的在于提供一種電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝，解決了現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電屏蔽性能差、生產(chǎn)效率低和產(chǎn)能低的問題。

本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝，具體步驟如下：

s001：涂布絕緣層：將一層或多層絕緣材料均勻涂布于載體膜上或直接以絕緣材料取代此絕緣層；

s002：涂布復(fù)合金屬層：

將混合好的復(fù)合金屬層經(jīng)過涂布工藝與絕緣層復(fù)合，然后對復(fù)合金屬層表面做蒸發(fā)鍍銅處理；

或者，先對復(fù)合金屬層表面做蒸發(fā)鍍銅處理，然后將混合好的復(fù)合金屬層經(jīng)過涂布工藝與絕緣層復(fù)合；

s003：涂布第一導(dǎo)電膠粘層:再將混合好的第一導(dǎo)電膠粘層與蒸發(fā)鍍銅好的產(chǎn)品，經(jīng)過涂布工藝復(fù)合在一起。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，蒸發(fā)鍍銅的生產(chǎn)流程為：先需要抽真空，保證金屬銅在真空的狀態(tài)下進(jìn)行鍍膜，使金屬銅加熱熔融后進(jìn)行送卷發(fā)料；然后通過坩鍋感應(yīng)蒸發(fā)；最后將制成的成品收卷。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，蒸發(fā)鍍銅處理時(shí)的加工速度為50m/min-80m/min；

第一導(dǎo)電膠粘層涂布時(shí)的加工速度為20m/min-30m/min。

相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜及電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝具有如下優(yōu)勢：

本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜，包括電磁屏蔽層和覆于電磁屏蔽層表面的絕緣層；電磁屏蔽層包括復(fù)合金屬層和第一導(dǎo)電粘結(jié)層；復(fù)合金屬層上表面與所述絕緣層粘結(jié)；復(fù)合金屬層下表面與第一導(dǎo)電粘結(jié)層粘結(jié)。由于復(fù)合金屬層的設(shè)置，賦予其良好的導(dǎo)電性能及屏蔽性能；所以有效的解決了導(dǎo)電屏蔽性能差的問題。

另外，復(fù)合金屬層包括金屬層和第二導(dǎo)電粘結(jié)層，金屬層能夠賦予其橫向?qū)щ娦阅芗捌帘涡阅?，第二?dǎo)電粘結(jié)層能夠賦予其良好的縱向?qū)щ娦阅?，所以能夠整體提高電磁屏蔽膜的導(dǎo)電屏蔽性能。

本發(fā)明提供的電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝，具體步驟如下：將一層或多層絕緣材料均勻涂布于載體膜上或直接以絕緣材料取代此絕緣層；將混合好的復(fù)合金屬層經(jīng)過涂布工藝與絕緣層復(fù)合，然后對復(fù)合金屬層表面做蒸發(fā)鍍銅處理；或者，先對復(fù)合金屬層表面做蒸發(fā)鍍銅處理，然后將混合好的復(fù)合金屬層經(jīng)過涂布工藝與絕緣層復(fù)合；再將混合好的第一導(dǎo)電膠粘層與蒸發(fā)鍍銅好的產(chǎn)品，經(jīng)過涂布工藝復(fù)合在一起。該技術(shù)方案采用復(fù)合金屬層+蒸發(fā)鍍層，能夠替代現(xiàn)有技術(shù)的磁控層、磁控層+電解鍍層或代替高粉量的導(dǎo)電膠粘層，生產(chǎn)效率有較大提高，進(jìn)而提高了產(chǎn)能，由于復(fù)合金屬層的設(shè)置，還有效的解決了導(dǎo)電屏蔽性能差的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜的剖面圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種電磁屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種電磁屏蔽膜的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖標(biāo)：100-絕緣層；200-電磁屏蔽層；201-復(fù)合金屬層；202-第一導(dǎo)電粘結(jié)層；2011-金屬層；2012-第二導(dǎo)電粘結(jié)層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

下面通過具體的實(shí)施例子并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

實(shí)施例一

如圖1-3所示，本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜，包括電磁屏蔽層200和覆于電磁屏蔽層200表面的絕緣層100；電磁屏蔽層200包括復(fù)合金屬層201和第一導(dǎo)電粘結(jié)層202；復(fù)合金屬層201上表面與絕緣層100粘結(jié)；復(fù)合金屬層201下表面與第一導(dǎo)電粘結(jié)層202粘結(jié)。

具體的，復(fù)合金屬層201包括金屬層2011和與金屬層2011粘結(jié)的第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012；由于金屬層2011能夠賦予其橫向?qū)щ娦阅芗捌帘涡阅?，第二?dǎo)電粘結(jié)層2012能夠賦予其良好的縱向?qū)щ娦阅?，所以能夠整體提高電磁屏蔽膜的導(dǎo)電屏蔽性能。

進(jìn)一步的，金屬層2011與絕緣層100粘結(jié)，第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012與第一導(dǎo)電粘結(jié)層202粘結(jié)。

優(yōu)選的，第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012設(shè)置為高分子導(dǎo)電層，具有導(dǎo)電率高和易加工變薄的優(yōu)點(diǎn)。

需要說明的是，高分子導(dǎo)電層的材質(zhì)可以設(shè)置為石墨烯，也可以設(shè)置為其他材質(zhì)，只要具有高導(dǎo)電率，容易加工變薄，并且材質(zhì)為非金屬材料即可，因此這里不在一一舉例說明。

本實(shí)施例可選方案中，絕緣層100和電磁屏蔽層200均設(shè)置為一層或多層。

具體的，復(fù)合金屬層201設(shè)置為一層或多層。

進(jìn)一步的，金屬層2011和第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012均設(shè)置為至少一層。

本實(shí)施例可選方案中，第一導(dǎo)電粘結(jié)層202的厚度為4微米-6微米；最優(yōu)方案為5微米。

具體的，復(fù)合金屬層201的厚度為4微米-6微米；最優(yōu)方案為5微米。

進(jìn)一步的，絕緣層100的厚度為5微米-9微米；最優(yōu)方案為7微米。

優(yōu)選的，金屬層2011的厚度為0.01微米-0.03微米；最優(yōu)方案為0.01微米，由于金屬層2011的厚度非常薄，所以在使用過程中可忽略不計(jì)。

結(jié)合以上對本發(fā)明的詳細(xì)描述可以看出，本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜，包括電磁屏蔽層200和覆于電磁屏蔽層200表面的絕緣層100；電磁屏蔽層200包括復(fù)合金屬層201和第一導(dǎo)電粘結(jié)層202；復(fù)合金屬層201上表面與絕緣層100粘結(jié)；復(fù)合金屬層201下表面與第一導(dǎo)電粘結(jié)層202粘結(jié)。由于復(fù)合金屬層201的設(shè)置，賦予其良好的導(dǎo)電性能及屏蔽性能；由于復(fù)合金屬層201包括金屬層2011和第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012，金屬層2011能夠賦予其橫向?qū)щ娦阅芗捌帘涡阅埽诙?dǎo)電粘結(jié)層2012能夠賦予其良好的縱向?qū)щ娦阅?，所以能夠整體提高電磁屏蔽膜的導(dǎo)電屏蔽性能。

實(shí)施例二

如圖4所示，本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜，包括電磁屏蔽層200和覆于電磁屏蔽層200表面的絕緣層100；電磁屏蔽層200包括復(fù)合金屬層201和第一導(dǎo)電粘結(jié)層202；復(fù)合金屬層201上表面與絕緣層100粘結(jié)；復(fù)合金屬層201下表面與第一導(dǎo)電粘結(jié)層202粘結(jié)。

具體的，復(fù)合金屬層201包括金屬層2011和與金屬層2011粘結(jié)的第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012；由于金屬層2011能夠賦予其橫向?qū)щ娦阅芗捌帘涡阅?，第二?dǎo)電粘結(jié)層2012能夠賦予其良好的縱向?qū)щ娦阅埽阅軌蛘w提高電磁屏蔽膜的導(dǎo)電屏蔽性能。

進(jìn)一步的，金屬層2011與第一導(dǎo)電粘結(jié)層202粘結(jié)，第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012與絕緣層100粘結(jié)。

本實(shí)施例的其他的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)相同，因此這里不再贅述。

結(jié)合以上對本發(fā)明的詳細(xì)描述可以看出，本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜，由于復(fù)合金屬層201的設(shè)置，賦予其良好的導(dǎo)電性能及屏蔽性能；由于復(fù)合金屬層201包括金屬層2011和第二導(dǎo)電粘結(jié)層2012，金屬層2011能夠賦予其橫向?qū)щ娦阅芗捌帘涡阅?，第二?dǎo)電粘結(jié)層2012能夠賦予其良好的縱向?qū)щ娦阅?，所以能夠整體提高電磁屏蔽膜的導(dǎo)電屏蔽性能。

實(shí)施例三

本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝，具體步驟如下：

第一種：

s001：涂布絕緣層100：將一層或多層絕緣材料均勻涂布于載體膜上或直接以絕緣材料取代此絕緣層100；

s002：涂布復(fù)合金屬層201：將混合好的復(fù)合金屬層201經(jīng)過涂布工藝與絕緣層100復(fù)合，然后對復(fù)合金屬層201表面做蒸發(fā)鍍銅處理；

s003：涂布第一導(dǎo)電膠粘層:再將混合好的第一導(dǎo)電膠粘層與蒸發(fā)鍍銅好的產(chǎn)品，經(jīng)過涂布工藝復(fù)合在一起。

第二種：

s001：涂布絕緣層100：將一層或多層絕緣材料均勻涂布于載體膜上或直接以絕緣材料取代此絕緣層100；

s002：涂布復(fù)合金屬層201：先對復(fù)合金屬層201表面做蒸發(fā)鍍銅處理，然后將混合好的復(fù)合金屬層201經(jīng)過涂布工藝與絕緣層100復(fù)合；

s003：涂布第一導(dǎo)電膠粘層:再將混合好的第一導(dǎo)電膠粘層與蒸發(fā)鍍銅好的產(chǎn)品，經(jīng)過涂布工藝復(fù)合在一起。

具體的，蒸發(fā)鍍銅的生產(chǎn)流程為：先需要抽真空，保證金屬銅在真空的狀態(tài)下進(jìn)行鍍膜，使金屬銅加熱熔融后進(jìn)行送卷發(fā)料；然后通過坩鍋感應(yīng)蒸發(fā)；最后將制成的成品收卷。

進(jìn)一步的，蒸發(fā)鍍銅處理時(shí)的加工速度為50m/min-80m/min；第一導(dǎo)電膠粘層涂布時(shí)的加工速度為20m/min-30m/min；提高了生產(chǎn)過程整體的加工效率，從而具有產(chǎn)能高的優(yōu)點(diǎn)。

由于現(xiàn)有技術(shù)中的常規(guī)磁控層加工速度周期長，加工效率低，依據(jù)設(shè)備大小,平均速度在2-10m/min之間；而磁控層+電鍍鍍層，其磁控速度為5-10m/min,電鍍層速度也在5-10m/min之間，兩者平均速度在8m/min左右；而高粉量的導(dǎo)電膠粘層，其導(dǎo)電粉含量很高，不利于加工，且因?qū)щ姺蹆r(jià)格不菲，導(dǎo)至整個(gè)成品的成本居高不下。

而本技術(shù)采用涂布復(fù)合金屬層201(即新型導(dǎo)電材料)，然后搭配蒸發(fā)鍍層，來代替現(xiàn)有技術(shù)的磁控層、磁控層+電解鍍層或代替高粉量的導(dǎo)電膠粘層。其復(fù)合金屬層201速度位于20m/min-30m/min之間，而采用蒸發(fā)鍍層，其加工速度位于50m/min-80m/min之間，整體速率可提高兩倍以上；且此結(jié)構(gòu)對應(yīng)使用的導(dǎo)電膠粘層的導(dǎo)電粉比例可明顯下降，達(dá)到整體成本的下降，成本更有優(yōu)勢，達(dá)到產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求。

結(jié)合以上對本發(fā)明的詳細(xì)描述可以看出，本實(shí)施例提供的電磁屏蔽膜生產(chǎn)工藝，采用復(fù)合金屬層201+蒸發(fā)鍍層，能夠替代現(xiàn)有技術(shù)的磁控層、磁控層+電解鍍層或代替高粉量的導(dǎo)電膠粘層，生產(chǎn)效率有較大提高，進(jìn)而提高了產(chǎn)能，由于復(fù)合金屬層201的設(shè)置，還有效的解決了導(dǎo)電屏蔽性能差的問題。

最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。